BC846C

厂商：
HOTTECH(合科泰)
封装：
SOT-23
描述：
三极管 NPN Ic=100mA Vceo=65V hfe=420~800 P=200mW SOT23

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BC846C 数据手册

Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES BC846A/B (NPN) BC847A/B/C (NPN) BC848A/B/C (NPN) For general AF applications High collector current High current gain Low collector-emitter saturation voltage Marking BC846A BC846B 1A 1B BC847C BC848A 1G 1J BC847A 1E BC848B 1K BC847B 1F BC848C 1. BASE 1L 2. EMITTER SOT-23 3. COLLECTO MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit V BC846 VCBO 80 BC847 VCBO 50 BC848 VCBO 30 BC846 VCEO 65 BC847 VCEO 45 BC848 VCEO 30 VEBO 6 V Collector Current -Continuous IC 0.1 A Collector Power Dissipation PC 0.2 W Junction Temperature TJ 150 Storage Temperature Tstg -55 to +150 Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO., LTD V Page:P3-P1 Plastic-Encapsulate Transistors ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25 unless otherwise specified) Parameter Symbol Collector-base breakdown voltage Test conditions BC846 BC847 IC= 10µA, IE=0 Collector cut-off current 30 VCEO VEBO BC846 BC847 ICBO BC848 Collector cut-off current BC846 BC847 ICEO BC848 IEBO Emitter cut-off current DC current gain IC= 10mA, IB=0 V 45 IE= 10µA, IC=0 VCB=70 V , IE=0 VCB=50 V , IE=0 VCB=30 V , IE=0 VCE=60 V , IB=0 VCE=45 V , IB=0 VCE=30 V , VEB=5 V , hFE VCE= 5V, 30 V 6 V IB=0 IC=0 BC846A,847A,848A BC846B,847B,848B Unit 65 BC848 Emitter-base breakdown voltage Max 50 BC846 BC847 Typ 80 VCBO BC848 Collector-emitter breakdown voltage Min IC= 2mA BC847C,BC848C 0.1 μA 0.1 μA 0.1 μA 110 220 200 450 420 800 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=100mA, IB= 5mA 0.5 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=100mA, IB= 5mA 1.1 V fT Transition frequency f=100MHz Collector output capacitance BC846A/B BC847A/B/C BC848A/B/C VCE= 5 V, IC= 10mA Cob VCB=10V,f=1MHz 100 MHz 4.5 pF Typical Characteristics GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO., LTD Page:P3-P2 Plastic-Encapsulate Transistors BC846A/B BC847A/B/C BC848A/B/C Typical Characteristics GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO., LTD Page:P3-P3

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BC846C

物料型号： - BC846A、BC846B - BC847A、BC847B、BC847C - BC848A、BC848B、BC848C

器件简介：这些晶体管是用于一般音频频率（AF）应用的NPN型晶体管，具有高集电极电流、高电流增益和低集电极-发射极饱和电压的特点。

引脚分配： 1. 基极（Base） 2. 发射极（Emitter） 3. 集电极（Collector）

参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：BC846为80V，BC847为50V，BC848为30V。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：BC846为65V，BC847为45V，BC848为30V。 - 发射极-基极电压（VEBO）：6V。 - 集电极电流（Ic）：连续电流为0.1A。 - 集电极功耗（Pc）：0.2W。 - 结温（Tj）：最高150°C。 - 存储温度（Tstg）：-55至+150°C。

功能详解： - 直流电流增益（hFE）：BC846A、BC847A、BC848A的典型值为110至220，BC846B、BC847B、BC848B的典型值为200至450，BC847C、BC848C的典型值为420至800。 - 集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：在IC=100mA, IB=5mA条件下，典型值为0.5V。 - 基极-发射极饱和电压（VBE(sat)）：在IC=100mA, IB=5mA条件下，典型值为1.1V。 - 过渡频率（ft）：在VCE=5V, IC=10mA条件下，典型值为100MHz。 - 集电极输出电容（Cob）：在VCB=10V, f=1MHz条件下，典型值为4.5pF。

应用信息：这些晶体管适用于一般音频频率放大器、开关应用等。

封装信息：晶体管采用SOT-23封装。

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