SinOne
SC92F7547/7546/7543
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU ,2 Kbytes SRAM ,32 Kbytes Flash,128 bytes 独立
EEPROM, 12 位 ADC,1 个模拟比较器,LCD/LED Driver,12 位 PWM,3 个定时器,乘除
法器,UART,SSI ,Check Sum 校验模块
1 总体描述
SC92F7547/7546/7543(以下简称 SC92F754X)系列是
一颗增强型的超高速 1T 8051 内核工业级 Flash 微控制器,
指令系统完全兼容传统 8051 产品系列。SC92F754X 集成
有 32 Kbytes Flash ROM、2 Kbytes SRAM 、128 bytes
EEPROM、最多 46 个 GP I/O、16 个 IO 可外部中断、3 个
16 位定时器、17 路 12 位高精度 ADC、1 个模拟比较器、
8 路 12 位 PWM、IO 驱动分级控制(LED segment 口)、
1 个 16 ×16 位 硬 件 乘 除 法 器 、 内 部 ±1% 高 精 度 高 频
16/8/4/1.33MHz 振荡器和±4%精度低频 128K 振荡器、可
外接晶体振荡器、UART 等通讯接口等资源。为提高可靠
性及简化客户电路,SC92F754X 内部也集成有 4 级可选电
压 LVR、2.4V 基准 ADC 参考电压、低耗电 WDT 等高可靠
电路。SC92F754X 具有非常优异的抗干扰性能,非常适合
应用于各种物联网控制、大小智能家电和智能家居、充电
器、电源、航模、对讲机、无线通讯、游戏机等工业控制
和消费应用领域。
低电压复位(LVR):
复位电压有 4 级可选:分别是:4.3V、3.7V、2.9V、
2.3V
缺省值为用户烧写 Code Option 所选值
Flash 烧写和仿真:
2 线 JTAG 烧写和仿真接口
中断(INT):
Timer0,Timer1,Timer2,INT0~2,ADC,PWM,
UART,SSI,Base Timer,CMP 共 12 个中断源
外部中断有 3 个中断向量,共 16 个中断口,全部可
设上升沿、下降沿、双沿中断
两级中断优先级可设
预
览
版
工作温度:-40 ~ 85℃
封装:
SC92F7547 (LQFP48)
SC92F7546 (LQFP44)
SC92F7543 (SOP28/TSSOP28)
内核:超高速的 1T 8051
Flash ROM:32 Kbytes Flash ROM(MOVC 禁止寻址
0000H~00FFH 的 256 bytes)
IAP:可 code option 成 0K、0.5K、1K 或 32K
EEPROM:128 bytes,无需擦除,10 万次写入,10 年以
上保存寿命
SRAM :内部 256 bytes+外部 1792 bytes+PWM&LCD
RAM 80 bytes
系统时钟(fSYS):
内建高频 16MHz 振荡器(fHRC)
IC 工作的系统时钟,可通过编程器选择设定为:
16MHz @2.9~5.5V
8/4/1.33MHz@2.4~5.5V
频率误差:跨越 (3.0V~5.5V) 及 (-20 ~ 85℃) 应用环
境,不超过 ±1%
内置低频晶体振荡器电路:
可外接 32K 振荡器,作为 Base Timer 时钟源,可唤
醒 STOP
内建低频 128kHz LRC 振荡器:
可作为 Base Timer 及 WDT 的时钟源,并唤醒 STOP
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数字外围:
最大 46 个双向可独立控制的 I/O 口,可独立设定上拉
电阻
P0~P3L(P3.0/1/2/3)口源驱动能力分四级控制
全部 IO 具有大灌电流驱动能力(50mA)
11 位 WDT,可选时钟分频比
3 个标准 80C51 定时器 Timer0、Timer1 和 Timer2
最多 8 路共用周期、单独可调占空比的 12 位 PWM
1 个独立 UART 通信口
1 个 UART/SPI/IIC 三选一 SSI 通信口
集成 16 ×16 位硬件乘除法器
本
2 主要功能
工作电压:2.4V~5.5V
频率误差:跨越 (4.0V ~ 5.5V) 及 (-20 ~ 85℃) 应用环
境,经过寄存器修正后频率误差不超过 ±4%
LCD/LED 驱动器:
LCD/LED 二选一,共用寄存器和 IO 口
8 X 24、6 X 26、5 X 27、或 4X 28 段 LED 驱动
LED segment 口源驱动能力分四级控制
8 X 24、6 X 26、5 X 27、或 4X 28 段 LCD 驱动
模拟外围:
17 路 12 位±2LSB ADC
内建基准的 2.4V 参考电压
ADC 的参考电压有 2 种选择,分别是 VDD 以及
内部 2.4V
内部一路 ADC 可直接测量 VDD 电压
可设 ADC 转换完成中断
1 个模拟比较器
四路输入一路参考电压输入
比较电压 16 级可选(VDD 分压)
省电模式:
IDLE Mode,可由任何中断唤醒
STOP Mode,可由 INT0~2 和 Base Timer 唤醒
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
92 系列产品命名规则
名称
SC
92
F
7
5
4
7
X
P
48
R
序号
①
②
③
④
⑤
⑥
⑦
⑧
⑨
⑩
⑪
序号
含义
①
Sinone Chip 缩写
②
产品系列名称
③
产品类型(F:Flash MCU)
④
系列号:7:GP 系列,8:TK 系列
⑤
ROM Size:1 为 2K,2 为 4K,3 为 8K,4 为 16K,5 为 32K…
⑥
子系列编号:0~9,A~Z
⑦
⑧
引脚数:0:8pin, 1:16pin,2:20pin,3:28pin,5:32pin,6:44pin,7:48pin,8:
64pin,9:100pin
版本号:(缺省、B、C、D)
⑨
封装形式:(D:DIP;M:SOP;X:TSSOP;F:QFP;P:LQFP;Q:QFN;K:SKDIP)
⑩
⑪
引脚数
预
览
版
本
包装方式:(U:管装;R:盘装;T:卷带)
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
目录
1 总体描述 ............................................................................................................................... 1
2 主要功能 ............................................................................................................................... 1
92 系列产品命名规则 ............................................................................................................... 2
目录.......................................................................................................................................... 3
3 管脚定义 ............................................................................................................................... 7
3.1 LQFP48/LQFP44 管脚配置 ....................................................................................................................... 7
3.1.1 LQFP48/LQFP44 管脚定义 .............................................................................................................. 9
3.2 SOP28/TSSOP28 管脚配置 ..................................................................................................................... 12
3.2.1 SOP28/TSSOP28 管脚定义 ........................................................................................................... 12
本
4 内部框图 ............................................................................................................................. 15
版
5 FLASH ROM 和 SRAM 结构 ............................................................................................... 16
览
5.1 flash rom ................................................................................................................................................. 16
预
5.2 Customer Option 区域(用户烧写设置) .............................................................................................. 17
5.2.1 Option 相关 SFR 操作说明 ............................................................................................................. 18
5.3 sram ......................................................................................................................................................... 19
5.3.1 内部 256 Bytes SRAM ................................................................................................................... 19
5.3.2 外部 1792 Bytes SRAM ................................................................................................................. 20
5.3.3 PWM&LCD 80 bytes SRAM .......................................................................................................... 21
6 特殊功能寄存器(SFR) ......................................................................................................... 21
6.1 SFR 映像 .................................................................................................................................................. 21
6.2 SFR 说明 .................................................................................................................................................. 22
6.2.1 8051 CPU 内核常用特殊功能寄存器介绍 ...................................................................................... 23
7 电源、复位和时钟 ............................................................................................................... 24
7.1 电源电路 ................................................................................................................................................... 24
7.2 上电复位过程............................................................................................................................................ 24
7.2.1 复位阶段......................................................................................................................................... 24
7.2.2 调入信息阶段 ................................................................................................................................. 24
7.2.3 正常操作阶段 ................................................................................................................................. 25
7.3 复位方式 ................................................................................................................................................... 25
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
7.3.1 外部 RST 复位................................................................................................................................ 25
7.3.2 低电压复位 LVR ............................................................................................................................. 25
7.3.3 上电复位 POR ................................................................................................................................ 26
7.3.4 看门狗复位 WDT ............................................................................................................................ 26
7.3.5 复位初始状态 ................................................................................................................................. 26
7.4 高频系统时钟电路 .................................................................................................................................... 28
7.5 低频振荡器及低频时钟定时器 .................................................................................................................. 29
7.6 STOP 模式和 IDLE 模式 .......................................................................................................................... 30
8 中央处理单元 CPU 及指令系统 ........................................................................................... 32
8.1 CPU .......................................................................................................................................................... 32
版
本
8.2 寻址方式 ................................................................................................................................................... 32
8.2.1 立即寻址......................................................................................................................................... 32
8.2.2 直接寻址......................................................................................................................................... 32
8.2.3 间接寻址......................................................................................................................................... 32
8.2.4 寄存器寻址 ..................................................................................................................................... 32
8.2.5 相对寻址......................................................................................................................................... 32
8.2.6 变址寻址......................................................................................................................................... 32
8.2.7 位寻址 ............................................................................................................................................ 32
览
9 INTERRUPT 中断 ............................................................................................................... 33
预
9.1 中断源、向量 ........................................................................................................................................... 33
9.2 中断结构图 ............................................................................................................................................... 35
9.3 中断优先级 ............................................................................................................................................... 36
9.4 中断处理流程 ........................................................................................................................................... 36
9.5 中断相关 SFR 寄存器 ............................................................................................................................... 36
10 定时器 TIMER0 、TIMER1 ............................................................................................... 40
10.1 T0 和 T1 相关特殊功能寄存器 ................................................................................................................ 40
10.2 T0 工作模式............................................................................................................................................ 42
10.3 T1 工作模式............................................................................................................................................ 44
11 定时器 TIMER2 ................................................................................................................. 46
11.1 T2 相关特殊功能寄存器 ......................................................................................................................... 46
11.2 T2 工作模式............................................................................................................................................ 48
12 乘除法器 ........................................................................................................................... 52
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
13 PWM ................................................................................................................................. 53
13.1 PWM 结构框图 ....................................................................................................................................... 53
13.2 PWM 相关 SFR 寄存器 .......................................................................................................................... 54
13.3 PWM 波形及用法 ................................................................................................................................... 56
14 GP I/O ............................................................................................................................... 57
14.1 GPIO 结构图 .......................................................................................................................................... 57
14.2 I/O 端口相关寄存器 ................................................................................................................................ 58
15 LCD/LED 显示驱动 ........................................................................................................... 62
15.1 LCD/LED 显示驱动相关寄存器 .............................................................................................................. 62
15.2 LCD/LED 显示 RAM 配置 ...................................................................................................................... 64
本
15.3 LCD 波形 ................................................................................................................................................ 65
15.3.1 1/3Bias LCD 波形 ......................................................................................................................... 65
15.3.2 1/4Bias LCD 波形 ......................................................................................................................... 66
版
15.4 LED 波形 ................................................................................................................................................ 67
预
览
15.5 LCD/LED 例程 ....................................................................................................................................... 68
15.5.1 LCD 配置例程 .............................................................................................................................. 68
15.5.2 LED 配置例程 ............................................................................................................................... 68
16 UART0 .............................................................................................................................. 69
16.1 串口通信的波特率 .................................................................................................................................. 70
17 SPI/TWI/UART 三选一串行接口 SSI ................................................................................. 71
17.1 SPI ......................................................................................................................................................... 71
17.1.1 SPI 操作相关寄存器 ..................................................................................................................... 71
17.1.2 信号描述....................................................................................................................................... 72
17.1.3 工作模式....................................................................................................................................... 73
17.1.4 传送形式....................................................................................................................................... 74
17.1.5 出错检测....................................................................................................................................... 74
17.2 TWI......................................................................................................................................................... 75
17.2.1 信号描述....................................................................................................................................... 76
17.2.2 工作模式....................................................................................................................................... 76
17.2.3 操作步骤....................................................................................................................................... 78
17.3 UART1 ................................................................................................................................................... 79
18 模数转换 ADC ................................................................................................................... 81
18.1 ADC 相关寄存器 .................................................................................................................................... 81
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
18.2 ADC 转换步骤 ........................................................................................................................................ 83
19 模拟比较器 ........................................................................................................................ 84
19.1 模拟比较器结构框图............................................................................................................................... 84
20 EEPROM 及 IAP 操作 ....................................................................................................... 86
20.1 EEPROM / IAP 操作相关寄存器 ............................................................................................................ 86
20.2 EEPROM / IAP 操作流程 ....................................................................................................................... 88
20.2.1 128 bytes 独立 EEPROM 操作例程 ............................................................................................. 88
20.2.2 32 Kbytes CODE 区域 IAP 操作例程 ........................................................................................... 89
21 CHECK SUM 模块 ............................................................................................................ 90
21.1 check sum 校验操作相关寄存器 ........................................................................................................... 90
22 电气特性 ........................................................................................................................... 91
本
22.1 极限参数 ................................................................................................................................................. 91
版
22.2 推荐工作条件 ......................................................................................................................................... 91
览
22.3 直流电气特性 ......................................................................................................................................... 91
预
22.4 交流电气特性 ......................................................................................................................................... 92
22.5 ADC 电气特性 ........................................................................................................................................ 93
22.6 模拟比较器电气特性............................................................................................................................... 93
23 订购信息 ........................................................................................................................... 94
24 封装信息 ........................................................................................................................... 95
25 规格更改记录 .................................................................................................................. 101
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
3 管脚定义
36 35 34
P3.5/AIN9/C5
P3.4/AIN8/C4
P3.3/S0/C3
P3.2/S1/C2
P3.1/S2/C1
P3.0/S3/C0
P1.0/S4
P1.1/MISO/RX1/S5/tCK
P1.2/SCK/S6
P1.3/MOSI/SDA/TX1/S7/tDIO
P1.4/INT14/AIN0/S8
P1.5/INT15/AIN1/S9
3.1 LQFP48/LQFP44 管脚配置
33 32 31 30 29 28 27 26 25
S10/AIN2/INT16/P1.6
37
24
P3.6/AIN10/C6
S11/AIN3/INT17/P1.7
38
23
P3.7/AIN11/C7
S12/AIN4/RX0/INT20/P2.0
39
22
P4.0/INT10/PWM40/CMP0/AIN12
S13/AIN5/TX0/INT21/P2.1
40
21
P4.1/INT11/PWM41/CMP1/AIN13
S14/AIN6/INT22/P2.2
41
20
P4.2/INT12/PWM42/CMP2/AIN14
S15/AIN7/INT23/P2.3
42
19
P4.3/INT13/PWM43/CMP3/AIN15
S16/P2.4
43
18
P4.4/CMPR
S17/P2.5
44
17
P4.5
S18/P2.6
45
16
VDD
S19/P2.7
46
15
P4.6
S20/P0.0
47
14
P4.7
S21/P0.1
48
13
P5.5
7
8
9
10 11 12
VSS
OSCI/PWM50/P5.0
OSCO/PWM51/P5.1
RST/PWM52/P5.2
P5.4
6
PWM53/P5.3
5
S27/INT07/P0.7
S24/T2EX/INT04/P0.4
S23/T1/P0.3
S22/T0/P0.2
4
S26/INT06/P0.6
3
S25/T2/INT05/P0.5
2
预
1
览
版
本
SC92F7547
SC92F7547 管脚配置图
Page 7 of 101
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SC92F7547/7546/7543
SinOne
33 32 31 30 29 28 27 26 25
P3.3/S0/C3
P3.2/S1/C2
P3.1/S2/C1
P3.0/S3/C0
P1.1/MISO/RX1/S5/tCK
P1.0/S4
P1.2/SCK/S6
P1.3/MOSI/SDA/TX1/S7/tDIO
P1.4/INT14/AIN0/S8
P1.5/INT15/AIN1/S9
P1.6/INT16/AIN2/S10
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
24 23
S11/AIN3/INT17/P1.7
34
22
P3.4/AIN8/C4
S12/AIN4/RX0/INT20/P2.0
35
21
P3.5/AIN9/C5
S13/AIN5/TX0/INT21/P2.1
36
20
P3.6/AIN10/C6
S14/AIN6/INT22/P2.2
37
19
P3.7/AIN11/C7
S15/AIN7/INT23/P2.3
38
18
P4.0/INT10/PWM40/CMP0/AIN12
17
P4.1/INT11/PWM41/CMP1/AIN13
SC92F7546
41
15
P4.3/INT13/PWM43/CMP3/AIN15
S19/P2.7
42
14
P4.4/CMPR
S20/P0.0
43
13
P4.5
S21/P0.1
44
12
VDD
10 11
PWM53/P5.3
9
RST/PWM52/P5.2
VSS
8
OSCO/PWM51/P5.1
7
版
6
OSCI/PWM50/P5.0
5
S27/INT07/P0.7
4
览
3
S26/INT06/P0.6
2
预
1
本
P4.2/INT12/PWM42/CMP2/AIN14
S18/P2.6
S25/T2/INT05/P0.5
16
S23/T1/P0.3
40
S24/T2EX/INT04/P0.4
39
S17/P2.5
S22/T0/P0.2
S16/P2.4
SC92F7546 管脚配置图
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SinOne
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
3.1.1 LQFP48/LQFP44 管脚定义
脚位数
类型
功能说明
44pin
1
1
P0.2/T0/S22
I/O
2
2
P0.3/T1/S23
I/O
3
3
P0.4/INT04/T2EX/S24
I/O
4
4
P0.5/INT05/T2/S25
I/O
5
5
P0.6/INT06/S26
I/O
6
6
P0.7/INT07/S27
本
管脚名称
48pin
7
7
VSS
8
8
P5.0/PWM50/OSCI
9
9
P5.1/PWM51/OSCO
I/O
10
10
P5.2/PWM52/RST
I/O
11
11
P5.3/PWM53
I/O
12
P5.4
I/O
P5.0: GPIO P5.0
PWM50: PWM50 输出口
OSCI: 32k 振荡器的输入脚
P5.1: GPIO P5.1
PWM51: PWM51 输出口
OSCO: 32k 振荡器的输出脚
P5.2: GPIO P5.2
PWM52: PWM52 输出口
RST52: 复位管脚
P5.3: GPIO P5.3
PWM53: PWM53 输出口
P5.4: GPIO P5.4
13
P5.5
I/O
P5.5: GPIO P5.5
14
P4.7
I/O
P4.7: GPIO P4.7
15
P4.6
I/O
P4.6: GPIO P4.6
预
览
版
I/O
Power
I/O
P0.2: GPIO P0.2
T0: 计数器 0 外部输入
S22: LCD/LED SEG22
P0.3: GPIO P0.3
T1: 计数器 1 外部输入
S23: LCD/LED SEG23
P0.4: GPIO P0.4
INT04: 外部中断 0 的输入 4
T2EX: 定时器 2 外部捕获信号输入
S24: LCD/LED SEG24
P0.5: GPIO P0.5
INT05: 外部中断 0 的输入 5
T2: 计数器 2 外部输入
S25: LCD/LED SEG25
P0.6: GPIO P0.6
INT06: 外部中断 0 的输入 6
S26: LCD/LED SEG26
P0.7: GPIO P0.7
INT07: 外部中断 0 的输入 7
S27: LCD/LED SEG27
接地
电源
16
12
VDD
Power
17
13
P4.5
I/O
P4.5: GPIO P4.5
18
14
P4.4/CMPR
I/O
19
15
P4.3/INT13/PWM43/CMP3/AIN15
I/O
P4.4: GPIO P4.4
CMPR: 比较器参考电压输入
P4.3: GPIO P4.3
INT13: 外部中断 1 的输入 3
PWM43: PWM43 输出口
CMP3: 模拟比较器输入通道 3
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SinOne
16
P4.2/INT12/PWM42/CMP2/AIN14
I/O
21
17
P4.1/INT11/PWM41/CMP1/AIN13
I/O
22
18
P4.0/INT10/PWM40/CMP0/AIN12
I/O
23
19
P3.7/AIN11/C7
I/O
24
20
P3.6/AIN10/C6
I/O
25
21
P3.5/AIN9/C5
26
22
P3.4/AIN8/C4
27
23
P3.3/S0/C3
28
24
P3.2/S1/C2
I/O
29
25
P3.1/S2/C1
I/O
30
26
P3.0/S3/C0
I/O
31
27
P1.0/S4
I/O
32
28
P1.1/MISO/RX1/S5/tCK
I/O
33
29
P1.2/SCK/S6
I/O
Page 10 of 101
预
览
版
20
本
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
I/O
I/O
I/O
AIN15: ADC 输入通道 15
P4.2: GPIO P4.2
INT12: 外部中断 1 的输入 2
PWM42: PWM42 输出口
CMP2: 模拟比较器输入通道 2
AIN14: ADC 输入通道 14
P4.1: GPIO P4.1
INT11: 外部中断 1 的输入 1
PWM41: PWM41 输出口
CMP1: 模拟比较器输入通道 1
AIN13: ADC 输入通道 13
P4.0: GPIO P4.0
INT10: 外部中断 1 的输入 0
PWM40: PWM40 输出口
CMP0: 模拟比较器输入通道 0
AIN12: ADC 输入通道 12
P3.7: GPIO P3.7
AIN11: ADC 输入通道 11
C7: LCD/LED common 输出 7
P3.6: GPIO P3.6
AIN10: ADC 输入通道 10
C6: LCD/LED common 输出 6
P3.5: GPIO P3.5
AIN9: ADC 输入通道 9
C5: LCD/LED common 输出 5
P3.4: GPIO P3.4
AIN8: ADC 输入通道 8
C4: LCD/LED common 输出 4
P3.3: GPIO P3.3
S0: LCD/LED SEG0
C3: LCD/LED common 输出 3
P3.2: GPIO P3.2
S1: LCD/LED SEG1
C2: LCD/LED common 输出 2
P3.1: GPIO P3.1
S2: LCD/LED SEG2
C1: LCD/LED common 输出 1
P3.0: GPIO P3.0
S3: LCD/LED SEG3
C0: LCD/LED common 输出 0
P1.0: GPIO P1.0
S4: LCD/LED SEG4
P1.1: GPIO P1.1
MISO: SPI 总线主输入/从输出口
RX1: UART1 接收口
S5: LCD/LED SEG5
tCK: 烧录和仿真口时钟线
P1.2: GPIO P1.2
SCK: SPI 及 TWI 的 SCK
S6: LCD/LED SEG6
V0.6
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SinOne
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
30
P1.3/MOSI/SDA/TX1/S7/tDIO
I/O
35
31
P1.4/INT14/AIN0/S8
I/O
36
32
P1.5/INT15/AIN1/S9
I/O
37
33
P1.6/INT16/AIN2/S10
I/O
38
34
P1.7/INT17/AIN3/S11
I/O
39
35
P2.0/INT20/RX0/AIN4/S12
40
36
P2.1/INT21/TX0/AIN5/S13
I/O
41
37
P2.2/INT22/AIN6/S14
I/O
42
38
P2.3/INT23/AIN7/S15
I/O
43
39
P2.4/S16
I/O
44
40
P2.5/S17
I/O
45
41
P2.6/S18
I/O
46
42
P2.7/S19
I/O
47
43
P0.0/S20
I/O
I/O
Page 11 of 101
预
览
版
本
34
P1.3: GPIO P1.3
MOSI: SPI 总线主输出/从输入口
SDA: TWI 的 SDA
TX1: UART1 发送口
S7: LCD/LED SEG7
tDIO: 烧录和仿真口数据线
P1.4: GPIO P1.4
INT14: 外部中断 1 的输入 4
AIN0: ADC 输入通道 0
S8: LCD/LED SEG8
P1.5: GPIO P1.5
INT15: 外部中断 1 的输入 5
AIN1: ADC 输入通道 1
S9: LCD/LED SEG9
P1.6: GPIO P1.6
INT16: 外部中断 1 的输入 6
AIN2: ADC 输入通道 2
S10: LCD/LED SEG10
P1.7: GPIO P1.7
INT17: 外部中断 1 的输入 7
AIN3: ADC 输入通道 3
S11: LCD/LED SEG11
P2.0: GPIO P2.0
INT20: 外部中断 2 的输入 0
RX0: UART0 接收口
AIN4: ADC 输入通道 4
S12: LCD/LED SEG12
2.1: GPIO P2.1
INT21: 外部中断 2 的输入 1
TX0: UART0 发送口
AIN5: ADC 输入通道 5
S13: LCD/LED SEG13
P2.2: GPIO P2.2
INT22: 外部中断 2 的输入 2
AIN6: ADC 输入通道 6
S14: LCD/LED SEG14
P2.3: GPIO P2.3
INT23: 外部中断 2 的输入 3
AIN7: ADC 输入通道 7
S15: LCD/LED SEG15
P2.4: GPIO P2.4
S16: LCD/LED SEG16
P2.5: GPIO P2.5
S17: LCD/LED SEG17
P2.6: GPIO P2.6
S18: LCD/LED SEG18
P2.7: GPIO P2.7
S19: LCD/LED SEG19
P0.0: GPIO P0.0
S20: LCD/LED SEG20
V0.6
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SinOne
48
44
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
P0.1/S21
I/O
P0.1: GPIO P0.1
S21: LCD/LED SEG21
3.2 SOP28/TSSOP28 管脚配置
28
P0.5/INT05/T2/S25
S27/INT07/P0.7
2
27
P0.4/INT04/T2EX/S24
VSS
3
26
P0.3/T1/RX0/S23
VDD
4
25
P0.2/T0/TX0/S22
AIN15/CMP3/PWM43/INT13/P4.3
5
24
P2.5/S17
AIN14/CMP2/PWM42/INT12/P4.2
6
23
P2.4/S16
AIN13/CMP1/PWM41/INT11/P4.1
7
22
P2.3/INT23/AIN7/S15
C7/AIN11/P3.7
8
21
P2.2/INT22/AIN6/S14
C6/AIN10/P3.6
9
20
P2.1/INT21/AIN5/S13
C5/AIN9/P3.5
10
19
P2.0/INT20/AIN4/S12
C4/AIN8/P3.4
11
18
P1.3/MOSI/SDA/TX1/S7/tDIO
12
17
P1.2/SCK/S6
C2/S1/P3.2
览
版
本
1
SC92F7543
S26/INT06/P0.6
13
16
P1.1/MISO/RX1/S5/tCK
C1/S2/P3.1
14
15
P3.0/S3/C0
预
C3/S0/P3.3
SC92F7543 管脚配置图
3.2.1 SOP28/TSSOP28 管脚定义
管脚名称
1
P0.6/INT06/S26
I/O
2
P0.7/INT07/S27
I/O
3
VSS
Power
功能说明
P0.6: GPIO P0.6
INT06: 外部中断 0 的输入 6
S26: LCD/LED SEG26
P0.7: GPIO P0.7
INT07: 外部中断 0 的输入 7
S27: LCD/LED SEG27
接地
4
VDD
Power
电源
5
P4.3/INT13/PWM43/CMP3/AIN15
I/O
6
P4.2/INT12/PWM42/CMP2/AIN14
I/O
28pin
Page 12 of 101
类型
P4.3: GPIO P4.3
INT13: 外部中断 1 的输入 3
PWM43: PWM43 输出口
CMP3: 模拟比较器输入通道 3
AIN15: ADC 输入通道 15
P4.2: GPIO P4.2
V0.6
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
P4.1/INT11/PWM41/CMP1/AIN13
I/O
8
P3.7/AIN11/C7
I/O
9
P3.6/AIN10/C6
I/O
10
P3.5/AIN9/C5
I/O
11
P3.4/AIN8/C4
I/O
12
P3.3/S0/C3
13
P3.2/S1/C2
14
P3.1/S2/C1
15
P3.0/S3/C0
I/O
16
P1.1/MISO/RX1/S5/tCK
I/O
17
P1.2/SCK/S6
I/O
18
P1.3/MOSI/SDA/TX1/S7/tDIO
I/O
19
P2.0/INT20/AIN4/S12
I/O
Page 13 of 101
本
7
预
览
版
I/O
I/O
I/O
INT12: 外部中断 1 的输入 2
PWM42: PWM42 输出口
CMP2: 模拟比较器输入通道 2
AIN14: ADC 输入通道 14
P4.1: GPIO P4.1
INT11: 外部中断 1 的输入 1
PWM41: PWM41 输出口
CMP1: 模拟比较器输入通道 1
AIN13: ADC 输入通道 13
P3.7: GPIO P3.7
AIN11: ADC 输入通道 11
C7: LCD/LED common 输出 7
P3.6: GPIO P3.6
AIN10: ADC 输入通道 10
C6: LCD/LED common 输出 6
P3.5: GPIO P3.5
AIN9: ADC 输入通道 9
C5: LCD/LED common 输出 5
P3.4: GPIO P3.4
AIN8: ADC 输入通道 8
C4: LCD/LED common 输出 4
P3.3: GPIO P3.3
S0: LCD/LED SEG0
C3: LCD/LED common 输出 3
P3.2: GPIO P3.2
S1: LCD/LED SEG1
C2: LCD/LED common 输出 2
P3.1: GPIO P3.1
S2: LCD/LED SEG2
C1: LCD/LED common 输出 1
P3.0: GPIO P3.0
S3: LCD/LED SEG3
C0: LCD/LED common 输出 0
P1.1: GPIO P1.1
MISO: SPI 总线主输入/从输出口
RX1: UART1 接收口
S5: LCD/LED SEG5
tCK: 烧录和仿真口时钟线
P1.2: GPIO P1.2
SCK: SPI 及 TWI 的 SCK
S6: LCD/LED SEG6
P1.3: GPIO P1.3
MOSI: SPI 总线主输出/从输入口
SDA: TWI 的 SDA
TX1: UART1 发送口
S7: LCD/LED SEG7
tDIO: 烧录和仿真口数据线
P2.0: GPIO P2.0
INT20: 外部中断 2 的输入 0
AIN4: ADC 输入通道 4
V0.6
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SinOne
20
P2.1/INT21/AIN5/S13
I/O
21
P2.2/INT22/AIN6/S14
I/O
22
P2.3/INT23/AIN7/S15
I/O
23
P2.4/S16
I/O
24
P2.5/S17
I/O
25
P0.2/T0/TX0/S22
I/O
26
P0.3/T1/RX0/S23
本
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
27
P0.4/INT04/T2EX/S24
28
P0.5/INT05/T2/S25
I/O
预
览
版
I/O
Page 14 of 101
I/O
S12: LCD/LED SEG12
P2.1: GPIO P2.1
INT21: 外部中断 2 的输入 1
AIN5: ADC 输入通道 5
S13: LCD/LED SEG13
P2.2: GPIO P2.2
INT22: 外部中断 2 的输入 2
AIN6: ADC 输入通道 6
S14: LCD/LED SEG14
P2.3: GPIO P2.3
INT23: 外部中断 2 的输入 3
AIN7: ADC 输入通道 7
S15: LCD/LED SEG15
P2.4: GPIO P2.4
S16: LCD/LED SEG16
P2.5: GPIO P2.5
S17: LCD/LED SEG17
P0.2: GPIO P0.2
T0: 计数器 0 外部输入
TX0: UART0 发送口
S22: LCD/LED SEG22
P0.3: GPIO P0.3
T1: 计数器 1 外部输入
RX0: UART0 接收口
S23: LCD/LED SEG23
P0.4: GPIO P0.4
INT04: 外部中断 0 的输入 4
T2EX: 定时器 2 外部捕获信号输入
S24: LCD/LED SEG24
P0.5: GPIO P0.5
INT05: 外部中断 0 的输入 5
T2: 计数器 2 外部输入
S25: LCD/LED SEG25
V0.6
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SC92F7547/7546/7543
SinOne
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
4 内部框图
LVR
Controller
LVD
reset
Internal
256 bytes
RAM
WDT
External
1792 bytes
RAM
128kHz LRC
PWM&LCD
80 bytes
RAM
WAKECNT
Controller
32kHz X’ OSC
HRC
Voltage
Reference
128 bytes
EEPROM
16MHz
HRC
Clock
Controller
ADC
ADC
Controller
2.4V REG
CMP
Controller
BandGap
Voltage
Reference
UART
SPI
IIC
览
32 Kbytes
Program
ROM
(Flash)
预
LDO
&
Power Manager
1T 8051 CORE
版
CMP
clock
本
HRC
Regulator
UART
TIMER0
TIMER1
LCD/LED
Driver
TIMER2
PWM
I/O
IO PADS
INT
Interrupt
Interrupt Controller
SC92F754X BLOCK DIAGRAM
Page 15 of 101
V0.6
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SC92F7547/7546/7543
SinOne
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
5 FLASH ROM 和 SRAM 结构
SC92F754X 的 Flash ROM 和 SRAM 结构如下:
用户ID区域
7Fh
074Fh
EEPROM
LCD RAM
00h
0700h
7FFFh
06FFh
外部RAM
(通过MOVX/DPTR寻址)
0000h
RAM
(间接寻址)
Flash ROM
For Program
FFh
SFR
(直接寻址)
80h
7Fh
RAM
(直接寻址或间接寻址)
00h
版
本
0000h
5.1 FLASH ROM
览
Flash ROM 和 SRAM 结构图
预
SC92F754X 有 32 Kbytes 的 Flash ROM,ROM 地址为 0000H~7FFFH。此 32 Kbytes Flash ROM 可反复写
入 1 万次,可通过 SinOne 提供的专用 ICP 烧写器(SOC PRO52/DPT52/SC LINK)来进行编程及擦除。地址为
0000H~00FFH 地址的 256 bytes 区间 MOVC 指令不可寻址。
EEPROM 为独立于 32 Kbytes ROM 之外的一块区间,其地址为 00H~7FH,可在程序中对其进行单 byte 读
写操作,具体操作方法参考 20 EEPROM 及 IAP 操作。
用户 ID 区域:出厂时写入用户 ID,用户只可对其进行读操作,具体操作方式参考 20 EEPROM 及 IAP 操作。
SC92F754X 的 32 Kbytes Flash ROM 能提供查空 BLANK、编程 PROGRAM、校验 VERIFY 和擦除 ERASE
功能,但不提供读取 READ 的功能。此 Flash ROM 和 EEPROM 通常写入前无需进行擦除操作,直接写入数据即
可实现新数据的覆盖。
SC92F754X 的 Flash ROM 通过 tDIO、tCK、VDD、VSS 来进行编程,具体连接关系如下:
Page 16 of 101
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SinOne
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
SOC PRO52
SOC DPT52
SC LINK
MCU
VDD
tCK
tDIO
VSS
VDD
CLK
DIO
GND
用户应用电路
Jumper
ICP 模式 Flash Writer 编程连接示意图
本
5.2 CUSTOMER OPTION 区域(用户烧写设置)
预
览
版
SC92F754X 内部有单独的一块 Flash 区域用于保存客户的上电初始值设置,此区域称为 Code Option 区域。
用户在烧写 IC 时将此部分代码写入 IC 内部,IC 在复位初始化时,就会将此设置调入 SFR 作为初始设置。
Option 相关 SFR 操作说明:
Option 相关 SFR 的读写操作由 OPINX 和 OPREG 两个寄存器进行控制,各 Option SFR 的具体位置由 OPINX
确定,如下表所示:
符号
地址
说明
7
6
5
4
3
2
1
0
OP_HRCR
83H@FFH
系统时钟改变寄存器
OP_CTM0
C1H@FFH
Customer Option 寄存器 0
ENWDT
ENXTL
OP_CTM1
C2H@FFH
Customer Option 寄存器 1
VREFS
-
OP_HRCR[7:0]
OP_HRCR (83H@FFH) 系统时钟改变寄存器(读/写)
位编号
7
6
5
符号
读/写
上电初始值
n
n
n
位编号
7~0
位符号
OP_HRCR[7:0]
Page 17 of 101
位符号
ENWDT
DISRST
-
4
3
OP_HRCR[7:0]
读/写
n
n
DISLVR
IAPS[1:0]
LVRS[1:0]
-
-
2
1
0
n
n
n
说明
内部高频 RC 频率调校
中心值 10000000b 对应 HRC 中心频率,数值变大频率加快,数值变小
频率变慢。
OP_CTM0 (C1H@FFH) Customer Option 寄存器 0(读/写)
位编号
7
6
5
4
符号
ENWDT
ENXTL
SCLKS[1:0]
读/写
读/写
读/写
读/写
上电初始值
n
n
n
位编号
7
SCLKS[1:0]
-
3
DISRST
读/写
n
2
DISLVR
读/写
n
1
0
LVRS[1:0]
读/写
n
说明
WDT 开关
V0.6
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SC92F7547/7546/7543
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
6
ENXTL
5~4
SCLKS[1:0]
3
DISRST
2
DISLVR
1~0
LVRS [1:0]
0:WDT 无效
1:WDT 有效(但 IC 在执行 IAP 过程中 WDT 停止计数)
外部 32k 晶振选择开关
0:外部 32k 晶振关闭,P5.0、P5.1 有效;
1:外部 32k 晶振打开,P5.0、P5.1 无效。
系统时钟频率选择:
00:系统时钟频率为高频振荡器频率除以 1;
01:系统时钟频率为高频振荡器频率除以 2;
10:系统时钟频率为高频振荡器频率除以 4;
11:系统时钟频率为高频振荡器频率除以 12。
IO/RST 复位切换控制
0 :P5.2 当复位脚使用
1 :P5.2 当正常的 I/O 管脚使用
LVR 使能设置
0:LVR 正常使用
1:LVR 无效
LVR 电压选择控制
11:4.3 V 复位
10:3.7V 复位
01:2.9V 复位
00:2.3V 复位
n
x
位编号
7
位符号
VREFS
3~2
IAPS[1:0]
x
x
3
2
IAPS[1:0]
读/写
读/写
n
n
1
x
0
x
说明
参考电压选择(初始值从 Code Option 调入,用户可修改设置)
0:设定 ADC 的 VREF 为 VDD
1:设定 ADC 的 VREF 为 内部准确的 2.4V
00:Code 区域禁止 IAP 操作,仅 EEPROM 区域可作为数据存储使用
01:最后 0.5K Code 区域允许 IAP 操作(7E00H~7FFFH)
10:最后 1K Code 区域允许 IAP 操作(7C00H~7FFFH)
11:全部 Code 区域允许 IAP 操作(0000H~7FFFH)
预
上电初始值
览
版
本
OP_CTM1 (C2H@FFH) Customer Option 寄存器 1(读/写)
7
6
5
4
位编号
VREFS
符号
读/写
读/写
5.2.1 OPTION 相关 SFR 操作说明
Option 相关 SFR 的读写操作由 OPINX 和 OPREG 两个寄存器进行控制,各 Option SFR 的具体位置由 OPINX
确定,各 Option SFR 的写入值由 OPREG 确定:
符号
地址
说明
上电初始值
OPINX
FEH
Option 指针
OPINX[7:0]
00000000b
OPREG
FFH
Option 寄存器
OPREG[7:0]
nnnnnnnnb
操作 Option 相关 SFR 时 OPINX 寄存器存放相关 OPTION 寄存器的地址,OPREG 寄存器存放对应的值。
例如:要将 OP_HRCR 配置为 0x01,具体操作方法如下:
C 语言例程:
OPINX = 0x83;
OPREG = 0x01;
Page 18 of 101
//将 OP_HRCR 的地址写入 OPINX 寄存器
//对 OPREG 寄存器写入 0x01(待写入 OP_HRCR 寄存器的值)
V0.6
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SinOne
汇编例程:
MOV OPINX,#83H
MOV OPREG,#01H
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
; 将 OP_HRCR 的地址写入 OPINX 寄存器
; 对 OPREG 寄存器写入 0x01(待写入 OP_HRCR 寄存器的值)
注意:禁止向 OPINX 寄存器写入 Customer Option 区域 SFR 地址之外的数值!否则会造成系统运行异常!
5.3 SRAM
SC92F754X 单片机的 SRAM,分为内部 256 bytes RAM、外部 1792 bytes RAM 和 80 bytes 的 PWM&LCD
RAM。内部 RAM 的地址范围为 00H~FFH,其中高 128 bytes(地址 80H~FFH)只能间接寻址,低 128 bytes
(地址 00H~7FH)可直接寻址也可间接寻址。
特殊功能寄存器 SFR 的地址也是 80H~FFH。但 SFR 同内部高 128 bytes SRAM 的区别是:SFR 寄存器是直
接寻址,而内部高 128 bytes SRAM 只能是间接寻址。
外部 RAM 的地址为 0000H~06FFH,但需通过 MOVX 指令来寻址。
5.3.1 内部 256 BYTES SRAM
内部低 128 bytes SRAM 区可分为三部分:①工作寄存器组 0~3,地址 00H~1FH,程序状态字寄存器 PSW
中的 RS0、RS1 组合决定了当前使用的工作寄存器,使用工作寄存器组 0~3 可加快运算的速度;②位寻址区
20H~2FH,此区域用户可以用作普通 RAM 也可用作按位寻址 RAM;按位寻址时,位的地址为 00H~7FH,(此
FFH
预
高128 bytes RAM
(只能间接寻址)
览
版
FFH
本
地址按位编地址,不同于通用 SRAM 按字节编地 址),程序中可由指令区分; ③用户 RAM 和堆栈 区,
SC92F754X 复位过后, 8 位的堆栈 指针指向堆栈 区,用户一般会在 初始化 程序时设置初值, 建议设 置在
E0H~FFH 的单元区间。
特殊功能寄存器SFR
(直接寻址)
80H
80H
7FH
低128 bytes RAM
(可直接寻址;也可间接寻址)
00H
内部 256 bytes RAM 结构图
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SinOne
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
内部低 128 bytes RAM 结构如下:
7F
7E
7D
7C
7B
7A
79
78
2F H
77
76
75
74
73
72
71
70
2E H
6F
6E
6D
6C
6B
6A
69
68
2D H
67
66
65
64
63
62
61
60
2C H
5F
5E
5D
5C
5B
5A
59
58
2B H
57
56
55
54
53
52
51
50
2A H
4F
4E
4D
4C
4B
4A
49
48
29H
47
46
45
44
43
42
41
40
28H
3F
3E
3D
3C
3B
3A
39
38
27H
37
36
35
34
33
32
31
30
26H
2F
2E
2D
2C
2B
2A
29
28
25H
本
7FH
27
26
25
24
23
22
21
20
24H
1F
1E
1D
1C
1B
1A
19
18
23H
17
16
15
14
13
12
11
10
22H
0F
0E
0D
0C
0B
0A
09
08
21H
07
06
05
04
03
02
01
00
20H
用户RAM及堆栈RAM区
30H
2FH
位寻址RAM区
20H
1FH
工作寄存器组3
18H
版
17H
工作寄存器组2
10H
07H
工作寄存器组0
00H
预
工作寄存器组1
览
0FH
08H
SRAM 结构图
5.3.2 外部 1792 BYTES SRAM
可通过 MOVX @DPTR﹐A 来访问外部 1792 bytes RAM;也可以使用 MOVX A, @Ri 或 MOVX @Ri, A 配合 EXADH 寄
存器来访问外部 1792 bytes RAM:EXADH 寄存器存放外部 SRAM 的高位地址, Ri 寄存器存放外部 SRAM 的低 8 位地址。
EXADH (F7H) 外部 SRAM 操作地址高位(读/写)
7
6
5
位编号
符号
x
x
x
上电初始值
位编号
2~0
7~3
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位符号
EXADH [2:0]
-
4
3
2
x
x
0
1
EXADH [2:0]
0
0
0
说明
外部 SRAM 操作地址的高位
保留
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
5.3.3 PWM&LCD 80 BYTES SRAM
RAM 地址的 0700H~074FH 作为 80 bytes 的 PWM&LCD SRAM ,其中:
1. PWM 占空比调节寄存器占用 0740H~074FH,只可写,不可读。具体操作方法参考 13.2 PWM 相关
SFR 寄存器;
2. LCD/LED 显示 RAM 占用 0700H~071BH,具体操作方法参考 15.2 LCD/LED 显示 RAM 配置。
6 特殊功能寄存器(SFR)
6.1 SFR 映像
SC92F754X 系列有一些特殊功能寄存器,我们称为 SFR。这些 SFR 寄存器的地址位于 80H~FFH,有些可
以位寻址,有些不能位寻址。能够进行位寻址操作的寄存器的地址末位数都是“0”或“8”,这些寄存器在需要改变单
个位的数值时非常方便。所有的 SFR 特殊功能寄存器都必须使用直接寻址方式寻址。
SC92F754X 的特殊功能寄存器名称及地址如下表:
1/9
2/A
3/B
4/C
5/D
6/E
7/F
-
-
-
-
CHKSUML
CHKSUMH
OPINX
OPREG
F0h
B
IAPKEY
IAPADL
IAPADH
IAPADE
IAPDAT
IAPCTL
EXADH
E8h
-
EXA0
EXA1
EXA2
EXA3
EXBL
EXBH
OPERCON
E0h
ACC
-
-
-
-
-
-
-
D8h
P5
P5CON
P5PH
-
-
-
-
-
本
0/8
F8h
PSW
-
-
PWMCON
PWMCFG
C8h
T2CON
T2MOD
RCAP2L
RCAP2H
TL2
TH2
BTMCON
WDTCON
C0h
P4
P4CON
P4PH
-
-
-
INT2F
INT2R
INT0R
版
D0h
IP
IP1
INT0F
B0h
P3
P3CON
P3PH
A8h
IE
IE1
ADCCFG2
A0h
P2
P2CON
98h
SCON
SBUF
90h
P1
88h
80h
INT1R
-
-
-
-
CMPCFG
CMPCON
ADCCFG0
ADCCFG1
ADCCON
ADCVL
ADCVH
预
P2PH
P2VO
-
-
-
-
P0CON
P0PH
P0VO
SSCON0
SSCON1
SSDAT
P1CON
P1PH
DDRCON
P1VO
SSCON2
IOHCON0
IOHCON1
TCON
TMOD
TL0
TL1
TH0
TH1
TMCON
OTCON
P0
SP
DPL
DPH
-
-
-
PCON
可位寻址
说明:
1.
2.
INT1F
P3VO
览
B8h
不可位寻址
SFR 寄存器中空的部分代表没有此寄存器 RAM,不建议用户使用。
SFR 中的 F1H~FFH 为系统配置使用的特殊功能寄存器,用户使用可能会导致系统异常,用户在初始化
系统时,不能对这些寄存器进行清零或其它操作。
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
6.2 SFR 说明
特殊功能寄存器 SFR 的具体解释说明如下:
符号
地址
说明
P0
80H
P0 口数据寄存器
SP
81H
堆栈指针
DPL
82H
DPH
7
6
5
4
3
2
1
0
上电初始值
P07
P06
P05
P04
P03
P02
P01
P00
00000000b
SP[7:0]
00000111b
DPTR 数据指针低位
DPL[7:0]
00000000b
83H
DPTR 数据指针高位
DPH[7:0]
PCON
87H
电源管理控制寄存器
TCON
88H
定时器控制寄存器
TMOD
89H
定时器工作模式寄存器
TL0
8AH
定时器 0 低 8 位
TL1
8BH
TH0
8CH
TH1
00000000b
SMOD
-
-
-
-
-
STOP
IDL
0xxxxx00b
TF1
TR1
TF0
TR0
IE1
-
IE0
-
00000x0xb
-
C/T1
M11
M01
-
C/T0
M10
M00
x000x000b
TL0[7:0]
00000000b
定时器 1 低 8 位
TL1[7:0]
00000000b
定时器 0 高 8 位
TH0[7:0]
00000000b
8DH
定时器 1 高 8 位
TH1[7:0]
TMCON
8EH
定时器频率控制寄存器
-
-
-
-
OTCON
8FH
输出控制寄存器
SSMOD[1:0]
-
-
P1
90H
P1 口数据寄存器
P17
P16
P15
P14
P13
P12
P1CON
91H
P1 口输入/输出控制寄存器
P1C7
P1C6
P1C5
P1C4
P1C3
P1C2
P1PH
92H
P1 口上拉电阻控制寄存器
P1H7
P1H6
P1H5
P1H4
P1H3
P1H2
P1H1
DDRCON
93H
显示驱动控制寄存器
DDRON
DMOD
P1VO
94H
P1 口显示驱动输出寄存器
P17VO
P16VO
SSCON2
95H
SSI 控制寄存器 2
IOHCON0
96H
IOH 设置寄存器 0
IOHCON1
97H
IOH 设置寄存器 1
SCON
98H
串口控制寄存器
SBUF
99H
串口数据缓存寄存器
P0CON
9AH
P0PH
00000000b
-
T2FD
VOIRS[1:0]
DUTY[1:0]
P15VO
T1FD
T0FD
xxxxx000b
SCS
BIAS
00xx0000b
P11
P10
00000000b
P1C1
P1C0
00000000b
P1H0
00000000b
VLCD[3:0]
P14VO
P13VO
P12VO
00000000b
P11VO
P10VO
SSCON2[7:0]
-
-
SM0
SM1
P0 口输入/输出控制寄存器
P0C7
P0C6
9BH
P0 口上拉电阻控制寄存器
P0H7
P0H6
P0VO
9CH
P0 口显示驱动输出寄存器
P07VO
SSCON0
9DH
SSI 控制寄存器 0
SSCON1
9EH
SSI 控制寄存器 1
SSDAT
9FH
SSI 数据寄存器
P2
A0H
P2 口数据寄存器
P2CON
A1H
P2PH
00000000b
P1L[1:0]
P0H[1:0]
P0L[1:0]
P3L[1:0]
P2H[1:0]
P2L[1:0]
本
P1H[1:0]
SM2
REN
TB8
00000000b
xx000000b
RB8
TI
RI
览
版
SBUF[7:0]
预
P06VO
00000000b
00000000b
00000000b
P0C5
P0C4
P0C3
P0C2
P0C1
P0C0
00000000b
P0H5
P0H4
P0H3
P0H2
P0H1
P0H0
00000000b
P05VO
P04VO
P03VO
P02VO
P01VO
P00VO
00000000b
SSCON0[7:0]
00000000b
SSCON1[7:0]
00000000b
SSD[7:0]
00000000b
P27
P26
P25
P24
P23
P22
P21
P20
00000000b
P2 口输入/输出控制寄存器
P2C7
P2C6
P2C5
P2C4
P2C3
P2C2
P2C1
P2C0
00000000b
A2H
P2 口上拉电阻控制寄存器
P2H7
P2H6
P2H5
P2H4
P2H3
P2H2
P2H1
P2H0
00000000b
P2VO
A3H
P2 口显示驱动输出寄存器
P27VO
P26VO
P25VO
P24VO
P23VO
P22VO
P21VO
P20VO
00000000b
IE
A8H
中断使能寄存器
EA
EADC
ET2
EUART
ET1
EINT1
ET0
EINT0
00000000b
IE1
A9H
中断使能寄存器 1
-
-
ECMP
-
EINT2
EBTM
EPWM
ESSI
xx0x0000b
ADCCFG2
AAH
ADC 设置寄存器 2
-
-
-
-
-
LOWSP
ADCCFG0
ABH
ADC 设置寄存器 0
EAIN7
EAIN6
EAIN5
EAIN4
EAIN3
EAIN2
EAIN1
EAIN0
00000000b
ADCCFG1
ACH
ADC 设置寄存器 1
EAIN15
EAIN14
EAIN13
EAIN12
EAIN11
EAIN10
EAIN9
EAIN8
00000000b
ADCCON
ADH
ADC 控制寄存器
ADCEN
ADCS
EOC/
ADCCK[1:0]
ADCIS[4:0]
xxxxx000b
00000000b
ADCIF
ADCVL
AEH
ADC 结果寄存器
ADCVH
AFH
ADC 结果寄存器
P3
B0H
P3 口数据寄存器
P37
P36
P35
P34
P33
P32
P31
P30
00000000b
P3CON
B1H
P3 口输入/输出控制寄存器
P3C7
P3C6
P3C5
P3C4
P3C3
P3C2
P3C1
P3C0
00000000b
P3PH
B2H
P3 口上拉电阻控制寄存器
P3H7
P3H6
P3H5
P3H4
P3H3
P3H2
P3H1
P3H0
00000000b
P3VO
B3H
P3 口显示驱动输出寄存器
P37VO
P36VO
P35VO
P34VO
P33VO
P32VO
P31VO
P30VO
00000000b
CMPCFG
B6H
模拟比较器设置寄存器
-
-
-
-
CMPCON
B7H
模拟比较器控制寄存器
CMPEN
CMPIF
CMPSTA
-
IP
B8H
中断优先级控制寄存器
-
IPADC
IPT2
IPUART
IPT1
IPINT1
IPT0
IPINT0
x0000000b
IP1
B9H
中断优先级控制寄存器 1
-
-
IPCMP
-
IPINT2
IPBTM
IPPWM
IPSSI
xx0x0000b
INT0F
BAH
INT0 下降沿中断控制寄存器
INT0F7
INT0F6
INT0F5
INT0F4
-
-
-
-
0000xxxxb
INT0R
BBH
INT0 上升沿中断控制寄存器
INT0R7
INT0R6
INT0R5
INT0R4
-
-
-
-
0000xxxxb
INT1F
BCH
INT1 下降沿中断控制寄存器
INT1F7
INT1F6
INT1F5
INT1F4
INT1F3
INT1F2
INT1F1
INT1F0
00000000b
INT1R
BDH
INT1 上升沿中断控制寄存器
INT1R7
INT1R6
INT1R5
INT1R4
INT1R3
INT1R2
INT1R1
INT1R0
00000000b
P4
C0H
P4 口数据寄存器
P47
P46
P45
P44
P43
P42
P41
P40
00000000b
Page 22 of 101
ADCV[3:0]
-
-
-
-
ADCV[11:4]
0000xxxxb
00000000b
CMPIM[1:0]
CMPIS[1:0]
xxxx0000b
CMPRF[3:0]
000x0000b
V0.6
http://www.socmcu.com
SC92F7547/7546/7543
SinOne
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
P4CON
C1H
P4 口输入/输出控制寄存器
P4C7
P4C6
P4C5
P4C4
P4C3
P4C2
P4C1
P4C0
00000000b
P4PH
C2H
P4 口上拉电阻控制寄存器
P4H7
P4H6
P4H5
P4H4
P4H3
P4H2
P4H1
P4H0
00000000b
INT2F
C6H
INT2 下降沿中断控制寄存器
-
-
-
-
INT2F3
INT2F2
INT2F1
INT2F0
xxxx0000b
INT2R
C7H
INT2 上升沿中断控制寄存器
-
-
-
-
INT2R3
INT2R2
INT2R1
INT2R0
xxxx0000b
T2CON
C8H
定时器 2 控制寄存器
TF2
EXF2
RCLK
TCLK
EXEN2
TR2
C/T2
CP/RL2
00000000b
T2MOD
C9H
定时器 2 工作模式寄存器
-
-
-
-
-
-
T2OE
DCEN
RCAP2L
CAH
定时器 2 重载低 8 位
RCAP2L[7:0]
00000000b
RCAP2H
CBH
定时器 2 重载高 8 位
RCAP2H[7:0]
00000000b
TL2
CCH
定时器 2 低 8 位
TL2[7:0]
00000000b
TH2
CDH
定时器 2 高 8 位
TH2[7:0]
BTMCON
CEH
低频定时器控制寄存器
WDTCON
CFH
PSW
xxxxxx00b
00000000b
ENBTM
BTMIF
-
-
BTMFS[3:0]
WDT 控制寄存器
-
-
-
CLRWDT
-
00xx0000b
D0H
程序状态字寄存器
CY
AC
F0
RS1
RS0
PWMCON
D3H
PWM 控制寄存器
PWMCFG
D4H
PWM 设置寄存器
ENPWM
PWMIF
P5
D8H
P5 口数据寄存器
-
-
P55
P54
P53
P52
P51
P50
xx000000b
P5CON
D9H
P5 口输入/输出控制寄存器
-
-
P5C5
P5C4
P5C3
P5C2
P5C1
P5C0
xx000000b
P5PH
DAH
P5 口上拉电阻控制寄存器
-
-
P5H5
P5H4
P5H3
P5H2
P5H1
P5H0
ACC
E0H
累加器
EXA0
E9H
EXA1
EAH
EXA2
WDTCKS[2:0]
OV
xxx0x000b
F1
P
PWMPD[7:0]
PWMCK[1:0]
00000000b
00000000b
PWMPD[11:8]
00000000b
xx000000b
00000000b
扩展累加器 0
EXA[7:0]
00000000b
扩展累加器 1
EXA[15:8]
00000000b
EBH
扩展累加器 2
EXA[23:16]
00000000b
EXA3
ECH
扩展累加器 3
EXA[31:24]
00000000b
EXBL
EDH
扩展 B 寄存器 L
EXB [7:0]
00000000b
EXBH
EEH
扩展 B 寄存器 H
EXB [15:8]
OPERCON
EFH
运算控制寄存器
B
F0H
B 寄存器
IAPKEY
F1H
IAP 保护寄存器
IAPADL
F2H
IAP 写入地址低位寄存器
IAPADH
F3H
IAP 写入地址高位寄存器
IAPADE
F4H
IAP 写入扩展地址寄存器
IAPDAT
F5H
IAP 数据寄存器
IAPCTL
F6H
IAP 控制寄存器
EXADH
F7H
外部 SRAM 操作地址高位
CHKSUML
FCH
Check Sum 结果寄存器低位
CHKSUML[7:0]
00000000b
CHKSUMH
FDH
Check Sum 结果寄存器高位
CHKSUMH[7:0]
00000000b
OPINX
FEH
Option 指针
OPINX[7:0]
00000000b
OPREG
FFH
Option 寄存器
OPREG[7:0]
nnnnnnnnb
-
版
预
-
MD
览
OPERS
本
ACC[7:0]
-
00000000b
-
-
-
CHKSUMS
00xxxxx0b
B[7:0]
00000000b
IAPKEY[7:0]
00000000b
IAPADR[7:0]
00000000b
IAPADR[14:8]
x0000000b
IAPADER[7:0]
00000000b
IAPDAT[7:0]
-
-
-
-
-
-
-
-
PAYTIMES[1:0]
-
00000000b
CMD[1:0]
EXADH [2:0]
xxxx0000b
xxxxx000b
6.2.1 8051 CPU 内核常用特殊功能寄存器介绍
程序计数器 PC
程序计数器 PC 不属于 SFR 寄存器。PC 有 16 位,是用来控制指令执行顺序的寄存器。单片机上电或者复位
后,PC 值为 0000H,也即是说单片机程序从 0000H 地址开始执行程序。
累加器 ACC (E0H)
累加器 ACC 是 8051 内核单片机的最常用的寄存器之一,指令系统中采用 A 作为助记符。常用来存放参加计
算或者逻辑运算的操作数及结果。
B 寄存器 (F0H)
B 寄存器在乘除法运算中必须与累加器 A 配合使用。乘法指令 MUL A,B 把累加器 A 和寄存器 B 中的 8 位无
符号数相乘,所得的 16 位乘积的低位字节放在 A 中,高位字节放在 B 中。除法指令 DIV A,B 是用 A 除以 B,整
数商放在 A 中,余数放在 B 中。寄存器 B 还可以作为通用的暂存寄存器使用。
堆栈指针 SP (81H)
堆栈指针是一个 8 位的专用寄存器,它指示出堆栈顶部在通用 RAM 中的位置。单片机复位后,SP 初始值为
07H,即堆栈会从 08H 开始向上增加。08H~1FH 为工作寄存器组 1~3。
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PSW (D0H) 程序状态字寄存器(读/写)
位编号
7
6
符号
CY
AC
读/写
读/写
读/写
上电初始值
0
0
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
5
F0
读/写
0
4
RS1
读/写
0
3
RS0
读/写
0
2
OV
读/写
0
1
F1
读/写
0
位符号
CY
说明
标志位
1:加法运算最高位有进位,或者减法运算最高位有借位时
0:加法运算最高位无进位,或者减法运算最高位无借位时
进位辅助标志位(可在 BCD 码加减法运算时方便调整)
1:加法运算时在 bit3 位有进位,或减法运算在 bit3 位有借位时
0:无借位、进位
用户标志位
工作寄存器组选择位:
RS1
RS0
当前使用的工作寄存器组 0~3
0
0
组 0 (00H~07H)
0
1
组 1 (08H~0FH)
1
0
组 2 (10H~17H)
1
1
组 3 (18H~1FH)
6
AC
5
4~3
F0
RS1、RS0
2
OV
溢出标志位
1
F1
0
P
F1 标志
用户自定义标志
奇偶标志位。此标志位为累加器 ACC 中 1 的个数的奇偶值。
1:ACC 中 1 的个数为奇数
0:ACC 中 1 的个数为偶数(包括 0 个)
览
版
本
位编号
7
0
P
读/写
0
预
数据指针 DPTR (82H、83H)
SC92F754X 的数据指针 DPTR 是 16 位的专用寄存器,由低 8 位 DPL 和高 8 位 DPH 组成。DPTR 是可以直
接进行 16 位操作的寄存器,也可以分别对 DPL 和 DPH 按字节进行操作。
7 电源、复位和时钟
7.1 电源电路
SC92F754X 电源核心包括了 BG、LDO、POR、LVR 等电路,可实现在 2.4~5.5V 范围内可靠工作。此外,
IC 内建了一个经调校过的精准 2.4V 电压, 可用作 ADC 内部参考电压。用户可在 18 模数转换 ADC 查找具体设置
内容。
7.2 上电复位过程
SC92F754X 上电后, 在客户端软件执行前, 会经过以下的过程:
复位阶段
调入信息阶段
正常操作阶段
7.2.1 复位阶段
是指 SC92F754X 会一直处于复位的情况, 直到供应给 SC92F754X 的电压高过某一电压, 内部才开始有效的
Clock。复位阶段的时间长短和外部电源的上升速度有关,外部电源达到内建 POR 电压后,复位阶段才会完成。
7.2.2 调入信息阶段
在 SC92F754X 内部有一个预热计数器。在复位阶段期间,此预热计数器一直被清为 0,直到电压过了 POR
电压后,内部 RC 振荡器开始起振,该预热计数器开始计数。当内部的预热计数器计数到一定数目后, 每隔一定数
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
量个 HRC clock 就会从 Flash ROM 中的 IFB(包含 Code Option)读出一个 byte 数据存放到内部系统寄存器中。
直到预热完成后,该复位信号才会结束。
7.2.3 正常操作阶段
结束调入信息阶段后,SC92F754X 开始从 Flash 中读取指令代码即进入正常操作阶段。这时的 LVR 电压值
是用户写入 Code Option 的设置值。
7.3 复位方式
SC92F754X 有 4 种复位方式:①外部 RST 复位②低电压复位 LVR③上电复位 POR④看门狗 WDT 复位。
7.3.1 外部 RST 复位
外部 RST 复位就是从外部 RST 给 SC92F754X 一定宽度的复位脉冲信号,来实现 SC92F754X 的复位。
用户在烧录程序前可通过烧录上位机软件配置 Customer Option 项将 P5.2/RST 管脚配置为 RST(复位脚)
使用。
7.3.2 低电压复位 LVR
SC92F754X 内建了一个低电压复位电路。而复位的门限电压有 4 种选择:4.3V、3.7V、2.9V、2.3V,缺省
值 Default 是用户写入的 Option 值。
3
DISRST
读/写
n
1~0
LVRS [1:0]
览
位符号
DISLVR
2
DISLVR
读/写
n
1
0
LVRS[1:0]
读/写
n
说明
LVR 使能设置
0:LVR 正常使用
1:LVR 无效
LVR 电压选择控制
11:4.3 V 复位
10:3.7V 复位
01:2.9V 复位
00:2.3V 复位
预
位编号
2
版
本
OP_CTM0(C1H@FFH) Customer Option 寄存器 0(读/写)
位编号
7
6
5
4
符号
ENWDT
ENXTL
SCLKS[1:0]
读/写
读/写
读/写
读/写
上电初始值
n
n
n
SC92F754X 的复位部分电路结构图如下:
RSTN
pin
LVR
De-Bounce
4.3V
3.7V
2.9V
2.3V
Code option
De-Bounce (~2uS)
RESET
SFR
POR
(Power-Up Reset)
WatchDogTimer
Overflow
SC92F754X 复位电路图
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
7.3.3 上电复位 POR
SC92F754X 内部有上电复位电路,当电源电压 VDD 达到 POR 复位电压时,系统自动复位。
7.3.4 看门狗复位 WDT
SC92F754X 有一个 WDT,其时钟源为内部的 128kHz 振荡器。用户可以通过编程器的 Code Option 选择是
否开启看门狗复位功能。
OP_CTM0(C1H@FFH) Customer Option 寄存器 0(读/写)
位编号
7
6
5
4
符号
ENWDT
ENXTL
SCLKS[1:0]
读/写
读/写
读/写
读/写
上电初始值
n
n
n
WDTCON (CFH) WDT 控制寄存器(读/写)
7
6
位编号
符号
读/写
x
x
上电初始值
2~0
WDTCKS [2:0]
7~5,3
-
0
LVRS[1:0]
读/写
n
5
x
4
CLRWDT
读/写
0
3
x
2
0
1
WDTCKS[2:0]
读/写
0
0
0
说明
WDT 清“0”位(写 1 有效)
1 :WDT 计数器从 0 开始计数
此位由系统硬件自动置 0
看门狗时钟选择
WDTCKS[2:0]
WDT 溢出时间
000
500ms
001
250ms
010
125ms
011
62.5ms
100
31.5ms
101
15.75ms
110
7.88ms
111
3.94ms
保留
览
位符号
CLRWDT
1
预
位编号
4
2
DISLVR
读/写
n
说明
WDT 开关(此位由系统将用户 Code Option 所设的值调入)
1: WDT 开始工作
0: WDT 关闭
本
位符号
ENWDT
版
位编号
7
3
DISRST
读/写
n
7.3.5 复位初始状态
当 SC92F754X 处于复位状态时,多数寄存器会回到其初始状态。看门狗 WDT 处于关闭的状态。程序计数器
PC 初始值为 0000h,堆栈指针 SP 初始值为 07h。“热启动”的 Reset(如 WDT、LVR 等)不会影响到 SRAM,
SRAM 值始终是复位前的值。SRAM 内容的丢失会发生在电源电压低到 RAM 无法保存为止。
SFR 寄存器的上电复位初始值如下表:
SFR 名称
初始值
ACC
00000000b
B
00000000b
PSW
00000000b
SP
00000111b
DPL
00000000b
Page 26 of 101
SFR 名称
P1VO
P2
P2CON
P2PH
P2VO
初始值
00000000b
00000000b
00000000b
00000000b
00000000b
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P3
P3CON
P3PH
P3VO
P4
P4CON
P4PH
P5
P5CON
P5PH
PWMCFG
PWMCON
RCAP2H
RCAP2L
SBUF
SCON
SSCON0
SSCON1
SSCON2
SSDAT
TCON
TMCON
TMOD
TH0
TL0
TH1
TL1
T2CON
TH2
TL2
T2MOD
WDTCON
CMPCFG
CMPCON
DDRCON
CHKSUMH
CHKSUML
-
本
版
览
00000000b
0xxxxx00b
00000000b
00000000b
xxxxx000b
00000000b
00000000b
0000xxxxb
00xx0000b
00000000b
x0000000b
00000000b
xxxx0000b
00000000b
00000000b
00000000b
xx0x0000b
0000xxxxb
00000000b
xxxx0000b
0000xxxxb
00000000b
xxxx0000b
x0000000b
xxx0x000b
00000000b
nnnnnnnnb
xxxxx000b
00xx0000b
00000000b
xx000000b
00000000b
00000000b
00000000b
00000000b
00000000b
00000000b
00000000b
预
DPH
PCON
ADCCFG0
ADCCFG1
ADCCFG2
ADCCON
ADCVH
ADCVL
BTMCON
IAPADE
IAPADH
IAPADL
IAPCTL
IAPDAT
IAPKEY
IE
IE1
INT0R
INT1R
INT2R
INT0F
INT1F
INT2F
IP
IP1
OPINX
OPREG
EXADH
OTCON
IOHCON0
IOHCON1
P0
P0CON
P0PH
P0VO
P1
P1CON
P1PH
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
00000000b
00000000b
00000000b
00000000b
00000000b
00000000b
00000000b
xx000000b
xx000000b
xx000000b
00000000b
00000000b
00000000b
00000000b
00000000b
00000000b
00000000b
00000000b
00000000b
00000000b
00000x0xb
xxxxx000b
x000x000b
00000000b
00000000b
00000000b
00000000b
00000000b
00000000b
00000000b
xxxxxx00b
xxx0x000b
xxxx0000b
000x0000b
00000000b
00000000b
00000000b
-
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7.4 高频系统时钟电路
SC92F754X 内建了一个振荡频率可调的高精度 HRC,HRC 出厂时被精确地调校至 16MHz@5V/25℃,用户
可以通过编程器的 Code Option 将系统时钟设置为 16/8/4/1.33MHz 使用。调校过程是过滤掉制程上的偏差对精度
所造成的影响。此 HRC 受工作的环境温度和工作电压影响会有一定的漂移,对于压漂(3.0V~5.5V)以及(-20℃
~85℃)的温漂一般状况会在 ±1% 以内。
注意:ADC 和 PWM 的时钟源固定为 fHRC = 16MHz,不会随着系统时钟的切换而改变。
SCLKS[1:0]
UART
/1
/2
/4
/12
16MHz HRC
fSYS
SSI
TIMER0
fHRC
TIMER1
ADC
TIMER2
PWM
本
I/O
版
SC92F754X 内部时钟关系
预
览
OP_CTM0 (C1H@FFH) Customer Option 寄存器 0(读/写)
位编号
7
6
5
4
符号
ENWDT
ENXTL
SCLKS[1:0]
读/写
读/写
读/写
读/写
上电初始值
n
n
n
位编号
5~4
位符号
SCLKS[1:0]
3
DISRST
读/写
n
2
DISLVR
读/写
n
1
0
LVRS[1:0]
读/写
n
说明
系统时钟频率选择:
00:系统时钟频率为高频振荡器频率除以 1;
01:系统时钟频率为高频振荡器频率除以 2;
10:系统时钟频率为高频振荡器频率除以 4;
11:系统时钟频率为高频振荡器频率除以 12。
SC92F754X 有一个特殊的功能:用户可修改 SFR 的值实现 HRC 频率在一定范围的调整。用户可以通过配置
OP_HRCR 寄存器实现,该寄存器的配置方法可参考章节:5.2.1 Option 相关 SFR 操作说明。
OP_HRCR (83h@FFH) 系统时钟改变寄存器(读/写)
7
6
5
4
3
2
1
0
位编号
OP_HRCR[7:0]
符号
读/写
上电初始值
位编号
7~0
Page 28 of 101
读/写
n
n
位符号
OP_HRCR[7:0]
n
n
n
n
n
n
说明
HRC 频率改变寄存器
用户可通过修改此寄存器的值实现高频振荡器频率 fHRC 的改变,进而改
变 IC 的系统时钟频率 fSYS:
1. OP_HRCR[7:0]上电后的初始值 OP_HRCR[s]是一个固定值,以
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确保 fHRC 为 16MHz,每颗 IC 的 OP_HRCR[s]都可能会有差异
2. 初始值为 OP_HRCR[s] 时 IC 的系统时钟频率 fSYS 可通过 Option
项设置为准确的 16/8/4/1.33MHz,OP_HRCR [7:0]每改变 1 则
fSYS 频率改变约 0.23%
OP_HRCR [7:0]和 fSYS 输出频率的关系如下:
OP_HRCR [7:0]值
fSYS 实际输出频率(16M 为例)
OP_HRCR [s]-n
16000*(1-0.23%*n)kHz
...
....
OP_HRCR [s]-2
16000*(1-0.23%*2) = 15926.4kHz
OP_HRCR [s]-1
16000*(1-0.23%*1) = 15963.2kHz
OP_HRCR [s]
16000kHz
OP_HRCR [s]+1
16000*(1+0.23%*1) = 16036.8kHz
OP_HRCR [s]+2
16000*(1+0.23%*2) = 16073.6kHz
...
...
OP_HRCR [s]+n
16000*(1+0.23%*n)kHz
览
7.5 低频振荡器及低频时钟定时器
版
本
注意:
1.IC 每次上电后 OP_HRCR[7:0]的值都是高频振荡器频率 fHRC 最接近
16MHz 的值;用户可借助 EEPROM 在每次上电后修正 HRC 的值
以让 IC 的系统时钟频率 fSYS 工作在用户需要的频率;
2.为保证 IC 工作可靠,IC 最高工作频率尽量勿超过 16MHz 的 10%
即 17.6MHz;
3.请用户确认 HRC 频率的改变不会影响其它功能。
预
SC92F754X 内建一个频率为 128kHz 的 RC 及 32.768kHz 晶体振荡电路,都可作为低频时钟定时器 Base
Timer 的时钟源。该振荡器直接连接一个 Base Timer,可以把 CPU 从 STOP mode 唤醒,并且产生中断。
BTMCON (CEH) 低频定时器控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
ENBTM
BTMIF
符号
读/写
读/写
读/写
0
0
x
上电初始值
位编号
7
位符号
ENBTM
6
BTMIF
3~0
BTMFS [3:0]
5~4
-
Page 29 of 101
4
x
3
2
1
BTMFS[3:0]
0
读/写
0
0
0
0
说明
低频 Base Timer 启动控制
0:Base Timer 及其时钟源不启动
1:Base Timer 及其时钟源启动
Base Timer 中断申请标志
当 CPU 接受 Base Timer 的中断后, 此标志位会被硬件自动清除。
低频时钟中断频率选择
0000:每 15.625ms 产生一个中断
0001:每 31.25ms 产生一个中断
0010:每 62.5ms 产生一个中断
0011:每 125ms 产生一个中断
0100:每 0.25 秒产生一个 中断
0101:每 0.5 秒产生一个 中断
0110:每 1.0 秒产生一个 中断
0111:每 2.0 秒产生一个 中断
1xxx: 每 4.0 秒产生一个 中断
保留
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
OP_CTM0 (C1H@FFH) Customer Option 寄存器 0(读/写)
7
6
5
4
位编号
符号
ENWDT
ENXTL
SCLKS[1:0]
读/写
读/写
读/写
读/写
上电初始值
n
n
n
位编号
6
位符号
ENXTL
3
2
1
DISRST
读/写
n
DISLVR
读/写
n
0
LVRS[1:0]
读/写
n
说明
外部 32k 晶振选择开关
0:外部 32k 晶振关闭,P5.0、P5.1 有效,内部 LRC 有效;
1:外部 32k 晶振打开,P5.0、P5.1 无效,内部 LRC 无效。
P5.0/P5.1 外接 32K 振荡器作为 BaseTimer 使用的接法电路如下:
C1(10~12P)
OSCI/P5.1
32.768K
Crystal
OSCO/P5.0
C2(10~12P)
本
32k 外部晶振连接图
览
振荡源
选择开关
预
外部32K晶振
版
Base Timer 内外部振荡选择关系图如下:
Basetimer
Counter
BTMIF
内部128K LRC
ENXTL
ENBTM
Base Timer 结构图
7.6 STOP 模式和 IDLE 模式
SC92F754X 提供了一个特殊功能寄存器 PCON,配置该寄存器的 bit0 和 bit1 可控制 MCU 进入不同的工作模
式。
对 PCON.1 写入 1,内部的高频系统时钟就会停止, 进到 STOP 模式 , 达到省电功能。在 STOP 模式下, 用
户可以通过外部中断 INT0~INT2、低频时钟中断及 WDT 把 SC92F754X 唤醒,也可以通过外部复位将 STOP 唤
醒。
对 PCON.0 写入 1,程序停止运行,进入 IDLE 模式,但外部设备及时钟继续运行,进入 IDLE 模式前所有
CPU 状态都被保存。IDLE 模式可由任何中断唤醒。
PCON (87H) 电源管理控制寄存器(只写、*不可读 *)
位编号
7
6
5
符号
SMOD
读/写
只写
上电初始值
0
x
x
Page 30 of 101
4
x
3
x
2
x
1
STOP
只写
0
0
IDL
只写
0
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SC92F7547/7546/7543
SinOne
位编号
1
位符号
STOP
0
IDL
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
说明
STOP 模式控制
0: 正常操作模式
1: 节能模式, 高频振荡器停止工作,低频振荡器及 WDT 可根据设定
选择工作与否。
IDLE 模式控制
0: 正常操作模式
1: 节能模式, 程序停止运行,但外部设备及时钟继续运行,进入
IDLE 模式前所有 CPU 状态都被保存。
注意:
配置 MCU 进入 STOP 或 IDLE 模式时,对 PCON 寄存器进行配置操作的语句后面要加上 8 个 NOP 指令,
不能直接跟其它指令,否则在唤醒后无法正常执行后续的指令!
例如:设置 MCU 进入 STOP 模式:
C 语言例程:
#include”intrins.h”
Page 31 of 101
本
版
览
汇编例程:
ORL PCON,#02H
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
……
//PCON 的 bit1 STOP 位写 1,配置 MCU 进入 STOP 模式
//至少需要 8 个_nop_()
; PCON 的 bit1 STOP 位写 1,配置 MCU 进入 STOP 模式
; 至少需要 8 个 NOP
预
PCON |= 0x02;
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
……
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
8 中央处理单元 CPU 及指令系统
8.1 CPU
SC92F754X 所用的 CPU 是一个超高速的 1T 标准 8051 内核,其指令完全兼容传统 8051 内核单片机。
8.2 寻址方式
SC92F754X 的 1T 8051 CPU 指令的寻址方式有:①立即寻址②直接寻址③间接寻址④寄存器寻址⑤相对寻
址⑥变址寻址⑦位寻址
8.2.1 立即寻址
立即寻址也称为立即数,它是在指令操作数中直接给出参加运算的操作数,指令举例如下:
MOV A, #50H (这条指令是将立即数 50H 送到累加器 A 中)
8.2.2 直接寻址
在直接寻址方式中,指令操作数域给出的是参加运算操作数的地址。直接寻址方式只能用来表示特殊功能寄
存器、内部数据寄存器和位地址空间。其中特殊功能寄存器和位地址空间只能用直接寻址方式访问。举例如下:
ANL 50H, #91H (表示 50H 单元中的数与立即数 91H 相“与”,结果存放在 50H 单元中。其中 50H 为直
接地址,表示内部数据寄存器 RAM 中的一个单元。)
8.2.3 间接寻址
版
本
间接寻址采用 R0 或 R1 前添加“@”符号来表示。假设 R1 中的数据是 40H,内部数据存储器 40H 单元的数据
为 55H,则指令为
MOV A, @R1 ( 把数据 55H 传送至累加器 A)。
览
8.2.4 寄存器寻址
预
寄存器寻址时对选定的工作寄存器 R7~R0、累加器 A、通用寄存器 B、地址寄存器和进位 C 中的数进行操作。
其中寄存器 R7~R0 由指令码的低 3 位表示,ACC、B、DPTR 及进位位 C 隐含在指令码中。因此,寄存器寻址也
包含一种隐含寻址方式。寄存器工作区的选择由程序状态字寄存器 PSW 中的 RS1、RS0 来决定。指令操作数指
定的寄存器均指当前工作区的寄存器。
INC R0
是指(R0)+1→R0
8.2.5 相对寻址
相对寻址是将程序计数器 PC 中的当前值与指令第二字节给出的数相加,其结果作为转移指令的转移地址。
转移地址也成为转移目的地址,PC 中的当前值成为基地址,指令第二字节给出的数成为偏移量。由于目的地址是
相对于 PC 中的基地址而言,所以这种寻址方式成为相对寻址。偏移量为带符号的数,所能表示的范围为+127~128.这种寻址方式主要用于转移指令。
JC $+50H
表示若进位位 C 为 0,则程序计数器 PC 中的内容不改变,即不转移。若进位位 C 为 1,则以 PC 中的当前值及基
地址,加上偏移量 50H 后所得到的结果作为该转移指令的目的地址。
8.2.6 变址寻址
在变址寻址方式中,指令操作数制定一个存放变址基址的变址寄存器。变址寻址时,偏移量与变址基值相加,
其结果作为操作数的地址。变址寄存器有程序计数器 PC 和地址寄存器 DPTR。
MOVC A, @A+DPTR
表示累加器 A 为偏移量寄存器,其内容与地址寄存器 DPTR 中的内容相加,其结果作为操作数的地址,取出
该单元中的数送入累加器 A 中。
8.2.7 位寻址
位寻址是指对一些可进行位操作的内部数据存储器 RAM 和特殊功能寄存器进行位操作时的寻址方式。在进行
位操作时,借助于进位位 C 作为位操作累加器,指令操作数直接给出该位的地址,然后根据操作码的性质对该位
进行位操作。位地址与字节直接寻址中的字节地址编码方式完全一样,主要由操作指令的性质加以区分,使用时
应特别注意。
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MOV
C, 20H
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(将地址为 20H 的位操作寄存器值送入进位位 C 中。)
9 INTERRUPT 中断
SC92F754X 单片机提供 12 个中断源:Timer0,Timer1, Timer2,INT0~2,ADC,PWM,UART,SSI,
Base Timer,CMP。这 12 个中断源分为 2 个中断优先级,并可以单独分别设置为高优先级或者低优先级。三个
外部中断可以分别设定其中每个中断源的触发条件为上升、下降或上下沿,每个中断分别有独立的优先级设置位、
中断标志、中断向量和使能位,总的使能位 EA 可以实现所有中断的打开或者关闭。
9.1 中断源、向量
SC92F754X 的中断源、中断向量、及相关控制位列表如下:
中断发生
时间
中断标志
中断使能
控制
中断优先权
控制
中断向量
查询优先级
中断号
(C51)
标志清除
方式
能否唤醒
STOP
INT0
外部中断 0
条件符合
IE0
EINT0
IPINT0
0003H
1 (高)
0
H/W Auto
能
Timer0
Timer0 溢
出
TF0
ET0
IPT0
000BH
2
1
H/W Auto
不能
INT1
外部中断 1
条件符合
IE1
EINT1
IPINT1
0013H
3
2
H/W Auto
能
Timer1
Timer1 溢
出
TF1
ET1
IPT1
001BH
4
3
H/W Auto
不能
UART
接收或发送
完成
RI/TI
EUART
IPUART
5
4
必须用户
清除
不能
Timer2
Timer2 溢
出
本
中断源
TF2
ET2
IPT2
002BH
6
5
必须用户
清除
不能
ADC
ADC 转换
完成
ADCIF
EADC
IPADC
0033H
7
6
必须用户
清除
不能
IPSPI
003BH
8
7
必须用户
清除
不能
ESSI
版
览
接收或发送 SPIF/TWIF
完成
预
SSI
0023H
PWM
PWM 溢出
PWMIF
EPWM
IPPWM
0043H
9
8
必须用户
清除
不能
BTM
Base timer
溢出
BTMIF
EBTM
IPBTM
004BH
10
9
H/W Auto
能
INT2
外部中断 2
条件符合
-
EINT2
IPINT2
0053H
11
10
-
能
CMP
比较器中断
条件符合
CMPIF
ECMP
IPCMP
0063H
13
12
必须用户
清除
能
在 EA=1 及各中断使能控制为 1 的情况下,各中断发生情况如下:
定时器中断:Timer0 和 Timer1 溢出时会产生中断并将中断标志 TF0 和 TF1 置为“1”,当单片机执行该定时器
中断时,中断标志 TF0 和 TF1 会被硬件自动清“0”。Timer2 溢出时会产生中断并将中断标志 TF2 置为“1”,在
Timer2 中断发生后,硬件并不会自动清除 TF2 位,此 bit 必须由使用者的软件负责清除。
UART 中断:当 UART0 接收或发送一帧数据完成时 RI 或 TI 位会被硬件自动置“1”,UART 中断产生。在
UART 中断发生后,硬件并不会自动清除 RI/TI 位,此 bit 必须由使用者的软件负责清除。
ADC 中断:ADC 中断的发生时间为 ADC 转换完成时,其中断标志就是 ADC 转换结束标志 EOC/ADCIF
(ADCCON.5)。当使用者设定 ADCS 开始转换后,EOC 会被硬件自动清除为 “0” ;当转换完成后,EOC 会被
硬件自动置为 “1” 。使用者在 ADC 中断发生之后,进入中断服务程序时,必须用软件去清除它。
SSI 中断:当 SSI 接收或发送一帧数据完成时 SPIF/TWIF 位会被硬件自动置“1”,SSI 中断产生。当单片机执
行该 SSI 中断时,中断标志 SPIF/TWIF 必须由使用者的软件负责清除。
PWM 中断:当 PWM 计数器溢出时(也就是说:数到超过 PWMPD 时), 此位会被硬件自动设定成 1。如果此
时 IE1[1] (EPWM) 也是被设定成 1,PWM 的中断产生。在 PWM 中断发生后,硬件并不会自动清除此位,此位必
须由使用者的软件负责清除。
外部中断 INT0~2:当外部中断口有中断条件发生时,外部中断就发生了。其中 INT0 和 INT1 会产生中断标志
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预
览
版
本
为 IE0/IE1,用户不需要处理,硬件会自动清除。INT0 有四个外部中断源,INT1 有八个外部中断源,INT2 有四个
外部中断源,用户可以根据需要设成上沿、下沿或者双沿中断,可通过设置 SFR (INTxF 和 INTxR)来实现。用
户可通过 IP 寄存器来设置每个中断的优先级级别。外部中断 INT0~2 还可以唤醒单片机的 STOP。
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9.2 中断结构图
SC92F754X 的中断结构如下图所示:
IE[7] (EA)
Interrupt to 03 h
IE[0](EINT0)
INT0
TCON[1](IE0)
IE[7] (EA)
Interrupt to 0Bh
IE[1] (ET0)
Timer-0
TCON[5] (TF0)
IE[7] (EA)
Interrupt to 13 h
IE[2] (EINT1)
INT1
TCON[3](IE1)
IE[7] (EA)
Interrupt to 1Bh
IE[3] (ET1)
Timer-1
TCON[7] (TF1)
IE[7] (EA)
IE[4] (EUART)
UART
Interrupt to 23 h
IE[7] (EA)
IE[5] (ET2)
版
Timer-2
本
SCON[1:0] (TI/RI)
Interrupt to 2Bh
览
T2CON[7] (TF2)
IE[7] (EA)
ADC
IE[6] (EADC)
Interrupt to 33 h
预
ADCCON[5] (EOC/ADCIF)
SSI
IE[7] (EA)
IE1[0] (ESSI)
Interrupt to 3Bh
SPIF/TWIF
IE[7] (EA)
PWM
IE1[1] (EPWM)
Interrupt to 43 h
PWMCFG[6] (PWMIF)
IE[7] (EA)
BTM
IE1[2] (EBTM)
Interrupt to 4Bh
BTMCON[6] (BTMIF)
IE[7] (EA)
Interrupt to 53h
INT2
IE1[3] (EINT2)
IE[7] (EA)
CMP
IE1[5] (ECMP)
Interrupt to 63 h
CMPCON[6] (CMPIF)
SC92F754X 中断结构和向量
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9.3 中断优先级
SC92F754X 单片机的中断具有两个中断优先级,这些中断源的请求可编程为高优先级中断或者低优先级中
断,即可实现两级中断服务程序的嵌套。一个正在执行的低优先级中断能被高优先级中断请求所中断,但不能被
另一个同一优先级的中断请求所中断,一直执行到结束,遇到返回指令 RETI,返回主程序后再执行一条指令才能
响应新的中断请求。
也就是说:
① 低优先级中断可被高优先级中断请求所中断,反之不能;
② 任何一种中断,在响应过程中,不能被同一优先级的中断请求所中断。
中断查询顺序:SC92F754X 单片机的同一优先级中断,如果同时来几个中断,则中断响应的优先顺序同 C51
中的中断查询号相同,即查询号小的会优先响应,查询号大的会慢响应。
9.4 中断处理流程
本
当一个中断产生并且被 CPU 响应,则主程序运行被中断,将执行下述操作
① 当前正在执行的指令执行完;
② PC 值被压入堆栈,保护现场;
③ 中断向量地址载入程序计数器 PC;
④ 执行相应的中断服务程序;
⑤ 中断服务程序结束并 RETI;
⑥ 将 PC 值退栈,并返回执行中断前的程序。
在此过程中,系统不会立即执行其它同一优先级的中断,但会保留所发生的中断请求,在当前中断处理结束
后,转去执行新的中断请求。
位编号
7
位符号
EA
6
EADC
5
ET2
4
EUART
3
ET1
2
EINT1
1
ET0
Page 36 of 101
览
5
ET2
读/写
0
预
IE (A8H) 中断使能寄存器(读/写)
位编号
7
6
符号
EA
EADC
读/写
读/写
读/写
上电初始值
0
0
版
9.5 中断相关 SFR 寄存器
4
EUART
读/写
0
3
ET1
读/写
0
2
EINT1
读/写
0
1
ET0
读/写
0
0
EINT0
读/写
0
说明
中断使能的总控制
0: 关闭所有的中断
1: 打开所有的中断
ADC 中断使能控制
0:关闭 ADC 中断
1:允许 ADC 转换完成时产生中断
Timer2 中断使能控制
0:关闭 TIMER2 中断
1:允许 TIMER2 中断
UART 中断使能控制
0:关闭 UART 中断
1:允许 UART 中断
Timer1 中断使能控制
0:关闭 TIMER1 中断
1:允许 TIMER1 中断
外部中断 1 使能控制
0:关闭 INT1 中断
1:打开 INT1 中断
Timer0 中断使能控制
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0
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0:关闭 TIMER0 中断
1:允许 TIMER0 中断
外部中断 0 使能控制
0:关闭 INT0 中断
1:打开 INT0 中断
EINT0
IP (B8H) 中断优先级控制寄存器(读/写)
位编号
7
6
符号
IPADC
读/写
读/写
上电初始值
x
0
4
IPUART
3
IPT1
2
IPINT1
1
IPT0
0
IPINT0
7
-
x
说明
x
位编号
5
位符号
ECMP
3
EINT2
2
EBTM
Page 37 of 101
0
IPINT0
读/写
0
ADC 中断优先权选择
0:ADC 中断优先权为低
1:ADC 中断优先权为高
Timer2 中断优先权选择
0:Timer2 中断优先权为低
1:Timer2 中断优先权为高
UART 中断优先权选择
0:UART 中断优先权为低
1:UART 中断优先权为高
Timer1 中断优先权选择
0:Timer1 中断优先权为低
1:Timer1 中断优先权为高
INT1 计数器中断优先权选择
0:INT1 中断优先权为低
1:INT1 中断优先权为高
Timer0 中断优先权选择
0:Timer0 中断优先权为低
1:Timer0 中断优先权为高
INT0 计数器中断优先权选择
0:INT0 中断优先权为低
1:INT0 中断优先权为高
保留
IE1 (A9H) 中断使能寄存器 1(读/写)
位编号
7
6
符号
读/写
上电初始值
1
IPT0
读/写
0
本
IPT2
2
IPINT1
读/写
0
版
5
3
IPT1
读/写
0
览
位符号
IPADC
4
IPUART
读/写
0
预
位编号
6
5
IPT2
读/写
0
5
ECMP
4
-
3
EINT2
2
EBTM
1
EPWM
0
ESSI
读写
0
x
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
模拟比较器中断使能控制
0:关闭模拟比较器中断
1:打开模拟比较器中断
外部中断 2 使能控制
0:关闭 INT2 中断
1:打开 INT2 中断
Base Timer 中断使能控制
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1
EPWM
0
ESSI
7~6,4
-
0: 关闭 Base Timer 中断
1: 允许 Base Timer 中断
PWM 中断使能控制
0:关闭 PWM 中断
1:允许 PWM 计数溢出(数到 PWMPD)时产生中断
三合一串口中断使能控制
0: 关闭串口中断
1: 允许串口中断
保留
IP1 (B9H) 中断优先级控制寄存器 1(读/写)
7
6
5
位编号
IPCMP
符号
读/写
读/写
x
x
0
上电初始值
2
IPBTM
1
IPPWM
0
IPSSI
7~5,4
-
读/写
0
位符号
IE1
1
IE0
2,0
-
读/写
0
读/写
0
2
x
1
IE0
0
x
5
TF0
4
TR0
3
IE1
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
INT1 溢出中断请求标志。INT1 产生溢出,发生中断时,硬件将 IE1 置
为“1”,申请中断,CPU 响应时,硬件清“0”。
INT0 溢出中断请求标志。INT0 产生溢出,发生中断时,硬件将 IE0 置
为“1”,申请中断,CPU 响应时,硬件清“0”。
保留
INT0F (BAH) INT0 下降沿中断控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
INT0F7
INT0F6
INT0F5
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
0
0
0
上电初始值
Page 38 of 101
读/写
0
说明
读/写
0
位编号
3
读/写
0
模拟比较器中断优先权选择
0:模拟比较器中断优先权为低
1:模拟比较器中断优先权为高
INT2 计数器中断优先权选择
0:INT2 中断优先权为低
1:INT2 中断优先权为高
Base Timer 中断优先权选择
0:Base Timer 中断优先权为低
1:Base Timer 中断优先权为高
PWM 中断使能选择
0: PWM 中断优先权为低
1: PWM 中断优先权为高
三合一串口中断优先权选择
0: SSI 中断优先权为低
1: SSI 中断优先权为高
保留
TCON (88H) 定时器控制寄存器(读写)
位编号
7
6
TF1
TR1
符号
读/写
上电初始值
0
IPSSI
本
IPINT2
1
IPPWM
版
3
2
IPBTM
览
位符号
IPCMP
3
IPINT2
预
位编号
5
4
x
4
INT0F4
读/写
0
3
x
2
x
1
x
0
x
V0.6
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位编号
7~4
位符号
INT0Fn
(n=7~4)
3~0
-
说明
INT0 下降沿中断控制
0 : INT0n 下降沿中断关闭
1: INT0n 下降沿中断使能
保留
INT0R (BBH) INT0 上升沿中断控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
INT0R7
INT0R6
INT0R5
符号
读/写
上电初始值
读/写
0
读/写
0
位编号
7~4
位符号
INT0Rn
(n=7~4)
3~0
-
4
INT0R4
读/写
0
读/写
0
2
INT1F2
1
INT1F1
0
INT1F0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
INT0 上升沿中断控制
0 : INT0n 上升沿中断关闭
1: INT0n 上升沿中断使能
保留
3
INT1F3
本
4
INT1F4
读/写
0
读/写
0
读/写
0
版
位符号
INT1Fn
(n=7~0)
0
x
说明
览
读/写
0
1
x
INT1 下降沿中断控制
0 : INT1n 下降沿中断关闭
1: INT1n 下降沿中断使能
预
位编号
7~0
读/写
0
2
x
说明
INT1F (BCH) INT1 下降沿中断控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
INT1F7
INT1F6
INT1F5
符号
读/写
上电初始值
3
x
INT1R (BDH) INT1 上升沿中断控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
INT1R7
INT1R6
INT1R5
符号
读/写
上电初始值
位编号
7~0
读/写
0
读/写
0
位符号
INT1Rn
(n=7~0)
读/写
0
位符号
INT2Fn
(n=3~0)
7~4
-
Page 39 of 101
3
INT1R3
2
INT1R2
1
INT1R1
0
INT1R0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
3
INT2F3
2
INT2F2
1
INT2F1
0
INT2F0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
INT1 上升沿中断控制
0 : INT1n 上升沿中断关闭
1: INT1n 上升沿中断使能
INT2F (C6H) INT2 下降沿中断控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
符号
读/写
x
x
x
上电初始值
位编号
3~0
4
INT1R4
4
x
说明
INT2 下降沿中断控制
0 : INT2n 下降沿中断关闭
1: INT2n 下降沿中断使能
保留
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
INT2R (C7H) INT1 上升沿中断控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
符号
读/写
x
x
x
上电初始值
位编号
3~0
位符号
INT2Rn
(n=3~0)
7~4
-
4
x
3
INT2R3
2
INT2R2
1
INT2R1
0
INT2R0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
INT2 上升沿中断控制
0 : INT2n 上升沿中断关闭
1: INT2n 上升沿中断使能
保留
10 定时器 TIMER0 、TIMER1
览
版
本
SC92F754X 单片机内部的两个 16 位定时器/计数器,它们具有计数方式和定时方式两种工作模式。特殊功能
寄存器 TMOD 中有一个控制位 C/Tx 来选择 T0 和 T1 是定时器还是计数器。它们本质上都是一个加法计数器,只
是计数的来源不同。定时器的来源为系统时钟或者其分频时钟,但计数器的来源为外部管脚的输入脉冲。只有在
TRx=1 的时候,T0 和 T1 才会被打开计数。
计数器模式下,P0.2/T0 和 P0.3/T1 管脚上的每一个脉冲,T0 和 T1 的计数值分别增加 1。
定时器模式下,可通过特殊功能寄存器 TMCON 来选择 T0 和 T1 的计数来源是 fSYS/12 或 fSYS (fSYS 为分频后
的系统时钟)。
定时器/计数器 T0 有 4 种工作模式,定时器/计数器 T1 有 3 种工作模式(模式三不存在):
① 模式 0:13 位定时器/计数器模式
② 模式 1:16 位定时器/计数器模式
③ 模式 2: 8 位自动重载模式
④ 模式 3:两个 8 位定时器/计数器模式
在上述模式中,T0 和 T1 的模式 0、1、2 都相同,模式 3 不同。
符号
地址
说明
预
10.1 T0 和 T1 相关特殊功能寄存器
7
6
5
4
3
2
1
0
Reset 值
TF1
TR1
TF0
TR0
IE1
-
IE0
-
00000x0xb
-
C/T1
M11
M01
-
C/T0
M10
M00
x000x000b
TCON
88H
定时器控制寄存器
TMOD
89H
定时器工作模式寄存器
TL0
8AH
定时器 0 低 8 位
TL0[7:0]
00000000b
TL1
8BH
定时器 1 低 8 位
TL1[7:0]
00000000b
TH0
8CH
定时器 0 高 8 位
TH0[7:0]
00000000b
TH1
8DH
定时器 1 高 8 位
TMCON
8EH
定时器频率控制寄存器
TH1[7:0]
-
-
-
-
-
00000000b
T2FD
T1FD
T0FD
xxxxx000b
各寄存器的解释说明如下:
TCON (88H) 定时器控制寄存器(读/写)
位编号
7
6
TF1
TR1
符号
读/写
上电初始值
读/写
0
读/写
0
位编号
7
位符号
TF1
6
TR1
Page 40 of 101
5
TF0
4
TR0
3
IE1
读/写
0
读/写
0
读/写
0
2
x
1
IE0
读/写
0
0
x
说明
T1 溢出中断请求标志。T1 产生溢出,发生中断时,硬件将 TF1 置为
“1”,申请中断,CPU 响应时,硬件清“0”。
定时器 T1 的运行控制位。此位由软件置 1 和清 0。当 TR1=1 时,允许
T1 开始计数。TR1=0 时禁止 T1 计数。
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5
TF0
4
TR0
2,0
-
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
T0 溢出中断请求标志。T0 产生溢出,发生中断时,硬件将 TF0 置为
“1”,申请中断,CPU 响应时,硬件清“0”。
定时器 T0 的运行控制位。此位由软件置位和清 0。当 TR0=1 时,允许
T0 开始计数。TR0=0 时禁止 T0 计数。
保留
TMOD (89H) 定时器工作模式寄存器(读/写)
位编号
7
6
5
C/T1
M11
符号
读/写
读/写
读/写
x
0
0
上电初始值
T1
2
C/T0
1~0
M10,M00
7,3
-
0
M00
读/写
0
读/写
0
读/写
0
T0
说明
TMOD[6]控制定时器 1
0:定时器,T1 计数来源于 fSYS 分频
1:计数器,T1 计数来源于外部管脚 T1/P0.3
定时器/计数器 1 模式选择
00 : 13 位定时器/计数器,TL1 高 3 位无效
01 : 16 位定时器/计数器,TL1 和 TH1 全
10 : 8 位自动重载定时器,溢出时将 TH1 存放的值自动重装入 TL1
11 : 定时器/计数器 1 无效(停止计数)
TMOD[2]控制定时器 0
0:定时器,T0 计数来源于 fSYS 分频
1:计数器,T0 计数来源于外部管脚 T0/P0.2
定时器/计数器 0 模式选择
00 : 13 位定时器/计数器,TL0 高 3 位无效
01 : 16 位定时器/计数器,TL0 和 TH0 全
10 : 8 位自动重载定时器,溢出时将 TH0 存放的值自动重装入 TL0
11 : 定时器 0 此时作为双 8 位定时器/计数器。TL0 作为一个 8 位定时器
/计数器,通过标准定时器 0 的控制位控制;TH0 仅作为一个 8 位定时
器,由定时器 1 的控制位控制。
保留
本
M11,M01
1
M10
版
5~4
2
C/T0
览
位符号
C/T1
读/写
0
3
x
预
位编号
6
4
M01
TMOD 寄存器中 TMOD[0]~TMOD[2]是设置 T0 的工作模式;TMOD[4]~TMOD[6]是设置 T1 的工作模式。
定时器和计数器 Tx 功能由特殊功能寄存器 TMOD 的控制位 C/Tx 来选择,M0x 和 M1x 都是用来选择 Tx 的工
作模式。TRx 作为 T0 和 T1 的开关控制,只有 TRx=1 时 T0 和 T1 才打开。
TMCON (8EH) 定时器频率控制寄存器(读/写)
位编号
7
6
5
符号
读/写
x
x
x
上电初始值
位编号
1
位符号
T1FD
0
T0FD
Page 41 of 101
4
x
3
x
2
T2FD
1
T1FD
0
T0FD
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
T1 输入频率选择控制
0:T1 频率源自于 fSYS/12
1:T1 频率源自于 fSYS
T0 输入频率选择控制
0:T0 频率源自于 fSYS/12
1:T0 频率源自于 fSYS
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
IE (A8H) 中断使能寄存器(读/写)
位编号
7
6
EA
EADC
符号
读/写
上电初始值
读/写
0
读/写
0
位编号
3
位符号
ET1
1
ET0
1
ET0
0
EINT0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
Timer1 中断使能控制
0: 关闭 TIMER1 中断
1: 允许 TIMER1 中断
Timer0 中断使能控制
0: 关闭 TIMER0 中断
1: 允许 TIMER0 中断
5
IPT2
4
IPUART
3
IPT1
2
IPINT1
1
IPT0
0
IPINT0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
本
IPT0
2
EINT1
Timer1 中断优先权
0:设定 Timer 1 的中断优先权是 “低”
1:设定 Timer 1 的中断优先权是 “高”
Timer0 中断优先权
0:设定 Timer 0 的中断优先权是 “低”
1:设定 Timer 0 的中断优先权是 “高”
版
1
3
ET1
10.2 T0 工作模式
预
览
位符号
IPT1
4
EUART
说明
IP (B8H) 中断优先级控制寄存器(读/写)
位编号
7
6
IPADC
符号
读/写
读/写
x
0
上电初始值
位编号
3
5
ET2
通过对寄存器 TMOD 中的 M10、M00(TMOD[1]、TMOD[0])的设置,定时器/计数器 0 可实现 4 种不同的工作
模式 。
工作模式 0: 13 位计数器/定时器
TH0 寄存器存放 13 位计数器/定时器的高 8 位(TH0.7~TH0.0),TL0 存放低 5 位(TL0.4~TL0.0)。TL0 的高三
位(TL0.7~TL0.5)是不确定值,读取时应被忽略掉。当 13 位定时器/计数器递增溢出时,系统会将定时器溢出标志
TF0 置 1。如果定时器 0 中断被允许,将会产生一个中断。
C/T0 位选择计数器/定时器的时钟输入源。如果 C/T0=1,定时器 0 输入脚 T0(P0.2)的电平从高到低的变化,
会使定时器 0 数据寄存器加 1。如果 C/T0=0,选择系统时钟的分频为定时器 0 的时钟源。
当 TR0 置 1 打开定时器 T0。TR0 置 1 并不强行复位定时器,意味着如果 TR0 置 1,定时器寄存器将从上次
TR0 清 0 时的值开始计数。所以,在允许定时器之前,应该设定定时器寄存器的初始值。
当作为定时器应用时,可配置 T0FD 来选择时钟源的分频比例。
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fsys
/12
/1
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
T0FD=0
T0FD=1
TMOD.2=0
(C/T0)
(TF0)
TL0
5 bit
T0=P0.2
TH0
8 bit
TMOD.2=1
(C/T0)
TCON.5
T0中断请求
(TR0)
TCON.4
定时器/计数器工作模式 0: 13 位定时器/计数器
工作模式 1: 16 位计数器/定时器
除了使用 16 位(TL0 的 8 位数据全部有效)计数器/定时器之外,模式 1 和模式 0 的运行方式相同。打开和配置
计数器/定时器方式也相同。
fsys
/12
/1
T0FD=0
T0FD=1
TMOD.2=0
(C/T0)
(TF0)
TL0
8 bit
T0=P0.2
TH0
8 bit
TMOD.2=1
(C/T0)
TCON.5
本
T0中断请求
版
(TR0)
TCON.4
览
定时器/计数器工作模式 0: 16 位定时器/计数器
预
工作模式 2: 8 位自动重载计数器/定时器
在工作模式 2 中, 定时器 0 是 8 位自动重载计数器/定时器。TL0 存放计数值,TH0 存放重载值。当在 TL0
中的计数器溢出至 0x00 时,定时器溢出标志 TF0 被置 1,寄存器 TH0 的值被重载入寄存器 TL0 中。如果定时
器中断使能,当 TF0 置 1 时将产生一个中断,但在 TH0 中的重载值不会改变。在允许定时器正确计数开始之
前,TL0 必须初始化为所需要的值。
除了自动重载功能外,工作模式 2 中的计数器/定时器的使能和配置方式同模式 0 和 1 是相同的。
当作为定时器应用时,可配置寄存器 TMCON.0(T0FD)来选择定时器时钟源被系统时钟 fSYS 分频的比例。
fsys
/12
/1
T0FD=0
T0FD=1
TMOD.2=0
(C/T0)
T0=P0.2
(TF0)
TL0
8 bit
TCON.5
T0中断请求
TMOD.2=1
(C/T0)
Set
(TR0)
TCON.4
TH0
8 bit
定时器/计数器工作模式 2: 自动重载的 8 位定时器/计数器
工作模式 3: 两个 8 位计数器/定时器(仅限于定时器 0)
在工作模式 3 中,定时器 0 用作两个独立的 8 位计数器/定时器,分别由 TL0 和 TH0 控制。TL0 通过定时器
0 的控制位(在 TCON 中)和状态位(在 TMOD 中):TR0、C/T0、TF0 控制。定时器 0 可通过 T0 的 TMOD.2(C/T0)
来选择是定时器模式还是计数器模式。
TH0 通过定时器 1 的控制 TCON 来设置相关的控制,但 TH0 仅被限定为定时器模式,无法通过
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
TMOD.2(C/T0)来设定为计数器模式。TH0 由定时器控制位 TR1 的控制使能,需设定 TR1=1。当发生溢出及产
生中断时,TF1 会置 1,并按 T1 发生中断来进行相应的处理。
在 T0 被设为工作模式 3 时,TH0 定时器占用了 T1 的中断资源及 TCON 中寄存器,T1 的 16 位计数器会停
止计数,相当于“TR1=0”。当采用 TH0 定时器工作时,需设置 TR1=1。
10.3 T1 工作模式
通过对寄存器 TMOD 中的 M11、M01(TMOD[5]、TMOD[4])的设置,定时器/计数器 1 可实现 3 种不同的工作
模式 。
工作模式 0: 13 位计数器/定时器。
TH1 寄存器存放 13 位计数器/定时器的高 8 位(TH1.7~TH1.0);TL1 存放低 5 位(TL1.4~TL1.0)。TL1 的高三
位(TL1.7~TL1.5)是不确定值,读取时应被忽略掉。当 13 位定时器计数器递增溢出时,系统会将定时器溢出标志
TF1 置 1。如果定时器 1 中断被允许,将会产生一个中断。C/T1 位选择计数器/定时器的时钟源。
如果 C/T1=1,定时器 1 输入脚 T1(P0.3)的电平从高到低的变化,会使定时器 1 数据寄存器加 1。如果 C/T1=0,
选择系统时钟的分频为定时器 1 的时钟源。
TR1 置 1 打开定时器。TR1 置 1 并不强行复位定时器,意味着如果 TR1 置 1,定时器寄存器将从上次 TR1 清
0 时的值开始计数。所以,在允许定时器之前,应该设定定时器寄存器的初始值。
当作为定时器应用时,可配置 T1FD 来选择时钟源的分频比例。
fsys
/12
/1
T1FD=0
T1FD=1
TMOD.6=0
(C/T1)
(TF1)
本
T1=P0.3
TH1
8 bit
TCON.7
T1中断请求
版
TMOD.6=1
(C/T1)
TL1
5 bit
览
(TR1)
TCON.6
预
定时器/计数器工作模式 0: 13 位定时器/计数器
工作模式 1: 16 位计数器/定时器
除了使用 16 位(TL1 的 8 位数据全部有效)计数器/定时器之外,模式 1 和模式 0 的运行方式相同。打开和配置
计数器/定时器方式也相同。
fsys
/12
/1
T1FD=0
T1FD=1
TMOD.6=0
(C/T1)
T1=P0.3
(TF1)
TL1
8 bit
TMOD.6=1
(C/T1)
TH1
8 bit
TCON.7
T1中断请求
(TR1)
TCON.6
定时器/计数器工作模式 0: 16 位定时器/计数器
工作模式 2: 8 位自动重载计数器/计数器
在工作模式 2 中, 定时器 1 是 8 位自动重载计数器/定时器。TL1 存放计数值,TH1 存放重载值。当在 TL1
中的计数器溢出至 0x00 时,定时器溢出标志 TF1 被置 1,寄存器 TH1 的值被重载入寄存器 TL1 中。如果定时
器中断使能,当 TF1 置 1 时将产生一个中断,但在 TH1 中的重载值不会改变。在允许定时器正确计数开始之
前,TL1 必须初始化为所需要的值。
除了自动重载功能外,工作模式 2 中的计数器/定时器的使能和配置方式同方式 0 和 1 是相同的。
当作为定时器应用时,可配置寄存器 TMCON.4(T1FD)来选择定时器时钟源被系统时钟 fSYS 分频的比例。
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fsys
/12
/1
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
T1FD=0
T1FD=1
TMOD.6=0
(C/T1)
TL1
8 bit
T1=P0.3
TCON.7
T1中断请求
TMOD.6=1
(C/T1)
Set
(TR1)
TCON.6
TH1
8 bit
预
览
版
本
定时器/计数器工作模式 2: 自动重载的 8 位定时器/计数器
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
11 定时器 TIMER2
SC92F754X 单片机内部的 Timer2 具有计数方式和定时方式两种工作模式。特殊功能寄存器 T2CON 中有一
个控制位 C/T2 来选择 T2 是定时器还是计数器。它们本质上都是一个加法计数器,只是计数的来源不同。定时器
的来源为系统时钟或者其分频时钟,但计数器的来源为外部管脚的输入脉冲。TR2 是 T2 在定时器/计数器模式计
数的开关控制,只有在 TR2=1 的时候,T2 才会被打开计数。
计数器模式下,T2 管脚上的每一个脉冲,T2 的计数值分别增加 1。
定时器模式下,可通过特殊功能寄存器 TMCON 来选择 T2 的计数来源是 fSYS/12 或 fSYS。
定时器/计数器 T2 有 4 种工作模式:
①
②
③
④
模式 0:16 位捕获模式
模式 1:16 位自动重载定时器模式
模式 2: 波特率发生器模式
模式 3:可编程时钟输出模式
11.1 T2 相关特殊功能寄存器
符号
地址
说明
7
6
5
4
3
2
1
0
Reset 值
TF2
EXF2
RCLK
TCLK
EXEN2
TR2
C/T2
CP/RL2
00000000b
-
-
-
-
-
-
T2OE
DCEN
xxxxxx00b
C8H
定时器 2 控制寄存器
T2MOD
C9H
定时器 2 工作模式寄存器
RCAP2L
CAH
定时器 2 重载低 8 位
RCAP2L[7:0]
00000000b
RCAP2H
CBH
定时器 2 重载高 8 位
RCAP2H[7:0]
00000000b
TL2
CCH
定时器 2 低 8 位
TL2[7:0]
00000000b
TH2
CDH
定时器 2 高 8 位
TMCON
8EH
定时器频率控制寄存器
-
-
TH2[7:0]
-
-
00000000b
T2FD
T1FD
T0FD
xxxxx000b
版
-
本
T2CON
览
各寄存器的解释说明如下:
读/写
上电初始值
读/写
0
读/写
0
位编号
7
位符号
TF2
6
EXF2
5
RCLK
4
TCLK
3
EXEN2
2
TR2
Page 46 of 101
预
T2CON (C8H) 定时器 2 控制寄存器(读/写)
位编号
7
6
5
TF2
EXF2
RCLK
符号
读/写
0
4
TCLK
3
EXEN2
2
TR2
1
C/T2
0
CP/RL2
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
定时器 2 溢出标志位
0:无溢出(必须由软件清 0)
1:溢出(如果 RCLK = 0 和 TCLK = 0,由硬件设 1)
T2 引脚外部事件输入(下降沿)被检测到的标志位
0:无外部事件输入(必须由软件清 0)
1:检测到外部输入(如果 EXEN2 = 1,由硬件设 1)
UART0 接收时钟控制位
0:定时器 1 产生接收波特率
1:定时器 2 产生接收波特率
UART0 发送时钟控制位
0:定时器 1 产生发送波特率
1:定时器 2 产生发送波特率
T2 引脚上的外部事件输入(下降沿)用作重载/捕获触发器允许/禁止控制:
0:忽略 T2 引脚上的事件
1:当定时器 2 不做为 UART0 时钟(T2EX 始终包括上拉电阻)时,检测
到 T2 引脚上一个下降沿,产生一个捕获或重载
定时器 2 开始/停止控制位
0:停止定时器 2
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SinOne
1
C/T2
0
CP/RL2
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
1:开始定时器 2
定时器 2 定时器/计数器方式选定位 2
0:定时器方式,T2 引脚用作 I/O 端口
1:计数器方式
捕获/重载方式选定位
0:16 位带重载功能的定时器/计数器
1:16 位带捕获功能的定时器/计数器,T2EX 为定时器 2 外部捕获信号
输入口
T2MOD (C9H) 定时器 2 工作模式寄存器(读/写)
位编号
7
6
5
符号
读/写
x
x
x
上电初始值
0
DCEN
7~2
-
览
IE (A8H) 中断使能寄存器(读/写)
位编号
7
6
EA
EADC
符号
读/写
读/写
读/写
0
0
上电初始值
位编号
5
位符号
ET2
IP (B8H) 中断优先级控制寄存器(读/写)
位编号
7
6
IPADC
符号
读/写
读/写
x
0
上电初始值
Page 47 of 101
1
T2OE
0
DCEN
读/写
0
读/写
0
定时器 2 输出允许位
0:设置 T2 作为时钟输入或 I/O 端口
1:设置 T2 作为时钟输出
递减计数允许位
0:禁止定时器 2 作为递增/递减计数器,定时器 2 仅作为递增计数器
1:允许定时器 2 作为递增/递减计数器
保留
预
位符号
T2FD
2
x
说明
TMCON (8EH) 定时器频率控制寄存器(读/写)
位编号
7
6
5
符号
读/写
x
x
x
上电初始值
位编号
2
3
x
本
位符号
T2OE
版
位编号
1
4
x
4
x
3
x
2
T2FD
1
T1FD
0
T0FD
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
T2 输入频率选择控制
0:T2 频率源自于 fSYS/12
1:T2 频率源自于 fSYS
5
ET2
4
EUART
3
ET1
2
EINT1
1
ET0
0
EINT0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
Timer2 中断使能控制
0: 关闭 TIMER2 中断
1: 允许 TIMER2 中断
5
IPT2
4
IPUART
3
IPT1
2
IPINT1
1
IPT0
0
IPINT0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
V0.6
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SinOne
位编号
5
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
位符号
IPT2
说明
Timer2 中断优先权
0:设定 Timer 2 的中断优先权是 “低”
1:设定 Timer 2 的中断优先权是 “高”
11.2 T2 工作模式
定时器 2 工作模式与配置方式如下表:
———
—————
T2OE
0
0
0
DCEN
X
0
1
TR2
1
1
1
CP/RL2
1
0
0
0
1
X
1
X
X
X
X
0
X
RCLK
0
0
0
1
X
0
1
X
X
X
0
X
1
X
1
1
X
1
X
X
TCLK
0
0
0
X
1
0
X
1
X
X
0
1
方式
16 位捕获
16 位自动重载定时器
2
波特率发生器
3
3
只用于可编程时钟
带波特率发生器的可编程时
钟输出
X
定时器 2 停止,T2EX 通路仍
旧允许
不推荐使用
本
C/T2
X
X
X
预
览
版
工作模式 0: 16 位捕获
在捕获方式中,T2CON 的 EXEN2 位有两个选项。
如果 EXEN2 = 0,定时器 2 作为 16 位定时器或计数器,如果 ET2 被允许的话,定时器 2 能设置 TF2 溢出产
生一个中断。
如果 EXEN2 = 1,定时器 2 执行相同操作,但是在外部输入 T2EX 上的下降沿也能引起在 TH2 和 TL2 中的当
前值分别被捕获到 RCAP2H 和 RCAP2L 中,此外,在 T2EX 上的下降沿也能引起在 T2CON 中的 EXF2 被设
置。如果 ET2 被允许,EXF2 位也像 TF2 一样也产生一个中断。
T2FD = 0
fsys
/12
C/T2 = 0
/1
TL2
T2FD = 1
T2
C/T2 = 1
TH2
TF2
Overflow
TR2
Timer2
CP/RL2
RCAP2L
RCAP2H
&
T2EX
EXF2
EXEN2
模式 0: 16 位捕获
工作模式 1: 16 位自动重载定时器
在 16 位自动重载方式下,定時器 2 可以被选为递增计数或递减计数。这个功能通过 T2MOD 中的 DCEN 位
(递减计数允许)选择。系统复位后,DCEN 位复位值为 0,定时器 2 默认递增计数。当 DCEN 置 1 时,定时器 2 递
增计数或递减计数取决于 T2EX 引脚上的电平。
当 DCEN = 0,通过在 T2CON 中的 EXEN2 位选择两个选项。
如果 EXEN2 = 0,定时器 2 递增到 0xFFFFH,在溢出后置起 TF2 位,同时定时器自动将用户软件写好的寄
存器 RCAP2H 和 RCAP2L 的 16 位值装入 TH2 和 TL2 寄存器。
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如果 EXEN2 = 1,溢出或在外部输入 T2EX 上的下降沿都能触发一个 16 位重载,置起 EXF2 位。如果 ET2
被使能,TF2 和 EXF2 位都能产生一个中断。
T2FD = 0
/12
fsys
C/T2 = 0
/1
T2FD = 1
C/T2 = 1
T2
TL2
TH2
RCAP2L
RCAP2H
TR2
Reload
Overflow
TF2
T2EX
Timer2
EXF2
EXEN2
模式 1: 16 位自动重载 DCEN = 0
预
览
版
本
设置 DCEN 位允许定时器 2 递增计数或递减计数。当 DCEN = 1 时,T2EX 引脚控制计数的方向,而 EXEN2
控制无效。
T2EX 置 1 可使定时器 2 递增计数。定时器向 0xFFFFH 溢出,然后设置 TF2 位。溢出也能分别引起 RCAP2H
和 RCAP2L 上的 16 位值重载入定时器寄存器。
T2EX 置 0 可使定时器 2 递减计数。当 TH2 和 TL2 的值等于 RCAP2H 和 RCAP2L 的值时,定时器溢出。置
起 TF2 位,同时 0xFFFFH 重载入定时器寄存器。
无论定时器 2 溢出与否,EXF2 位都被用作结果的第 17 位。在此工作方式下,EXF2 不作为中断标志。
T2FD = 0
fsys
0xFFH
0xFFH
EXF2
Toggle
/12
/1
C/T2 = 0
TL2
T2FD = 1
T2
C/T2 = 1
TH2
TF2
TR2
RCAP2L
RCAP2H
1 = UP
0 = DOWN
T2EX
模式 1: 16 位自动重载 DCEN = 1
工作模式 2: 波特率发生器
通设置 T2CON 寄存器中的 TCLK 和/或 RCLK 选择定时器 2 作为波特率发生器。接收器和发送器的波特率可
以不同。如果定时器 2 作为接收器或发送器,则定时器 1 相应的作为另一种的波特率发生器
设置 T2CON 寄存器中的 TCLK 和/或 RCLK 使定时器 2 进入波特率发生器方式,该方式与自动重载方式相似
定时器 2 的溢出会使 RCAP2H 和 RCAP2L 寄存器中的值重载入定时器 2 计数,但不会产生中断
如果 EXEN2 被置 1,在 T2EX 脚上的下降沿会置起 EXF2,但不会引起重载。因此当定时器 2 作为波特率发
送器时,T2EX 可作为一个额外的外部中断
在 UART0 方式 1 和 3 中的波特率由定时器 2 的溢出率根据下列方程式决定:
fsys
BaudRate = [RCAP2H,RCAP2L]; (注意:[RCAP2H,RCAP2L] 必须大于 0x0010)
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定时器 2 作为波特率发生器的原理图如下:
Fsys
TR1=0
Timer1 Overflow
C/T2 = 0
TL2
"1"
TH2
"0"
RCLK
T2
C/T2 = 1
TR2
RCAP2L
RCAP2H
"1"
"0"
TCLK
Timer2
Interrupt
T2EX
Rx
Clock
Tx
Clock
EXF2
EXEN2
模式 2:波特率发生器
工作模式 3: 可编程时钟输出
———
在这种方式中,T2(P0.5)可以编程为输出 50%的占空比时钟周期:当 C/T2 = 0;T2OE = 1,使能定时器 2 作
为时钟发生器
版
本
在这种方式中,T2 输出占空比为 50%的时钟
其中, fn2 为定时器 2 时钟频率:
览
Colck Out Frequency =
预
fn2 =
fsys
12
fn2
(65536−[RCAP2H,RCAP2L])×4
;
fn2 = fsys;
;
T2FD = 0
T2FD = 1
定时器 2 溢出不产生中断,T2 端口作时钟输出。
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Fsys
T2FD = 0
/2
/12
TL2
TH2
RCAP2L
RCAP2H
/1
TR2
T2FD = 1
C/T2
T2
T2OE
Timer2
Interrupt
T2EX
EXF2
EXEN2
本
模式 3:可编程时钟输出
预
览
版
注意:
1. TF2 和 EXF2 都能引起定时器 2 的中断请求,两者有相同的向量地址;
2. 当事件发生时或其它任何时间都能由软件设置 TF2 和 EXF2 为 1,只有软件以及硬件复位才能使之清 0;
3. 当 EA = 1 且 ET2 = 1 时,设置 TF2 或 EXF2 为 1 能引起定时器 2 中断;
4. 当定时器 2 作为波特率发生器时,写入 TH2/TL2 或 RCAP2H/RCAP2L 会影响波特率的准确性,引起通信
出错。
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
12 乘除法器
SC92F754X 提供了 1 个 16 位的乘除法器,由扩展累加器 EXA0~EXA3、扩展 B 寄存器 EXB 和运算控制寄存
器 OPERCON 组成。可取代软件进行 16 位×16 位乘法运算和 32 位/16 位除法运算。
符号
地址
说明
EXA0
E9H
扩展累加器 0
EXA1
EAH
EXA2
EBH
EXA3
7
6
5
4
3
2
1
Reset 值
0
EXA [7:0]
00000000b
扩展累加器 1
EXA [15:8]
00000000b
扩展累加器 2
EXA [23:16]
00000000b
ECH
扩展累加器 3
EXA [31:24]
00000000b
EXBL
EDH
扩展 B 寄存器 L
EXB [7:0]
00000000b
EXBH
EEH
扩展 B 寄存器 H
EXB [15:8]
00000000b
OPERCON (EFH) 运算控制寄存器(读/写)
7
6
位编号
OPERS
MD
符号
读/写
读/写
读/写
0
0
上电初始值
MD
2
x
1
x
0
CHKSUMS
读/写
0
说明
乘除法器运算开始触发控制(Operater Start)
对此 bit 写 “1”, 开始做一次乘除法计算,即该位只是乘除法器开始计算
的触发信号,当该位为零这说明计算已完成。此位只可写入 1 有效。
乘除法选择
0:乘法运算,被乘数和乘数的写入、乘积的读取如下:
字节
字节 3
字节 2
字节 1
字节 0
运算数
被乘数 16bit
EXA1
EXA0
乘数 16bit
EXBH
EXBL
乘积 32bit
EXA3
EXA2
EXA1
EXA0
本
6
3
x
版
位符号
OPERS
4
x
预
览
位编号
7
5
x
1:除法运算,被除数和除数的写入、商和余数的读取如下:
字节
字节 3
字节 2
字节 1
运算数
被除数 32bit
EXA3
EXA2
EXA1
除数 16bit
EXBH
商 32bit
EXA3
EXA2
EXA1
EXBH
余数 16bit
字节 0
EXA0
EXBL
EXA0
EXBL
注:
1. 在执行运算操作过程中,禁止对 EXA 和 EXB 数据寄存器执行读或写动作。
2. 乘除法器运算转换所需时间为 16/fSYS。
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
13 PWM
SC92F754X 提供了最多 8 路共用周期、单独可调占空比的 12 位 PWM。
SC92F754X 的 PWM 具有的功能为:
① 12 位 PWM 精度;
② 8 路 PWM 的周期相同,但占空比可单独设置;
③ 输出可设置正反向。
SC92F754X 的 PWM 可支持周期及占空比的调整,寄存器 PWMCFG、PWMCON 控制 PWM 的状态及周期,
各路 PWM 的打开及输出波形占空比可单独调整。用户在配置时要注意:PWM 占空比调节寄存器只可写,不可
读。
注意:1. PWM 占空比调节寄存器只可写,不可读;
2. PWM 的时钟源固定为 fHRC = 16MHz,不会随着系统时钟的切换而改变。
13.1 PWM 结构框图
PWM Output
本
ENPxy
Q
fHRC
/1
/2
/3
/4
PDTxy
重装
R
比较器
预
览
版
INVxy
S
计数器
CKS
ENPWM共用周期模块
比较器
PWMIF
缓存器
重装
x = 4~5
y = 0~3
PWMPD
SC92F754X PWM 结构框图
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
13.2 PWM 相关 SFR 寄存器
PWMCFG (D4H) PWM 设置寄存器(读/写)
7
6
位编号
ENPWM
PWMIF
符号
读/写
上电初始值
读/写
0
读/写
0
位符号
ENPWM
6
PWMIF
5~4
PWMCK[1:0]
3~0
PWMPD[11:8]
读/写
0
3
读/写
0
2
1
PWMPD[11:8]
读/写
0
读/写
0
读/写
0
0
读/写
0
说明
PWM 模块开关控制(Enable PWM)
1:允许 Clock 进到 PWM 单元, PWM 处于工作状态,PWM 输出口的状
态由寄存器 ENPxy 控制(x=4~5, y=0,3)
0:PWM 单元停止工作,PWM 计数器清零,全部 PWM 输出口设置为
GPIO 状态
PWM 中断请求标志位(PWM Interrupt Flag)
当 PWM 计数器溢出时(也就是说: 数到超过 PWMPD 时), 此位会被硬
件自动设定成 1。如果此时 IE1[1] (EPWM) 也是被设定成 1, PWM 的
中断产生 。
注:在 PWM 中断发生后, 硬件并不会自动清除此位, 此位必须由使用者
的软件负责清除。
PWM 时钟源选择(PWM Clock Source Selector)
00:fHRC
01:fHRC/2
10:fHRC/4
11:fHRC/8
PWM 的周期设置高四位;
此数值代表 PWM 输出波形的 (周期 – 1); 也就是说 PWM 输出的周期值
为(PWMPD[11:0] + 1 )* PWM 时钟;
预
览
版
本
位编号
7
5
4
PWMCK[1:0]
PWMCON (D3H) PWM 控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
0
0
0
上电初始值
位编号
7~0
位符号
PWMPD[7:0]
IE1 (A9H) 中断使能寄存器(读/写)
7
6
位编号
符号
读/写
x
x
上电初始值
位编号
1
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位符号
EPWM
4
3
PWMPD[7:0]
读/写
0
读/写
0
2
1
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
PWM 共用的周期设置低八位;
此数值代表 PWM 输出波形的 (周期 – 1); 也就是说 PWM 输出的周期值
为(PWMPD[11:0] + 1 )* PWM 时钟;
5
ECMP
读/写
0
4
x
3
2
1
0
EINT2
读/写
0
EBTM
读/写
0
EPWM
读/写
0
ESSI
读/写
0
说明
PWM 中断使能控制
0:关闭 PWM 中断
1:允许 PWM 计数器溢出时产生中断
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
IP1 (B9H) 中断优先级控制寄存器 1(读/写)
7
6
5
位编号
符号
IPCMP
读/写
读/写
x
x
上电初始值
0
1
0
IPINT2
读/写
0
IPBTM
读/写
0
IPPWM
读/写
0
IPSSI
读/写
0
-
INV41
-
INV42
-
INV43
-
INV50
-
INV51
-
INV52
-
PDT40[7:0]
PDT41[7:0]
PDT42[7:0]
PDT43[7:0]
PDT50[7:0]
PDT51[7:0]
PDT52[7:0]
PDT53[7:0]
PDT40[11:8]
PDT41[11:8]
PDT42[11:8]
PDT43[11:8]
PDT50[11:8]
本
INV40
INV53
2
说明
PWM 中断优先权选择
0:设定 PWM 的中断优先级是 “低”
1:设定 PWM 的中断优先级是 “高”
览
PWM 占空比调节寄存器(写)
740H
ENP40
741H
742H
ENP41
743H
744H
ENP42
745H
746H
ENP43
747H
748H
ENP50
749H
74AH
ENP51
74BH
74CH
ENP52
74DH
74EH
ENP53
74FH
3
PDT51[11:8]
版
位符号
IPPWM
预
位编号
1
4
x
PDT52[11:8]
PDT53[11:8]
注意:PWM 占空比调节寄存器只可写,不可读!
位编号
7
位符号
ENPxy
(x=4,5, y=0~3)
说明
6
INVxy
(x=4,5, y=0~3)
3~0
PDTxy [11:8]
(x=4,5, y=0~3)
Pxy 口 PWM 波形输出选择
0:Pxy 口 PWM 输出被关闭并作为 GPIO 口 1
1:当 ENPWM=1 时,Pxy 作为 PWM 波形输出口
Pxy 口 PWM 波形输出反向控制
1 :Pxy 口的 PWM 波形输出反向
0 :Pxy 口的 PWM 波形输出不反向
Pxy 口 PWM 波形占空比长度设置;
Pxy 管脚上的 PWM 波形的高电平宽度 是 (PDTxy [11:0])个 PWM 时钟
位编号
7~0
位符号
PDTxy [7:0]
(x=4,5, y=0~3)
说明
Pxy 口 PWM 波形占空比长度设置;
Pxy 管脚上的 PWM 波形的高电平宽度 是 (PDTxy [11:0])个 PWM 时钟
注:如果 ENPWM 置 1,PWM 模块被打开,但 ENPxy=0, PWM 输出被关闭并作为 GPIO 口。此时 PWM 模块可
以作为一个 12 位 Timer 使用,此时 EPWM(IE1.1)被置 1,PWM 仍然会产生中断。
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13.3 PWM 波形及用法
各 SFR 参数改变对 PWM 波形影响如下所述:
① 占空比变化特性
当 PWMn 输出波形时,若需改变占空比,可通过改变高电平设置寄存器(PDTxy)的值实现。但需要注意:更改
PDTxy 的值,占空比会即时生效。
② 周期变化特性
初始值:PDTxy=h,PWMPD=t
指令1:设置PWMPD=m
指令2:设置PWMPD=k
执行指令:
指令1
h
h
指令2
h
h
h
h
h
h
h
k+1
k+1
k+1
PWM波形:
PWM周期:
t+1
t+1
t+1
m+1
m+1
m+1
周期变化特性图
当 PWM 输出波形时,若需改变周期,可通过改变周期设置寄存器 PWMPD 的值实现。更改 PWMPD 的值,
周期不会立即改变,而是等待本周期结束,在下个周期改变,参考上图所示。
本
③ 周期和占空比的关系
1
版
...
3
周期
周期=PWMPD + 1
Low
预
览
PWM时钟单元
PDTxy=00H
2
High
PDTxy=01H
PDTxy=02H
Low
High
Low
PDTxy=PWMPD
High
Low
PDTxy PWMPD + 1
High
周期与占空比关系图
周期和占空比的关系如上图所示。该结果的前提是 PWM 输出反向控制(INVxy)初始为 0,若需得到相反结果,
可置 INVxy 为 1。
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14 GP I/O
SC92F754X 提供了最多 46 个可控制的双向 GPIO 端口,输入输出控制寄存器用来控制各端口的输入输出状
态,当端口作为输入时,每个 I/O 端口带有由 PxPHy 控制的内部上拉电阻。此 46 个 IO 同其他功能复用, 其中 P3
可以通过设置输出 1/4 VDD 或 1/3 VDD 的电压,可用来作为 LCD 显示的 COM 驱动。I/O 端口在输出状态下,读到
的是端口数据寄存器里的值。
注意:未使用及封装未引出的 IO 口均要设置为强推挽输出模式。
14.1 GPIO 结构图
强推挽输出模式
强推挽输出模式下,能够提供持续的大电流驱动:大于 17mA 的输出高,大于 50mA 的输出低。
强推挽输出模式的端口结构示意图如下:
VDD
P
PORT
N
PxCy = 1
版
本
output register
GND
览
强推挽输出模式
预
带上拉的输入模式
带上拉的输入模式下,输入口上恒定接一个上拉电阻,仅当输入口上电平被拉低时,才会检测到低电平信号。
带上拉的输入模式的端口结构示意图如下:
VDD
上拉电阻
PxCy = 0
PxHy = 1
Input
PORT
带上拉的输入模式
高阻输入模式(Input only)
高阻输入模式的端口结构示意图如下所示:
PxCy = 0
PxHy = 0
Input
PORT
高阻输入模式
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
14.2 I/O 端口相关寄存器
3
P0C3
2
P0C2
1
P0C1
0
P0C0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
P0PH (9BH) P0 口上拉电阻控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
P0H7
P0H6
P0H5
符号
4
P0H4
3
P0H3
2
P0H2
1
P0H1
0
P0H0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
P1CON (91H) P1 口输入/输出控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
P1C7
P1C6
P1C5
符号
4
P1C4
3
P1C3
2
P1C2
1
P1C1
0
P1C0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
P1PH (92H) P1 口上拉电阻控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
P1H7
P1H6
P1H5
符号
4
P1H4
3
P1H3
2
P1H2
1
P1H1
0
P1H0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
4
P2C4
3
P2C3
2
P2C2
1
P2C1
0
P2C0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
4
P2H4
3
P2H3
2
P2H2
1
P2H1
0
P2H0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
4
P3C4
3
P3C3
2
P3C2
1
P3C1
0
P3C0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
4
P3H4
3
P3H3
2
P3H2
1
P3H1
0
P3H0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
上电初始值
读/写
上电初始值
读/写
上电初始值
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
览
读/写
上电初始值
读/写
0
本
4
P0C4
版
P0CON (9AH) P0 口输入/输出控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
P0C7
P0C6
P0C5
符号
预
P2CON (A1H) P2 口输入/输出控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
P2C7
P2C6
P2C5
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
0
0
0
上电初始值
P2PH (A2H) P2 口上拉电阻控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
P2H7
P2H6
P2H5
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
0
0
0
上电初始值
P3CON (B1H) P3 口输入/输出控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
P3C7
P3C6
P3C5
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
0
0
0
上电初始值
P3PH (B2H) P3 口上拉电阻控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
P3H7
P3H6
P3H5
符号
读/写
上电初始值
Page 58 of 101
读/写
0
读/写
0
读/写
0
V0.6
http://www.socmcu.com
SC92F7547/7546/7543
SinOne
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
P4CON (C1H) P4 口输入/输出控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
P4C7
P4C6
P4C5
符号
4
P4C4
3
P4C3
2
P4C2
1
P4C1
0
P4C0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
P4PH (C2H) P4 口上拉电阻控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
P4H7
P4H6
P4H5
符号
4
P4H4
3
P4H3
2
P4H2
1
P4H1
0
P4H0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
4
P5C4
3
P5C3
2
P5C2
1
P5C1
0
P5C0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
4
P5H4
3
P5H3
2
P5H2
1
P5H1
0
P5H0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
上电初始值
读/写
上电初始值
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
P5CON (D9H) P5 口输入/输出控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
P5C5
符号
读/写
读/写
x
x
0
上电初始值
PxHy
(x=0~5, y=0~7)
P0 (80H) P0 口数据寄存器(读/写)
7
6
位编号
P0.7
P0.6
符号
版
7~0
说明
Px 口输入输出控制:
0:Pxy 为输入模式(上电初始值)
1:Pxy 为强推挽输出模式
Px 口上拉电阻设置,仅在 PxCy=0 时有效:
0:Pxy 为高阻输入模式(上电初始值),上拉电阻关闭;
1:Pxy 上拉电阻打开
览
位符号
PxCy
(x=0~5, y=0~7)
读/写
0
预
位编号
7~0
本
P5PH (DAH) P5 口上拉电阻控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
P5H5
符号
读/写
读/写
x
x
0
上电初始值
5
P0.5
4
P0.4
3
P0.3
2
P0.2
1
P0.1
0
P0.0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
P1 (90H) P1 口数据寄存器(读/写)
7
6
位编号
P1.7
P1.6
符号
5
P1.5
4
P1.4
3
P1.3
2
P1.2
1
P1.1
0
P1.0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
P2 (A0H) P2 口数据寄存器(读/写)
7
6
位编号
P2.7
P2.6
符号
5
P2.5
4
P2.4
3
P2.3
2
P2.2
1
P2.1
0
P2.0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
上电初始值
读/写
上电初始值
读/写
上电初始值
Page 59 of 101
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
V0.6
http://www.socmcu.com
SC92F7547/7546/7543
SinOne
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
P3 (B0H) P3 口数据寄存器(读/写)
7
6
位编号
P3.7
P3.6
符号
5
P3.5
4
P3.4
3
P3.3
2
P3.2
1
P3.1
0
P3.0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
P4 (C0H) P4 口数据寄存器(读/写)
7
6
位编号
P4.7
P4.6
符号
5
P4.5
4
P4.4
3
P4.3
2
P4.2
1
P4.1
0
P4.0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
5
P5.5
4
P5.4
3
P5.3
2
P5.2
1
P5.1
0
P5.0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
2
1
0
读/写
上电初始值
读/写
上电初始值
读/写
0
读/写
0
读/写
0
P5 (D8H) P5 口数据寄存器(读/写)
7
6
位编号
符号
读/写
x
x
上电初始值
7~0
7~0
5~0
本
P1 口锁存寄存器数据
P2 口锁存寄存器数据
版
7~0
说明
P0 口锁存寄存器数据
P3 口锁存寄存器数据
览
7~0
位符号
P0.x
(x=0~7)
P1.x
(x=0~7)
P2.x
(x=0~7)
P3.x
(x=0~7)
P4.x
(x=0~7)
P5.x
(x=0~5)
P4 口锁存寄存器数据
预
位编号
7~0
P5 口锁存寄存器数据
IOHCON0 (96H) IOH 设置寄存器 0(读/写)
7
6
位编号
P1H[1:0]
符号
读/写
上电初始值
读/写
0
读/写
0
位编号
7~6
位符号
P1H[1:0]
5~4
P1L[1:0]
3~2
P0H[1:0]
Page 60 of 101
5
4
P1L[1:0]
读/写
0
读/写
0
3
P0H[1:0]
读/写
0
读/写
0
P0L[1:0]
读/写
0
读/写
0
说明
P1 高四位 IOH 设置
00:设置 P1 高四位 IOH 等级 0(最大);
01:设置 P1 高四位 IOH 等级 1;
10:设置 P1 高四位 IOH 等级 2;
11:设置 P1 高四位 IOH 等级 3(最小);
P1 低四位 IOH 设置
00:设置 P1 低四位 IOH 等级 0(最大);
01:设置 P1 低四位 IOH 等级 1;
10:设置 P1 低四位 IOH 等级 2;
11:设置 P1 低四位 IOH 等级 3(最小);
P0 高四位 IOH 设置
00:设置 P0 高四位 IOH 等级 0(最大);
01:设置 P0 高四位 IOH 等级 1;
10:设置 P0 高四位 IOH 等级 2;
V0.6
http://www.socmcu.com
SC92F7547/7546/7543
SinOne
1~0
P0L[1:0]
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
11:设置 P0 高四位 IOH 等级 3(最小);
P0 低四位 IOH 设置
00:设置 P0 低四位 IOH 等级 0(最大);
01:设置 P0 低四位 IOH 等级 1;
10:设置 P0 低四位 IOH 等级 2;
11:设置 P0 低四位 IOH 等级 3(最小);
IOHCON1 (97H) IOH 设置寄存器 1(读/写)
7
6
5
4
位编号
P3L[1:0]
符号
读/写
读/写
读/写
x
x
0
0
上电初始值
P2H[1:0]
1~0
P2L[1:0]
7~6
-
读/写
0
0
P2L[1:0]
读/写
0
读/写
0
说明
P3 低四位 IOH 设置
00:设置 P3 低四位 IOH 等级 0(最大);
01:设置 P3 低四位 IOH 等级 1;
10:设置 P3 低四位 IOH 等级 2;
11:设置 P3 低四位 IOH 等级 3(最小);
P2 高四位 IOH 设置
00:设置 P2 高四位 IOH 等级 0(最大);
01:设置 P2 高四位 IOH 等级 1;
10:设置 P2 高四位 IOH 等级 2;
11:设置 P2 高四位 IOH 等级 3(最小);
P2 低四位 IOH 设置
00:设置 P2 低四位 IOH 等级 0(最大);
01:设置 P2 低四位 IOH 等级 1;
10:设置 P2 低四位 IOH 等级 2;
11:设置 P2 低四位 IOH 等级 3(最小);
保留
本
3~2
读/写
0
1
版
位符号
P3L[1:0]
2
P2H[1:0]
Page 61 of 101
预
览
位编号
5~4
3
V0.6
http://www.socmcu.com
SC92F7547/7546/7543
SinOne
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
15 LCD/LED 显示驱动
SC92F754X 内部集成了硬件的 LCD/LED 显示驱动电路,可方便用户实现 LCD 和 LED 的显示驱动。其主要
特点如下:
1. LCD 和 LED 显示驱动二选一;
2. LCD 和 LED 显示驱动共用相关 IO 口和寄存器。
LCD 显示驱动功能如下:
1. 4 种显示驱动模式可选:8 X 24、6 X 26、5 X 27、或 4X 28 段;
2. 2 种偏置方式可选:1/4 Bias 和 1/3 Bias;
3. com 口驱动能力 4 级可选;
4. 显示驱动电路可选择内建 128K LRC 或外部 32K 振荡器作为时钟源,帧频约为 64Hz。
LED 显示驱动功能如下:
1. 4 种显示驱动模式可选:8 X 24、6 X 26、5 X 27、或 4X 28 段;
2. seg 口驱动能力 4 级可选;
3. 显示驱动电路可选择内建 128K LRC 或外部 32K 振荡器作为时钟源,帧频约为 64Hz。
15.1 LCD/LED 显示驱动相关寄存器
DDRCON (93H) 显示驱动控制寄存器(读/写)
7
6
5
4
位编号
DDRON
DMOD
DUTY[1:0]
符号
位符号
DDRON
6
DMOD
5~4
DUTY[1:0]
3~0
VLCD[3:0]
位编号
7~0
Page 62 of 101
读/写
0
0
0
0
说明
LCD/LED 显示驱动使能控制
0:显示驱动扫描关闭
1:显示驱动扫描打开
LCD/LED 显示驱动模式
0:LCD 模式;
1:LED 模式
LCD/LED 显示占空比控制
00:1/8 占空比,S4~S27 为 segment,C0~C7 为 common;
01:1/6 占空比,S2~S27 为 segment,C2~C7 为 common;
10:1/5 占空比,S1~S27 为 segment,C3~C7 为 common;
11:1/4 占空比,S0~S27 为 segment,C4~C7 为 common,或 S4~S27
为 segment,C0~C3 为 common
LCD 电压调节
VLCD=VDD*(17+VLCD[3:0])/32
P0VO (9CH) P0 口显示驱动输出寄存器(读/写)
位编号
7
6
5
P07VO
P06VO
P05VO
符号
读/写
上电初始值
0
读/写
0
览
位编号
7
读/写
0
0
VLCD[3:0]
本
读/写
0
1
版
读/写
0
2
预
读/写
上电初始值
3
读/写
0
位符号
P0nVO
读/写
0
4
P04VO
3
P03VO
2
P02VO
1
P01VO
0
P00VO
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
打开 P0n 口显示驱动输出
0:关闭 P0n 口的显示驱动输出功能
1:打开 P0n 口的显示驱动输出功能
V0.6
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SC92F7547/7546/7543
SinOne
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
P1VO (94H) P1 口显示驱动输出寄存器(读/写)
位编号
7
6
5
P17VO
P16VO
P15VO
符号
读/写
上电初始值
位编号
7~0
读/写
0
读/写
0
位符号
P1nVO
读/写
0
位符号
P2nVO
读/写
0
位符号
P3nVO
OTCON (8FH) 输出控制寄存器(读/写)
7
6
位编号
SSMOD[1:0]
符号
读/写
读/写
读/写
0
0
上电初始值
位编号
3~2
位符号
VOIRS[1:0]
1
SCS
0
BIAS
Page 63 of 101
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
4
P24VO
3
P23VO
2
P22VO
1
P21VO
0
P20VO
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
打开 P2n 口显示驱动输出
0:关闭 P2n 口的显示驱动输出功能
1:打开 P2n 口的显示驱动输出功能
读/写
0
览
读/写
0
读/写
0
4
P34VO
3
P33VO
2
P32VO
1
P31VO
0
P30VO
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
1
SCS
0
BIAS
读/写
0
读/写
0
预
位编号
7~0
读/写
0
0
P10VO
打开 P1n 口显示驱动输出
0:关闭 P1n 口的显示驱动输出功能
1:打开 P1n 口的显示驱动输出功能
P3VO (B3H) P3 口显示驱动输出寄存器(读/写)
位编号
7
6
5
P37VO
P36VO
P35VO
符号
读/写
上电初始值
1
P11VO
本
读/写
0
2
P12VO
版
位编号
7~0
读/写
0
3
P13VO
说明
P2VO (A3H) P2 口显示驱动输出寄存器(读/写)
位编号
7
6
5
P27VO
P26VO
P25VO
符号
读/写
上电初始值
4
P14VO
说明
打开 P3n 口显示驱动输出
0:关闭 P3n 口的显示驱动输出功能
1:打开 P3n 口的显示驱动输出功能
5
x
4
x
3
2
VOIRS[1:0]
读/写
0
读/写
0
说明
LCD 电压输出口分压电阻选择(根据 LCD 屏大小选择适合的驱动)
00:设定内部分压电阻总电阻值为 100kΩ
01:设定内部分压电阻总电阻值为 200kΩ
10:设定内部分压电阻总电阻值为 400kΩ
11:设定内部分压电阻总电阻值为 800kΩ
每次 Common 切换时,前 1/16 时间固定选择 100k 电阻,后 15/16 时间
切换到 VORIS 选择的电阻值
LCD/LED Segment/Common 复用管脚选择
0:当设定为 1/4 占空比时,S0~S27 为 segment,C4~C7 为 common
1:当设定为 1/4 占空比时,S4~S27 为 segment,C0~C3 为 common
LCD 显示驱动偏置电压设置:
V0.6
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SinOne
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
0:1/4 偏置电压;
1:1/3 偏置电压
15.2 LCD/LED 显示 RAM 配置
Page 64 of 101
4
COM4
SEG0
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
SEG8
SEG9
SEG10
SEG11
SEG12
SEG13
SEG14
SEG15
SEG16
SEG17
SEG18
SEG19
SEG20
SEG21
SEG22
SEG23
SEG24
SEG25
SEG26
SEG27
3
COM3
SEG0
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
SEG8
SEG9
SEG10
SEG11
SEG12
SEG13
SEG14
SEG15
SEG16
SEG17
SEG18
SEG19
SEG20
SEG21
SEG22
SEG23
SEG24
SEG25
SEG26
SEG27
本
5
COM5
SEG0
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
SEG8
SEG9
SEG10
SEG11
SEG12
SEG13
SEG14
SEG15
SEG16
SEG17
SEG18
SEG19
SEG20
SEG21
SEG22
SEG23
SEG24
SEG25
SEG26
SEG27
版
6
COM6
SEG0
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
SEG8
SEG9
SEG10
SEG11
SEG12
SEG13
SEG14
SEG15
SEG16
SEG17
SEG18
SEG19
SEG20
SEG21
SEG22
SEG23
SEG24
SEG25
SEG26
SEG27
览
700H
701H
702H
703H
704H
705H
706H
707H
708H
709H
70AH
70BH
70CH
70DH
70EH
70FH
710H
711H
712H
713H
714H
715H
716H
717H
718H
719H
71AH
71BH
7
COM7
SEG0
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
SEG8
SEG9
SEG10
SEG11
SEG12
SEG13
SEG14
SEG15
SEG16
SEG17
SEG18
SEG19
SEG20
SEG21
SEG22
SEG23
SEG24
SEG25
SEG26
SEG27
预
地址
2
COM2
SEG0
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
SEG8
SEG9
SEG10
SEG11
SEG12
SEG13
SEG14
SEG15
SEG16
SEG17
SEG18
SEG19
SEG20
SEG21
SEG22
SEG23
SEG24
SEG25
SEG26
SEG27
1
COM1
SEG0
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
SEG8
SEG9
SEG10
SEG11
SEG12
SEG13
SEG14
SEG15
SEG16
SEG17
SEG18
SEG19
SEG20
SEG21
SEG22
SEG23
SEG24
SEG25
SEG26
SEG27
0
COM0
SEG0
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
SEG8
SEG9
SEG10
SEG11
SEG12
SEG13
SEG14
SEG15
SEG16
SEG17
SEG18
SEG19
SEG20
SEG21
SEG22
SEG23
SEG24
SEG25
SEG26
SEG27
V0.6
http://www.socmcu.com
SC92F7547/7546/7543
SinOne
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
15.3 LCD 波形
15.3.1 1/3BIAS LCD 波形
SELECT
UNSELECT
VLCD
V1 = 2/3 VLCD
COM
V2 = 1/3 VLCD
VSS
SELECT
UNSELECT
VLCD
V1 = 2/3 VLCD
SEG
V2 = 1/3 VLCD
VSS
本
1/3 Bias LCD 选通和非选通电压
Selected
Unselected
预
VSS
版
VLCD
V1
V2
1 Frame
览
COM0
1 Frame
COM1
VLCD
V1
V2
VSS
COM2
VLCD
V1
V2
VSS
COM3
VLCD
V1
V2
VSS
SEGn
VLCD
V1
V2
VSS
1/3 Bias LCD 应用中 COM 和 SEG 的波形图
Page 65 of 101
V0.6
http://www.socmcu.com
SC92F7547/7546/7543
SinOne
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
15.3.2 1/4BIAS LCD 波形
SELECT
UNSELECT
VLCD
V1 = 3/4 VLCD
V2 = 2/4 VLCD
COM
V3 = 1/4 VLCD
VSS
SELECT
UNSELECT
VLCD
V1 = 3/4 VLCD
V2 = 2/4 VLCD
SEG
V3 = 1/4 VLCD
VSS
1/4 Bias LCD 选通和非选通电压
Selected
Unselected
本
VLCD
V1
V2
版
COM1
预
GND
VLCD
览
V3
V1
COM2
V2
V3
GND
VLCD
V1
COM3
V2
V3
GND
VLCD
V1
SEG
V2
V3
GND
1/4 Bias LCD 应用中 COM 和 SEG 的波形图
Page 66 of 101
V0.6
http://www.socmcu.com
SC92F7547/7546/7543
SinOne
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
15.4 LED 波形
COM0
1/4 Duty
VDD
VSS
VDD
COM1
COM2
VSS
VDD
VSS
VDD
COM3
VSS
VDD
SEG0
VSS
预
览
版
本
LED 应用中 COM 和 SEG 的波形图
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
15.5 LCD/LED 例程
15.5.1 LCD 配置例程
unsigned char xdata LCDRAM[30] _at_ 0x700;
unsigned char lcd_addr;
unsigned char lcd_data;
DDRCON |= 0x00;
DDRCON |= 0x30;
DDRCON |= 0x07;
DDRCON |= 0x80;
//0:LCD 模式 1:LED 模式
//1/4 占空比
// VLCD=VDD*3/4
//显示驱动扫描打开
// 打开 P0 口的显示驱动输出功能
// 打开 P1 口的显示驱动输出功能
// 打开 P2 口的显示驱动输出功能
// 打开 P3 口的显示驱动输出功能
// 设定内部分压电阻总电阻值为 200KΩ
//1/4 偏置电压;S4~S27 为 segment,C0~C3 为 common
LCDRAM[lcd_addr] = lcd_data; //向 LCD RAM 写入待显示的值
P0VO = 0xFF;
P1VO = 0xFF;
P2VO = 0xFF;
P3VO = 0xFF;
OTCON = 0x06;
DDRCON |= 0x4F;
版
unsigned char xdata LEDRAM[30] _at_ 0x700;
unsigned char led_addr;
unsigned char led_data;
本
15.5.2 LED 配置例程
//0:LCD 模式 1:LED 模式
览
//LED 模式; 1/8 占空比
//S4~S27 为 segment,C0~C7 为 common;
//显示驱动扫描打开
//设置 P1 高四位 IOH 等级 3(最小),其它管脚 IOH 等级 0(最大)
预
DDRCON |= 0x80;
IOHCON0 = 0xC0;
IOHCON1 = 0x00;
P0VO = 0xFF;
// 打开 P0 口的显示驱动输出功能
P1VO = 0xFF;
// 打开 P1 口的显示驱动输出功能
P2VO = 0xFF;
// 打开 P2 口的显示驱动输出功能
P3VO = 0xFF;
// 打开 P3 口的显示驱动输出功能
OTCON = 0x00;
LCDRAM[led_addr] = led_data; //向 LED RAM 写入待显示的值
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16 UART0
SC92F745X支持一个全双工的串行口,可方便用于同其它器件或者设备的连接,例如Wifi模块电路或其它
UART通信接口的驱动芯片等。UART0的功能及特性如下:
1. 三种通讯模式可选:模式 0、模式 1 和模式 3;
2. 可选择定时器 1 或定时器 2 作为波特率发生器;
3. 发送和接收完成可产生中断 RI/TI,该中断标志需要软件清除。
SCON (98H) 串口控制寄存器(读/写)
位编号
7
6
5
4
3
2
1
0
SM0
SM1
SM2
REN
TB8
RB8
TI
RI
符号
读/写
0
读/写
0
位符号
SM0~1
5
SM2
4
REN
3
2
1
0
TB8
RB8
TI
RI
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
串行通信模式控制位
00:模式 0,8 位半双工同步通信模式,在 RX 引脚上收发串行数据。
TX 引脚用作发送移位时钟。每帧收发 8 位,低位先接收或发送;
01:模式 1,10 位全双工异步通信,由 1 个起始位,8 个数据位和 1 个
停止位组成,通信波特率可变;
10:保留;
11:模式 3,11 位全双工异步通信,由 1 个起始位,8 个数据位,一个
可编程的第 9 位和 1 个停止位组成,通信波特率可变。
串行通信模式控制位 2,此控制位只对模式 2,3 有效
0:每收到一个完整的数据帧就置位 RI 产生中断请求;
1:收到一个完整的数据帧时,只有当 RB8=1 时才会置位 RI 产生中断请
求。
接收允许控制位
0:不允许接收数据;
1:允许接收数据。
只对模式 2、3 有效,为发送数据的第 9 位
只对模式 2、3 有效,为接收数据的第 9 位
发送中断标志位
接收中断标志位
预
览
版
位编号
7~6
读/写
0
本
读/写
上电初始值
SBUF (99H) 串口数据缓存寄存器(读/写)
位编号
7
6
符号
读/写
读/写
读/写
0
0
上电初始值
位编号
7~0
位符号
SBUF[7:0]
5
读/写
0
读/写
0
读/写
0
2
1
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
串口数据缓存寄存器
SBUF 包含两个寄存器:一个发送移位寄存器和一个接收锁存器,写入
SBUF 的数据将送至发送移位寄存器,并启动发送流程,读 SBUF 将返
回接收锁存器中的内容。
PCON (87H) 电源管理控制寄存器(只写、*不可读 *)
位编号
7
6
5
SMOD
符号
读/写
只写
0
x
x
上电初始值
Page 69 of 101
4
3
SBUF[7:0]
4
x
3
x
2
x
1
STOP
只写
0
0
IDL
只写
0
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位编号
7
位符号
SMOD
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说明
波特率倍率设置位,仅在模式 0(SM0~1 = 00)有效:
0:串行端口在系统时钟的 1/12 下运行
1:串行端口在系统时钟的 1/4 下运行
16.1 串口通信的波特率
方式 0 中,波特率可编程为系统时钟的 1/12 或 1/4,由 SMOD(PCON.7)位决定。当 SMOD 为 0 时,串行端口
在系统时钟的 1/12 下运行。当 SMOD 为 1 时,串行端口在系统时钟的 1/4 下运行。
在方式 1 和方式 3 中,波特率可选择来至定时器 1 或定时器 2 的溢出率。
分别置 TCLK(T2CON.4)和 RCLK(T2CON.5)位为 1 来选择定时器 2 作为 TX 和 RX 的波特时钟源(详见定时器
章节)。无论 TCLK 还是 RCLK 为逻辑 1,定时器 2 都为波特率发生器方式。如果 TCLK 和 RCLK 为逻辑 0,定时
器 1 作为 Tx 和 Rx 的波特时钟源。
方式 1 和方式 3 波特率公式如下所示,其中[TH1、TL1]是定时器 1 的 16 位计数器寄存器, [RCAP2H、
RCAP2L]是定时器 2 的 16 位重载寄存器。
1. 用定时器 1 作为波特率发生器,定时器 1 必须停止计数,即 TR1=0:
BaudRate =
; (注意:[TH1,TL1] 必须大于 0x0010)
用定时器 2 作为波特率发生器:
本
2.
fsys
[TH1,TL1]
fsys
预
览
版
BaudRate = [RCAP2H,RCAP2L]; (注意:[RCAP2H,RCAP2L] 必须大于 0x0010)
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17 SPI/TWI/UART 三选一串行接口 SSI
SC92F754X 内部集成了三选一串行接口电路(简称 SSI),可方便 MCU 与不同接口的器件或者设备的连接。
用户可通过配置寄存器 OTCON 的 SSMOD[1:0] 位将 SSI 接口配置为 SPI、TWI 和 UART 中任意一种通信模式。
其特点如下:
1. SPI 模式可配置为主模式或从属模式中的一种
2. TWI 模式通信时只能做从机
3. UART 模式可工作在模式 1(10 位全双工异步通信)和模式 3(11 位全双工异步通信)
具体配置方式如下:
OTCON (8FH) 输出控制寄存器(读/写)
7
6
5
4
3
2
1
0
位编号
SSMOD[1:0]
VOIRS[1:0]
SCS
BIAS
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
0
0
x
x
0
0
0
0
上电初始值
位符号
SSMOD[1:0]
说明
SSI 通信模式控制位
00:SSI 关闭
01:SSI 设置为 SPI 通信模式;
10:SSI 设置为 TWI 通信模式;
11:SSI 设置为 UART 通信模式;
本
位编号
7~6
版
17.1 SPI
览
SSMOD[1:0] = 01,三选一串行接口 SSI 配置为 SPI 接口。串行外部设备接口(简称 SPI)是一种高速串行通信
接口,允许 MCU 与外围设备(包括其它 MCU)进行全双工,同步串行通信。
预
17.1.1 SPI 操作相关寄存器
SSCON0 (9DH) SPI 控制寄存器(读/写)
位编号
7
6
SPEN
符号
读/写
读/写
0
x
上电初始值
位编号
7
位符号
SPEN
5
MSTR
4
CPOL
3
CPHA
2~0
SPR[2:0]
Page 71 of 101
5
MSTR
4
CPOL
3
CPHA
2
SPR2
1
SPR1
0
SPR0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
SPI 使能控制
0:关闭 SPI
1:打开 SPI
SPI 主从选择
0: SPI 为从设备
1: SPI 为主设备
时钟极性控制位
0:SCK 在空闲状态下为低电平
1:SCK 在空闲状态下为高电平
时钟相位控制位
0:SCK 周期的第一沿采集数据
1:SCK 周期的第二沿采集数据
SPI 时钟速率选择位
000:fSYS /4
001:fSYS /8
010:fSYS /16
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011:fSYS /32
100:fSYS /64
101:fSYS /128
110:fSYS /256
111:fSYS /512
保留
-
SSCON1 (9EH) SPI 状态寄存器(读/写)
位编号
7
6
SPIF
WCOL
符号
读/写
上电初始值
读/写
0
读/写
0
位符号
SPIF
6
WCOL
3
TXE
2
DORD
0
TBIE
5~4,1
-
4
x
3
TXE
2
DORD
读/写
0
读/写
0
1
x
0
TBIE
读/写
0
说明
SPI 数据传送标志位
0:由软件清 0
1:表明已完成数据传输,由硬件置 1
写入冲突标志位
0:由软件清 0,表明已处理写入冲突
1:由硬件置 1,表明检测到一个冲突
发送缓存器空标志
0:发送缓存器不空
1:发送缓存器空,必须由软件清零
传送方向选择位
0:MSB 优先发送
1:LSB 优先发送
发送缓存器中断允许控制位
0:不允许发送中断
1:允许发送中断,当 SPIF=1 时,TBIE=1 将产生 SPI 中断
保留
预
览
版
本
位编号
7
5
x
SSDAT (9FH) SPI 数据寄存器(读/写)
位编号
7
6
符号
读/写
读/写
读/写
0
0
上电初始值
位编号
7~0
位符号
SPD[7:0]
5
4
3
2
1
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
SPD[7:0]
读/写
0
读/写
0
说明
SPI 数据缓存寄存器
写入 SSDAT 的数据被放置到发送移位寄存器中。
读取 SSDAT 时将获得接收移位寄存器的数据。
17.1.2 信号描述
主输出从输入(MOSI):
该路信号连接主设备和一个从设备。数据通过 MOSI 从主设备串行传送到从设备,主设备输出,从设备输入。
主输入从输出(MISO):
该路信号连接从设备和主设备。数据通过 MISO 从从设备串行传送到主设备,从设备输出,主设备输入。当
SPI 配置为从设备并未被选中,从设备的 MISO 引脚处于高阻状态。
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SPI 串行时钟(SCK):
SCK 信号用作控制 MOSI 和 MISO 线上输入输出数据的同步移动。每 8 时钟周期线上传送一个字节。如果从
设备未被选中,SCK 信号被此从设备忽略。
17.1.3 工作模式
本
SPI 可配置为主模式或从属模式中的一种。SPI 模块的配置和初始化通过设置 SSCON0 寄存器(SPI 控制寄存
器)和 SSCON1(SPI 状态寄存器)来完成。配置完成后,通过设置 SSCON0,SSCON1,SSDAT(SPI 数据寄存器)
来完成数据传送。
在 SPI 通讯期间,数据同步地被串行的移进移出。串行时钟线(SCK)使两条串行数据线(MOSI 和 MISO)上数
据的移动和采样保持同步。如果从设备没有被选中,则不能参与 SPI 总线上的活动。
当 SPI 主设备通过 MOSI 线传送数据到从设备时,从设备通过 MISO 线发送数据到主设备作为响应,这就实
现了在同一时钟下数据发送和接收的同步全双工传输。发送移位寄存器和接收移位寄存器使用相同的特殊功能器
地址,对 SPI 数据寄存器 SSDAT 进行写操作将写入发送移位寄存器,对 SSDAT 寄存器进行读操作将获得接收
移位寄存器的数据。
有些设备的SPI接口会引出SS脚(从设备选择引脚,低有效),与SC92F754X的SPI通信时, SPI总线上其
它设备的SS脚的连接方式需根据不同的通信模式进行连接。下表列出了SC92F754X的SPI不同通信模式下,SPI
总线上其它设备SS脚的连接方式:
SC92F754X SPI
SPI 总线上其它设备
模式
从机的 SS(从设备选择引脚)
主模式
从模式
一主一从
拉低
一主多从
SC92F754X 引出多根 I/O,分别接至从
机的 SS 脚。在数据传送之前,从设备
的 SS 引脚必须被置低
从模式
主模式
一主一从
拉高
预
览
版
主模式
模式启动:
SPI 主设备控制 SPI 总线上所有数据传送的启动。当 SSCON0 寄存器中的 MSTR 位置 1 时,SPI 在主模式
下运行,只有一个主设备可以启动传送。
发送:
在 SPI 主模式下,写一个字节数据到 SPI 数据寄存器 SSDAT,数据将会写入发送移位缓冲器。如果发送移
位寄存器已经存在一个数据,那么主 SPI 产生一个 WCOL 信号以表明写入太快。但是在发送移位寄存器中
的数据不会受到影响,发送也不会中断。另外如果发送移位寄存器为空,那么主设备立即按照 SCK 上的 SPI
时钟频率串行地移出发送移位寄存器中的数据到 MOSI 线上。当传送完毕,SSCON1 寄存器中的 SPIF 位被
置 1。如果 SPI 中断被允许,当 SPIF 位置 1 时,也会产生一个中断。
接收:
当主设备通过 MOSI 线传送数据给从设备时,相对应的从设备同时也通过 MISO 线将其发送移位寄存器的内
容传送给主设备的接收移位寄存器,实现全双工操作。因此,SPIF 标志位置 1 即表示传送完成也表示接收数
据完毕。从设备接收的数据按照 MSB 或 LSB 优先的传送方向存入主设备的接收移位寄存器。当一个字节的
数据完全被移入接收寄存器时, 处理器可以通过读 SSDAT 寄存器获得该数据。
从模式
模式启动:
当 SSCON0 寄存器中的 MSTR 位清 0,SPI 在从模式下运行。
发送与接收:
从属模式下,按照主设备控制的 SCK 信号,数据通过 MOSI 引脚移入,MISO 引脚移出。一个位计数器记录
SCK 的边沿数,当接收移位寄存器移入 8 位数据(一个字节)同时发送移位寄存器移出 8 位数据(一个字节),
SPIF 标志位被置 1。数据可以通过读取 SSDAT 寄存器获得。如果 SPI 中断被允许,当 SPIF 置 1 时,也会
产生一个中断。此时接收移位寄存器保持原有数据并且 SPIF 位置 1,这样 SPI 从设备将不会接收任何数据
直到 SPIF 清 0。SPI 从设备必须在主设备开始一次新的数据传送之前将要传送的数据写入发送移位寄存器。
如果在开始发送之前未写入数据,从设备将传送“0x00”字节给主设备。如果写 SSDAT 操作发生在传送过程
中,那么 SPI 从设备的 WCOL 标志位置 1,即如果传送移位寄存器已经含有数据,SPI 从设备的 WCOL 位
置 1,表示写 SSDAT 冲突。但是移位寄存器的数据不受影响,传送也不会被中断。
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17.1.4 传送形式
通过软件设置 SSCON0 寄存器的 CPOL 位和 CPHA 位,用户可以选择 SPI 时钟极性和相位的四种组合方式。
CPOL 位定义时钟的极性,即空闲时的电平状态,它对 SPI 传输格式影响不大。CPHA 位定义时钟的相位,即定
义允许数据采样移位的时钟边沿。在主从通讯的两个设备中,时钟极性相位的设置应一致。
当 CPHA = 0,SCK 的第一个沿捕获数据,从设备必须在 SCK 的第一个沿之前将数据准备好。
SCK Cycle
1
2
3
4
5
6
7
8
MSB
bit6
bit5
bit4
bit3
bit2
bit1
LSB
bit6
bit5
bit4
bit3
bit2
bit1
LSB
SPEN
SCK
(CPOL=0)
SCK
(CPOL=1)
MOSI
(from Master)
MISO
(from Slave)
MSB
CPHA = 0 数据传输图
1
2
3
4
5
6
7
8
LSB
览
SCK Cycle
版
本
当 CPHA = 1,主设备在 SCK 的第一个沿将数据输出到 MOSI 线上,从设备把 SCK 的第一个沿作为开始发送
信号,SCK 的第二沿开始捕获数据,因此用户必须在第一个 SCK 的两个沿内完成写 SSDAT 的操作。这种数据传
输形式是一个主设备一个从设备之间通信的首选形式。
预
SPEN
SCK
(CPOL=0)
SCK
(CPOL=1)
MOSI
(from Master)
MSB
bit6
bit5
bit4
bit3
bit2
bit1
MISO
(from Slave)
MSB
bit6
bit5
bit4
bit3
bit2
bit1
LSB
CPHA = 1 数据传输图
17.1.5 出错检测
在发送数据序列期间写入 SSDAT 寄存器会引起写冲突,SSCON1 寄存器中的 WCOL 位置 1。WCOL 位置 1
不会引起中断,发送也不会中止。WCOL 位需由软件清 0。
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17.2 TWI
SSMOD[1:0] = 10,三选一串行接口 SSI 配置为 TWI 接口。SC92F754X 在 TWI 通信时只能做从机。
SSCON0 (9DH) TWI 控制寄存器(读/写)
7
6
位编号
TWEN
TWIF
符号
读/写
上电初始值
读/写
0
读/写
0
位编号
7
位符号
TWEN
6
TWIF
5
x
4
GCA
3
AA
2
1
STATE[2:0]
0
读
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
TWI 使能控制
0:关闭 TWI
1:打开 TWI
TWI 中断标志位
0:由软件清零
1:在下列条件下,中断标志位由硬件置 1
①第一帧地址匹配成功
②成功接收或发送 8 位数据
③重新启动
④从机收到停止信号
2~0
STATE[2:0]
5
-
本
AA
版
3
SSCON1 (9EH) TWI 地址寄存器(读/写)
7
6
位编号
符号
读/写
读/写
读/写
0
0
上电初始值
位编号
7~1
0
Page 75 of 101
位符号
TWA[6:0]
GC
通用地址响应标志位
0:非响应通用地址
1:当 GC 置 1,同时通用地址匹配时该位由硬件置 1,并自动清零
接收使能位
0:不允许接收主机发送的信息
1:允许接收主机发送的信息
状态机状态标志位
000:从机处于空闲状态,等待 TWEN 置 1,检测 TWI 启动信号。当从
机接收到停止条件后跳会转到此状态
001:从机正在接收第一帧地址和读写位(第 8 位为读写位,1 为读,0
为写)。从机接收到起始条件后会跳转到此状态
010:从机接收数据状态
011:从机发送数据状态
100:在从机发送数据状态中,当主机回 UACK(应答位为高电平)时
跳转到此状态,等待重新启动信号或停止信号。
101:从机处于发送状态时,将 AA 写 0 会进入此状态,等待重新启动信
号或停止信号。
保留
览
GCA
预
4
5
4
TWA[6:0]
3
2
1
0
GC
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
TWI 地址寄存器
TWI 通用地址使能
0: 禁止响应通用地址
1: 允许响应通用地址
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SSDAT (9FH) TWI 数据缓存寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
0
0
0
上电初始值
位编号
7~0
位符号
TWDAT[7:0]
4
3
TWDAT[7:0]
读/写
读/写
0
0
2
1
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
TWI 数据缓存寄存器
17.2.1 信号描述
TWI 时钟信号线(SCL)
该时钟信号由主机发出,连接到所有的从机。每 9 个时钟周期传送一个字节数据。前 8 个周期作数据的传送,
最后一个时钟作为接收方应答时钟。
TWI 数据信号线(SDA)
SDA 是双向信号线,空闲时应为高电平,由 SDA 线上的上拉电阻拉高。
17.2.2 工作模式
SC92F754X 的 TWI 通信只有从机模式:
模式启动:
当 TWI 使能标志位打开(TWEN = 1),同时接收到主机发送的启动信号时,模式启动。
从机从空闲模式(STATE[2:0] = 000)进入接收第一帧地址(STATE[2:0] = 001)状态,等待主机的第一
帧数据。第一帧数据由主机发送,包括了 7 位地址位和 1 位读写位,TWI 总线上所有从机都会收到主机的第
一帧数据。主机发送完第一帧数据后释放 SDA 信号线。若主机所发地址与某一从机自身地址寄存器中的值相
同,说明该从机被选中,被选中的从机会判断接总线上的第 8 位,即数据读写位(=1,读命令;=0,写命
令),然后占用 SDA 信号线,在 SCL 的第 9 个时钟周期给主机一个低电平的应答信号,之后会释放总线。
从机被选中后,会根据读写位的不同而进入不同的状态:
非通用地址响应,从机接收模式:
如果第一帧接收到的读写位是写(0),则从机进入到从机接收状态(STATE[2:0] = 010)等待接收主机
发送的数据。主机每发送 8 位,都要释放总线,等待第 9 个周期从机的应答信号。
1. 如果从机的应答信号是低电平,主机的通信可以有以下三种方式:
1) 继续发送数据;
2) 重新发送启动信号(start),此时从机重新进入接收第一帧地址(STATE[2:0] = 001)状态;
3) 发送停止信号,表示本次传输结束,从机回到空闲状态,等待主机下一次的启动信号。
预
览
版
本
写STOP
START
SCL
1
3
4
5
MSB
SDA
STATE
2
000
001
STOP
主机发送8位数据
主机发送7位从机地址
6
7
8
9
W
ACK
1
2
3
4
5
6
7
MSB
010
8
9
LSB
ACK
000
TWIF
2.
Page 76 of 101
如果从机应答的是高电平(在接收过程中,从机寄存器中的 AA 值改写为 0),表示当前字节传输
完以后,从机会主动结束本次传输,回到空闲状态(STATE[2:0] = 000),不再接收主机发送的数
据。
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
从机接收过程中AA=0
写STOP
START
主机发送8位数据
主机发送7位从机地址
SCL
1
SDA
MSB
STATE
2
3
4
5
6
7
8
9
W
ACK
1
2
3
4
5
6
7
MSB
001
000
STOP
8
9
LSB
UACK
000
010
TWIF
非通用地址响应,从机发送模式:
如果第一帧接收到的读写位是读(1),则从机会占用总线,向主机发送数据。每发送 8 位数据,从机释
放总线,等待主机的应答:
1. 如果主机应答的是低电平,则从机继续发送数据。在发送过程中,如果从机寄存器中的 AA 值被改
写为 0,则传输完当前字节从机会主动结束传输并释放总线,等待主机的停止信号或重新启动信号
(STATE[2:0] = 101)。
从机发送过程中AA=0
写STOP
主机发送7位从机地址
3
4
5
6
7
MSB
8
R
1
2
3
4
ACK
5
6
7
MSB
8
9
LSB
ACK
011
预
001
000
9
览
SDA
STATE
2
STOP
从机发送8位数据
版
1
SCL
本
START
101
000
TWIF
2.
如果主机应答的是高电平,则从机 STATE[2:0] = 100,等待主机的停止信号或重新启动信号。
写STOP
START
1
SCL
3
4
5
MSB
SDA
STATE
2
000
001
STOP
从机发送8位数据
主机发送7位从机地址
6
7
8
9
R
ACK
1
2
3
4
5
MSB
011
6
7
8
9
LSB
UACK
100
000
TWIF
通用地址的响应:
GC=1 时,此时通用地址允许使用。从机进入到接收第一帧地址(STATE[2:0] = 001)状态,接收的第一
帧数据中的地址位数据为 0x00,此时所有从机响应主机。主机发送的读写位是必须是写(0),所有从机接
收后进入接收数据(STATE[2:0] = 010)状态。主机每发送 8 个数据释放一次 SDA 线,并读取 SDA 线上的
状态:
1. 如果有从机应答,则主机的通信可以有以下三种方式:
1) 继续发送数据;
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2)
3)
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
重新启动;
发送停止信号,结束本次通讯。
写STOP
START
主机发送7位通用地址
SCL
1
2
3
4
5
6
7
8
9
ACK
SDA
STATE
1
2
3
4
5
6
7
MSB
010
001
000
STOP
主机发送8位数据
8
9
LSB
ACK
000
TWIF
2.
如果无从机应答,则 SDA 为空闲状态。
注意:在一主多从模式下使用通用地址时,主机发送的读写位不能为读(1)状态,否则除发送数据的设备,
总线上其它设备均会响应。
17.2.3 操作步骤
版
配置 SSMOD[1:0],选择 TWI 模式;
配置 SSCON0 TWI 控制寄存器;
配置 SSCON1 TWI 地址寄存器;
如果从机接收数据,则等待 SSCON0 中的中断标志位 TWIF 置 1。从机每接收到 8 位数据,中断标志位会被
置 1。中断标志位需手动清零;
览
①
②
③
④
本
三合一串口中 TWI 工的操作步骤如下:
标志位 TWIF 就会被置 1。
Page 78 of 101
预
⑤ 如果从机发送数据,则要将待发送的数据写进 TWDAT 中,TWI 会自动将数据发送出去。每发送 8 位,中断
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
17.3 UART1
SSMOD[1:0] = 11,三选一串行接口 SSI 配置为 UART 接口。
SSCON0 (9DH) 串口 1 控制寄存器(读/写)
7
6
5
4
3
位编号
SM0
SM2
REN
TB8
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
0
x
0
0
0
上电初始值
SM2
4
REN
3
2
1
0
6
TB8
RB8
TI
RI
-
预
SSCON2(95H) 串口 1 波特率控制寄存器高位(读/写)
7
6
5
位编号
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
0
0
0
上电初始值
位符号
BAUD1 [15:0]
读/写
0
读/写
0
说明
串行通信模式控制位
0:模式 1,10 位全双工异步通信,由 1 个起始位,8 个数据位和 1 个停
止位组成,通信波特率可变;
1:模式 3,11 位全双工异步通信,由 1 个起始位,8 个数据位,一个可
编程的第 9 位和 1 个停止位组成,通信波特率可变;
串行通信模式控制位 2,此控制位只对模式 3 有效
0:每收到一个完整的数据帧就置位 RI 产生中断请求;
1:收到一个完整的数据帧时,只有当 RB8=1 时才会置位 RI 产生中断请
求。
接收允许控制位
0:不允许接收数据;
1:允许接收数据。
只对模式 3 有效,为发送数据的第 9 位
只对模式 3 有效,为接收数据的第 9 位
发送中断标志位
接收中断标志位
保留
SSCON1 (9EH) 串口 1 波特率控制寄存器低位(读/写)
7
6
5
位编号
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
0
0
0
上电初始值
位编号
7~0
读/写
0
本
5
0
RI
版
位符号
SM0
1
TI
览
位编号
7
2
RB8
4
3
BAUD1L [7:0]
读/写
0
读/写
0
4
3
BAUD1H [7:0]
读/写
0
读/写
0
2
1
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
2
1
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
2
1
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
串口 1 波特率控制
BaudRate =
fsys
[BAUD1H, BAUD1L]
注意:[BAUD1H,BAUD1L] 必须大于 0x0010
SSDAT (9FH) 串口数据缓存寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
0
0
0
上电初始值
Page 79 of 101
4
3
SBUF1[7:0]
读/写
0
读/写
0
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位符号
SBUF1[7:0]
说明
串口数据缓存寄存器
SBUF1 包含两个寄存器:一个发送移位寄存器和一个接收锁存器,写
入 SBUF1 的数据将送至发送移位寄存器,并启动发送流程,读 SBUF1
将返回接收锁存器中的内容。
预
览
版
本
位编号
7~0
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
18 模数转换 ADC
SC92F754X 内建一个 12-bit 1 17 通道的高精度逐次逼近型 ADC ,外部的 16 路 ADC 和 IO 口的其它功能复
用。内部的一路可接至 1/4 VDD,配合内部 2.4V 参考电压用于测量 VDD 电压。
ADC 的参考电压可以有 2 种选择:
① VDD 管脚(即直接是内部的 VDD);
② 内部 Regulator 输出的参考电压精准的 2.4V(此时 MCU 供电电压 VDD 不可低于 2.9V)。
注意:fADC 直接由内部 fHRC 分频所得,用户在配置时要注意 ADC 的时钟频率 fADC 不可大于系统时钟的频率
fSYS,否则会引起 ADC 转换结果异常!
18.1 ADC 相关寄存器
ADCCON (ADH) ADC 控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
ADCEN
ADCS
EOC/ADCIF
符号
读/写
0
位符号
ADCEN
6
ADCS
5
EOC /ADCIF
4~0
ADCIS[4:0]
1
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
n
说明
启动 ADC 的电源
0:关闭 ADC 模块电源
1:开启 ADC 模块电源
ADC 开始触发控制(ADC Start)
对此 bit 写 “1”, 开始做一次 ADC 的转换,即该位只是 ADC 转换的触发
信号。此位只可写入 1 有效。
转换完成/ADC 中断请求标志(End Of Conversion / ADC Interrupt Flag)
0:转换尚未完成
1:ADC 转换完成。需用户软件清除
ADC 转换完成标志 EOC:当使用者设定 ADCS 开始转换后, 此位会被硬
件自动清除为 0; 当转换完成后, 此位会被硬件自动置为 1 ;
ADC 中断请求标志 ADCIF:
此位同时也当作是 ADC 中断的中断请求标志,如果用户使能 ADC 中
断, 那么在 ADC 的 中断 发生后, 用户必须用软件清除此位。
ADC 输入通道选择(ADC Input Selector)
00000:选用 AIN0 为 ADC 的输入
00001:选用 AIN1 为 ADC 的输入
00010:选用 AIN2 为 ADC 的输入
00011:选用 AIN3 为 ADC 的输入
00100:选用 AIN4 为 ADC 的输入
00101:选用 AIN5 为 ADC 的输入
00110:选用 AIN6 为 ADC 的输入
00111:选用 AIN7 为 ADC 的输入
01000:选用 AIN8 为 ADC 的输入
01001:选用 AIN9 为 ADC 的输入
01010:选用 AIN10 为 ADC 的输入
01011:选用 AIN11 为 ADC 的输入
01100:选用 AIN12 为 ADC 的输入
01101:选用 AIN13 为 ADC 的输入
01110:选用 AIN14 为 ADC 的输入
01111:选用 AIN15 为 ADC 的输入
10000~11110:保留
11111: ADC 输入为 1/4VDD, 可用于测量电源电压
预
览
位编号
7
读/写
0
2
ADCIS[4:0]
本
读/写
0
3
版
读/写
上电初始值
4
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
ADCCFG2 (AAH) ADC 设置寄存器 2(读/写)
7
6
位编号
符号
读/写
x
x
上电初始值
1~0
ADCCK[1:0]
7~3
-
读/写
0
ADCCFG1 (ACH) ADC 设置寄存器 1(读/写)
7
6
5
位编号
EAIN15
EAIN14
EAIN13
符号
读/写
上电初始值
位编号
0
读/写
0
读/写
0
位符号
EAINx
(x=0~15)
位编号
7
Page 82 of 101
读/写
n
位符号
VREFS
读/写
0
读/写
0
3
EAIN3
2
EAIN2
1
EAIN1
0
EAIN0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
4
EAIN12
3
EAIN11
2
EAIN10
1
EAIN9
0
EAIN8
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
ADC 端口设置寄存器
0:设定 AINx 为 IO 口
1:设定 AINx 为 ADC 输入,并自动将上拉电阻移除。
OP_CTM1 (C2H@FFH) Customer Option 寄存器 1(读/写)
7
6
5
4
位编号
VREFS
符号
读/写
上电初始值
读/写
0
1
0
ADCCK[1:0]
4
EAIN4
览
读/写
0
预
读/写
0
2
LOWSP
说明
ADC 采样时钟频率选择(ADC Sampling Clocks Selector)
0: 设定 ADC 采样时间为 6 个 ADC 采样时钟周期
1: 设定 ADC 采样时间为 36 个 ADC 采样时钟周期
LOWSP 控制的是 ADC 的采样时钟频率, ADC 的转换时钟频率由
ADCCK[1:0]控制,不受 LOWSP 位的影响
ADC 需经历 6 或 36 个 ADC 采样时钟加上 14 个 ADC 转换时钟的时间才
能完成从采样到转换的整个过程,因此在实际使用中,ADC 从采样到完
成转换的总时间计算如下:
LOWSP=0:TADC1=(6+14)/fADC;
LOWSP=1:TADC2=(36+14)/fADC
ADC 采样时钟频率选择(ADC Sampling Clocks Selector)
01:设定 ADC 的时钟 频率 fADC 为 fHRC/12;
10:设定 ADC 的时钟 频率 fADC 为 fHRC/6;
其它:保留
保留
ADCCFG0 (ABH) ADC 设置寄存器 0(读/写)
7
6
5
位编号
EAIN7
EAIN6
EAIN5
符号
读/写
上电初始值
3
x
本
位符号
LOWSP
4
x
版
位编号
2
5
x
x
x
x
3
2
IAPS[1:0]
读/写
n
读/写
n
1
x
0
x
说明
参考电压选择(初始值从 Code Option 调入,用户可修改设置)
0:设定 ADC 的 VREF 为 VDD
1:设定 ADC 的 VREF 为 内部准确的 2.4V
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
ADCVL (AEH) ADC 转换数值寄存器(低位)(读/写)
7
6
5
位编号
ADCV[3:0]
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
0
0
0
上电初始值
4
位符号
ADCV[11:4]
ADCV[3:0]
2
1
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
5
ET2
4
EUART
3
ET1
2
EINT1
1
ET0
0
EINT0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
本
读/写
0
位符号
EADC
说明
版
ADC 中断使能控制
0: 不允许 EOC/ADCIF 产生中断
1: 允许 EOC/ADCIF 产生 中断
预
位符号
IPADC
4
3
ADCV[11:4]
说明
IP (B8H) 中断优先级控制寄存器(读/写)
位编号
7
6
IPADC
符号
读/写
读/写
x
0
上电初始值
位编号
6
0
x
览
位编号
6
读/写
0
1
x
ADC 转换值的高 8 位数值
ADC 转换值的低 4 位数值
IE (A8H) 中断使能寄存器(读/写)
位编号
7
6
EA
EADC
符号
读/写
上电初始值
2
x
读/写
0
ADCVH (AFH) ADC 转换数值寄存器(高位)(读/写)
7
6
5
位编号
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
0
0
0
上电初始值
位编号
11~4
3~0
3
x
5
IPT2
4
IPUART
3
IPT1
2
IPINT1
1
IPT0
0
IPINT0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
ADC 中断优先权选择
0:设定 ADC 的中断优先级是 “低”
1:设定 ADC 的中断优先级是 “高”
18.2 ADC 转换步骤
用户实际进行 ADC 转换所需要的操作步骤如下:
① 设定 ADC 输入管脚;(设定 AINx 对应的位为 ADC 输入,通常 ADC 管脚会预先固定);
② 设定 ADC 参考电压 Vref,设定 ADC 转换所用的频率;
③ 开启 ADC 模块电源;
④ 选择 ADC 输入通道;(设置 ADCIS 位,选择 ADC 输入通道) ;
⑤ 启动 ADCS,转换开始;
⑥ 等待 EOC/ADCIF=1,如果 ADC 中断使能,则 ADC 中断会产生,用户需要软件清 0 EOC/ADCIF 标志;
⑦ 从 ADCVH、ADCVL 获得 12 位数据,先高位后低位,一次转换完成;
⑧ 如不换输入通道,则重复 5~7 的步骤,进行下一次转换。
注意:在设定 IE[6](EADC)前, 使用者最好用软件先清除 EOC/ADCIF, 并且在 ADC 中断服务程序执行完时,
也清除该 EOC/ADCIF, 以避免不断的产生 ADC 中断。
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
19 模拟比较器
SC92F754X 内建一个模拟比较器 ,可用于报警器电路、电源电压监测电路、过零检测电路等。
此比较器具有四个模拟信号正输入端:CMP0~3 ,可通过 CMPIS [1:0]切换选择。负输入端电压可通过
CMPRF[3:0]切换为 CMPR 脚上的外部电压或内部的 16 档比较电压中的一种。
通过 CMPIM[1:0]可以方便的设定比较器的中断模式,当 CMPIM[1:0]所设定的中断条件发生时比较器中断标
志 CMPIF 会被置 1,该中断标志需要软件清除。
19.1 模拟比较器结构框图
CMP0
CMP1
CMP2
CMP3
0
1
2
3
IN+
OUT
CMPSTA
INCMPIS[1:0]
CMPEN
VDD
CMPR
本
CMPRF[3:0]
读/写
0
读/写
0
位编号
7
位符号
CMPEN
6
CMPIF
5
CMPSTA
3~0
CMPRF[3:0]
Page 84 of 101
读/写
0
预
读/写
上电初始值
览
CMPCON (B7H) 模拟比较器控制寄存器 (读/写)
位编号
7
6
5
CMPEN
CMPIF
CMPSTA
符号
版
模拟比较器结构框图
4
x
3
2
1
CMPRF[3:0]
读/写
0
读/写
0
读/写
0
0
读/写
0
说明
模拟比较器使能控制位
0:关闭模拟比较器;
1:使能模拟比较器
模拟比较器中断标志位
0:比较器中断未被触发;
1:当比较器满足中断触发条件时,此位会被硬件自动设定成 1。如果此
时 IE1[5] (ECMP) 也是被设定成 1, 比较器中断产生 。在比较器中断发
生后, 硬件并不会自动清除此位, 此位必须由使用者的软件负责清除。
模拟比较器输出状态
0:比较器正端电压小于负端电压
1:比较器正端电压大于负端电压
模拟比较器负端比较电压选择:
0000:选用 CMPR 为模拟比较器的比较电压;
0001:选用 1/16VDD 为模拟比较器的比较电压;
0010:选用 2/16VDD 为模拟比较器的比较电压;
0011:选用 3/16VDD 为模拟比较器的比较电压;
0100:选用 4/16VDD 为模拟比较器的比较电压;
0101:选用 5/16VDD 为模拟比较器的比较电压;
0110:选用 6/16VDD 为模拟比较器的比较电压;
0111:选用 7/16VDD 为模拟比较器的比较电压;
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4
-
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
1000:选用 8/16VDD 为模拟比较器的比较电压;
1001:选用 9/16VDD 为模拟比较器的比较电压;
1010:选用 10/16VDD 为模拟比较器的比较电压;
1011:选用 11/16VDD 为模拟比较器的比较电压;
1100:选用 12/16VDD 为模拟比较器的比较电压;
1101:选用 13/16VDD 为模拟比较器的比较电压;
1110:选用 14/16VDD 为模拟比较器的比较电压;
1111:选用 15/16VDD 为模拟比较器的比较电压;
保留
CMPCFG (B6H) 模拟比较器设置寄存器 (读/写)
位编号
7
6
5
符号
读/写
x
x
x
上电初始值
位符号
CMPIM[1:0]
1~0
CMPIS[1:0]
7~4
-
3
2
CMPIM[1:0]
读/写
0
读/写
0
1
0
CMPIS[1:0]
读/写
0
读/写
0
说明
模拟比较器中断模式选择:
00:不产生中断
01:上升沿中断:IN+从小于 IN- 到大于 IN- 后会产生中断;
10:下降沿中断:IN+从大于 IN- 到小于 IN- 后会产生中断;
11:双沿中断:IN+从小于 IN- 到大于 IN- ,或 IN+从大于 IN- 到小于 IN后均会产生中断;
模拟比较器正端输入通道选择:
00:选用 CMP0 为模拟比较器正端的输入;
01:选用 CMP1 为模拟比较器正端的输入;
10:选用 CMP2 为模拟比较器正端的输入;
11:选用 CMP3 为模拟比较器正端的输入;
保留
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预
览
版
本
位编号
3~2
4
x
V0.6
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
20 EEPROM 及 IAP 操作
SC92F754X 的 IAP 操作空间范围有两种模式可选:
EEPROM 及 IAP 操作模式如下:
1. 内部最高位地址的 128 bytes EEPROM 可以作为数据存储使用;
2. IC 整个 ROM 空间的 32 Kbytes 范围及 128 bytes EEPROM 内都可进行 IAP 操作,主要用作远程程序更
新使用。
IAP 操作空间选择作为 Code Option 在编程器写入 IC 时选择:
OP_CTM1(C2H@FFH) Customer Option 寄存器 1(读/写)
7
6
5
4
3
2
1
0
位编号
VREFS
IAPS[1:0]
符号
读/写
上电初始值
读/写
n
位编号
3~2
x
位符号
IAPS[1:0]
x
读/写
n
x
读/写
n
x
x
说明
IAP 空间范围选择
00:Code 区域禁止 IAP 操作,仅 EEPROM 区域可作为数据存储使用
01:最后 0.5K Code 区域允许 IAP 操作(7E00H~7FFFH)
10:最后 1K Code 区域允许 IAP 操作(7C00H~7FFFH)
11:全部 Code 区域允许 IAP 操作(0000H~7FFFH)
IAP 保护寄存器
IAPADL
F2H
IAP 写入地址低位寄存器
IAPADH
F3H
IAP 写入地址高位寄存器
IAPADE
F4H
IAP 写入扩展地址寄存器
IAPDAT
F5H
IAP 数据寄存器
IAPCTL
F6H
IAP 控制寄存器
IAPKEY (F1H) IAP 保护寄存器(读/写)
7
6
位编号
符号
读/写
读/写
读/写
0
0
上电初始值
位编号
7~0
位符号
IAPKEY[7:0]
7
5
4
-
5
读/写
0
3
2
1
0
00000000b
IAPADR[7:0]
00000000b
IAPADR[14:8]
-
-
x0000000b
IAPADER[7:0]
00000000b
IAPDAT[7:0]
00000000b
-
4
3
IAPKEY[7:0]
读/写
0
Reset 值
IAPKEY[7:0]
-
读/写
0
PAYTIMES
[1:0]
CMD[1:0]
xxxx0000b
2
1
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
打开 EEPROM / IAP 功能及操作时限设置
写入一个非零值 n,代表:
① 打开 IAP 功能;
② n 个系统时钟后如果接收不到 IAP 写入命令,则 IAP 功能被重新关
闭。
IAPADL (F2H) IAP 写入地址低位寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
0
0
0
上电初始值
Page 86 of 101
6
版
F1H
预
IAPKEY
览
EEPROM / IAP 操作相关寄存器说明:
符号
地址
说明
本
20.1 EEPROM / IAP 操作相关寄存器
4
3
IAPADR[7:0]
读/写
0
读/写
0
2
1
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
V0.6
http://www.socmcu.com
SC92F7547/7546/7543
SinOne
位编号
7~0
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
位符号
IAPADR[7:0]
说明
EEPROM / IAP 写入地址的低 8 位
IAPADH (F3H) IAP 写入地址高位寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
符号
读/写
读/写
读/写
x
0
0
上电初始值
位编号
6~0
7
位符号
IAPADR[14:8]
-
4
读/写
0
1
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
4
3
IAPADER[7:0]
2
1
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
IAP 扩展地址:
0x00:MOVC 和 IAP 烧写都针对 Code 进行
0x01:针对用户 ID 区域进行读操作,不可进行写操作
0x02:MOVC 和 IAP 烧写都针对 EEPROM 进行
其它:保留
位编号
7~0
位符号
IAPDAT
x
读/写
0
读/写
0
2
1
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
EEPROM / IAP 写入的数据
x
位编号
3~2
位符号
PAYTIMES[1:0]
1~0
CMD[1:0]
Page 87 of 101
读/写
0
4
3
IAPDAT[7:0]
说明
IAPCTL (F6H) IAP 控制寄存器(读/写)
7
6
位编号
符号
读/写
上电初始值
5
预
IAPDAT (F5H) IAP 数据寄存器(读/写)
7
6
位编号
符号
读/写
读/写
读/写
0
0
上电初始值
览
版
本
位符号
IAPADER[7:0]
读/写
0
2
说明
EEPROM / IAP 写入地址的高 7 位
保留
IAPADE (F4H) IAP 写入扩展地址寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
0
0
0
上电初始值
位编号
7~0
3
IAPADR[14:8]
5
-
4
-
x
x
3
2
PAYTIMES[1:0]
读/写
0
读/写
0
1
0
CMD[1:0]
读/写
0
读/写
0
说明
EEPROM / IAP 写入操作时,CPU Hold Time 时间长度设定
00:设定 CPU HOLD TIME 6mS@16/8/4/1.33MHz MHz
01:设定 CPU HOLD TIME 3mS@16/8/4/1.33MHz MHz
10:设定 CPU HOLD TIME 1.5mS@16/8/4/1.33MHz MHz
11:保留
说明:CPU Hold 的是 PC 指针,其他功能模块继续工作;中断标志会被
保存,并在 Hold 结束后进入中断,但多次的中断只能保留最后一次。
选择建议:VDD 在 2.7V~5.5V,可选择 10
VDD 在 2.4V~5.5V,可选择 01 或者 00
EEPROM / IAP 写入操作命令
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
10 : 写入
其它 : 保留
注意:EEPROM / IAP 写操作的语句后面务必要加上至少 8 个 NOP 指
令,以保证 IAP 操作完成后可正常执行后续的指令!
20.2 EEPROM / IAP 操作流程
SC92F754X 的 EEPROM / IAP 的 写入流程如下:
① 写入 IAPADE[7:0],0x00:选择 Code 区,进行 IAP 操作;0x02:选择 EEPROM 区,进行 EEPROM 读
写操作;
② 写入 IAPDAT[7:0](准备好 EEPROM / IAP 写入的数据);
③ 写入 {IAPADR[14:8], IAPADR[7:0]}(准备好 EEPROM / IAP 操作的目标地址);
④ 写入 IAPKEY[7:0] 写入一个非 0 的值 n(打开 EEPROM / IAP 保护,且在 n 个系统时钟内没收到写入命
令 EEPROM / IAP 会被关闭);
⑤ 写入 IAPCTL[3:0](设定 CPU Hold 时间,写入 CMD[1:0]为 1、0,CPU Hold 并启动 EEPROM / IAP 写
入);
⑥ EEPROM / IAP 写入结束,CPU 继续后续操作。
版
本
注意:
1. 编程 IC 时,若通过 Code Option 选择了“Code 区域禁止 IAP 操作”,则 IAPADE[7:0]=0x00 时(选择
Code 区),IAP 不可操作,即数据无法写入,仅可通过 MOVC 指令读取数据。
2. 当 IAPADE=0x01 或 0x02 时,MOVC 和写入是针对 EEPROM 或 IFB 区域进行,此时如果有中断产生,
且中断内有 MOVC 操作,会造成 MOVC 的结果错误,导致程序运行异常。为避免这种情况的发生,请
用户在 IAPADE=0X01 或 0X02 操作前务必要关闭总中断(EA=0),操作完成后设置 IAPADE =0X00 再
打开总中断(EA=1)。
预
览
20.2.1 128 BYTES 独立 EEPROM 操作例程
#include ”intrins.h”
unsigned char EE_Add;
unsigned char EE_Data;
unsigned char code * POINT =0x0000;
EEPROM 写操作 C 的 Demo 程序:
EA = 0;
//关总中断
IAPADE = 0x02;
//选择 EEPROM 区域
IAPDAT = EE_Data;
//送数据到 EEPROM 数据寄存器
IAPADH = 0x00;
//高地址默认写 0x00
IAPADL = EE_Add;
//写入 EEPROM 目标地址低位值
IAPKEY = 0xF0;
//此值可根据实际调整;需保证本条指令执行后到对 IAPCTL 赋值前,
//时间间隔需小于 240(0xf0)个系统时钟,否则 IAP 功能关闭;
// 开启中断时要特别注意
IAPCTL = 0x0A;
//执行 EEPROM 写入操作,1.5ms@16/8/4/1.33MHz;
_nop_();
//等待(至少需要 8 个_nop_())
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
IAPADE = 0x00;
//返回 ROM 区域
EA = 1;
//开总中断
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
EEPROM 读操作 C 的 Demo 程序:
EA = 0;
//关总中断
IAPADE = 0x02;
//选择 EEPROM 区域
EE_Data = *( POINT +EE_Add);
//读取 IAP_Add 的值到 IAP_Data
IAPADE = 0x00;
//返回 ROM 区域, 防止 MOVC 操作到 EEPROM
EA = 1;
//开总中断
20.2.2 32 KBYTES CODE 区域 IAP 操作例程
#include ”intrins.h”
unsigned int IAP_Add;
unsigned char IAP_Data;
unsigned char code * POINT =0x0000;
预
览
版
本
IAP 写操作 C 的 Demo 程序:
IAPADE = 0x00;
//选择 Code 区域
IAPDAT = IAP_Data;
//送数据到 IAP 数据寄存器
IAPADH = (unsigned char)((IAP_Add >> 8));
//写入 IAP 目标地址高位值
IAPADL = (unsigned char)IAP_Add;
//写入 IAP 目标地址低位值
IAPKEY = 0xF0;
//此值可根据实际调整;需保证本条指令执行后到对 IAPCTL 赋值前,
//时间间隔需小于 240(0xf0)个系统时钟,否则 IAP 功能关闭;
// 开启中断时要特别注意
IAPCTL = 0x0A;
//执行 IAP 写入操作,1.5ms@16/8/4/1.33MHz;
_nop_();
//等待(至少需要 8 个_nop_())
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
IAP 读操作 C 的 Demo 程序:
IAPADE = 0x00;
IAP_Data = *( POINT+IAP_Add);
//选择 Code 区域
//读取 IAP_Add 的值到 IAP_Data
注意:32 Kbytes Code 区域内的 IAP 操作有一定的风险,需要用户在软件中做相应的安全处理措施,如果操
作不当可能会造成用户程序被改写!除非用户必需此功能(比如用于远程程序更新等),不建议用户使用。
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SC92F7547/7546/7543
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
21 CHECK SUM 模块
SC92F754X 内建了 1 个 check sum 模块,可用来实时生成程序代码的 16 位 check sum 值,用户可利用此
check sum 和理论值比较,监测程序区的内容是否正确。
注意:check sum 值是整个程序区的数据累加和,即 0000H~7FFDH 地址单元所有的数据。若地址单元中有
用户上次操作后的残留值,会导致 check sum 值与理论值不符。因此,建议用户对整片 code 区域进行擦除或写
0 操作后再烧录代码以保证 check sum 值与理论值一致。
21.1 CHECK SUM 校验操作相关寄存器
CHKSUML (FCH) Check Sum 结果寄存器低位(读写)
7
6
5
4
3
位编号
CHKSUML[7:0]
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
0
0
0
0
0
上电初始值
位编号
7~0
位符号
CHKSUML [7:0]
读/写
0
读/写
0
2
1
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
本
版
说明
Check Sum 结果寄存器高位
预
Page 90 of 101
位符号
CHKSUMS
读/写
0
Check Sum 结果寄存器低位
OPERCON (EFH) 运算控制寄存器(读写)
7
6
位编号
OPERS
MD
符号
读/写
读/写
读/写
0
0
上电初始值
位编号
0
0
览
位符号
CHKSUMH [7:0]
1
说明
CHKSUMH (FDH) Check Sum 结果寄存器高位(读写)
7
6
5
4
3
位编号
CHKSUMH[7:0]
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
0
0
0
0
0
上电初始值
位编号
7~0
2
5
x
4
x
3
x
2
x
1
x
0
CHKSUMS
读/写
0
说明
Check sum 运算开始触发控制(Start)
对此 bit 写 “1”, 开始做一次 Check sum 计算。此位只可写入 1 有效。
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
22 电气特性
22.1 极限参数
符号
VDD/VSS
Voltage ON any
Pin
TA
TSTG
参数
最小值
-0.3
-0.3
最大值
5.5
VDD+0.3
UNIT
V
V
工作环境温度
-40
85
℃
储存温度
-55
125
℃
直流供电电压
任一管脚输入/输出电压
22.2 推荐工作条件
符号
VDD
VDD
TA
参数
工作电压
工作电压
工作环境温度
最小值
2.9
2.4
-40
最大值
5.5
5.5
85
系统时钟频率
16MHz
8/4/1.33MHz
UNIT
V
V
℃
22.3 直流电气特性
最小值
典型值
最大值
单位
测试条件
版
符号
本
(VDD = 5V,TA = +25℃,除非另有说明)
参数
-
9.5
6.5
5.2
4.3
0.7
1.0
mA
mA
mA
mA
μA
fSYS=16MHz
fSYS=8MHz
fSYS=4MHz
fSYS=1.33MHz
-
7
-
mA
-
6
10
μA
-
5
7
μA
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输出低电流
输出低电流
输出高电流 P3H-P5
输出高电流 P3H-P5
输出高电流 P0-P3L
0.7VDD
-0.3
0.8VDD
-0.2
-
27
50
17
8
17
VDD+0.3
0.3VDD
VDD
0.2VDD
-
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
输出高电流 P0-P3L
-
13
-
mA
IWDT
WDT 电流
IIDL1
IO 口特性
VIH1
VIL1
VIH2
VIL2
IOL1
IOL2
IOH1
IOH2
IOH3
Page 91 of 101
预
IBTM
工作电流
工作电流
工作电流
工作电流
待机电流
(Power Down 模式)
待机电流
(IDLE 模式)
Base Timer 工作电流
Iop1
Iop2
Iop3
Iop4
Ipd1
览
电流
BTMFS[3:0]=
1000
每 4.0 秒产生一个
中断
WDTCKS[2:0]=
000
WDT 溢 出 时 间
500ms
施密特触发输入:
RST/tCK/SCK
VPin=0.4V
VPin=0.8V
VPin=4.3V
VPin=4.7V
VPin=4.3V
Pxyz=0,IOH 等级 0
VPin=4.3V
Pxyz=1,IOH 等级 1
V0.6
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SC92F7547/7546/7543
SinOne
输出高电流 P0-P3L
-
10
-
mA
输出高电流 P0-P3L
-
5
-
mA
输出高电流 P0-P3L
-
8
-
mA
输出高电流 P0-P3L
-
6
-
mA
输出高电流 P0-P3L
-
4
-
mA
输出高电流 P0-P3L
-
2
-
mA
-
30
-
k
2.37
2.40
2.45
V
最小值
典型值
最大值
单位
-
6.5
5
4
3.3
0.6
1
mA
mA
mA
mA
uA
版
IOH4
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
-
5
-
mA
0.7 VDD
-0.3
0.8 VDD
-0.2
-
25
40
5
55
VDD +0.3
0.3 VDD
VDD
0.2 VDD
-
V
V
V
V
mA
mA
mA
k
2.37
2.40
2.45
V
最小值
18
15.84
典型值
5
1
16
最大值
1
10
1.5
16.16
单位
s
ms
ms
μs
MHz
RPH1
上拉电阻
做为 ADC 参考电压的内部基准 2.4V
VDD24
内部基准 2.4V 电压输出
VPin=4.3V
Pxyz=2,IOH 等级 2
VPin=4.3V
Pxyz=3,IOH 等级 3
VPin=4.7V
Pxyz=0,IOH 等级 0
VPin=4.7V
Pxyz=1,IOH 等级 1
VPin=4.7V
Pxyz=2,IOH 等级 2
VPin=4.7V
Pxyz=3,IOH 等级 3
TA=-40~85℃
(VDD = 3.3V,TA = +25℃,除非另有说明)
符号
参数
测试条件
Iop5
Iop6
Iop7
Iop8
Ipd2
览
IIDL2
工作电流
工作电流
工作电流
工作电流
待机电流
(Power Down 模式)
待机电流
(IDLE 模式)
本
电流
预
IO 口特性
VIH3
输入高电压
VIL3
输入低电压
VIH4
输入高电压
VIL4
输入低电压
IOL3
输出低电流
IOL4
输出低电流
IOH5
输出高电流
RPH2
上拉电阻
做为 ADC 参考电压的内部基准 2.4V
VDD24
内部基准 2.4V 电压输出
fSYS=16MHz
fSYS=8MHz
fSYS=4MHz
fSYS=1.33MHz
施密特触发输入:
RST/tCK/SCK
VPin=0.4V
VPin=0.8V
VPin=3.0V
TA=-40~85℃
22.4 交流电气特性
(VDD = 2.4V ~ 5.5V,TA = 25℃,除非另有说明)
符号
TOSC
TPOR
TPDW
TReset
fHRC
Page 92 of 101
参数
外接 32k 振荡器起振时间
Power On Reset 时间
Power Down 模式唤醒时间
复位脉冲宽度
RC 振荡稳定性
测试条件
外接 32k 晶振
低电平有效
VDD =3.0~5.5V
TA=-20~85 ℃
V0.6
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SinOne
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
22.5 ADC 电气特性
(TA = 25℃,除非另有说明)
参数
供电电压
精度
ADC 输入电压
ADC 输入电阻
ADC 转换电流 1
最小值
2.4
GND
1
-
典型值
5.0
12
-
最大值
5.5
VDD
2
单位
V
bit
V
M
mA
IADC2
ADC 转换电流 2
-
-
1.8
mA
DNL
INL
EZ
EF
EAD
TADC1
微分非线性误差
积分非线性误差
偏移量误差
满刻度误差
总绝对误差
ADC 转换时间 1
-
±2
±2
1
35
35
7.5
-
LSB
LSB
LSB
LSB
LSB
μs
TADC2
ADC 转换时间 2
-
15
-
μs
最大值
VDD
30
100
2
单位
V
mV
mV
μA
μs
本
符号
VAD
NR
VAIN
RAIN
IADC1
Page 93 of 101
参数
输入电压范围
偏移电压
比较电压回差
比较器转换电流
响应时间
览
符号
VCM
VOS
VHYS
ICMP
TCMP
预
(VDD =5V,TA = 25℃,除非另有说明)
GND≤VAIN≤VDD
VIN=5V
ADC 模块打开
VDD =5V
ADC 模块打开
VDD =3.3V
VDD =5V
VREF=5V
ADC Clock =
2.67MHz
ADC 采样周期 = 6
ADC Clock =
1.33MHz
ADC 采样周期 = 6
版
22.6 模拟比较器电气特性
测试条件
最小值
0
-
典型值
10
25
-
测试条件
VDD =5V
V0.6
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SinOne
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
23 订购信息
封装
LQFP48
LQFP44
SOP28L
TSSOP28L
包装
盘装
盘装
管装
管装
预
览
版
本
产品编号
SC92F7547P48R
SC92F7546P44R
SC92F7543M28U
SC92F7543X28U
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超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
24 封装信息
SC92F7547P48R
LQFP48 外形尺寸
单位: 毫米
E
D1
D2
0.4*45°
e
b
Z
12°
0.637
1
12°
A3
E2
本
b1
L
L1
WITH PLATING
BASE METAL
A
最小
1.45
mm(毫米)
标准
1.55
最大
1.65
A1
0.01
--
0.21
A2
1.3
1.4
1.5
A3
--
0.254
--
b
0.15
0.20
0.25
b1
0.16
0.22
0.28
c
--
0.127
--
D1
6.85
6.95
7.05
D2
6.9
7.00
7.10
E
8.8
9.00
9.20
E1
6.85
6.95
7.05
E2
6.9
7.00
7.10
e
--
0.5
--
L
0.43
--
0.71
L1
0.90
1.0
1.10
R
0.1
--
0.25
符号
Page 95 of 101
预
览
c
版
b
0.127
A
R
S
S
0.637
Y
R1
A1
D
A2
E1
V0.6
http://www.socmcu.com
SC92F7547/7546/7543
SinOne
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
0.1
--
--
0
--
10
1
0
--
--
y
--
--
0.1
Z
--
0.75
--
预
览
版
本
R1
Page 96 of 101
V0.6
http://www.socmcu.com
SC92F7547/7546/7543
SinOne
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
SC92F7546P44R
LQFP44 外形尺寸
单位: 毫米
0.7*45°
E
D1
D2
0.3*45°
e
b
Z
12°
0.637
R
S
1
12°
A3
E2
b1
L
b
0.127
A
S
0.637
Y
R1
A1
D
A2
E1
览
版
c
本
L1
WITH PLATING
预
A
最小
1.45
mm(毫米)
标准
1.55
A1
0.015
--
0.21
A2
1.3
1.4
1.5
A3
--
0.254
--
符号
Page 97 of 101
BASE METAL
最大
1.65
b
0.25
0.30
0.35
b1
0.26
0.32
0.38
c
--
0.127
--
D1
9.85
9.95
10.05
D2
9.9
10.00
10.10
E
11.8
12.00
12.20
E1
9.85
9.95
10.05
E2
9.9
10.00
10.10
e
--
0.8
--
L
0.42
--
0.72
L1
0.95
1.0
1.15
R
0.1
--
0.25
R1
0.1
--
--
0
--
10
V0.6
http://www.socmcu.com
SC92F7547/7546/7543
SinOne
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
0
--
--
y
--
--
0.1
Z
--
1.0
--
预
览
版
本
1
Page 98 of 101
V0.6
http://www.socmcu.com
SC92F7547/7546/7543
SinOne
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
SC92F7543M28U
SOP28L(300mil)外形尺寸 单位:毫米
28
15
e1
E
HE
~
~
L
1
b
14
Detail F
e1
D
Seating Plane
y
See Detail F
最小
2.465
A1
0.100
0.150
A2
2.100
b
0.356
17.750
E
HE
版
最大
2.565
0.200
2.300
2.500
0.406
0.456
0.254(BSC)
17.950
18.150
7.374
7.450
7.574
10.100
10.300
10.500
预
D
览
C
本
A
mm(毫米)
标准
2.515
符号
1.270(BSC)
e
L
0.764
0.864
0.964
LE
1.303
1.403
1.503
0
-
10
S
Page 99 of 101
LE
A1
e
s
A
A2
c
D
0.745(BSC)
V0.6
http://www.socmcu.com
SC92F7547/7546/7543
SinOne
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
SC92F7543X28U
TSSOP28L 外形尺寸
单位:毫米
15
E
28
H
L
1
14
e1
e
b
A
A1
A2
c
D
符号
mm(毫米)
正常
-
最大
1.200
-
0.150
-
1.000
-
0.300
A1
0.050
A2
0.800
b
0.190
c
0.090
-
0.200
D
9.600
-
9.800
E
6.250
-
6.550
e1
4.300
-
4.500
预
览
版
A
最小
-
0.65(BSC)
e
L
0.500
-
0.700
1
-
7
H
Page 100 of 101
本
See Detail F
0.25(TYP)
V0.6
http://www.socmcu.com
SC92F7547/7546/7543
SinOne
超高速 1T 8051 内核 Flash MCU
25 规格更改记录
V0.4
V0.3
日期
2018 年 12 月
2018 年 2 月
2017 年 12 月
2017 年 12 月
2017 年 11 月
2017 年 8 月
预
览
V0.2
V0.1
本
V0.5
记录
1. C 语言例程中 83H 改为 0x83
2. 更新 TBIE 的 BIT 位描述
3. 更新 SPR 的 BIT 位描述
4. 更新 BTMFS 的 BIT 位描述
5. 更新 IWDT 的典型值与最大值
6. 更新 TWI 章节的图文描述
7. 更新 ADC 电气特性参数
8. 更新 OP_HRCR 的描述
9. 更新首页相关描述
10. PWM 章节增加注意事项
1. 修正管脚描述
2. 电压变化范围改为 3.0~5.5V
3. 增加用户 ID 区域说明
4. 烧录器增加 SC LINK
5. 完善 TWI 时序图
6. 电气特性:删除 IC 工作电流最大值
7. 增加外部中断标志位 IE0/IE1 相关描述
寄存器 SPDAT 更正为 SSDAT
更新 ADC 电气参数
修正 ADC 转换时间
修正个别书写错误
增加命名规则、封装尺寸信息
初版
版
版本
V0.6
Page 101 of 101
V0.6
http://www.socmcu.com