MMBT9014C

厂商：
ST(先科)
封装：
SOT-23
描述：
NPN硅外延平面晶体管

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MMBT9014C 数据手册

MMBT9014 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications As complementary types the PNP transistor MMBT9015 is recommended. TO-236 Plastic Package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 50 V Collector Emitter Voltage VCEO 45 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC 100 mA Power Dissipation Ptot 200 mW Tj 150 O Tstg - 55 to + 150 O Junction Temperature Storage Temperature Range Characteristics at Ta = 25 OC Parameter DC Current Gain at VCE = 5 V, IC = 1 mA Collector Base Cutoff Current at VCB = 50 V Emitter Base Cutoff Current at VEB = 5 V Collector Base Breakdown Voltage at IC = 100 µA Collector Emitter Breakdown Voltage at IC = 1 mA Emitter Base Breakdown Voltage at IE = 100 µA Collector Emitter Saturation Voltage at IC = 100 mA, IB = 10 mA Base Emitter Saturation Voltage at IC = 100 mA, IB = 5 mA Gain Bandwidth Product at VCE = 5 V, IC = 10 mA Output Capacitance at VCB = 10 V, f = 1 MHz C C Symbol Min. Max. Unit hFE hFE hFE 110 200 420 220 450 800 - ICBO - 50 nA IEBO - 50 nA V(BR)CBO 50 - V V(BR)CEO 45 - V V(BR)EBO 5 - V VCE(sat) - 0.25 V VBE(sat) - 1 V fT 100 - MHz Cob - 6 pF MMBT9014B MMBT9014C MMBT9014D SEMTECH ELECTRONICS LTD. ® Dated：16/03/2015 Rev：02 MMBT9014 SEMTECH ELECTRONICS LTD. ® Dated：16/03/2015 Rev：02

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MMBT9014C

物料型号为MMBT9014，这是一款NPN型硅外延平面晶体管，适用于开关和音频放大器应用。

PNP型互补管型推荐使用MMBT9015。

器件简介： - MMBT9014是一款NPN型硅外延平面晶体管，适用于开关和音频放大器应用。

引脚分配： - 1. 基极（Base） - 2. 发射极（Emitter） - 3. 集电极（Collector）

参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：50V - 集电极-发射极电压（VCEO）：45V - 发射极-基极电压（VEBO）：5V - 集电极电流（Ic）：100mA - 总功耗（Ptot）：200mW - 结温（T）：150℃ - 存储温度范围（Tstg）：-55至+150℃

功能详解： - 在25℃时，直流电流增益（hFE）最小值分别为110、200、420，最大值分别为220、450、800。

- 集电极-基极截止电流（IcBO）小于或等于50nA。

- 发射极-基极截止电流（EBO）小于或等于50nA。

- 集电极-发射极饱和电压（VcE(sat)）最大值为0.25V。

- 基极-发射极饱和电压（VBE(sat)）最大值为1V。