TC2309

厂商：
FM(富满)
封装：
SOP8_150MIL
描述：
类型：P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：62mΩ@4.5V

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TC2309 数据手册

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 12V 高密度 P 沟道 MOS 管 TC2309(文件编号：S&CIC1053) 一、特点     12V 高密度设计的 P 沟道 MOS 管超低导通电阻 RDS(ON)=50mΩ , TYP@VGS= -4.5V RDS(ON)=68mΩ, TYP@VGS= -2.5V S 1 8 D S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D 二、产品应用  SOP-8 笔记本电脑的电源管理、便携式设备和电池供电系统三、电特性   极限参数（TA=25℃，除其它特殊说明）符号参数额定值单位 VDSS 漏源极电压 -12 V VGSS 栅源极电压 ±8 V ID 连续漏电流 -4.5 A IDM 脉冲漏电流 -15 A IS 二极管连续正向电流 -1 A TJ 最高结温 150 ℃ TSTG 贮存温度 -55~150 ℃ 静态电特性（TA=25℃，除其它特殊说明）符号参数测试条件 BVDSS 漏源极击穿电压 VGS=0V, IDS=250uA IDSS 漏极电压漏电流 VGS(th) 门阈值电压 VDS=VGS, IDS=250uA IGSS 栅极漏电流 VGS=±8V, VDS=0V RDS(ON) 漏源极导通电阻典型值最大值 -12 单位 V VDS=-12V, VGS=0V 1 uA TA=85℃ 10 uA -1.4 V ±100 nA -0.5 -0.7 VGS=-1.8V, IDS=-1A 110 120 mΩ VGS=-2.5V, IDS=-3.5A 68 78 mΩ VGS=-4.5V, IDS=-4.5A 50 62 mΩ -1.3 V VSD 二极管正向电压 ISD=-1A, VGS=0V RG 栅极输入电阻 VGS=0V;VDS=0V Frequency=1MHZ www.superchip.cn 最小值第 1 页共 1 页 6 Ω Version 1.1

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TC2309

PDF文档中的物料型号为TC2309，由深圳市富满电子集团股份有限公司生产。

这是一款12V高密度设计的P沟道MOS管，具有超低导通电阻，典型值在-4.5V时为50mΩ，而在-2.5V时为68mΩ。

产品应用于笔记本电脑电源管理、便携式设备和电池供电系统。

封装类型为SOP-8。

电特性包括极限参数和静态电特性。

极限参数有漏源极电压-12V，栅源极电压±8V，连续漏电流-4.5A，脉冲漏电流-15A，二极管连续正向电流-1A，最高结温150°C，贮存温度-55~150°C。

静态电特性包括漏源极击穿电压-12V，漏极电压漏电流1uA（在85°C时为10uA），门阈值电压-0.7V，栅极漏电流±100nA，漏源极导通电阻在不同条件下的值，二极管正向电压约1.3V，以及栅极输入电阻6p。

如需进一步分析或翻译，可提供具体需求。

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