8205SS

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. N 沟道功率 MOS 场效应用管 8205SS (文件编号：S&CIC1478) Drain G1 D G2 6 5 4 G at e1 1 2 3 S1 D S2 Gate2 Source2 Source1 SOT23-6 绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明。） 参数 符号 值 单位 漏源电压 VDS 20 V 栅源电压 VGS ±8 V 漏极电流 ID 5 A 漏极脉冲电流 IDM 16 A 存储温度 TSTG -55 to +150 ℃ 工作结温 TJ -55 to +150 ℃ 电特性（TA=25℃，除非另有说明。） 特性（OFF） 参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 BVDSS VGS=0V, IDS=250uA 20 -- -- V 栅源短路时漏极电流 IDSS VDS=16V, VGS=0V -- -- 1 uA 漏极短路时截止栅电流 IGSS VGS=±8V, VDS=0V -- -- ±100 nA 栅极阈值电压 VGS（TH） VDS=VGS, IDS=250uA 0.45 0.65 1.0 V 漏源电阻 RDS（ON） VGS=4.5V, ID=3A -- 24 30 VGS=2.5V, ID=2A -- 28 35 漏源击穿电压 特性（ON） mΩ 漏源二极管特性及最大额定值 漏源二极管正向电压 VSD VGS=0V, IDS=4.5A -- -- 1.3 V 栅极输入电阻 RG VGS=0.VDS=0.V Frequency=1MHZ -- 2.5 -- Ω www.superchip.cn 第 1 页 共 1 页 Version 1.0