TC4953

1 2 4 3 5 6 深圳市富满电子集团股份有限公司 D SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. D TC4953 (文件编号：S&CIC0750) 20V P 沟道增强型 MOS 场效应管 VDS= -20V RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3A = 62mΩ@TYP RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.5A = 88mΩ@TYP Internal Schemaic Diagram S1 C 1 8 D1 G1 2 7 D1 S2 3 6 D2 G2 4 5 D2 Source Gate SOP-8 Drain C P-Channel MOSFET 特点    先进的沟道工艺技术 B 高密度超低电阻设计 改良的成形工艺 最大额定值和热特性(TA = 25℃，除非另有说明) 参数 符号 值 单位 B VDS 漏源电压 -20 V 栅源电压 A VGS ±12 漏极电流 ID -3 A IDM 漏极脉冲电流 1 -1 2 3 TJ, Tstg 工作结温和存储温度范围 -50 to 150 ℃ 注：重复性极限值：脉冲宽度由最高结温限制。 A Title Size Number Revision B Date: File: 4 www.superchip.cn 20-Feb-2014 Sheet of E:\E盘\规格书\规格图\规格图-0\ZBO\4953.ddb Drawn By: 5 6 第 1 页 共 3 页 Version 1.1 深圳市富满电子集团股份有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC4953 (文件编号：S&CIC0750) 20V P 沟道增强型 MOS 场效应管 电特性 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 V 静电 漏源击穿电压 BVDSS VGS = 0V, ID = -250uA -20 -- -23 RDS(on) VGS = -4.5V, ID = -3A -- 62.0 90.0 mΩ 漏源电阻 栅极阈值电压 RDS(on) VGS = -2.5V, ID = -3A VGS(th) VDS = VGS, ID = -250uA -- 88.0 120.0 -0.4 -0.7 -1 V 漏极到源极的漏电流 IDSS VDS = -20V, VGS = 0V, TJ=25℃ -- -- 1 uA 栅极到源极的漏电流 IGSS VGS = ±12V -- -- ±100 uA -3 A ID 漏极持续电流 温度 VS RDS(ON)/VGS(th) RDS(ON) vs 结温 www.superchip.cn VGS(th) vs 结温 第 2 页 共 3 页 Version 1.1 深圳市富满电子集团股份有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC4953 (文件编号：S&CIC0750) 20V P 沟道增强型 MOS 场效应管 封装信息 SOP-8 符号 A A1 A2 A3 b c D E E1 e L L1 θ www.superchip.cn 最小值 1.35 0.55 0.35 0.17 4.85 5.90 3.80 0.60 0º 毫米 典型值 1.50 0.10 1.40 0.60 0.40 0.22 4.90 6.00 3.90 1.27BSC 0.65 1.05BSC 4 º 第 3 页 共 3 页 最大值 1.55 0.15 1.45 0.65 0.45 0.25 4.95 6.10 4.00 0.70 6 º Version 1.1