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深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 9926A(文件编号：S&CIC1368) 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.0A = 42mΩ RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.0A = 30mΩ S1 1 8 D1 G1 2 7 D1 S2 3 6 D2 G2 4 5 D2 SOP-8 绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有注明） 参数 符号 最大值 单位 漏源极电压 VDS 20 V 栅源极电压 VGS ±10 V TA=25℃ 连续漏电流 6 ID TA=70℃ 4.2 IDM 脉冲漏电流 TA=25℃ 功耗 20 2 PD TA=70℃ 温度范围 A W 1.28 TJ, TSTG -55~150 ℃ 热特性 参数 最大管结温度 符号 T≤10S 典型值 最大值 单位 56 62.5 ℃/W 81 110 ℃/W 40 48 ℃/W RθJA 最大管结温度 Steady -State 最大热阻 Steady -State www.superchip.cn 1 RθJL 第 1 页 共 5 页 2 Version 1.0 3 深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 9926A(文件编号：S&CIC1368) 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 电特性 （TJ =25℃，除非另有注明） 参数 符号 测试条件 最小 漏源击穿电压 BVDSS VGS = 0V,ID = 250uA 20 Drain-source 导通内阻 RDS(ON) Drain-source 导通内阻 RDS(ON) VGS = 4.5V,IDS =6A 6250uA VGS = 2.5V,IDS =5A 栅极阈值电压 VGS(th) VGS = VGS,ID = 250uA 漏源极漏电流 IDSS 栅源极漏电流 IGSS 典型 最大 单位 静态部分 V 21 30 mΩ 26 42 mΩ 0.75 1 V VDSS = 20V,VGS = 0V 1 uA VGS = ±12V,VDS = 0V ±100 nA 0.5 动态部分 栅极总电荷 QG VDS = 10V,ID = 6A VGS = 4.5V 6.24 8.11 1.64 2.13 栅源电荷 QGS 栅漏电荷 QGB 1.34 1.74 开始延迟时间 Td(on) 10.4 20.8 4.4 8.8 27.36 54.72 4.16 8.32 上升时间 关闭延迟时间 Tr Td(off) 下降时间 Tf 输入电容 Ciss 输出电容 Coss 反向传输电容 Crss VDD = 10V,ID = 6A ID = 1A,VGS = 4.5V nC ns 522.3 VDS = 8V,VGS = 0V f =1.0MHz pF 98.48 74.69 源漏极二极管 二极管最大正向电流 二极管正向电压 www.superchip.cn Is VSD 1.7 IS = 1.7A,VGS = 0V 第 2 页 共 5 页 0.74 A V Version 1.0 深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 9926A(文件编号：S&CIC1368) 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 曲线图 www.superchip.cn 第 3 页 共 5 页 Version 1.0 深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 9926A(文件编号：S&CIC1368) www.superchip.cn 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 第 4 页 共 5 页 Version 1.0 深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 9926A(文件编号：S&CIC1368) 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 包装尺寸 www.superchip.cn 第 5 页 共 5 页 Version 1.0