HX61CXX 系列
Ver 2.1
HX61CXX 系列
低电压检测器
■ 产品简介
HX61C 系列是一款高精度、低功耗的电压检测器芯片,并采用了 CMOS 生产工艺和激光微
调技术。HX61C 系列受温度漂移特性的影响很小,电压检测精度很高。HX61C 系列有 CMOS 和
N 沟道开漏两种输出模式供选择。
■ 产品特点
●
●
●
●
低功耗:典型值 2.0uA
宽工作电压范围:1.5V~12V
低温漂检测电压:典型值±50pp m/℃
输出形式:N 沟道开漏输出,CMOS 输出
●
内置滞后特性
●
高精度电压值检测:±3%
●
●
检测电压:2.0V—5.0V,每0.1V步进
小体积封装:SOT23-3、SOT89-3、TO92
●
●
非易失性 RAM 信号存储保护器
电池存储备份
■ 产品用途
● 电池检测器,电平选择器
● 掉电检测器
● 微机复位
■ 封装形式和管脚定义功能
管脚序号
TO-92
1
SOT89-3
1
SOT23-3
1
2
2
3
3
管脚定义
功能说明
VOUT
芯片输出端
3
VIN
启动输入端
2
VSS
芯片接地端
1
HX61CXX 系列
Ver 2.1
■ 产品订购信息
HX61C ①②③④⑤⑥⑦
符号
描述
输出形式:
C=CMOS
N=N-ch open drain
检测电压:
例如:10=1.0V
50=5.0V
输出延时:
0=没有延时
①
②③
④
符号
⑥
⑦
检测精度:
2=with±2%
⑤
描述
封装形式:
M=SOT-23-3L
P=SOT-89-3L
N=SOT-343
T=TO-92(标准)
L=TO-92(客户定义)
产品包装卷带信息:
R=卷带方向(正向)
L=卷带方向(反向)
H=Paper Type(TO-92)
B=Bag(TO-92)
■ 功能框图
Vi n
N- ch O pe n Drai n 输出
C MO S 输出
Vou t
Vi n
Vou t
Vre f
Vs s
Vre f
Vs s
■ 内置滞后特性
2
HX61CXX 系列
Ver 2.1
■ 应用电路
C MO S 输出
N- ch O pe n Drai n 输出
10 0K
R
3
3
Vin
Vout Vss
Vin
Vout Vss
1
Vi n
1
2
Vi n
2
Vou t
Vou t
■ 极限参数
项目
电压
功耗
温度
■ 电学特性
HX61C24N
符号
说明
极限值
单位
VIN
输入电压
15
V
Vout
输出电压
VSS-0.3~ VIN+0.3
V
PD
最大功耗
250
mW
Tw
工作温度范围
-40—85
Tc
存储温度范围
-50—125
Th
焊接温度
260
℃
℃,10s
(参数中VDD=VIN)
Ta=25℃
符号
参数
VDET
测试条件
最小
典型
最大
单位
-
2.328
2.400
2.472
V
-
-
0.02VDET
0.05VDET
0.1VDET
V
静态电流
8V
No Load
-
2
4
uA
VDD
工作电压
-
-
1.5
-
12
V
IOL
输出电流
2V
VOUT=0.2V
0.5
1
-
mA
Δ VDET/Δ Ta
温度系数
-
0℃≤Ta≤70℃
-
±0.9
-
mV/℃
VDD
条件
检测电压
-
VHYS
迟滞电压
IDD
3
HX61C27N
HX61CXX 系列
Ver 2.1
Ta=25℃
测试条件
符号
参数
VDD
条件
最小
典型
最大
单位
VDET
检测电压
-
-
2.619
2.700
2.781
V
VHYS
迟滞电压
-
-
0.02VDET
0.05VDET
0.1VDET
V
IDD
静态电流
8V
No Load
-
2
4
uA
VDD
工作电压
-
-
1.5
-
12
V
IOL
输出电流
2V
VOUT=0.2V
0.5
1
-
mA
Δ VDET/Δ Ta
温度系数
-
0℃≤Ta≤70℃
-
±0.9
-
mV/℃
最小
典型
最大
单位
HX61C33N
Ta=25℃
符号
参数
VDET
测试条件
VDD
条件
检测电压
-
-
3.201
3.300
3.399
V
VHYS
迟滞电压
-
-
0.02VDET
0.05VDET
0.1VDET
V
IDD
静态电流
8V
No Load
-
2
4
uA
VDD
工作电压
-
-
1.5
-
12
V
IOL
输出电流
2V
VOUT=0.2V
0.5
1
-
mA
Δ VDET/Δ Ta
温度系数
-
0℃≤Ta≤70℃
-
±0.9
-
mV/℃
最小
典型
最大
单位
HX61C39N
Ta=25℃
测试条件
符号
参数
VDD
条件
VDET
检测电压
-
-
3.783
3.900
4.017
V
VHYS
迟滞电压
-
-
0.02VDET
0.05VDET
0.1VDET
V
IDD
静态电流
8V
No Load
-
2
4
uA
VDD
工作电压
-
-
1.5
-
12
V
IOL
输出电流
2V
VOUT=0.2V
0.5
1
-
mA
Δ VDET/Δ Ta
温度系数
-
0℃≤Ta≤70℃
-
±0.9
-
mV/℃
4
HX61C44N
HX61CXX 系列
Ver 2.1
Ta=25℃
测试条件
符号
参数
VDD
条件
最小
典型
最大
单位
VDET
检测电压
-
-
4.268
4.400
4.532
V
VHYS
迟滞电压
-
-
0.02VDET
0.05VDET
0.1VDET
V
IDD
静态电流
8V
No Load
-
2
4
uA
VDD
工作电压
-
-
1.5
-
12
V
IOL
输出电流
2V
VOUT=0.2V
0.5
1
-
mA
Δ VDET/Δ Ta
温度系数
-
0℃≤Ta≤70℃
-
±0.9
-
mV/℃
最小
典型
最大
单位
HX61C50N
Ta=25℃
测试条件
符号
参数
VDD
条件
VDET
检测电压
-
-
4.850
5.000
5.150
V
VHYS
迟滞电压
-
-
0.02VDET
0.05VDET
0.1VDET
V
IDD
静态电流
8V
No Load
-
2
4
uA
VDD
工作电压
-
-
1.5
-
12
V
IOL
输出电流
2V
VOUT=0.2V
0.5
1
-
mA
Δ VDET/Δ Ta
温度系数
-
0℃≤Ta≤70℃
-
±0.9
-
mV/℃
5
HX61CXX 系列
Ver 2.1
■ 打印信息
SOT-343、SOT-23-3L、SOT-89-3L
① 表示检测电压的整数位
CMOS 输出
印制
A
B
C
D
E
F
H
类型
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
电压(V)
0.X
1.X
2.X
3.X
4.X
5.X
6.X
N-Channel Open Drain 输出
印制
K
L
M
N
P
R
S
类型
N-ch
N-ch
N-ch
N-ch
N-ch
N-ch
N-ch
② 表示检测电压的小数位
印制
电压
0
X.0
1
X.1
2
X.2
3
X.3
4
X.4
③ 表示检测延时
印制
3
延时
0
电压(V)
0.X
1.X
2.X
3.X
4.X
5.X
6.X
印制
5
6
7
8
9
电压
X.5
X.6
X.7
X.8
X.9
产品订购信息
HX61Cxxx0xxx
④ 表示产品内部编码
0~9,A~Z 循环(G,I,J,O,Q,W 除外)
6
HX61CXX 系列
Ver 2.1
TO92
① 表示输出类型
印制
输出类型
C
CMOS
N
N-ch
②③表示检测电压
印制
②
③
1
8
3
6
电压(V)
1.8
3.6
④ 表示检测延时
印制
延时
0
0
⑤ 表示检测精度
印制
检测电压精度
1
±1%
2
±2%
⑥ 表示生产年份
印制
生产年份
3
2013
4
2014
⑦
表示产品内部编码
0~9,A~Z 循环(G,I,J,O,Q,W 除外)
7
■ 封装信息
HX61CXX 系列
Ver 2.1
8
HX61CXX 系列
Ver 2.1
地址:南京江宁开发区胜太路 68 号
电话:025-52761423
传真:025-52763770-803
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SC61CXX 系列
Ver 2.1
地址:南京江宁开发区胜太路 68 号
电话:025-52761423
传真:025-52763770-803
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