HX61CC3302MR

HX61CXX 系列 Ver 2.1 HX61CXX 系列 低电压检测器 ■ 产品简介 HX61C 系列是一款高精度、低功耗的电压检测器芯片，并采用了 CMOS 生产工艺和激光微 调技术。HX61C 系列受温度漂移特性的影响很小，电压检测精度很高。HX61C 系列有 CMOS 和 N 沟道开漏两种输出模式供选择。 ■ 产品特点 ● ● ● ● 低功耗：典型值 2.0uA 宽工作电压范围：1.5V～12V 低温漂检测电压：典型值±50pp m/℃ 输出形式：N 沟道开漏输出，CMOS 输出 ● 内置滞后特性 ● 高精度电压值检测：±3％ ● ● 检测电压：2.0V—5.0V，每0.1V步进 小体积封装：SOT23-3、SOT89-3、TO92 ● ● 非易失性 RAM 信号存储保护器 电池存储备份 ■ 产品用途 ● 电池检测器，电平选择器 ● 掉电检测器 ● 微机复位 ■ 封装形式和管脚定义功能 管脚序号 TO-92 1 SOT89-3 1 SOT23-3 1 2 2 3 3 管脚定义 功能说明 VOUT 芯片输出端 3 VIN 启动输入端 2 VSS 芯片接地端 1 HX61CXX 系列 Ver 2.1 ■ 产品订购信息 HX61C ①②③④⑤⑥⑦ 符号 描述 输出形式： C=CMOS N=N-ch open drain 检测电压： 例如：10=1.0V 50=5.0V 输出延时： 0=没有延时 ① ②③ ④ 符号 ⑥ ⑦ 检测精度： 2=with±2% ⑤ 描述 封装形式： M=SOT-23-3L P=SOT-89-3L N=SOT-343 T=TO-92(标准) L=TO-92(客户定义) 产品包装卷带信息： R=卷带方向(正向) L=卷带方向(反向) H=Paper Type(TO-92) B=Bag(TO-92) ■ 功能框图 Vi n N- ch O pe n Drai n 输出 C MO S 输出 Vou t Vi n Vou t Vre f Vs s Vre f Vs s ■ 内置滞后特性 2 HX61CXX 系列 Ver 2.1 ■ 应用电路 C MO S 输出 N- ch O pe n Drai n 输出 10 0K R 3 3 Vin Vout Vss Vin Vout Vss 1 Vi n 1 2 Vi n 2 Vou t Vou t ■ 极限参数 项目 电压 功耗 温度 ■ 电学特性 HX61C24N 符号 说明 极限值 单位 VIN 输入电压 15 V Vout 输出电压 VSS-0.3～ VIN+0.3 V PD 最大功耗 250 mW Tw 工作温度范围 -40—85 Tc 存储温度范围 -50—125 Th 焊接温度 260 ℃ ℃,10s (参数中VDD=VIN) Ta=25℃ 符号 参数 VDET 测试条件 最小 典型 最大 单位 － 2.328 2.400 2.472 V － － 0.02VDET 0.05VDET 0.1VDET V 静态电流 8V No Load － 2 4 uA VDD 工作电压 － － 1.5 － 12 V IOL 输出电流 2V VOUT=0.2V 0.5 1 － mA Δ VDET/Δ Ta 温度系数 － 0℃≤Ta≤70℃ － ±0.9 － mV/℃ VDD 条件 检测电压 － VHYS 迟滞电压 IDD 3 HX61C27N HX61CXX 系列 Ver 2.1 Ta=25℃ 测试条件 符号 参数 VDD 条件 最小 典型 最大 单位 VDET 检测电压 － － 2.619 2.700 2.781 V VHYS 迟滞电压 － － 0.02VDET 0.05VDET 0.1VDET V IDD 静态电流 8V No Load － 2 4 uA VDD 工作电压 － － 1.5 － 12 V IOL 输出电流 2V VOUT=0.2V 0.5 1 － mA Δ VDET/Δ Ta 温度系数 － 0℃≤Ta≤70℃ － ±0.9 － mV/℃ 最小 典型 最大 单位 HX61C33N Ta=25℃ 符号 参数 VDET 测试条件 VDD 条件 检测电压 － － 3.201 3.300 3.399 V VHYS 迟滞电压 － － 0.02VDET 0.05VDET 0.1VDET V IDD 静态电流 8V No Load － 2 4 uA VDD 工作电压 － － 1.5 － 12 V IOL 输出电流 2V VOUT=0.2V 0.5 1 － mA Δ VDET/Δ Ta 温度系数 － 0℃≤Ta≤70℃ － ±0.9 － mV/℃ 最小 典型 最大 单位 HX61C39N Ta=25℃ 测试条件 符号 参数 VDD 条件 VDET 检测电压 － － 3.783 3.900 4.017 V VHYS 迟滞电压 － － 0.02VDET 0.05VDET 0.1VDET V IDD 静态电流 8V No Load － 2 4 uA VDD 工作电压 － － 1.5 － 12 V IOL 输出电流 2V VOUT=0.2V 0.5 1 － mA Δ VDET/Δ Ta 温度系数 － 0℃≤Ta≤70℃ － ±0.9 － mV/℃ 4 HX61C44N HX61CXX 系列 Ver 2.1 Ta=25℃ 测试条件 符号 参数 VDD 条件 最小 典型 最大 单位 VDET 检测电压 － － 4.268 4.400 4.532 V VHYS 迟滞电压 － － 0.02VDET 0.05VDET 0.1VDET V IDD 静态电流 8V No Load － 2 4 uA VDD 工作电压 － － 1.5 － 12 V IOL 输出电流 2V VOUT=0.2V 0.5 1 － mA Δ VDET/Δ Ta 温度系数 － 0℃≤Ta≤70℃ － ±0.9 － mV/℃ 最小 典型 最大 单位 HX61C50N Ta=25℃ 测试条件 符号 参数 VDD 条件 VDET 检测电压 － － 4.850 5.000 5.150 V VHYS 迟滞电压 － － 0.02VDET 0.05VDET 0.1VDET V IDD 静态电流 8V No Load － 2 4 uA VDD 工作电压 － － 1.5 － 12 V IOL 输出电流 2V VOUT=0.2V 0.5 1 － mA Δ VDET/Δ Ta 温度系数 － 0℃≤Ta≤70℃ － ±0.9 － mV/℃ 5 HX61CXX 系列 Ver 2.1 ■ 打印信息  SOT-343、SOT-23-3L、SOT-89-3L ① 表示检测电压的整数位 CMOS 输出 印制 A B C D E F H 类型 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS 电压（V) 0.X 1.X 2.X 3.X 4.X 5.X 6.X N-Channel Open Drain 输出 印制 K L M N P R S 类型 N-ch N-ch N-ch N-ch N-ch N-ch N-ch ② 表示检测电压的小数位 印制 电压 0 X.0 1 X.1 2 X.2 3 X.3 4 X.4 ③ 表示检测延时 印制 3 延时 0 电压（V) 0.X 1.X 2.X 3.X 4.X 5.X 6.X 印制 5 6 7 8 9 电压 X.5 X.6 X.7 X.8 X.9 产品订购信息 HX61Cxxx0xxx ④ 表示产品内部编码 0～9，A～Z 循环（G，I，J，O，Q，W 除外） 6  HX61CXX 系列 Ver 2.1 TO92 ① 表示输出类型 印制 输出类型 C CMOS N N-ch ②③表示检测电压 印制 ② ③ 1 8 3 6 电压（V) 1.8 3.6 ④ 表示检测延时 印制 延时 0 0 ⑤ 表示检测精度 印制 检测电压精度 1 ±1% 2 ±2% ⑥ 表示生产年份 印制 生产年份 3 2013 4 2014 ⑦ 表示产品内部编码 0～9，A～Z 循环（G，I，J，O，Q，W 除外） 7 ■ 封装信息 HX61CXX 系列 Ver 2.1 8 HX61CXX 系列 Ver 2.1 地址：南京江宁开发区胜太路 68 号 电话：025-52761423 传真：025-52763770-803 (9/7) SC61CXX 系列 Ver 2.1 地址：南京江宁开发区胜太路 68 号 电话：025-52761423 传真：025-52763770-803 (10/7)