LN61C
高精度 低功耗 小封装 电压检测芯片
■ 产品概述
■ 用途
LN61C 系列芯片是使用 CMOS 技术开发的高精度、低功耗、
l
微处理器复位电路
小封装电压检测芯片。检测电压在小温度漂移的情况下保持
l
存储器电池备份电路
极高的精度。客户可选择 CMOS 输出或 Open Drain 输出。
l
上电复位电路
l
供电失效检测
l
系统电池寿命和充电电压监视。
l
窗比较器
l
波形锐化电路
■ 产品特点
l
高精度:±2%
l
低功耗:2.0µA(Vin=1.5V)
l
检测电压范围:1.0V~6.0V,100mV 步进
l
工作电压范围:0.7V~8.0V
l
检测电压温度特性:±100ppm(typ.)
l
输出配置:N-channel open drain 或 CMOS
■ 封装
l SOT-23-3L
■ 订购信息
LN61C ①②③④⑤⑥⑦
符号
描述
符号
输出形式:
①
⑤
C=CMOS
N=N-ch open drain
检测电压:
②③
例如:10=1.0V
⑥
38=3.8V
④
描述
检测精度:
2=with±2%
封装形式:
M=SOT-23-3L
产品包装卷带信息:
输出延时:
⑦
0=没有延时
R=卷带方向(正向)
L=卷带方向(反向)
■ 引脚配置
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1
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LN61C
■ 引脚说明
引脚号
符号
引脚说明
3
VIN
电源输入端
2
VSS
接地端
1
VOUT
检测输出端
SOT-23-3L
■ 典型应用
CMOS 输出
Rev.1.0 — July. 4, 2011
N-ch Open Drain 输出
2
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LN61C
■ 打印信息
l
SOT-23-3L
① 代表产品名称
代号
产品描述
C
LN61C◆◆◆◆◆◆◆
② 代表输出配置和检测电压范围
代号
输出配置
检测电压范围
A
CMOS
0.1~3.0
B
CMOS
3.1~6.0
N
OPEN DRAIN
0.1~3.0
P
OPEN DRAIN
3.1~6.0
③ 代表检测电压
符号
检测电压(V)
符号
检测电压(V)
0
-
3.1
F
1.6
4.6
1
-
3.2
H
1.7
4.7
2
-
3.3
K
1.8
4.8
3
-
3.4
L
1.9
4.9
4
-
3.5
M
2
5
5
-
3.6
N
2.1
6
-
3.7
P
2.2
7
-
3.8
R
2.3
8
0.9
3.9
S
2.4
9
1.0
4
T
2.5
A
1.1
4.1
U
2.6
B
1.2
4.2
V
2.7
C
1.3
4.3
X
2.8
D
1.4
4.4
Y
2.9
E
1.5
4.5
Z
3
④ 代表公司内部编码
0~9,A~Z 循环(G,I,J,O,Q,W 除外)
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3
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LN61C
■ 功能框图
(1) CMOS 输出
■ 绝对最大额定值
(2)N-ch Open Drain 输出
( Ta=25℃)
参数
符号
值
单位
输入电压
Vin
8
V
输出电流
Iout
50
mA
CMOS
输出电压
N-ch
功耗
Vout
SOT-23-3L
Vss-0.3~Vin+0.3
Vss-0.3~8
V
Pd
150
mW
工作温度
Topr
-40~+85
℃
贮存温度
Tstg
-40~+125
℃
■ 电气特性
(VDF (T) = 1.0 to 6.0V ± 2% Ta=2
℃)
5
参数
符号
检测电压
VDF
迟滞电压
VHYS
供给电流
工作电压
输出电流
条件
I
out
温度特性
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典型
最大
单位
测试电路
VDFx
0.
98
VDF
VDFx
1.
02
V
1
V
1
uA
2
V
1
mA
3
VDFx
0.
05
I
s
s
Vi
n
最小
Vi
n=1.
0V
2.
0
2.
2
=1.
5V
2.
0
2.
4
=2.
0V
2.
0
2.
8
=3.
0V
2.
0
3.
1
=4.
0V
2.
0
3.
3
=5.
0V
2.
0
3.
7
VDF=1.
0~6.
0V
0.
7
8
Nc
h
Vi
n=1.
0V
1.
0
2.
2
Vds
=
Vi
n=2.
0V
3.
0
7.
7
0.
5V
Vi
n=3.
0V
5.
0
10.
1
Vi
n=4.
0V
6.
0
1
1.
5
Vi
n=5.
0V
7.
0
13.
0
Pc
hv
ds
=2.
1v
i
n=8.
0
10
40~+85℃
±100
4
2
4
ppm/
℃
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LN61C
■ 测试电路
电路 1
电路 2
电路 3
电路 4
■ 工作时序图
Rev
.
1.
0— J
ul
y
.4,201
1
5
www.
nat
l
i
near
.
c
om
LN61C
■ 工作原理
① VI
N高于 VDF,输出为高。
② VI
N电压低于 VDF,VOUT输出为 VSS。
③ 随着 VI
N的降低,若 VI
N处在 I
C最小工作电压以下就会导致输出不稳定,在输出被上拉的情况下,输出电平将跟随 VI
N。
④ VI
N降到 VSS,输出为 VSS。
⑤ VI
N上升,但低于最小工作电压,输出电平跟随 VI
N。
⑥ VI
N大于 VDR,输出为高电平。
■ 应用电路实例
l
微处理器复位电路
Rev
.
1.
0— J
ul
y
.4,201
1
6
www.
nat
l
i
near
.
c
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LN61C
l
上电复位电路
l
存储器电池备份电路
l
供电失效检测电路
l
窗比较电路
l
过充电保护电路
l
检测电压调整电路
Rev
.
1.
0— J
ul
y
.4,201
1
7
www.
nat
l
i
near
.
c
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LN61C
■ 封装信息
l
SOT233L
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.
1.
0— J
ul
y
.4,201
1
8
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nat
l
i
near
.
c
om
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- 5+0.16051
- 20+0.15756
- 100+0.15167
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- 10+0.29560
- 100+0.23944
- 300+0.21136