LN61CN3502MR-G

LN61C 高精度 低功耗 小封装 电压检测芯片 ■ 产品概述 ■ 用途 LN61C 系列芯片是使用 CMOS 技术开发的高精度、低功耗、 l 微处理器复位电路 小封装电压检测芯片。检测电压在小温度漂移的情况下保持 l 存储器电池备份电路 极高的精度。客户可选择 CMOS 输出或 Open Drain 输出。 l 上电复位电路 l 供电失效检测 l 系统电池寿命和充电电压监视。 l 窗比较器 l 波形锐化电路 ■ 产品特点 l 高精度：±2% l 低功耗：2.0µA（Vin=1.5V） l 检测电压范围：1.0V~6.0V，100mV 步进 l 工作电压范围：0.7V~8.0V l 检测电压温度特性：±100ppm(typ.) l 输出配置：N-channel open drain 或 CMOS ■ 封装 l SOT-23-3L ■ 订购信息 LN61C ①②③④⑤⑥⑦ 符号 描述 符号 输出形式： ① ⑤ C=CMOS N=N-ch open drain 检测电压： ②③ 例如：10=1.0V ⑥ 38=3.8V ④ 描述 检测精度： 2=with±2% 封装形式： M=SOT-23-3L 产品包装卷带信息： 输出延时： ⑦ 0=没有延时 R=卷带方向(正向) L=卷带方向(反向) ■ 引脚配置 Rev.1.0 — July. 4, 2011 1 www.natlinear.com LN61C ■ 引脚说明 引脚号 符号 引脚说明 3 VIN 电源输入端 2 VSS 接地端 1 VOUT 检测输出端 SOT-23-3L ■ 典型应用 CMOS 输出 Rev.1.0 — July. 4, 2011 N-ch Open Drain 输出 2 www.natlinear.com LN61C ■ 打印信息 l SOT-23-3L ① 代表产品名称 代号 产品描述 C LN61C◆◆◆◆◆◆◆ ② 代表输出配置和检测电压范围 代号 输出配置 检测电压范围 A CMOS 0.1～3.0 B CMOS 3.1～6.0 N OPEN DRAIN 0.1～3.0 P OPEN DRAIN 3.1～6.0 ③ 代表检测电压 符号 检测电压（V） 符号 检测电压（V） 0 - 3.1 F 1.6 4.6 1 - 3.2 H 1.7 4.7 2 - 3.3 K 1.8 4.8 3 - 3.4 L 1.9 4.9 4 - 3.5 M 2 5 5 - 3.6 N 2.1 6 - 3.7 P 2.2 7 - 3.8 R 2.3 8 0.9 3.9 S 2.4 9 1.0 4 T 2.5 A 1.1 4.1 U 2.6 B 1.2 4.2 V 2.7 C 1.3 4.3 X 2.8 D 1.4 4.4 Y 2.9 E 1.5 4.5 Z 3 ④ 代表公司内部编码 0～9，A～Z 循环（G，I，J，O，Q，W 除外） Rev.1.0 — July. 4, 2011 3 www.natlinear.com LN61C ■ 功能框图 （1） CMOS 输出 ■ 绝对最大额定值 （2）N-ch Open Drain 输出 （ Ta=25℃） 参数 符号 值 单位 输入电压 Vin 8 V 输出电流 Iout 50 mA CMOS 输出电压 N-ch 功耗 Vout SOT-23-3L Vss-0.3～Vin+0.3 Vss-0.3～8 V Pd 150 mW 工作温度 Topr -40～+85 ℃ 贮存温度 Tstg -40～+125 ℃ ■ 电气特性 (VDF (T) = 1.0 to 6.0V ± 2% Ta=2 ℃) 5 参数 符号 检测电压 VDF 迟滞电压 VHYS 供给电流 工作电压 输出电流 条件 I out 温度特性 Rev.1.0 — July. 4, 2011 典型 最大 单位 测试电路 VDFx 0. 98 VDF VDFx 1. 02 V 1 V 1 uA 2 V 1 mA 3 VDFx 0. 05 I s s Vi n 最小 Vi n=1. 0V 2. 0 2. 2 =1. 5V 2. 0 2. 4 =2. 0V 2. 0 2. 8 =3. 0V 2. 0 3. 1 =4. 0V 2. 0 3. 3 =5. 0V 2. 0 3. 7 VDF=1. 0～6. 0V 0. 7 8 Nc h Vi n=1. 0V 1. 0 2. 2 Vds = Vi n=2. 0V 3. 0 7. 7 0. 5V Vi n=3. 0V 5. 0 10. 1 Vi n=4. 0V 6. 0 1 1. 5 Vi n=5. 0V 7. 0 13. 0 Pc hv ds =2. 1v i n=8. 0 10 40～+85℃ ±100 4 2 4 ppm/ ℃ www.natlinear.com LN61C ■ 测试电路 电路 1 电路 2 电路 3 电路 4 ■ 工作时序图 Rev . 1. 0— J ul y .4,201 1 5 www. nat l i near . c om LN61C ■ 工作原理 ① VI N高于 VDF，输出为高。 ② VI N电压低于 VDF，VOUT输出为 VSS。 ③ 随着 VI N的降低，若 VI N处在 I C最小工作电压以下就会导致输出不稳定，在输出被上拉的情况下，输出电平将跟随 VI N。 ④ VI N降到 VSS，输出为 VSS。 ⑤ VI N上升，但低于最小工作电压，输出电平跟随 VI N。 ⑥ VI N大于 VDR，输出为高电平。 ■ 应用电路实例 l 微处理器复位电路 Rev . 1. 0— J ul y .4,201 1 6 www. nat l i near . c om LN61C l 上电复位电路 l 存储器电池备份电路 l 供电失效检测电路 l 窗比较电路 l 过充电保护电路 l 检测电压调整电路 Rev . 1. 0— J ul y .4,201 1 7 www. nat l i near . c om LN61C ■ 封装信息 l SOT233L Rev . 1. 0— J ul y .4,201 1 8 www. nat l i near . c om