TP5610B

TP5610B 高性能 CV/CC 同步降压型 DC-DC 转换芯片 概述 TP5610B 是一款高性能的具有 CV/CC 功能的同步降压型 DC-DC 转换芯片。TP5610B 的输入电压范围为 6.5V~30V， 内部同时集成了高边和低边功率管，最大输出电流可达 3.1A,效率高达 93%以上。 TP5610B 采用固定工作频率的 PWM 工作模式，工作频率 为 135kHz。TP5610B 集成了斜率补偿功能，可以避免固 定工作频率模式下当占空比大于 50%时控制回路所产生的 次谐波振荡。 TP5610B 内置环路补偿电容，可以依靠内置的环路补偿实 现恒流和恒压控制，同时具备线缆压降补偿功能。TP5610B 输出电压、输出恒流电流以及线缆压降补偿微调均可以通 过外部电阻来设置。只需很少的外围元件即可实现高效率 的恒压恒流输出，极大的节约了系统的成本和体积。 TP5610B 内部集成了多种保护功能以保证系统的稳定和可 靠。包括输出过压保护、输出短路保护、输出过流保护、 芯片供电欠压保护、芯片供电过压保护和芯片过温保护等。 特点               工作电压范围：6.5V~30V 输入过压保护功能 集成高、低边功率管 最大输出电流可达 3.1A 同步降压，工作效率高达 93%以上 固定工作频率 135kHz 集成线缆压降补偿功能 内置环路补偿电容 输出过压/过流保护功能 输出短路保护功能 芯片供电欠压保护功能 芯片过温保护功能 系统 BOM 成本低 采用 ESOP8L 封装 应用  车载充电器  便携式设备电源  其他 DC-DC 开关电源 典型应用电路 V1.1 TPOWER Semiconductor http://www.tpower-ic.com 1 TP5610B 高性能 CV/CC 同步降压型 DC-DC 转换芯片 管脚 ESOP8L 管脚描述 管脚编号 1 2 3 4 5 6 7 8 - 管脚名称 BST VIN SW PGND GND FB SNS EN Exposed PAD 描述 内部高边功率管驱动电路的电源引脚，外接电容到 SW 引脚 芯片电源引脚，连接电容到地 内部功率管开关输出引脚 芯片功率地 芯片信号地 误差放大器反馈输入引脚，通过电阻分压设定输出电压 输出恒流检测引脚，连接电阻到地 芯片使能引脚 散热片，必须与 PCB 地线有良好连接 极限参数（注 1） 参数 VIN 到 GND 电压 SW 到 GND 电压 BST 到 GND 电压 FB、SNS、EN 到 GND 电压 功率损耗(注 2) 储存环境温度 工作结温范围 工作环境温度 ESD 水平(HBM) ESD 水平(MM) V1.1 TPOWER Semiconductor 额定值 -0.3~+36 -0.7~VVIN+0.3 VSW-0.3~VSW+6 -0.3~+6 2 -50~+150 -40~+150 -40~+105 2000 200 单位 V V V V W ℃ ℃ ℃ V V http://www.tpower-ic.com 2 TP5610B 高性能 CV/CC 同步降压型 DC-DC 转换芯片 推荐工作范围 参数 系统输入电压 工作环境温度 注 1: 符号 VIN TOP 工作条件 正常工作 正常工作 推荐值 9~30 -20~+65 单位 V ℃ 最大极限值是指超出该工作范围芯片可能会损坏。在短时间内施加器件允许的绝对最大额定值不会引起产品永久性的损坏，但 长时间用在器件允许的最大额定值时，会对产品的可靠性造成影响。推荐工作范围是指在该范围内芯片工作正常，但不完全保 证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电气参数规范。 对于未给定的上下限参数，该规范不予保证其精度，但其典型值合理反映了器件性能。 注 2：环境温度升高最大功耗会减小，这是由 TJMAX，ѲJA 和环境温度 TA 所决定的。最大允许功耗为 PDMAX=(TJMAX-TA)/ ѲJA 或是极限参 数范围给出的数字中比较低的那个值。 电气参数 (无特殊说明，Ta=25℃，VVIN=12V) 符号 参数 电源启动 VVIN 输入电压 IQC 静态工作电流 VST VIN 启动电压 VUVLO VIN 欠压保护 VVIN_OVP VIN 过压保护 使能控制 VEN_H EN 使能逻辑高电平 VEN_L EN 使能逻辑低电平 REN_H EN 脚上拉电阻 电流采样 VREF_SNS 恒流输出参考电压阈值 开关控制 FB 反馈参考电压阈值 VREF_FB FOSC 工作频率 DMAX 最大占空比 TON_MIN 最小导通时间 VOVP 输出过压保护阈值 VOCP 输出过流/短路保护阈值 TOCP 输出过流/短路保护延时 TREC 输出过流/短路保护恢复时间 功率管 RON_H RON_L VBR_DSS_H VBR_DSS_L ILEAK_H ILEAK_L 高边功率管导通电阻 低边功率管导通电阻 高边功率管漏源击穿电压 低边功率管漏源击穿电压 高边功率管漏电流 低边功率管漏电流 温度控制 TSD THYS 过温保护阈值 过温保护滞回 V1.1 TPOWER Semiconductor 测试条件 最小值 典型值 6.5 EN=0V VVIN 上升 VVIN 下降 VVIN 上升 单位 30 V uA V V V 360 6.5 6.1 30 2.5 200 相对正常带载时的输出电压 相对正常带载时的输出电压 VGS=5V, ID=1A VGS=5V, ID=1A VGS=0V, ID=250uA VGS=0V, ID=250uA VGS=0V, VDS=30V VGS=0V, VDS=30V 最大值 0.6 V V kΩ 75 mV 1 135 95 400 105 50 15 200 V kHz % ns % % ms ms 58 58 mΩ mΩ V V uA uA 32 32 1 1 150 125 ℃ ℃ http://www.tpower-ic.com 3 TP5610B 高性能 CV/CC 同步降压型 DC-DC 转换芯片 内部框图 应用说明 TP5610B 是一款高性能的具有 CV/CC 功能的同步降压 型 DC-DC 转换芯片。TP5610B 内部同时集成了高边和 低边功率管，最大输出电流可达 3.1A。TP5610B 采用固 定工作频率的 PWM 工作模式，工作频率为 135kHz。 TP5610B 内置环路补偿电容，只需很少的外围元件即可 实现高效率的恒压恒流输出，极大的节约了系统的成本 和体积。 输出电压设定 电源的输出电压可以通过 FB 的分压电阻设定，如典型应 用电路中的 R1 和 R2。输出电压与 FB 反馈参考电压阈 值和分压电阻的关系如下式： ㎠˸ ៎鶔៎鶔 th 其中，VREF_FB 为 FB 反馈参考电压阈值，典型值为 1V。 R2 的建议取值为 R2