SinOne
SC92F7352/7351/7350
高速 1T 8051 内核 Flash MCU ，256 bytes SRAM ，8 Kbytes Flash，128
bytes 独立 EEPROM，12 位 ADC，6 路 8 位 PWM，3 个定时器，UART
1 总体描述
SC92F735X 系列是一颗增强型的 1T 8051 内
核工业级 Flash 微控制器，指令系统完全兼容传统
8051 产品系列。
SC92F735X 集成有 8 Kbytes Flash ROM、
256 bytes SRAM、128 bytes EEPROM、最多 18
个 GP I/O、6 个 IO 可外部中断、3 个 16 位定时器、
9 路 12 位高精度 ADC、6 路独立 8 位 PWM、IO 驱
动分级控制（P0 和 P2 口）、内部 1%高精度高频
24/12/6/2MHz 振荡器和±4%精度低频 128kHz 振荡
器、UART 等通讯接口等资源。为提高可靠性及简
化客户电路，SC92F735X 内部也集成有 4 级可选
电压 LVR、2.4V 基准 ADC 参考电压、WDT 等高可
靠电路。SC92F735X 具有非常优异的抗干扰性能，
非常适合应用于各种物联网控制、大小智能家电和
智能家居、充电器、电源、航模、对讲机、无线通
讯、游戏机等工业控制和消费应用领域。
2 主要功能
工作电压： 2.4V~5.5V
工作温度： -40 ~ 85℃
封装：
SC92F7352Q20R（QFN20）
SC92F7352X20U（TSSOP20）
SC92F7352M20U（SOP20）
SC92F7352N20U（NSOP20）
SC92F7351M16U（SOP16）
SC92F7350M08U（SOP8）
内核： 高速 1T 8051
Flash ROM： 8 Kbytes Flash ROM（MOVC 禁止
寻址 0000H~00FFH）可重复写入 1 万次
IAP：可 code option 成 0K、0.5K、1K 或 8K
EEPROM：独立的 128 bytes，可重复写入 10 万次，
10 年以上保存寿命
SRAM：内部 256 bytes
系统时钟（fSYS）：
内建高频 24MHz 振荡器（fHRC）
IC 工作的系统时钟可通过编程器选择设定为
24MHz(3.7-5.5V)、12/6/2MHz (2.4-5.5V)
频率误差： 跨越 (4.0V~5.5V) 及 (-20 ~ 85℃)
应用环境, 不超过 ±1%。
可作为 BaseTimer 的时钟源，并唤醒 STOP
可作为 WDT 的时钟源
频率误差： 跨越 (4.0V ~ 5.5V) 及 (-20 ~ 85℃)
应用环境，频率误差不超过 ±4%
低电压复位（LVR）：
复位电压有 4 级可选：分别是：4.3V、3.7V、
2.9V、2.3V
缺省值为用户烧写 Code Option 所选值
Flash 烧写接口：
2 线烧写接口
中断（INT）：
Timer0 ， Timer1 ， Timer2 ， INT0 ， INT2 ，
ADC，PWM，UART，Base Timer 共 9 个中
断源
外部中断有 2 个中断向量，共 6 个中断口，全
部可设上升沿、下降沿、双沿中断
两级中断优先级可设
数字外围：
最大 18 个双向可独立控制的 I/O 口，可独立设
定上拉电阻
P0、P2 口源驱动能力分四级控制
全部 IO 具有大灌电流驱动能力（47mA）
11 位 WDT，可选时钟分频比
3 个标准 80C51 定时器 Timer0、Timer1 和
Timer2
6 路共用周期、单独可调占空比的 8 位 PWM
5 个 IO 可作为 1/2 BIAS 的 LCD COM 输出
1 个独立 UART 通信口
模拟外围：
9 路 12 位±2LSB ADC
内建基准的 2.4V 参考电压
ADC 的参考电压有 2 种选择，分别是 VDD
以及内部 2.4V
内部一路 ADC 可直接测量 VDD 电压
可设 ADC 转换完成中断
省电模式：
IDLE Mode，可由任何中断唤醒
STOP Mode，可由 INT0、2 和 BaseTimer 唤
醒
内建低频 128kHz LRC 振荡器：
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
92 系列产品命名规则
名称
SC
92
F
7
3
5
2
X
M
20
U
序号
①
②
③
④
⑤
⑥
⑦
⑧
⑨
⑩
⑪
序号
含义
①
SinOne Chip 缩写
②
产品系列名称
③
产品类型（F：Flash MCU）
④
系列号：7 ：GP 系列，8:TK 系列
⑤
ROM Size: 1 为 2K，2 为 4K，3 为 8K，4 为 16K，5 为 32K…
⑥
子系列编号：0~9，A~Z
⑦
引脚数：0：8pin， 1：16pin，2：20pin，3：28pin，5：32pin，6：44pin，7：48pin，8：64pin，
9：100pin
版本号:（缺省、B、C、D）
⑧
⑨
⑩
⑪
封装形式：（D：DIP；M：SOP；X：TSSOP；N：NSOP；F：QFP；P：LQFP；Q：QFN；K：
SKDIP）
引脚数
包装方式：（U：管装；R：盘装；T：卷带）
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
目录
1 总体描述 ............................................................................................................................... 1
2 主要功能 ............................................................................................................................... 1
92 系列产品命名规则 ............................................................................................................... 2
目录.......................................................................................................................................... 3
3 管脚定义 ............................................................................................................................... 6
3.1 管脚配置 ..................................................................................................................................................... 6
3.2 管脚定义 ..................................................................................................................................................... 8
4 内部方框图 .......................................................................................................................... 10
5 FLASH ROM 和 SRAM 结构 ............................................................................................... 11
5.1 flash rom ................................................................................................................................................. 11
5.2 Customer Option 区域(用户烧写设置) ................................................................................................... 12
5.2.1 Option 相关 SFR 操作说明 ............................................................................................................. 13
5.3 sram ......................................................................................................................................................... 14
5.3.1 256 bytes SRAM ............................................................................................................................ 14
6 特殊功能寄存器(SFR) ......................................................................................................... 16
6.1 SFR 映像 .................................................................................................................................................. 16
6.2 SFR 说明 .................................................................................................................................................. 17
6.2.1 8051 CPU 内核常用特殊功能寄存器介绍 ...................................................................................... 18
7 电源、复位和时钟 ............................................................................................................... 19
7.1 电源电路 ................................................................................................................................................... 19
7.2 上电复位过程............................................................................................................................................ 19
7.2.1 复位阶段......................................................................................................................................... 19
7.2.2 调入信息阶段 ................................................................................................................................. 19
7.2.3 正常操作阶段 ................................................................................................................................. 19
7.3 复位方式 ................................................................................................................................................... 19
7.3.1 外部 RST 复位................................................................................................................................ 19
7.3.2 低电压复位 LVR ............................................................................................................................. 19
7.3.3 上电复位 POR ................................................................................................................................ 20
7.3.4 看门狗复位 WDT ............................................................................................................................ 20
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
7.3.5 复位初始状态 ................................................................................................................................. 21
7.4 高频系统时钟电路 .................................................................................................................................... 22
7.5 低频振荡器及低频时钟定时器 .................................................................................................................. 23
7.6 STOP 模式和 IDLE 模式 .......................................................................................................................... 24
8 中央处理单元 CPU 及指令系统 ........................................................................................... 26
8.1 CPU .......................................................................................................................................................... 26
8.2 寻址方式 ................................................................................................................................................... 26
8.2.1 立即寻址......................................................................................................................................... 26
8.2.2 直接寻址......................................................................................................................................... 26
8.2.3 间接寻址......................................................................................................................................... 26
8.2.4 寄存器寻址 ..................................................................................................................................... 26
8.2.5 相对寻址......................................................................................................................................... 26
8.2.6 变址寻址......................................................................................................................................... 26
8.2.7 位寻址 ............................................................................................................................................ 26
9 INTERRUPT 中断 ............................................................................................................... 27
9.1 中断源、向量 ........................................................................................................................................... 27
9.2 中断结构图 ............................................................................................................................................... 28
9.3 中断优先级 ............................................................................................................................................... 29
9.4 中断处理流程 ........................................................................................................................................... 29
9.5 中断相关 SFR 寄存器 ............................................................................................................................... 29
10 定时器 TIMER0 、TIMER1 ............................................................................................... 32
10.1 T0 和 T1 相关特殊功能寄存器 ................................................................................................................ 32
10.2 T0 工作模式............................................................................................................................................ 34
10.3 T1 工作模式............................................................................................................................................ 36
11 定时器 TIMER2 ................................................................................................................. 37
11.1 T2 相关特殊功能寄存器 ......................................................................................................................... 37
11.2 T2 工作模式............................................................................................................................................ 38
12 PWM ................................................................................................................................. 40
12.1 PWM 结构框图 ....................................................................................................................................... 41
12.2 PWM 相关 SFR 寄存器 .......................................................................................................................... 42
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
12.3 PWM 波形及用法 ................................................................................................................................... 46
13 GP I/O ............................................................................................................................... 47
13.1 GPIO 结构图 .......................................................................................................................................... 47
13.2 I/O 端口相关寄存器 ................................................................................................................................ 48
14 软件 LCD 驱动 .................................................................................................................. 50
14.1 软件 LCD 驱动相关寄存器 ..................................................................................................................... 50
15 UART ................................................................................................................................ 50
15.1 UART 相关寄存器 .................................................................................................................................. 50
15.2 串口通信的波特率 .................................................................................................................................. 51
16 模数转换 ADC ................................................................................................................... 53
16.1 ADC 相关寄存器 .................................................................................................................................... 53
16.2 ADC 转换步骤 ........................................................................................................................................ 55
17 EEPROM 及 IAP 操作 ....................................................................................................... 55
17.1 EEPROM / IAP 操作相关寄存器 ........................................................................................................... 56
17.2 EEPROM / IAP 操作流程 ....................................................................................................................... 57
17.2.1 128 bytes 独立 EEPROM 操作例程 ............................................................................................. 58
17.2.2 8 Kbytes CODE 区域 IAP 操作例程 ............................................................................................. 58
18 电气特性 ........................................................................................................................... 60
18.1 极限参数 ................................................................................................................................................. 60
18.2 推荐工作条件 ......................................................................................................................................... 60
18.3 直流电气特性 ......................................................................................................................................... 60
18.4 交流电气特性 ......................................................................................................................................... 61
18.5 ADC 电气特性 ........................................................................................................................................ 62
19 订购信息 ........................................................................................................................... 63
20 封装信息 ........................................................................................................................... 64
21 规格更改记录 .................................................................................................................... 70
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
3 管脚定义
P0.5
P2.0/INT24/AIN0
P2.1/INT25/AIN1
P2.4/AIN4
P2.5/PWM3/AIN5
15
14
13
12
11
3.1 管脚配置
COM4/P0.4
16
10
P2.6/PWM4/AIN6
COM3/P0.3
17
9
P2.7/PWM5/AIN7
COM2/PWM2/P0.2
18
8
P1.7/AIN8
COM1/PWM1/P0.1
19
7
P1.6/AIN9
COM0/PWM0/P0.0
20
6
P1.3/INT03/T1/TX/tDIO
1
2
3
4
5
VDD
VSS
INT00/P1.0
RST/INT01/P1.1
tCK/RX/T0/INT02/P1.2
SC92F7352
SC92F7352 管脚配置图（QFN20）
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SinOne
高速 1T 8051 内核 Flash MCU
1
20
P0.0/PWM0/COM0
VSS
2
19
P0.1/PWM1/COM1
INT00/P1.0
3
18
P0.2/PWM2/COM2
RST/INT01/P1.1
4
17
P0.3/COM3
tCK/RX/T0/INT02/P1.2
5
16
P0.4/COM4
tDIO/TX/T1/INT03/P1.3
6
15
P0.5
AIN9/P1.6
7
14
P2.0/INT24/AIN0
AIN8/P1.7
8
13
P2.1/INT25/AIN1
AIN7/PWM5/P2.7
9
12
P2.4/AIN4
AIN6/PWM4/P2.6
10
11
P2.5/PWM3/AIN5
SC92F7352
VDD
SC92F7352 管脚配置图（TSSOP20、SOP20、NSOP20）
1
16
P0.0/PWM0/COM0
VSS
2
15
P0.1/PWM1/COM1
INT00/P1.0
3
14
P0.2/PWM2/COM2
RST/INT01/P1.1
4
13
P0.3/COM3
tCK/RX/T0/INT02/P1.2
5
12
P2.0/INT24/AIN0
tDIO/TX/T1/INT03/P1.3
6
11
P2.1/INT25/AIN1
AIN9/P1.6
7
10
P2.4/AIN4
AIN8/P1.7
8
9
P2.5/PWM3/AIN5
SC92F7351
VDD
SC92F7351 管脚配置图
1
tCK/RX/T0/INT02/P1.2
2
tDIO/TX/T1/INT03/P1.3
3
AIN7/PWM5/P2.7
4
SC92F7350
VSS
8
VDD
7
P2.0/INT24/AIN0
6
P2.1/INT25/AIN1
5
P2.6/PWM4/AIN6
SC92F7350 管脚配置图
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
3.2 管脚定义
脚位数
管脚名称
类型
功能说明
20PIN
16PIN
8PIN
1
1
8
VDD
Power
电源
2
2
1
VSS
Power
接地
3
3
-
P1.0/INT00
I/O
4
4
-
P1.1/INT01/RST
I/O
5
5
2
P1.2/INT02/T0/RX/tCK
I/O
6
6
3
P1.3/INT03/T1/TX/tDIO
I/O
7
7
-
P1.6/AIN9
I/O
8
8
-
P1.7/AIN8
I/O
9
-
4
P2.7/PWM5/AIN7
I/O
10
-
5
P2.6/PWM4/AIN6
I/O
11
9
-
P2.5/PWM3/AIN5
I/O
12
10
-
P2.4/AIN4
I/O
13
11
6
P2.1/INT25/AIN1
I/O
14
12
7
P2.0/INT24/AIN0
I/O
15
-
-
P0.5
I/O
16
-
-
P0.4/COM4
I/O
17
13
-
P0.3/COM3
I/O
18
14
-
P0.2/PWM2/COM2
I/O
Page 8 of 70
P1.0: GPIO P1.0
INT00: 外部中断 0 的输入 0
P1.1: GPIO P1.1
INT01: 外部中断 0 的输入 1
RST: 复位管脚
P1.2: GPIO P1.2
INT02: 外部中断 0 的输入 2
T0: 计数器 0 外部输入
RX: UART 接收
tCK: 烧录和仿真口时钟线
P1.3: GPIO P1.3
INT03: 外部中断 0 的输入 3
T1: 计数器 1 外部输入
TX: UART 发送
tDIO: 烧录和仿真口数据线
P1.6: GPIO P1.6
AIN9: ADC 输入通道 9
P1.7: GPIO P1.7
AIN8: ADC 输入通道 8
P2.7: GPIO P2.7
PWM5: PWM5 输出口
AIN7: ADC 输入通道 7
P2.6: GPIO P2.6
PWM4: PWM4 输出口
AIN6: ADC 输入通道 6
P2.5: GPIO P2.5
PWM3: PWM3 输出口
AIN5: ADC 输入通道 5
P2.4: GPIO P2.4
AIN4: ADC 输入通道 4
P2.1: GPIO P2.1
INT25: 外部中断 2 的输入 5
AIN1: ADC 输入通道 1
P2.0: GPIO P2.0
INT24: 外部中断 2 的输入 4
AIN0: ADC 输入通道 0
P0.5: GPIO P0.5
P0.4: GPIO P0.4
COM4: LCD 驱动公共端 COM4
P0.3: GPIO P0.3
COM3: LCD 驱动公共端 COM3
P0.2: GPIO P0.2
V1.0
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
19
15
-
P0.1/PWM1/COM1
I/O
20
16
-
P0.0/PWM0/COM0
I/O
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PWM2: PWM2 输出口
COM2: LCD 驱动公共端 COM2
P0.1: GPIO P0.1
PWM1: PWM1 输出口
COM1: LCD 驱动公共端 COM1
P0.0: GPIO P0.0
PWM0: PWM0 输出口
COM0: LCD 驱动公共端 COM0
V1.0
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SC92F7352/7351/7350
SinOne
高速 1T 8051 内核 Flash MCU
4 内部方框图
LVR
Controller
LVD
reset
256 bytes
RAM
WDT
128 bytes
EEPROM
128kHz LRC
WAKECNT
Controller
HRC
Regulator
HRC
Voltage
Reference
24MHz
HRC
Clock
Controller
clock
1T 8051 CORE
2.4V REG
ADC
ADC
Controller
8 Kbytes
Program
ROM
(Flash)
UART
BandGap
Voltage
Reference
TIMER0
TIMER1
TIMER2
LDO
&
Power Manager
PWM
I/O
INT
Interrupt
Interrupt Controller
SC92F735X BLOCK DIAGRAM
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
5 FLASH ROM 和 SRAM 结构
SC92F735X 的 Flash ROM 和 SRAM 结构如下：
用户ID区域
7Fh
EEPROM
00h
1FFFh
RAM
（间接寻址）
FFh
Flash ROM
For Program
0000h
SFR
（直接寻址）
80h
7Fh
00h
RAM
（直接寻址或间接寻址）
Flash ROM 和 SRAM 结构图
5.1 FLASH ROM
SC92F735X 有 8 Kbytes 的 Flash ROM，ROM 地址为 0000H~1FFFH。此 8 Kbytes Flash ROM 可反复擦写
1 万次，可通过 SinOne 提供的专用 ICP 烧写器(SOC Pro52/DPT52/SC-LINK)来进行编程及擦除。地址为
0000H~00FFH 地址的 256 bytes 区间 MOVC 指令不可寻址。
EEPROM 为独立于 8 Kbytes ROM 之外的一块区间，其地址为 00H~7FH，可在程序中对其进行单 byte 读写
操作，具体操作方法参考 17 EEPROM 及 IAP 操作。
用户 ID 区域：出厂时写入用户 ID，用户只可对其进行读操作，具体操作方式参考 17 EEPROM 及 IAP 操作。
SC92F735X 的 8 Kbytes Flash ROM 能提供查空 BLANK、编程 PROGRAM、校验 VERIFY 和擦除 ERASE
功能，但不提供读取 READ 的功能。此 Flash ROM 和 EEPROM 通常写入前无需进行擦除操作，直接写入数据即
可实现新数据的覆盖。
SC92F735X 的 Flash ROM 通过 tDIO、tCK、VDD、VSS 来进行编程，具体连接关系如下：
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
SOC PRO52
SOC DPT52
SC-LINK
MCU
VDD
tCK
tDIO
VSS
VDD
CLK
DIO
GND
用户应用电路
Jumper
ICP 模式 Flash Writer 编程连接示意图
5.2 CUSTOMER OPTION 区域(用户烧写设置)
SC92F735X 内部有单独的一块 Flash 区域用于保存客户的上电初始值设置，此区域称为 Customer Option
区域。用户在烧写 IC 时将此部分代码写入 IC 内部，IC 在复位初始化时，就会将此设置调入 SFR 作为初始设置。
OPINX 值
上电初始值
OPREG
符号
说明
7
6
5
4
83H@FFH
OP_HRCR
高频 RC 震荡频率调节(细调)
C1H@FFH
OP_CTM0
Customer Option 寄存器 0
ENWDT
-
SCLKS[1:0]
C2H@FFH
OP_CTM1
Customer Option 寄存器 1
VREFS
-
-
位符号
OP_HRCR[7:0]
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读/写
n
x
1
0
nnnnnnnnb
DISRST
-
DISLVR
IAPS[1:0]
4
3
OP_HRCR[7:0]
读/写
n
n
LVRS[1:0]
-
nxnnnnnnb
-
nxxxnnxxb
2
1
0
n
n
n
说明
内部高频 RC 频率调校
中心值 10000000b 对应 HRC 中心频率，数值变大频率加快，数值变小
频率变慢。
OP_CTM0 (C1H@FFH) Customer Option 寄存器 0(读/写)
7
6
5
4
位编号
ENWDT
SCLKS[1:0]
符号
读/写
上电初始值
2
OP_HRCR[7:0]
OP_HRCR (83H@FFH) 系统时钟改变寄存器(读/写)
位编号
7
6
5
符号
读/写
上电初始值
n
n
n
位编号
7~0
3
读/写
n
3
DISRST
2
DISLVR
读/写
n
读/写
n
1
0
LVRS[1:0]
读/写
n
V1.0
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SC92F7352/7351/7350
SinOne
高速 1T 8051 内核 Flash MCU
位编号
7
位符号
ENWDT
5~4
SCLKS[1:0]
3
DISRST
2
DISLVR
1~0
LVRS [1:0]
说明
WDT 开关
0：WDT 无效
1：WDT 有效（但 IC 在执行 IAP 过程中 WDT 停止计数）
系统时钟频率选择：
00：系统时钟频率为高频振荡器频率除以 1；
01：系统时钟频率为高频振荡器频率除以 2；
10：系统时钟频率为高频振荡器频率除以 4；
11：系统时钟频率为高频振荡器频率除以 12。
IO/RST 复位切换控制
0 ：P1.1 当复位脚使用
1 ：P1.1 当正常的 I/O 管脚使用
LVR 使能设置
0：LVR 正常使用
1：LVR 无效
LVR 电压选择控制
11： 4.3V 复位
10： 3.7V 复位
01： 2.9V 复位
00： 2.3V 复位
OP_CTM1 (C2H@FFH) Customer Option 寄存器 1(读/写)
7
6
5
4
位编号
VREFS
符号
读/写
上电初始值
读/写
n
位编号
7
位符号
VREFS
3~2
IAPS[1:0]
x
x
x
3
2
IAPS[1:0]
读/写
n
读/写
n
1
x
0
x
说明
参考电压选择(初始值从 Code Option 调入，用户可修改设置)
0：设定 ADC 的 VREF 为 VDD
1：设定 ADC 的 VREF 为 内部准确的 2.4V
IAP 空间范围选择
00: Code 区域禁止 IAP 操作，仅 EEPROM 区域可作为数据存储使用
01: 最后 0.5K Code 区域允许 IAP 操作(1E00H ~1FFFH)
10: 最后 1K Code 区域允许 IAP 操作(1C00H~1FFFH)
11: 全部 Code 区域允许 IAP 操作(0000H~1FFFH)
5.2.1 OPTION 相关 SFR 操作说明
Option 相关 SFR 的读写操作由 OPINX 和 OPREG 两个寄存器进行控制，各 Option SFR 的具体位置由 OPINX
确定，各 Option SFR 的写入值由 OPREG 确定：
符号
地址
说明
上电初始值
OPINX
FEH
Option 指针
OPINX[7:0]
00000000b
OPREG
FFH
Option 寄存器
OPREG[7:0]
nnnnnnnnb
操作 Option 相关 SFR 时 OPINX 寄存器存放相关 OPTION 寄存器的地址，OPREG 寄存器存放对应的值。
例如：要将 OP_HRCR 配置为 0x01，具体操作方法如下：
C 语言例程：
OPINX = 83H;
OPREG = 0x01;
//将 OP_HRCR 的地址写入 OPINX 寄存器
//对 OPREG 寄存器写入 0x01（待写入 OP_HRCR 寄存器的值）
汇编例程：
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
MOV OPINX, #83H
; 将 OP_HRCR 的地址写入 OPINX 寄存器
MOV OPREG, #01H
; 对 OPREG 寄存器写入 0x01（待写入 OP_HRCR 寄存器的值）
注意：禁止向 OPINX 寄存器写入 Customer Option 区域 SFR 地址之外的数值！否则会造成系统运行异常！
5.3 SRAM
SC92F735X 单片机的 SRAM 为内部的 256 bytes RAM。地址范围为 00H~FFH，其中高 128 bytes(地址
80H~FFH)只能间接寻址，低 128 bytes(地址 00H~7FH)可直接寻址也可间接寻址。
特殊功能寄存器 SFR 的地址也是 80H~FFH。但 SFR 同内部高 128 bytes SRAM 的区别是：SFR 寄存器是
直接寻址，而内部高 128 bytes SRAM 只能是间接寻址。
5.3.1 256 BYTES SRAM
低 128 bytes SRAM 区可分为三部分：①工作寄存器组 0~3，地址 00H~1FH,程序状态字寄存器 PSW 中的
RS0、RS1 组合决定了当前使用的工作寄存器，使用工作寄存器组 0~3 可加快运算的速度； ②位寻址区
20H~2FH，此区域用户可以用作普通 RAM 也可用作按位寻址 RAM；按位寻址时，位的地址为 00H~7FH，(此地
址按位编地址，不同于通用 SRAM 按字节编地址)，程序中可由指令区分；③用户 RAM 和堆栈区，SC92F735X
复位过后，8 位的堆栈指针指向堆栈区，用户一般会在初始化程序时设置初值，建议设置在 E0H~FFH 的单元区
间。
FFH
FFH
高128 bytes RAM
（只能间接寻址）
特殊功能寄存器SFR
（直接寻址）
80H
80H
7FH
低128 bytes RAM
（可直接寻址；也可间接寻址）
00H
256 bytes RAM 结构图
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
低 128 bytes RAM 结构如下：
7FH
用户RAM及堆栈RAM区
30H
2FH
位寻址RAM区
20H
1FH
工作寄存器组3
18H
17H
工作寄存器组2
10H
0FH
工作寄存器组1
7F
7E
7D
7C
7B
7A
79
78
2FH
77
76
75
74
73
72
71
70
2EH
6F
6E
6D
6C
6B
6A
69
68
2DH
67
66
65
64
63
62
61
60
2CH
5F
5E
5D
5C
5B
5A
59
58
2BH
57
56
55
54
53
52
51
50
2AH
4F
4E
4D
4C
4B
4A
49
48
29H
47
46
45
44
43
42
41
40
28H
3F
3E
3D
3C
3B
3A
39
38
27H
37
36
35
34
33
32
31
30
26H
2F
2E
2D
2C
2B
2A
29
28
25H
27
26
25
24
23
22
21
20
24H
1F
1E
1D
1C
1B
1A
19
18
23H
17
16
15
14
13
12
11
10
22H
0F
0E
0D
0C
0B
0A
09
08
21H
07
06
05
04
03
02
01
00
20H
08H
07H
工作寄存器组0
00H
SRAM 结构图
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
6 特殊功能寄存器(SFR)
6.1 SFR 映像
SC92F735X 系列有一些特殊功能寄存器，我们称为 SFR。这些 SFR 寄存器的地址位于 80H~FFH，有些可
以位寻址，有些不能位寻址。能够进行位寻址操作的寄存器的地址末位数都是“0”或“8”，这些寄存器在需要改变单
个位的数值时非常方便。所有的 SFR 特殊功能寄存器都必须使用直接寻址方式寻址。
SC92F735X 的特殊功能寄存器名称及地址如下表：
0/8
1/9
2/A
3/B
4/C
F8h
-
-
-
-
-
F0h
B
IAPKEY
IAPADL
IAPADH
IAPADE
E8h
-
-
-
-
E0h
ACC
-
-
-
D8h
-
-
-
D0h
PSW
PWMCFG0
C8h
T2CON
-
C0h
-
B8h
B0h
A8h
6/E
7/F
OPINX
OPREG
IAPDAT
IAPCTL
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
PWMDTY3
PWMDTY4
PWMDTY5
PWMCON
PWMPRD
PWMCFG1
PWMDTY0
PWMDTY1
PWMDTY2
RCAP2L
RCAP2H
TL2
TH2
BTMCON
WDTCON
-
-
-
-
-
INT2F
INT2R
IP
IP1
INT0F
INT0R
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
IE
IE1
-
ADCCFG0
ADCCFG1
ADCCON
ADCVL
ADCVH
A0h
P2
P2CON
P2PH
-
-
-
-
-
98h
SCON
SBUF
P0CON
P0PH
P0VO
-
-
-
90h
P1
P1CON
P1PH
-
-
-
-
IOHCON
88h
TCON
TMOD
TL0
TL1
TH0
TH1
TMCON
OTCON
P0
SP
DPL
DPH
-
-
-
PCON
80h
可位寻址
说明：
1.
5/D
不可位寻址
SFR 寄存器中空的部分代表没有此寄存器 RAM，不建议用户使用。
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
6.2 SFR 说明
特殊功能寄存器 SFR 的具体解释说明如下：
符号
地址
说明
7
6
5
4
P0
80H
P0 口数据寄存器
-
-
P05
P04
SP
81H
堆栈指针
DPL
82H
DPH
83H
PCON
87H
电源管理控制寄存器
TCON
88H
定时器控制寄存器
TMOD
89H
定时器工作模式寄存器
TL0
8AH
定时器 0 低 8 位
TL1
8BH
TH0
8CH
TH1
3
2
1
0
P03
P02
P01
P00
上电初始值
xx000000b
SP[7:0]
00000111b
DPTR 数据指针低位
DPL[7:0]
00000000b
DPTR 数据指针高位
DPH[7:0]
00000000b
SMOD
-
-
-
-
-
STOP
IDL
0xxxxx00b
TF1
TR1
TF0
TR0
-
-
-
-
0000xxxxb
-
C/T1
M11
M01
-
C/T0
M10
M00
x000x000b
TL0[7:0]
00000000b
定时器 1 低 8 位
TL1[7:0]
00000000b
定时器 0 高 8 位
TH0[7:0]
00000000b
8DH
定时器 1 高 8 位
TH1[7:0]
TMCON
8EH
定时器频率控制寄存器
-
-
-
-
OTCON
8FH
输出控制寄存器
-
-
-
-
P1
90H
P1 口数据寄存器
P17
P16
-
-
P13
P1CON
91H
P1 口输入/输出控制寄存器
P1C7
P1C6
-
-
P1PH
92H
P1 口上拉电阻控制寄存器
P1H7
P1H6
-
-
IOHCON
97H
输出电流设置寄存器
SCON
98H
串口控制寄存器
SBUF
99H
串口数据缓存寄存器
P0CON
9AH
P0 口输入/输出控制寄存器
-
-
P0C5
P0C4
P0PH
9BH
P0 口上拉电阻控制寄存器
-
-
P0H5
P0VO
9CH
P0 口 LCD 电压输出寄存器
-
-
P2
A0H
P2 口数据寄存器
P27
P2CON
A1H
P2 口输入/输出控制寄存器
P2PH
A2H
P2 口上拉电阻控制寄存器
IE
A8H
中断使能寄存器
IE1
A9H
中断使能寄存器 1
-
-
ADCCFG0
ABH
ADC 设置寄存器 0
EAIN7
EAIN6
ADCCFG1
ACH
ADC 设置寄存器 1
ADCCON
ADH
ADC 控制寄存器
ADCVL
AEH
ADC 结果寄存器
ADCVH
AFH
ADC 结果寄存器
IP
B8H
中断优先级控制寄存器
-
IPADC
IPT2
IPUART
IPT1
-
IPT0
IPINT0
IP1
B9H
中断优先级控制寄存器 1
-
-
-
-
IPINT2
IPBTM
IPPWM
-
xxxx000xb
INT0F
BAH
INT0 下降沿中断控制寄存器
-
-
-
-
INT0F3
INT0F2
INT0F1
INT0F0
xxxx0000b
INT0R
BBH
INT0 上升沿中断控制寄存器
-
-
-
-
INT0R3
INT0R2
INT0R1
INT0R0
xxxx0000b
INT2F
C6H
INT2 下降沿中断控制寄存器
-
-
INT2F5
INT2F4
-
-
-
-
xx00xxxxb
INT2R
C7H
INT2 上升沿中断控制寄存器
-
-
INT2R5
INT2R4
-
-
-
-
xx00xxxxb
T2CON
C8H
定时器 2 控制寄存器
TF2
-
RCLK
TCLK
-
TR2
-
-
0x00x0xxb
RCAP2L
CAH
定时器 2 重载低 8 位
RCAP2L[7:0]
00000000b
RCAP2H
CBH
定时器 2 重载高 8 位
RCAP2H[7:0]
00000000b
TL2
CCH
定时器 2 低 8 位
TL2[7:0]
00000000b
TH2
CDH
定时器 2 高 8 位
TH2[7:0]
BTMCON
CEH
低频定时器控制寄存器
WDTCON
CFH
PSW
P2H[1:0]
SM0
00000000b
-
T2FD
T1FD
T0FD
-
-
xxxx00xxb
P12
P11
P10
00xx0000b
P1C3
P1C2
P1C1
P1C0
00xx0000b
P1H3
P1H2
P1H1
P1H0
VOIRS[1:0]
P2L[1:0]
SM1
SM2
P0H[1:0]
REN
TB8
P0L[1:0]
xxxxx000b
00xx0000b
00000000b
RB8
TI
RI
P0C3
P0C2
P0C1
P0C0
xx000000b
P0H3
P03VO
P0H2
P02VO
P0H1
P01VO
P0H0
P00VO
xx000000b
-
P0H4
P04VO
P26
P25
P24
-
-
P21
P20
0000xx00b
P2C7
P2C6
P2C5
P2C4
-
-
P2C1
P2C0
0000xx00b
P2H7
P2H6
P2H5
P2H4
-
-
P2H1
P2H0
0000xx00b
EA
EADC
ET2
EUART
ET1
-
ET0
EINT0
00000x00b
-
-
EINT2
EBTM
EPWM
-
xxxx000xb
EAIN5
EAIN4
-
-
EAIN1
EAIN0
0000xx00b
-
-
EAIN9
EAIN8
SBUF[7:0]
-
-
-
-
ADCEN
ADCS
LOWSP
EOC/
00000000b
00000000b
ADCIS[3:0]
xxx00000b
xxxxxx00b
00000000b
ADCIF
ADCV[3:0]
-
-
-
-
ADCV[11:4]
0000xxxxb
00000000b
x0000x00b
00000000b
ENBTM
BTMIF
-
-
WDT 控制寄存器
-
-
-
CLRWDT
-
D0H
程序状态字寄存器
CY
AC
F0
RS1
RS0
OV
PWMCFG0
D1H
PWM 设置寄存器 0
ENPWM5
PWMCON
D2H
PWM 控制寄存器
PWMPRD
D3H
PWM 周期设置寄存器
PWMCFG1
D4H
PWM 设置寄存器 1
PWMDTY0
D5H
PWM0 占空比设置寄存器
PDT0[7:0]
00000000b
PWMDTY1
D6H
PWM1 占空比设置寄存器
PDT1[7:0]
00000000b
PWMDTY2
D7H
PWM2 占空比设置寄存器
PDT2[7:0]
00000000b
PWMDTY3
DDH
PWM3 占空比设置寄存器
PDT3[7:0]
00000000b
Page 17 of 70
BTMFS[3:0]
-
-
INV2
INV1
INV0
ENPWM
PWMIF
ENPWM2
ENPWM1
ENPWM0
-
-
INV5
INV4
00xx0000b
WDTCKS[2:0]
xxx0x000b
F1
P
ENPWM4
ENPWM3
PWMCKS[2:0]
xx000000b
00000000b
PWMPRD[7:0]
INV3
00000000b
00000000b
-
-
-
xx000xxxb
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
PWMDTY4
DEH
PWM4 占空比设置寄存器
PDT4[7:0]
00000000b
PWMDTY5
DFH
PWM5 占空比设置寄存器
PDT5[7:0]
00000000b
ACC
E0H
累加器
ACC[7:0]
00000000b
B
F0H
B 寄存器
B[7:0]
00000000b
IAPKEY
F1H
IAP 保护寄存器
IAPKEY[7:0]
00000000b
IAPADL
F2H
IAP 写入地址低位寄存器
IAPADR[7:0]
IAPADH
F3H
IAP 写入地址高位寄存器
IAPADE
F4H
IAP 写入扩展地址寄存器
IAPDAT
F5H
IAP 数据寄存器
IAPCTL
F6H
IAP 控制寄存器
OPINX
FEH
Option 指针
OPINX[7:0]
00000000b
OPREG
FFH
Option 寄存器
OPREG[7:0]
nnnnnnnnb
-
-
-
00000000b
IAPADR[12:8]
xxx00000b
IAPADER[7:0]
00000000b
IAPDAT[7:0]
-
-
-
-
00000000b
PAYTIMES[1:0]
CMD[1:0]
xxxx0000b
6.2.1 8051 CPU 内核常用特殊功能寄存器介绍
程序计数器 PC
程序计数器 PC 不属于 SFR 寄存器。PC 有 16 位，是用来控制指令执行顺序的寄存器。单片机上电或者复位
后，PC 值为 0000H，也即是说单片机程序从 0000H 地址开始执行程序。
累加器 ACC (E0H)
累加器 ACC 是 8051 内核单片机的最常用的寄存器之一，指令系统中采用 A 作为助记符。常用来存放参加计
算或者逻辑运算的操作数及结果。
B 寄存器 (F0H)
B 寄存器在乘除法运算中必须与累加器 A 配合使用。乘法指令 MUL A，B 把累加器 A 和寄存器 B 中的 8 位
无符号数相乘，所得的 16 位乘积的低位字节放在 A 中，高位字节放在 B 中。除法指令 DIV A，B 是用 A 除以 B，
整数商放在 A 中，余数放在 B 中。寄存器 B 还可以作为通用的暂存寄存器使用。
堆栈指针 SP (81H)
堆栈指针是一个 8 位的专用寄存器，它指示出堆栈顶部在通用 RAM 中的位置。单片机复位后，SP 初始值为
07H，即堆栈会从 08H 开始向上增加。08H~1FH 为工作寄存器组 1~3。
PSW (D0H) 程序状态字寄存器(读/写)
7
6
位编号
CY
AC
符号
读/写
上电初始值
读/写
0
读/写
0
位编号
7
位符号
CY
6
AC
5
4~3
F0
RS1、RS0
2
OV
Page 18 of 70
5
F0
4
RS1
3
RS0
2
OV
1
F1
0
P
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
标志位
1：加法运算最高位有进位，或者减法运算最高位有借位时
0：加法运算最高位无进位，或者减法运算最高位无借位时
进位辅助标志位(可在 BCD 码加减法运算时方便调整)
1：加法运算时在 bit3 位有进位，或减法运算在 bit3 位有借位时
0：无借位、进位
用户标志位
工作寄存器组选择位:
RS1
RS0
当前使用的工作寄存器组 0~3
0
0
组 0 (00H~07H)
0
1
组 1 (08H~0FH)
1
0
组 2 (10H~17H)
1
1
组 3 (18H~1FH)
溢出标志位
V1.0
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SC92F7352/7351/7350
SinOne
1
F1
0
P
高速 1T 8051 内核 Flash MCU
F1 标志
用户自定义标志
奇偶标志位。此标志位为累加器 ACC 中 1 的个数的奇偶值。
1：ACC 中 1 的个数为奇数
0：ACC 中 1 的个数为偶数(包括 0 个)
数据指针 DPTR (82H、83H)
数据指针 DPTR 是一个 16 位的专用寄存器，由低 8 位 DPL（82H）和高 8 位 DPH（83H）组成。DPTR 是
以传统 8051 内核单片机中唯一可以直接进行 16 位操作的寄存器，也可以分别对 DPL 和 DPH 按字节进行操作。
7 电源、复位和时钟
7.1 电源电路
SC92F735X 电源核心包括了 BG、LDO、POR、LVR 等电路，可实现在 2.4~5.5V 范围内可靠工作。此外，
IC 内建了一个经调校过的精准 2.4V 电压, 可用作 ADC 内部参考电压。用户可在 16 模数转换 ADC 查找具体设置
内容。
7.2 上电复位过程
SC92F735X 上电后, 在客户端软件执行前, 会经过以下的过程：
复位阶段
调入信息阶段
正常操作阶段
7.2.1 复位阶段
是指 SC92F735X 会一直处于复位的情况, 直到供应给 SC92F735X 的电压高过某一电压, 内部才开始有效的
Clock。复位阶段的时间长短和外部电源的上升速度有关，外部电源达到内建 POR 电压后，复位阶段才会完成。
7.2.2 调入信息阶段
在 SC92F735X 内部有一个预热计数器。在复位阶段期间，此预热计数器一直被清为 0，直到电压过了 POR
电压后，内部 RC 振荡器开始起振，该预热计数器开始计数。当内部的预热计数器计数到一定数目后, 每隔一定数
量个 HRC clock 就会从 Flash ROM 中的 IFB（包含 Code Option）读出一个 byte 数据存放到内部系统寄存器中。
直到预热完成后，该复位信号才会结束。
7.2.3 正常操作阶段
结束调入信息阶段后, SC92F735X 开始从 Flash 中读取指令代码即进入正常操作阶段。这时的 LVR 电压值是
用户写入 Code Option 的设置值。
7.3 复位方式
SC92F735X 有 4 种复位方式：①外部 RST 复位②低电压复位 LVR③上电复位 POR④看门狗 WDT 复位。
7.3.1 外部 RST 复位
外部 RST 复位就是从外部 RST 给 SC92F735X 一定宽度的复位脉冲信号，来实现 SC92F735X 的复位。
RST/INT01/P1.1 具有复位功能，用户在烧录程序前可以通过烧录上位机软件配置 Customer Option 项来选择
将其修改为非复位脚。
7.3.2 低电压复位 LVR
SC92F735X 内建了一个低电压复位电路。而复位的门限电压有 4 种选择：4.3V、3.7V、2.9V、2.3V。缺省
值 Default 是用户写入的 Option 值。
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
OP_CTM0 (C1H@FFH) Customer Option 寄存器 0(读/写)
位编号
7
6
5
4
ENWDT
SCLKS[1:0]
符号
读/写
读/写
读/写
n
x
n
上电初始值
位编号
2
位符号
DISLVR
1~0
LVRS [1:0]
3
DISRST
2
DISLVR
1
0
LVRS[1:0]
读/写
n
读/写
n
读/写
n
说明
LVR 使能设置
0：LVR 正常使用
1：LVR 无效
LVR 电压选择控制
11： 4.3V 复位
10： 3.7V 复位
01： 2.9V 复位
00： 2.3V 复位
SC92F735X 的复位部分电路结构图如下：
RSTN
pin
De-Bounce
4.3V
3.7V
2.9V
2.3V
LVR
De-Bounce (~2uS)
RESET
Code option
SFR
POR
(Power-Up Reset)
WatchDogTimer
Overflow
SC92F735X 复位电路图
7.3.3 上电复位 POR
SC92F735X 内部有上电复位电路，当电源电压 VDD 达到 POR 复位电压时，系统自动复位。
7.3.4 看门狗复位 WDT
SC92F735X 有一个 WDT，其时钟源为内部的 128kHz 振荡器。用户可以通过编程器的 Code Option 选择是
否开启看门狗复位功能。
OP_CTM0 (C1H@FFH) Customer Option 寄存器 0(读/写)
位编号
7
6
5
4
SCLKS[1:0]
符号
ENWDT
读/写
上电初始值
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读/写
n
x
读/写
n
3
DISRST
2
DISLVR
读/写
n
读/写
n
1
0
LVRS[1:0]
读/写
n
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位编号
7
位符号
ENWDT
高速 1T 8051 内核 Flash MCU
说明
WDT 开关(此位由系统将用户 Code Option 所设的值调入)
1: WDT 开始工作
0: WDT 关闭
WDTCON (CFH) WDT 控制寄存器(读/写)
位编号
7
6
符号
读/写
上电初始值
x
x
位编号
4
位符号
CLRWDT
2~0
WDTCKS [2:0]
5
x
4
CLRWDT
读/写
0
-
2
0
1
WDTCKS[2:0]
读/写
0
0
0
说明
WDT 清“0”位(写 1 有效)
1 ：WDT 计数器从 0 开始计数
此位由系统硬件自动置 0
看门狗时钟选择
WDTCKS[2:0]
000
001
010
011
100
101
110
111
7~5,3
3
x
WDT 溢出时间
500ms
250ms
125ms
62.5ms
31.5ms
15.75ms
7.88ms
3.94ms
保留
7.3.5 复位初始状态
当 SC92F735X 处于复位状态时，多数寄存器会回到其初始状态。看门狗 WDT 处于关闭的状态。程序计数
器 PC 初始值为 0000h,堆栈指针 SP 初始值为 07h。“热启动”的 Reset（如 WDT、LVR 等）不会影响到 SRAM，
SRAM 值始终是复位前的值。SRAM 内容的丢失会发生在电源电压低到 RAM 无法保存为止。
SFR 寄存器的上电复位初始值如下表：
SFR 名称
初始值
ACC
00000000b
B
00000000b
PSW
00000000b
SP
00000111b
DPL
00000000b
DPH
00000000b
PCON
0xxxxx00b
ADCCFG0
0000xx00b
ADCCFG1
xxxxxx00b
ADCCON
00000000b
ADCVH
00000000b
ADCVL
0000xxxxb
BTMCON
00xx0000b
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SFR 名称
P0PH
P0VO
P1
P1CON
P1PH
P2
P2CON
P2PH
PWMCFG0
PWMCFG1
PWMCON
PWMDTY0
PWMDTY1
初始值
xx000000b
xxx00000b
00xx0000b
00xx0000b
00xx0000b
0000xx00b
0000xx00b
0000xx00b
xx000000b
xx000xxxb
00000000b
00000000b
00000000b
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IAPADE
IAPADH
IAPADL
IAPCTL
IAPDAT
IAPKEY
IE
IE1
INT0R
INT2R
INT0F
INT2F
IP
IP1
OTCON
OPINX
OPREG
IOHCON
P0
P0CON
高速 1T 8051 内核 Flash MCU
00000000b
xxx00000b
00000000b
xxxx0000b
00000000b
00000000b
00000x00b
xxxx000xb
xxxx0000b
xx00xxxxb
xxxx0000b
xx00xxxxb
x0000x00b
xxxx000xb
xxxx00xxb
00000000b
nnnnnnnnb
00000000b
xx000000b
xx000000b
PWMDTY2
PWMDTY3
PWMDTY4
PWMDTY5
PWMPRD
RCAP2H
RCAP2L
SBUF
SCON
TCON
TMCON
TMOD
TH0
TL0
TH1
TL1
T2CON
TH2
TL2
WDTCON
00000000b
00000000b
00000000b
00000000b
00000000b
00000000b
00000000b
00000000b
00000000b
0000xxxxb
xxxxx000b
x000x000b
00000000b
00000000b
00000000b
00000000b
0x00x0xxb
00000000b
00000000b
xxx0x000b
7.4 高频系统时钟电路
SC92F735X 内建了一个振荡频率可调的高精度 HRC，HRC 出厂时被精确地调校至 24MHz@5V/25℃，用户
可以通过编程器的 Code Option 将系统时钟设置为 24/12/6/2MHz 使用。调校过程是过滤掉制程上的偏差对精度
所造成的影响。此 HRC 受工作的环境温度和工作电压影响会有一定的漂移，对于压漂（4.0V~5.5V）以及(-20℃
~85℃)的温漂会在 ±1% 以内。
OP_CTM0 (C1H@FFH) Customer Option 寄存器 0(读/写)
位编号
7
6
5
4
符号
ENWDT
SCLKS[1:0]
读/写
读/写
读/写
上电初始值
n
x
n
位编号
5~4
位符号
SCLKS[1:0]
3
DISRST
读/写
n
2
DISLVR
读/写
n
1
0
LVRS[1:0]
读/写
n
说明
系统时钟频率选择：
00：系统时钟频率为高频振荡器频率除以 1；
01：系统时钟频率为高频振荡器频率除以 2；
10：系统时钟频率为高频振荡器频率除以 4；
11：系统时钟频率为高频振荡器频率除以 12。
SC92F735X 有一个特殊的功能：用户可修改 SFR 的值实现 HRC 频率在一定范围的调整。
OP_HRCR (83H@FFH) 系统时钟改变寄存器(读/写)
位编号
7
6
5
符号
读/写
上电初始值
n
n
n
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4
3
OP_HRCR[7:0]
读/写
n
n
2
1
0
n
n
n
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位编号
7~0
位符号
OP_HRCR[7:0]
高速 1T 8051 内核 Flash MCU
说明
HRC 频率改变寄存器
OP_HRCR[7:0]在上电后的值 HRC 确保 HRC 可准确工作在
24/12/6/2MHz (根据用户 Code Option 的选择)，此数值的初始值每颗
IC 都可能会有差异。用户可通过修改此寄存器的值实现 HRC 工作频率
的改变。
初始值为 OP_HRCR [s]，此时 IC 工作在 24/12/6/2MHz，OP_HRCR
[7:0]每改变 1 则 HRC 频率改变约 0.23%@12MHz。
OP_HRCR [7:0]和 HRC 输出频率的关系如下：
OP_HRCR [7:0]值
HRC 实际输出频率(12M 为例)
OP_HRCR [s]-n
12000*(1-0.23%*n)kHz
...
....
OP_HRCR [s]-2
12000*(1-0.23%*2) = 11944.8kHz
OP_HRCR [s]-1
12000*(1-0.23%*1) = 11972.4kHz
OP_HRCR [s]
12000kHz
OP_HRCR [s]+1
12000*(1+0.23%*1) = 12027.6kHz
OP_HRCR [s]+2
12000*(1+0.23%*2) = 12055.2kHz
...
...
OP_HRCR [s]+n
12000*(1+0.23%*n)kHz
说明：
1．IC 每次上电后 OP_HRCR[7:0]的值都是 HRC 工作在最接近
24/12/6/2MHz 的 HRC；用户可借助 EEPROM 在每次上电后修正 HRC
的值以让 HRC 工作在用户需要的频率；
2．为保证 IC 工作可靠，IC 最高工作频率不能超过 24MHz；
3．请用户确认 HRC 频率的改变不会影响其它功能。
7.5 低频振荡器及低频时钟定时器
SC92F735X 内建一个频率为 128kHz 的 RC 振荡电路，作为低频时钟定时器 Base Timer 和 WDT 的时钟源。
开启 Base Timer 或使能 WDT 均可启动 128kHz 低频振荡器。
低频时钟定时器 Base Timer 可以把 CPU 从 STOP mode 唤醒，并且产生中断。
BTMCON (CEH) 低频定时器控制寄存器(读/写)
位编号
7
6
5
符号
ENBTM
BTMIF
读/写
读/写
读/写
上电初始值
0
0
x
位编号
7
位符号
ENBTM
6
BTMIF
3~0
BTMFS [3:0]
Page 23 of 70
4
x
3
2
1
BTMFS[3:0]
读/写
0
0
0
0
0
说明
低频 Base Timer 启动控制
0： Base Timer 不启动
1： Base Timer 启动
Base Timer 中断申请标志
当 CPU 接受 Base Timer 的中断后, 此标志位会被硬件自动清除。
用户也可以用软件清除
低频时钟中断频率选择
0000：每 15.6ms 产生一个中断
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0001：每 31.3ms 产生一个中断
0010：每 62.5ms 产生一个中断
0011：每 125ms 产生一个中断
0100：每 0.25 秒产生一个 中断
0101：每 0.5 秒产生一个 中断
0110：每 1.0 秒产生一个 中断
0111：每 2.0 秒产生一个 中断
1000：每 4.0 秒产生一个 中断
其它：保留
保留
-
Base Timer 结构图如下：
内部128K LRC
Basetimer
Counter
BTMIF
EBTM
ENBTM
Base Timer 结构图
7.6 STOP 模式和 IDLE 模式
SC92F735X 提供了一个特殊功能寄存器 PCON。配置该寄存器的 bit0 和 bit1 可控制 MCU 进入不同的工作
模式。
对 PCON.1 写入 1，内部的高频系统时钟就会停止，进到 STOP 模式，达到省电功能。在 STOP 模式下，用
户可以通过外部中断 INT0、INT2 和低频时钟中断把 SC92F735X 唤醒，也可以通过外部复位将 STOP 唤醒。
对 PCON.0 写入 1，程序停止运行，进入 IDLE 模式，但外部设备及时钟继续运行，进入 IDLE 模式前所有
CPU 状态都被保存。IDLE 模式可由任何中断唤醒。
PCON (87H) 电源管理控制寄存器(只写、*不可读 *)
位编号
7
6
5
4
3
2
1
0
符号
SMOD
STOP
IDL
读/写
只写
只写
只写
上电初始值
0
x
x
x
x
x
0
0
位编号
1
位符号
STOP
0
IDL
说明
STOP 模式控制
0： 正常操作模式
1： 节能模式， 高频振荡器停止工作，低频振荡器及 WDT 可根据设定
选择工作与否。
IDLE 模式控制
0： 正常操作模式
1： 节能模式， 程序停止运行，但外部设备及时钟继续运行，进入
IDLE 模式前所有 CPU 状态都被保存。
注意：
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
配置 MCU 进入 STOP 或 IDLE 模式时，对 PCON 寄存器进行配置操作的语句后面要加上 8 个 NOP 指令，
不能直接跟其它指令，否则在唤醒后无法正常执行后续的指令！
例如：设置 MCU 进入 STOP 模式：
C 语言例程：
#include”intrins.h”
PCON |= 0x02;
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
……
汇编例程：
ORL PCON,#02H
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
……
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//PCON 的 bit1 STOP 位写 1，配置 MCU 进入 STOP 模式
//至少需要 8 个_nop_()
; PCON 的 bit1 STOP 位写 1，配置 MCU 进入 STOP 模式
; 至少需要 8 个 NOP
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
8 中央处理单元 CPU 及指令系统
8.1 CPU
SC92F735X 所用的 CPU 是一个 高速的 1T 标准 8051 内核，其指令完全兼容传统 8051 内核单片机。
8.2 寻址方式
SC92F735X 的 1T 8051 CPU 指令的寻址方式有：①立即寻址②直接寻址③间接寻址④寄存器寻址⑤相对寻
址⑥变址寻址⑦位寻址
8.2.1 立即寻址
立即寻址也称为立即数，它是在指令操作数中直接给出参加运算的操作数，指令举例如下：
MOV A, #50H （这条指令是将立即数 50H 送到累加器 A 中）
8.2.2 直接寻址
在直接寻址方式中，指令操作数域给出的是参加运算操作数的地址。直接寻址方式只能用来表示特殊功能寄
存器、内部数据寄存器和位地址空间。其中特殊功能寄存器和位地址空间只能用直接寻址方式访问。举例如下：
ANL 50H, #91H （表示 50H 单元中的数与立即数 91H 相“与”，结果存放在 50H 单元中。其中 50H 为直
接地址，表示内部数据寄存器 RAM 中的一个单元。）
8.2.3 间接寻址
间接寻址采用 R0 或 R1 前添加“@”符号来表示。假设 R1 中的数据是 40H，内部数据存储器 40H 单元的数据
为 55H,则指令为
MOV A, @R1 （ 把数据 55H 传送至累加器 A）。
8.2.4 寄存器寻址
寄存器寻址时对选定的工作寄存器 R7~R0、累加器 A、通用寄存器 B、地址寄存器和进位 C 中的数进行操作。
其中寄存器 R7~R0 由指令码的低 3 位表示，ACC、B、DPTR 及进位位 C 隐含在指令码中。因此，寄存器寻址也
包含一种隐含寻址方式。寄存器工作区的选择由程序状态字寄存器 PSW 中的 RS1、RS0 来决定。指令操作数指
定的寄存器均指当前工作区的寄存器。
INC R0
是指（R0）+1→R0
8.2.5 相对寻址
相对寻址是将程序计数器 PC 中的当前值与指令第二字节给出的数相加，其结果作为转移指令的转移地址。
转移地址也成为转移目的地址，PC 中的当前值成为基地址，指令第二字节给出的数成为偏移量。由于目的地址是
相对于 PC 中的基地址而言，所以这种寻址方式成为相对寻址。偏移量为带符号的数，所能表示的范围为+127~128.这种寻址方式主要用于转移指令。
JC ＄+50H
表示若进位位 C 为 0，则程序计数器 PC 中的内容不改变，即不转移。若进位位 C 为 1，则以 PC 中的当前值及
基地址，加上偏移量 50H 后所得到的结果作为该转移指令的目的地址。
8.2.6 变址寻址
在变址寻址方式中，指令操作数制定一个存放变址基址的变址寄存器。变址寻址时，偏移量与变址基值相加，
其结果作为操作数的地址。变址寄存器有程序计数器 PC 和地址寄存器 DPTR。
MOVC A, @A+DPTR
表示累加器 A 为偏移量寄存器，其内容与地址寄存器 DPTR 中的内容相加，其结果作为操作数的地址，取出
该单元中的数送入累加器 A 中。
8.2.7 位寻址
位寻址是指对一些可进行位操作的内部数据存储器 RAM 和特殊功能寄存器进行位操作时的寻址方式。在进
行位操作时，借助于进位位 C 作为位操作累加器，指令操作数直接给出该位的地址，然后根据操作码的性质对该
位进行位操作。位地址与字节直接寻址中的字节地址编码方式完全一样，主要由操作指令的性质加以区分，使用
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SC92F7352/7351/7350
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时应特别注意。
MOV C, 20H
高速 1T 8051 内核 Flash MCU
(将地址为 20H 的位操作寄存器值送入进位位 C 中。)
9 INTERRUPT 中断
SC92F735X 单片机提供 9 个中断源：Timer0，Timer1，Timer2，INT0，INT2，ADC，PWM，UART，
Base Timer。这 9 个中断源分为 2 个中断优先级，并可以单独分别设置为高优先级或者低优先级。两个外部中断
可以分别设定其中每个中断源的触发条件为上升、下降或上下沿，每个中断分别有独立的优先级设置位、中断标
志、中断向量和使能位，总的使能位 EA 可以实现所有中断的打开或者关闭。
9.1 中断源、向量
SC92F735X 的中断源、中断向量、及相关控制位列表如下：
中断源
中断发生
时间
中断标志
中断使能
控制
中断优先权
控制
中断向量
查询优先级
中断号
（C51）
标志清除
方式
能否唤醒
STOP
INT0
外部中断 0
条件符合
-
EINT0
IPINT0
0003H
1 (高)
0
-
能
Timer0
Timer0 溢
出
TF0
ET0
IPT0
000BH
2
1
H/W Auto
不能
Timer1
Timer1 溢
出
TF1
ET1
IPT1
001BH
3
3
H/W Auto
不能
UART
接收或发送
完成
RI/TI
EUART
IPUART
0023H
4
4
必须用户
清除
不能
Timer2
Timer2 溢
出
TF2
ET2
IPT2
002BH
5
5
必须用户
清除
不能
ADC
ADC 转换
完成
ADCIF
EADC
IPADC
0033H
6
6
必须用户
清除
不能
PWM
PWM 溢出
PWMIF
EPWM
IPPWM
0043H
7
8
H/W Auto
不能
BTM
Base timer
溢出
BTMIF
EBTM
IPBTM
004BH
8
9
H/W Auto
能
INT2
外部中断 2
条件符合
-
EINT2
IPINT2
0053H
9
10
-
能
在 EA=1 及各中断使能控制为 1 的情况下，各中断发生情况如下：
定时器中断：Timer0 和 Timer1 溢出时会产生中断并将中断标志 TF0 和 TF1 置为“1”，当单片机执行该定时
器中断时，中断标志 TF0 和 TF1 会被硬件自动清“0”。Timer2 溢出时会产生中断并将中断标志 TF2 置为“1”，在
Timer2 中断发生后，硬件并不会自动清除 TF2 位，此 bit 必须由使用者的软件负责清除。
UART 中断：当 UART 接收或发送一帧数据完成时 RI 或 TI 位会被硬件自动置“1”，UART 中断产生。在
UART 中断发生后，硬件并不会自动清除 RI/TI 位，此 bit 必须由使用者的软件负责清除。
ADC 中断：ADC 中断的发生时间为 ADC 转换完成时，其中断标志就是 ADC 转换结束标志 EOC/ADCIF
（ADCCON.4）。当使用者设定 ADCS 开始转换后，EOC 会被硬件自动清除为 “0” ；当转换完成后，EOC 会被
硬件自动置为 “1” 。使用者在 ADC 中断发生之后，进入中断服务程序时，必须用软件去清除它。
PWM 中断：当 PWM 计数器溢出时(也就是说: 计数器数到超过 PWMPRD 时)，PWMIF 位(PWM Interrupt
Flag)会被硬件自动置“1”，PWM 中断产生。当单片机执行该 PWM 中断时，中断标志 PWMIF 会被硬件自动清“0”。
外部中断 INT0、INT2：当外部中断口有中断条件发生时，外部中断就发生了。INT0 有四个外部中断源，
INT2 有两个外部中断源，用户可以根据需要设成上沿、下沿或者双沿中断，可通过设置 SFR （INTxF 和 INTxR）
来实现。用户可通过 IP 寄存器来设置每个中断的优先级级别。外部中断 INT0、INT2 还可以唤醒单片机的 STOP。
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
9.2 中断结构图
SC92F735X 的中断结构如下图所示：
IE[7] (EA)
Interrupt to 03 h
INT0
IE[0](EINT0)
IE[7] (EA)
Timer-0
IE[1] (ET0)
Interrupt to 0Bh
TCON[5] (TF0)
IE[7] (EA)
Timer-1
IE[3] (ET1)
Interrupt to 1Bh
TCON[7] (TF1)
IE[7] (EA)
UART
IE[4] (EUART)
Interrupt to 23 h
SCON[1:0] (TI/RI)
IE[7] (EA)
Timer-2
IE[5] (ET2)
Interrupt to 2Bh
T2CON[7] (TF2)
IE[7] (EA)
ADC
IE[6] (EADC)
Interrupt to 33 h
ADCCON[4] (EOC/ADCIF)
IE[7] (EA)
PWM
IE1[1] (EPWM)
Interrupt to 43 h
PWMCO N[6] (PWMIF)
IE[7] (EA)
BTM
IE1[2] (EBTM)
Interrupt to 4Bh
BTMCON[6] (BTMIF)
IE[7] (EA)
Interrupt to 53h
INT2
IE1[3] (EINT2)
SC92F735X 中断结构和向量
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9.3 中断优先级
SC92F735X 单片机的中断具有两个中断优先级，这些中断源的请求可编程为高优先级中断或者低优先级中
断，即可实现两级中断服务程序的嵌套。一个正在执行的低优先级中断能被高优先级中断请求所中断，但不能被
另一个同一优先级的中断请求所中断，一直执行到结束，遇到返回指令 RETI，返回主程序后再执行一条指令才能
响应新的中断请求。
也就是说：
① 低优先级中断可被高优先级中断请求所中断，反之不能；
② 任何一种中断，在响应过程中，不能被同一优先级的中断请求所中断。
中断查询顺序：SC92F735X 单片机的同一优先级中断，如果同时来几个中断，则中断响应的优先顺序同
C51 中的中断查询号相同，即查询号小的会优先响应，查询号大的会慢响应。
9.4 中断处理流程
当一个中断产生并且被 CPU 响应，则主程序运行被中断，将执行下述操作
① 当前正在执行的指令执行完；
② PC 值被压入堆栈，保护现场；
③ 中断向量地址载入程序计数器 PC；
④ 执行相应的中断服务程序；
⑤ 中断服务程序结束并 RETI；
⑥ 将 PC 值退栈，并返回执行中断前的程序。
在此过程中，系统不会立即执行其它同一优先级的中断，但会保留所发生的中断请求，在当前中断处理结束
后，转去执行新的中断请求。
9.5 中断相关 SFR 寄存器
IE (A8H) 中断使能寄存器(读/写)
位编号
7
6
符号
EA
EADC
读/写
读/写
读/写
上电初始值
0
0
位编号
7
位符号
EA
6
EADC
5
ET2
4
EUART
3
ET1
1
ET0
0
EINT0
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5
ET2
读/写
0
4
EUART
读/写
0
3
ET1
读/写
0
2
x
1
ET0
读/写
0
0
EINT0
读/写
0
说明
中断使能的总控制
0: 关闭所有的中断
1: 打开所有的中断
ADC 中断使能控制
0：关闭 ADC 中断
1：允许 ADC 转换完成时产生中断
Timer2 中断使能控制
0：关闭 TIMER2 中断
1：允许 TIMER2 中断
UART 中断使能控制
0：关闭 UART 中断
1：允许 UART 中断
Timer1 中断使能控制
0：关闭 TIMER1 中断
1：允许 TIMER1 中断
Timer0 中断使能控制
0：关闭 TIMER0 中断
1：允许 TIMER0 中断
外部中断 0 使能控制
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2
-
IP (B8H) 中断优先级控制寄存器(读/写)
7
6
位编号
IPADC
符号
读/写
读/写
x
0
上电初始值
位编号
6
位符号
IPADC
5
IPT2
4
IPUART
3
IPT1
1
IPT0
0
IPINT0
7,2
-
IE1 (A9H) 中断使能寄存器 1(读/写)
7
6
位编号
符号
读/写
x
x
上电初始值
位编号
3
位符号
EINT2
2
EBTM
1
EPWM
7~4,0
-
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
0：关闭 INT0 中断
1：打开 INT0 中断
保留
5
IPT2
4
IPUART
3
IPT1
2
x
1
IPT0
0
IPINT0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
3
EINT2
2
EBTM
1
EPWM
读/写
0
读/写
0
读/写
0
0
x
说明
ADC 中断优先权选择
0：ADC 中断优先权为低
1：ADC 中断优先权为高
Timer2 中断优先权选择
0：Timer2 中断优先权为低
1：Timer2 中断优先权为高
UART 中断优先权选择
0：UART 中断优先权为低
1：UART 中断优先权为高
Timer1 中断优先权选择
0：Timer1 中断优先权为低
1：Timer1 中断优先权为高
Timer0 中断优先权选择
0：Timer0 中断优先权为低
1：Timer0 中断优先权为高
INT0 计数器中断优先权选择
0：INT0 中断优先权为低
1：INT0 中断优先权为高
保留
5
x
4
x
说明
外部中断 2 使能控制
0：关闭 INT2 中断
1：打开 INT2 中断
Base Timer 中断使能控制
0： 关闭 Base Timer 中断
1： 允许 Base Timer 中断
PWM 中断使能控制
0：关闭 PWM 中断
1：允许 PWM 计数溢出（数到 PWMPRD）时产生中断
保留
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IP1 (B9H) 中断优先级控制寄存器 1(读/写)
7
6
位编号
符号
读/写
x
x
上电初始值
位编号
3
位符号
IPINT2
2
IPBTM
1
IPPWM
7~4,0
-
5
x
位符号
INT0Fn
(n=0~3)
7~4
-
位符号
INT0Rn
(n=0~3)
7~4
-
Page 31 of 70
位符号
INT2Fn
(n=4~5)
1
IPPWM
读/写
0
读/写
0
读/写
0
0
x
4
x
3
INT0F3
2
INT0F2
1
INT0F1
0
INT0F0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
3
INT0R3
2
INT0R2
1
INT0R1
0
INT0R0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
2
x
1
x
0
x
说明
INT0 下降沿中断控制
0 : INT0n 下降沿中断关闭
1: INT0n 下降沿中断使能
保留
4
x
说明
INT0 上升沿中断控制
0 : INT0n 上升沿中断关闭
1: INT0n 上升沿中断使能
保留
INT2F (C6H) INT2 下降沿中断控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
INT2F5
符号
读/写
读/写
x
x
0
上电初始值
位编号
5~4
2
IPBTM
说明
INT0R (BBH) INT0 上升沿中断控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
符号
读/写
x
x
x
上电初始值
位编号
3~1
3
IPINT2
INT2 计数器中断优先权选择
0：INT2 中断优先权为低
1：INT2 中断优先权为高
Base Timer 中断优先权选择
0：Base Timer 中断优先权为低
1：Base Timer 中断优先权为高
PWM 中断使能选择
0： PWM 中断优先权为低
1： PWM 中断优先权为高
保留
INT0F (BAH) INT0 下降沿中断控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
符号
读/写
x
x
x
上电初始值
位编号
3~1
4
x
4
INT2F4
读/写
0
3
x
说明
INT2 下降沿中断控制
0 : INT2n 下降沿中断关闭
1: INT2n 下降沿中断使能
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保留
-
7~6,3~0
INT2R (C7H) INT2 上升沿中断控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
INT2R5
符号
读/写
读/写
x
x
0
上电初始值
位编号
5~4
位符号
INT2Rn
(n=4~5)
7~6,3~0
-
4
INT2R4
3
x
读/写
0
2
x
1
x
0
x
说明
INT2 上升沿中断控制
0 : INT2n 上升沿中断关闭
1: INT2n 上升沿中断使能
保留
10 定时器 TIMER0 、TIMER1
T0 和 T1 是 SC92F735X 单片机内部的两个 16 位定时器/计数器，它们具有计数方式和定时方式两种工作模
式。特殊功能寄存器 TMOD 中有一个控制位 C/Tx 来选择 T0 和 T1 是定时器还是计数器。它们本质上都是一个加
法计数器，只是计数的来源不同。定时器的来源为系统时钟或者其分频时钟，但计数器的来源为外部管脚的输入
脉冲。只有在 TRx=1 的时候，T0 和 T1 才会被打开计数。
计数器模式下，P1.2/T0 和 P1.3/T1 管脚上的每一个脉冲，T0 和 T1 的计数值分别增加 1。
定时器模式下，可通过特殊功能寄存器 TMCON 来选择 T0 和 T1 的计数来源是 fSYS/12 或 fSYS (fSYS 为系统时
钟)。
定时器/计数器 T0 有 4 种工作模式，定时器/计数器 T1 有 3 种工作模式（模式三不存在）：
① 模式 0：13 位定时器/计数器模式
② 模式 1：16 位定时器/计数器模式
③ 模式 2： 8 位自动重载模式
④ 模式 3：两个 8 位定时器/计数器模式
在上述模式中，T0 和 T1 的模式 0、1、2 都相同，模式 3 不同。
10.1 T0 和 T1 相关特殊功能寄存器
符号
地址
说明
7
6
5
4
3
2
1
0
Reset 值
TF1
TR1
TF0
TR0
-
-
-
-
0000xxxxb
-
C/T1
M11
M01
-
C/T0
M10
M00
x000x000b
TCON
88H
定时器控制寄存器
TMOD
89H
定时器工作模式寄存器
TL0
8AH
定时器 0 低 8 位
TL0[7:0]
00000000b
TL1
8BH
定时器 1 低 8 位
TL1[7:0]
00000000b
TH0
8CH
定时器 0 高 8 位
TH0[7:0]
00000000b
TH1
8DH
定时器 1 高 8 位
TMCON
8EH
定时器频率控制寄存器
00000000b
TH1[7:0]
-
-
-
-
-
T2FD
T1FD
T0FD
xxxxx000b
各寄存器的解释说明如下：
TCON (88H) 定时器控制寄存器(读/写)
位编号
7
6
TF1
TR1
符号
读/写
上电初始值
Page 32 of 70
读/写
0
读/写
0
5
TF0
4
TR0
读/写
0
读/写
0
3
x
2
x
1
x
0
x
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SinOne
位编号
7
位符号
TF1
6
TR1
5
TF0
4
TR0
3~0
-
高速 1T 8051 内核 Flash MCU
说明
T1 溢出中断请求标志。T1 产生溢出，发生中断时，硬件将 TF1 置为
“1”，申请中断，CPU 响应时，硬件清“0”。
定时器 T1 的运行控制位。此位由软件置 1 和清 0。当 TR1=1 时，允许
T1 开始计数。TR1=0 时禁止 T1 计数。
T0 溢出中断请求标志。T0 产生溢出，发生中断时，硬件将 TF0 置为
“1”，申请中断，CPU 响应时，硬件清“0”。
定时器 T0 的运行控制位。此位由软件置位和清 0。当 TR0=1 时，允许
T0 开始计数。TR0=0 时禁止 T0 计数。
保留
TMOD (89H) 定时器工作模式寄存器(读/写)
位编号
7
6
5
C/T1
M11
符号
读/写
读/写
读/写
x
0
0
上电初始值
T1
位编号
6
位符号
C/T1
5~4
M11,M01
2
C/T0
1~0
M10,M00
7,3
-
4
M01
读/写
0
3
x
2
C/T0
1
M10
0
M00
读/写
0
读/写
0
读/写
0
T0
说明
TMOD[6]控制定时器 1
0：定时器，T1 计数来源于 fSYS 分频
1：计数器，T1 计数来源于外部管脚 T1/P1.3
定时器/计数器 1 模式选择
00 ： 13 位定时器/计数器，TL1 高 3 位无效
01 ： 16 位定时器/计数器，TL1 和 TH1 全
10 ： 8 位自动重载定时器，溢出时将 TH1 存放的值自动重装入 TL1
11 ： 定时器/计数器 1 无效(停止计数)
TMOD[2]控制定时器 0
0：定时器，T0 计数来源于 fSYS 分频
1：计数器，T0 计数来源于外部管脚 T0/P1.2
定时器/计数器 0 模式选择
00 ： 13 位定时器/计数器，TL0 高 3 位无效
01 ： 16 位定时器/计数器，TL0 和 TH0 全
10 ： 8 位自动重载定时器，溢出时将 TH0 存放的值自动重装入 TL0
11 ：定时器 0 此时作为双 8 位定时器/计数器。TL0 作为一个 8 位定时器
/计数器，通过标准定时器 0 的控制位控制；TH0 仅作为一个 8 位定时
器，由定时器 1 的控制位控制。
保留
TMOD 寄存器中 TMOD[0]~TMOD[2]是设置 T0 的工作模式；TMOD[4]~TMOD[6]是设置 T1 的工作模式。
定时器和计数器 Tx 功能由特殊功能寄存器 TMOD 的控制位 C/Tx 来选择，M0x 和 M1x 都是用来选择 Tx 的
工作模式。TRx 作为 T0 和 T1 的开关控制，只有 TRx=1 时 T0 和 T1 才打开。
TMCON (8EH) 定时器频率控制寄存器(读/写)
位编号
7
6
5
符号
读/写
x
x
x
上电初始值
Page 33 of 70
4
x
3
x
2
T2FD
1
T1FD
0
T0FD
读/写
0
读/写
0
读/写
0
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SinOne
位编号
1
位符号
T1FD
0
T0FD
高速 1T 8051 内核 Flash MCU
说明
T1 输入频率选择控制
0：T1 频率源自于 fSYS/12
1：T1 频率源自于 fSYS
T0 输入频率选择控制
0：T0 频率源自于 fSYS/12
1：T0 频率源自于 fSYS
IE (A8H) 中断使能寄存器(读/写)
位编号
7
6
EA
EADC
符号
读/写
上电初始值
读/写
0
读/写
0
位编号
3
位符号
ET1
1
ET0
IP (B8H) 中断优先级控制寄存器(读/写)
位编号
7
6
IPADC
符号
读/写
读/写
x
0
上电初始值
位编号
3
位符号
IPT1
1
IPT0
5
ET2
4
EUART
3
ET1
读/写
0
读/写
0
读/写
0
2
x
1
ET0
0
EINT0
读/写
0
读/写
0
1
IPT0
0
IPINT0
读/写
0
读/写
0
说明
Timer1 中断使能控制
0： 关闭 TIMER1 中断
1： 允许 TIMER1 中断
Timer0 中断使能控制
0： 关闭 TIMER0 中断
1： 允许 TIMER0 中断
5
IPT2
4
IPUART
3
IPT1
读/写
0
读/写
0
读/写
0
2
x
说明
Timer1 中断优先权
0：设定 Timer 1 的中断优先权是 “低”
1：设定 Timer 1 的中断优先权是 “高”
Timer0 中断优先权
0：设定 Timer 0 的中断优先权是 “低”
1：设定 Timer 0 的中断优先权是 “高”
10.2 T0 工作模式
通过对寄存器 TMOD 中的 M10、M00(TMOD[1]、TMOD[0])的设置，定时器/计数器 0 可实现 4 种不同的工
作模式 。
工作模式 0: 13 位计数器/定时器。
TH0 寄存器存放 13 位计数器/定时器的高 8 位(TH0.7~TH0.0), TL0 存放低 5 位(TL0.4~TL0.0)。TL0 的高三位
(TL0.7~TL0.5)是不确定值，读取时应被忽略掉。当 13 位定时器/计数器递增溢出时，系统会将定时器溢出标志
TF0 置 1。如果定时器 0 中断被允许，将会产生一个中断。
C/T0 位选择计数器/定时器的时钟输入源。如果 C/T0=1，定时器 0 输入脚 T0(P1.2)的电平从高到低的变化，
会使定时器 0 数据寄存器加 1。如果 C/T0=0，选择系统时钟的分频为定时器 0 的时钟源。
当 TR0 置 1 打开定时器 T0。TR0 置 1 并不强行复位定时器，意味着如果 TR0 置 1，定时器寄存器将从上次
TR0 清 0 时的值开始计数。所以，在允许定时器之前，应该设定定时器寄存器的初始值。
当作为定时器应用时，可配置 T0FD 来选择时钟源的分频比例。
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Fsys
/12
/1
高速 1T 8051 内核 Flash MCU
T0FD=0
T0FD=1
TMOD.2=0
(C/T0)
T0=P1.2
(TF0)
TL0
5 bit
TH0
8 bit
TMOD.2=1
(C/T0)
TCON.5
T0中断请求
(TR0)
TCON.4
定时器/计数器工作模式 0: 13 位定时器/计数器
工作模式 1: 16 位计数器/定时器
除了使用 16 位(TL0 的 8 位数据全部有效)计数器/定时器之外，模式 1 和模式 0 的运行方式相同。打开和配置
计数器/定时器方式也相同。
Fsys
/12
/1
T0FD=0
T0FD=1
TMOD.2=0
(C/T0)
T0=P1.2
(TF0)
TL0
8 bit
TH0
8 bit
TMOD.2=1
(C/T0)
TCON.5
T0中断请求
(TR0)
TCON.4
定时器/计数器工作模式 0: 16 位定时器/计数器
工作模式 2: 8 位自动重载计数器/定时器
在工作模式 2 中, 定时器 0 是 8 位自动重载计数器/定时器。TL0 存放计数值，TH0 存放重载值。当在 TL0
中的计数器溢出至 0x00 时，定时器溢出标志 TF0 被置 1，寄存器 TH0 的值被重载入寄存器 TL0 中。如果定时
器中断使能，当 TF0 置 1 时将产生一个中断，但在 TH0 中的重载值不会改变。在允许定时器正确计数开始之
前，TL0 必须初始化为所需要的值。
除了自动重载功能外，工作模式 2 中的计数器/定时器的使能和配置方式同模式 0 和 1 是相同的。
当作为定时器应用时，可配置寄存器 TMCON.0(T0FD)来选择定时器时钟源被系统时钟 fSYS 分频的比例。
Fsys
/12
/1
T0FD=0
T0FD=1
TMOD.2=0
(C/T0)
T0=P1.2
(TF0)
TL0
8 bit
TCON.5
T0中断请求
TMOD.2=1
(C/T0)
Set
(TR0)
TCON.4
TH0
8 bit
定时器/计数器工作模式 2: 自动重载的 8 位定时器/计数器
工作模式 3: 两个 8 位计数器/定时器(仅限于定时器 0)
在工作模式 3 中，定时器 0 用作两个独立的 8 位计数器/定时器，分别由 TL0 和 TH0 控制。TL0 通过定时
器 0 的控制位(在 TCON 中)和状态位(在 TMOD 中)：TR0、C/T0、TF0 控制。定时器 0 可通过 T0 的
TMOD.2(C/T0)来选择是定时器模式还是计数器模式。
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TH0 通过定时器 1 的控制 TCON 来设置相关的控制，但 TH0 仅被限定为定时器模式，无法通过
TMOD.2(C/T0)来设定为计数器模式。TH0 由定时器控制位 TR1 的控制使能，需设定 TR1=1。当发生溢出及产
生中断时，TF1 会置 1，并按 T1 发生中断来进行相应的处理。
在 T0 被设为工作模式 3 时，TH0 定时器占用了 T1 的中断资源及 TCON 中寄存器，T1 的 16 位计数器会
停止计数，相当于“TR1=0”。当采用 TH0 定时器工作时，需设置 TR1=1。
10.3 T1 工作模式
通过对寄存器 TMOD 中的 M11、M01(TMOD[5]、TMOD[4])的设置，定时器/计数器 1 可实现 3 种不同的工
作模式 。
工作模式 0: 13 位计数器/定时器。
TH1 寄存器存放 13 位计数器/定时器的高 8 位(TH1.7~TH1.0)；TL1 存放低 5 位(TL1.4~TL1.0)。TL1 的高三
位(TL1.7~TL1.5)是不确定值，读取时应被忽略掉。当 13 位定时器计数器递增溢出时，系统会将定时器溢出标志
TF1 置 1。如果定时器 1 中断被允许，将会产生一个中断。C/T1 位选择计数器/定时器的时钟源。
如果 C/T1=1，定时器 1 输入脚 T1(P1.3)的电平从高到低的变化，会使定时器 1 数据寄存器加 1。如果
C/T1=0，选择系统时钟的分频为定时器 1 的时钟源。
TR1 置 1 打开定时器。TR1 置 1 并不强行复位定时器，意味着如果 TR1 置 1，定时器寄存器将从上次 TR1
清 0 时的值开始计数。所以，在允许定时器之前，应该设定定时器寄存器的初始值。
当作为定时器应用时，可配置 T1FD 来选择时钟源的分频比例。
Fsys
/12
/1
T1FD=0
T1FD=1
TMOD.6=0
(C/T1)
T1=P1.3
(TF1)
TL1
5 bit
TH1
8 bit
TMOD.6=1
(C/T1)
TCON.7
T1中断请求
(TR1)
TCON.6
定时器/计数器工作模式 0: 13 位定时器/计数器
工作模式 1:16 位计数器/定时器
除了使用 16 位(TL1 的 8 位数据全部有效)计数器/定时器之外，模式 1 和模式 0 的运行方式相同。打开和配置
计数器/定时器方式也相同。
Fsys
/12
/1
T1FD=0
T1FD=1
TMOD.6=0
(C/T1)
T1=P1.3
(TF1)
TL1
8 bit
TMOD.6=1
(C/T1)
TH1
8 bit
TCON.7
T1中断请求
(TR1)
TCON.6
定时器/计数器工作模式 0: 16 位定时器/计数器
工作模式 2: 8 位自动重载计数器/计数器
在工作模式 2 中, 定时器 1 是 8 位自动重载计数器/定时器。TL1 存放计数值，TH1 存放重载值。当在 TL1
中的计数器溢出至 0x00 时，定时器溢出标志 TF1 被置 1，寄存器 TH1 的值被重载入寄存器 TL1 中。如果定时
器中断使能，当 TF1 置 1 时将产生一个中断，但在 TH1 中的重载值不会改变。在允许定时器正确计数开始之
前，TL1 必须初始化为所需要的值。
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
除了自动重载功能外，工作模式 2 中的计数器/定时器的使能和配置方式同方式 0 和 1 是相同的。
当作为定时器应用时，可配置寄存器 TMCON.4(T1FD)来选择定时器时钟源被系统时钟 fSYS 分频的比例。
Fsys
/12
/1
T1FD=0
T1FD=1
TMOD.6=0
(C/T1)
TL1
8 bit
T1=P1.3
TCON.7
T1中断请求
TMOD.6=1
(C/T1)
Set
(TR1)
TCON.6
TH1
8 bit
定时器/计数器工作模式 2: 自动重载的 8 位定时器/计数器
11 定时器 TIMER2
SC92F735X 单片机内部的 Timer2 作为定时器本质上都是一个加法计数器，定时器的时钟来源为系统时钟或
者其分频时钟。TR2 是 T2 计数的开关控制，只有在 TR2=1 的时候，T2 才会被打开计数。
定时器模式下，可通过特殊功能寄存器 TMCON 来选择 T2 的计数来源是 fSYS/12 或 fSYS。
定时器/计数器 T2 有 2 种工作模式：
① 模式 1：16 位自动重载定时器模式
② 模式 2： 波特率发生器模式
11.1 T2 相关特殊功能寄存器
符号
地址
说明
7
6
5
4
3
2
1
0
Reset 值
TF2
-
RCLK
TCLK
-
TR2
-
-
0x00x0xxb
T2CON
C8H
定时器 2 控制寄存器
RCAP2L
CAH
定时器 2 重载低 8 位
RCAP2L[7:0]
00000000b
RCAP2H
CBH
定时器 2 重载高 8 位
RCAP2H[7:0]
00000000b
TL2
CCH
定时器 2 低 8 位
TL2[7:0]
00000000b
TH2
CDH
定时器 2 高 8 位
TMCON
8EH
定时器频率控制寄存器
TH2[7:0]
-
-
-
-
-
00000000b
T2FD
T1FD
T0FD
xxxxx000b
各寄存器的解释说明如下：
T2CON (C8H) 定时器 2 控制寄存器(读/写)
位编号
7
6
5
TF2
RCLK
符号
读/写
读/写
读/写
0
x
0
上电初始值
位编号
7
位符号
TF2
5
RCLK
4
TCLK
Page 37 of 70
4
TCLK
读/写
0
3
x
2
TR2
1
x
读/写
0
0
x
说明
定时器 2 溢出标志位
0：无溢出(必须由软件清 0)
1：溢出(如果 RCLK = 0 和 TCLK = 0，由硬件设 1)
UART 接收时钟控制位
0：定时器 1 产生接收波特率
1：定时器 2 产生接收波特率
UART 发送时钟控制位
0：定时器 1 产生发送波特率
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2
TR2
6,3,1~0
-
高速 1T 8051 内核 Flash MCU
1：定时器 2 产生发送波特率
定时器 2 开始/停止控制位
0：停止定时器 2
1：开始定时器 2
固定写 0
TMCON (8EH) 定时器频率控制寄存器(读/写)
位编号
7
6
5
符号
读/写
x
x
x
上电初始值
位编号
2
位符号
T2FD
位编号
5
读/写
0
读/写
0
位符号
ET2
位符号
IPT2
2
T2FD
1
T1FD
0
T0FD
读/写
0
读/写
0
读/写
0
2
x
1
ET0
0
EINT0
读/写
0
读/写
0
1
IPT0
0
IPINT0
读/写
0
读/写
0
T2 输入频率选择控制
0：T2 频率源自于 fSYS/12
1：T2 频率源自于 fSYS
IP (B8H) 中断优先级控制寄存器(读/写)
位编号
7
6
IPADC
符号
读/写
读/写
x
0
上电初始值
位编号
5
3
x
说明
IE (A8H) 中断使能寄存器(读/写)
位编号
7
6
EA
EADC
符号
读/写
上电初始值
4
x
5
ET2
4
EUART
3
ET1
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
Timer2 中断使能控制
0： 关闭 TIMER2 中断
1： 允许 TIMER2 中断
5
IPT2
4
IPUART
3
IPT1
读/写
0
读/写
0
读/写
0
2
x
说明
Timer2 中断优先权
0：设定 Timer 2 的中断优先权是 “低”
1：设定 Timer 2 的中断优先权是 “高”
11.2 T2 工作模式
定时器 2 工作模式与配置方式如下表：
TR2
1
1
0
RCLK
0
1
X
X
TCLK
0
X
1
X
1
2
方式
16 位自动重载定时器
波特率发生器
X
定时器 2 停止
工作模式 1: 16 位自动重载定时器
在 16 位自动重载方式下，定时器 2 递增到 0xFFFFH，在溢出后置起 TF2 位，同时定时器自动将用户软件写
好的寄存器 RCAP2H 和 RCAP2L 的 16 位值装入 TH2 和 TL2 寄存器。
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T2FD = 0
Fsys
/12
TL2
TH2
RCAP2L
RCAP2H
/1
TR2
T2FD = 1
Reload
Overflow
Timer2
TF2
模式 1: 16 位自动重载 DCEN = 0
工作模式 2: 波特率发生器
通设置 T2CON 寄存器中的 TCLK 和/或 RCLK 选择定时器 2 作为波特率发生器。接收器和发送器的波特率可
以不同。如果定时器 2 作为接收器或发送器，则定时器 1 相应的作为另一种的波特率发生器
设置 T2CON 寄存器中的 TCLK 和/或 RCLK 使定时器 2 进入波特率发生器方式，该方式与自动重载方式相似
定时器 2 的溢出会使 RCAP2H 和 RCAP2L 寄存器中的值重载入定时器 2 计数，但不会产生中断
在 UART 方式 1 和 3 中的波特率由定时器 2 的溢出率根据下列方程式决定：
1
fn2
BaudRate =
×
16 (65536 − [RCAP2H, RCAP2L]) × 2
其中， fn2 为定时器 2 时钟频率：
fn2 =
fsys
12
;
fn2 = fsys;
T2FD = 0
T2FD = 1
定时器 2 作为波特率发生器的原理图如下：
Timer1 Overflow
Fsys
/2
"1"
/2
T2FD = 0
"0"
SMOD
/12
TL2
TH2
"1"
"0"
RCLK
/1
TR2
T2FD = 1
Rx
Clock
/16
RCAP2L
RCAP2H
"1"
"0"
TCLK
Tx
Clock
/16
模式 2：波特率发生器
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注意：
1. 当事件发生时或其它任何时间都能由软件设置 TF2 为 1，只有软件以及硬件复位才能使之清 0；
2. 当 EA = 1 且 ET2 = 1 时，设置 TF2 为 1 能引起定时器 2 中断；
3. 当定时器 2 作为波特率发生器时，写入 TH2/TL2 或 RCAP2H/RCAP2L 会影响波特率的准确性，引起通
信出错。
12 PWM
SC92F735X 提供了一个独立的计数器, 它可以支持 6 路的 PWM 输出：PWM0~5。
SC92F735X 的 PWM 具有的功能为：
① 8 位 PWM 精度；
② PWM0~5 周期相同，但占空比可单独设置；
③ 输出可设置正反向；
④ 提供 1 个 PWM 溢出的中断。
SC92F735X 的 PWM 可支持周期及占空比的调整，寄存器 PWMCON 控制 PWM0~5 相关设置，PWMCFG0、
PWMCFG1 设置 PWM 输出波形的极性及输出 IO 的选择，PWMPRD 设置 PWM 共同的周期，PWMDTY0~5 分
别控制 PWM0~5 的占空比。
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
12.1 PWM 结构框图
PWMn Output
ENPWMn
INVn
PWMDTYn
重装
Q
R
比较器
S
Fsys
/1
/2
.
.
.
/256
计数器
CKS
比较器
PWMIF
ENPWM
共用周期模块
缓存器
重装
PWMPRD
SC92F735X PWM 结构框图
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
12.2 PWM 相关 SFR 寄存器
符号
地址
说明
7
6
5
4
3
-
-
INV2
INV1
INV0
2
1
0
Reset 值
PWMCFG0
D1H PWM 设置寄存器 0
PWMCON
D2H PWM 控制寄存器
PWMPRD
D3H PWM 周期设置寄存器
PWMCFG1
D4H PWM 设置寄存器 1
PWMDTY0
D5H PWM0 占空比设置寄存器
PDT0[7:0]
00000000b
PWMDTY1
D6H PWM1 占空比设置寄存器
PDT1[7:0]
00000000b
PWMDTY2
D7H PWM2 占空比设置寄存器
PDT2[7:0]
00000000b
PWMDTY3
DDH PWM3 占空比设置寄存器
PDT3[7:0]
00000000b
PWMDTY4
DEH PWM4 占空比设置寄存器
PDT4[7:0]
00000000b
PWMDTY5
DFH PWM5 占空比设置寄存器
IE1
A9H 中断使能寄存器
-
-
-
-
EINT2
EBTM
EPWM
-
xxxx000xb
IP1
B9H 中断优先级控制寄存器 1
-
-
-
-
IPINT2
IPBTM
IPPWM
-
xxxx000xb
ENPWM
位符号
ENPWM
6
PWMIF
5
ENPWM2
4
ENPWM1
3
ENPWM0
2~0
PWMCKS[2:0]
Page 42 of 70
xx000000b
PWMCKS[2:0]
00000000b
PWMIF ENPWM2 ENPWM1 ENPWM0
PWMPRD[7:0]
-
-
INV5
INV4
INV3
00000000b
-
-
-
PDT5[7:0]
PWMCON (D2H)PWM 控制寄存器 (读/写)
位编号
7
6
5
ENPWM
PWMIF
ENPWM2
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
0
0
0
上电初始值
位编号
7
ENPWM5 ENPWM4 ENPWM3
4
ENPWM1
3
ENPWM0
读/写
0
读/写
0
xx000xxxb
00000000b
2
0
1
PWMCKS[2:0]
读/写
0
0
0
说明
PWM 模块开关控制(Enable PWM)
1：允许 Clock 进到 PWM 单元, 开始 PWM 的工作
0：PWM 单元停止工作，PWM 计数器清零。PWMn 仍接到输出口，
若要使用与 PWMn 输出口复用的其它功能，应将 ENPWMn 置 0
PWM 中断请求标志位(PWM Interrupt Flag)
当 PWM 计数器溢出时(也就是说: 数到超过 PWMPRD 时)， 此位会
被硬件自动设定成 1。如果此时 IE1[1] (EPWM) 也是被设定成 1,
PWM 的中断产生。
PWM2 功能开关
1：PWM2 输出到 IO
0：PWM2 不输出到 IO
PWM1 功能开关
1：PWM1 输出到 IO
0：PWM1 不输出到 IO
PWM0 功能开关
1：PWM0 输出到 IO
0：PWM0 不输出到 IO
PWM 时钟源选择(PWM ClocK source Selector)
000：fSYS
001：fSYS/2
010：fSYS/4
011：fSYS/8
100：fSYS/32
101：fSYS/64
110：fSYS/128
111：fSYS/256
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
PWMPRD[7:0] 是六路 PWM 共享的周期设置控制器。 每当 PWM 计数器数到 PWMPRD[7:0]预先设置的值
时, 下一个 PWM CLK 到来时该计数器会跳数到 00h，也就是说 PWM0~5 的周期都是 (PWMPRD[7:0] + 1 )*PWM
时钟。
PWM 计数器的计数时间可由 PWMCKS[2:0]所控制，分别可以选择不同个数的系统时钟去计数一个单位
(pre-scalar selector)，即选择 PWM 计数器时钟源被系统时钟 fSYS 分频的分频比。PWM0~5 还可以被 PWMCFG0、
PWMCFG1 中的 INV0~5 来选择 PWM 输出是否反向。
PWMPRD (D3H) PWM 周期设置寄存器(读/写)
位编号
7
6
5
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
0
0
0
上电初始值
位编号
7~0
位符号
PWMPRD[7:0]
位符号
INV2
4
INV1
3
INV0
2
ENPWM5
1
ENPWM4
0
ENPWM3
7~6
-
读/写
0
1
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
六路 PWM 共用的周期设置；
此数值代表 PWM0~5 输出波形的 (周期 – 1); 也就是说 PWM 输出的周
期值为(PWMPRD[7:0] + 1 )* PWM 时钟；
4
INV1
3
INV0
读/写
0
读/写
0
2
ENPWM5
读/写
0
1
ENPWM4
0
ENPWM3
读/写
0
读/写
0
1
x
0
x
说明
PWM2 输出反向控制
1 ：把 PWM2 的输出反向
0 ：PWM2 的输出不反向
PWM1 输出反向控制
1 ：把 PWM1 的输出反向
0 ：PWM1 的输出不反向
PWM0 输出反向控制
1 ：把 PWM0 的输出反向
0 ：PWM0 的输出不反向
PWM5 功能开关
1：PWM5 输出到 IO
0：PWM5 不输出到 IO
PWM4 功能开关
1：PWM4 输出到 IO
0：PWM4 不输出到 IO
PWM3 功能开关
1：PWM3 输出到 IO
0：PWM3 不输出到 IO
保留
PWMCFG1 (D4H) PWM 设置寄存器 1(读/写)
位编号
7
6
5
INV5
符号
读/写
读/写
x
x
0
上电初始值
Page 43 of 70
读/写
0
2
说明
PWMCFG0 (D1H) PWM 设置寄存器 0(读/写)
位编号
7
6
5
INV2
符号
读/写
读/写
x
x
0
上电初始值
位编号
5
4
3
PWMPRD[7:0]
4
INV4
3
INV3
读/写
0
读/写
0
2
x
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位编号
5
位符号
INV5
4
INV4
3
INV3
7~6, 2~0
-
高速 1T 8051 内核 Flash MCU
说明
PWM5 输出反向控制
1 ：把 PWM5 的输出反向
0 ：PWM5 的输出不反向
PWM4 输出反向控制
1 ：把 PWM4 的输出反向
0 ：PWM4 的输出不反向
PWM3 输出反向控制
1 ：把 PWM3 的输出反向
0 ：PWM3 的输出不反向
保留
PWMDTY0 (D5H) PWM0 占空比设置寄存器(读/写)
位编号
7
6
5
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
0
0
0
上电初始值
位编号
7~0
位符号
PDT0 [7:0]
位符号
PDT1[7:0]
位符号
PDT2[7:0]
Page 44 of 70
位符号
PDT3 [7:0]
读/写
0
1
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
4
3
PDT1[7:0]
2
1
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
2
1
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
2
1
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
PWM1 占空比长度设置；
PWM1 的高电平宽度 是 (PDT1[7:0])个 PWM 时钟
4
3
PDT2[7:0]
读/写
0
读/写
0
说明
PWM2 占空比长度设置；
PWM2 的高电平宽度 是 (PDT2[7:0])个 PWM 时钟
PWMDTY3 (DDH) PWM3 占空比设置寄存器(读/写)
位编号
7
6
5
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
0
0
0
上电初始值
位编号
7~0
读/写
0
2
PWM0 占空比长度设置；
PWM0 的高电平宽度 是 (PDT0[7:0])个 PWM 时钟
PWMDTY2 (D7H) PWM2 占空比设置寄存器(读/写)
位编号
7
6
5
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
0
0
0
上电初始值
位编号
7~0
3
PDT0[7:0]
说明
PWMDTY1 (D6H) PWM1 占空比设置寄存器(读/写)
位编号
7
6
5
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
0
0
0
上电初始值
位编号
7~0
4
4
3
PDT3[7:0]
读/写
0
读/写
0
说明
PWM3 占空比长度设置；
V1.0
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
PWM3 的高电平宽度 是 (PDT3[7:0])个 PWM 时钟
PWMDTY4 (DEH) PWM4 占空比设置寄存器(读/写)
位编号
7
6
5
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
0
0
0
上电初始值
位编号
7~0
位符号
PDT4[7:0]
位符号
PDT5[7:0]
位符号
EPWM
位符号
IPPWM
读/写
0
1
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
4
3
PDT5[7:0]
2
1
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
0
x
说明
PWM5 占空比长度设置；
PWM5 的高电平宽度 是 (PDT5[7:0])个 PWM 时钟
5
x
4
x
3
EINT2
2
EBTM
1
EPWM
读/写
0
读/写
0
读/写
0
3
IPINT2
2
IPBTM
1
IPPWM
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
PWM 中断使能控制
0：关闭 PWM 中断
1：允许 PWM 计数器溢出时产生中断
IP1 (B9H) 中断优先级控制寄存器 1(读/写)
位编号
7
6
符号
读/写
x
x
上电初始值
位编号
1
读/写
0
2
PWM4 占空比长度设置；
PWM4 的高电平宽度 是 (PDT4[7:0])个 PWM 时钟
IE1 (A9H) 中断使能寄存器(读/写)
位编号
7
6
符号
读/写
x
x
上电初始值
位编号
1
3
PDT4[7:0]
说明
PWMDTY5 (D7H) PWM5 占空比设置寄存器(读/写)
位编号
7
6
5
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
0
0
0
上电初始值
位编号
7~0
4
5
x
4
x
0
x
说明
PWM 中断优先权选择
0：设定 PWM 的中断优先级是 “低”
1：设定 PWM 的中断优先级是 “高”
注意事项：
1. ENPWM 位能控制 PWM 模块是否工作。
2. ENPWMn 位能选择 PWMn 口作为 GPIO 还是作为 PWMn 输出。
3. EPWM(IE1.1)位能控制 PWM 是否被允许产生中断。
4. 如果 ENPWM 置 1，PWM 模块被打开，但 ENPWMn=0，PWM 输出被关闭并作为 GPIO 口。此时
PWM 模块可以作为一个 8 位 Timer 使用，此时 EPWM(IE1.1)被置 1，PWM 仍然会产生中断。
5. 六个 PWM 共用周期，溢出时产生 PWM 中断是同一中断向量。
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
12.3 PWM 波形及用法
各 SFR 参数改变对 PWM 波形影响如下所述：
① 占空比变化特性
当 PWMn 输出波形时，若需改变占空比，可通过改变高电平设置寄存器(PWMDTYn)的值实现。但需要注意，
更改 PWMDTYn 的值，占空比会即时生效。
② 周期变化特性
初始值：PWMDTYn=h
(PWMPRD=n)
执行指令：
指令1
h
h
h
指令1：设置PWMPRD=m
指令2：设置PWMPRD=k
指令2
h
h
h
h
h
h
k+1
k+1
k+1
PWM波形：
PWM周期：
n+1
n+1
n+1
m+1
m+1
m+1
周期变化特性图
当 PWMn 输出波形时，若需改变周期，可通过改变周期设置寄存器 PWMPRD 的值实现。同改变占空比一样，
更改 PWMPRD 的值，周期不会立即改变，而是等待本周期结束，在下个周期改变，参考上图所示。
③ 周期和占空比的关系
1
2
...
3
周期
PWM时钟单元
周期=PWMPRD+1
Low
PWMDTYn=00H
High
PWMDTYn=01H
Low
PWMDTYn=02H
High
Low
PWMDTYn=PWMPRD
High
Low
PWMDTYn PWMPRD+1
High
周期与占空比关系图
周期和占空比的关系如上图所示。该结果的前提是 PWMn(n=0~5) 输出反向控制(INVn)初始为 0，若需得到
相反结果，可置 INVn 为 1。
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
13 GP I/O
SC92F735X 提供了最多 18 个可控制的双向 GPIO 端口，输入输出控制寄存器用来控制各端口的输入输出状
态，当端口作为输入时，每个 I/O 端口带有由 PxPHy 控制的内部上拉电阻。此 18 个 IO 同其他功能复用, 其中
P0.0~P0.4 可以通过设置输出二分之一 VDD 的电压，可用来作为 LCD 显示的 COM 驱动。I/O 端口在输出状态下，
读到的是端口数据寄存器里的值。
注意：未使用及封装未引出的 IO 口均要设置为强推挽输出模式。
13.1 GPIO 结构图
强推挽输出模式
强推挽输出模式下，能够提供持续的大电流驱动：大于 16mA 的输出高，大于 47mA 的输出低。
强推挽输出模式的端口结构示意图如下：
VDD
P
PORT
N
PxCy = 1
output register
GND
强推挽输出模式
带上拉的输入模式
带上拉的输入模式下，输入口上恒定接一个上拉电阻，仅当输入口上电平被拉低时，才会检测到低电平信号。
带上拉的输入模式的端口结构示意图如下：
VDD
上拉电阻
PxCy = 0
PxHy = 1
Input
PORT
带上拉的输入模式
高阻输入模式(Input only)
高阻输入模式的端口结构示意图如下所示：
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PxCy = 0
PxHy = 0
Input
PORT
高阻输入模式
13.2 I/O 端口相关寄存器
P0CON (9AH) P0 口输入/输出控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
P0C5
符号
读/写
读/写
x
x
0
上电初始值
4
P0C4
3
P0C3
2
P0C2
1
P0C1
0
P0C0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
4
P0H4
3
P0H3
2
P0H2
1
P0H1
0
P0H0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
P1CON (91H) P1 口输入/输出控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
P1C7
P1C6
符号
读/写
读/写
读/写
0
0
x
上电初始值
4
x
3
P1C3
2
P1C2
1
P1C1
0
P1C0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
P1PH (92H) P1 口上拉电阻控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
P1H7
P1H6
符号
读/写
读/写
读/写
0
0
x
上电初始值
4
x
3
P1H3
2
P1H2
1
P1H1
0
P1H0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
4
P2C4
3
x
2
x
1
P2C1
0
P2C0
读/写
0
读/写
0
3
x
2
x
1
P2H1
0
P2H0
读/写
0
读/写
0
P0PH (9BH) P0 口上拉电阻控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
P0H5
符号
读/写
读/写
x
x
0
上电初始值
P2CON (A1H) P2 口输入/输出控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
P2C7
P2C6
P2C5
符号
读/写
上电初始值
读/写
0
读/写
0
P2PH (A2H) P2 口上拉电阻控制寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
P2H7
P2H6
P2H5
符号
4
P2H4
读/写
上电初始值
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
位编号
7~0
位符号
PxCy
（x=0~2, y=0~7）
7~0
PxHy
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读/写
0
读/写
0
说明
Px 口输入输出控制：
0：Pxy 为输入模式（上电初始值）
1：Pxy 为强推挽输出模式
Px 口上拉电阻设置，仅在 PxCy=0 时有效：
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（x=0~2, y=0~7）
P0 (80H) P0 口数据寄存器(读/写)
7
6
位编号
符号
读/写
x
x
上电初始值
P1 (90H) P1 口数据寄存器(读/写)
7
6
位编号
P1.7
P1.6
符号
读/写
上电初始值
读/写
0
读/写
0
P2 (A0H) P2 口数据寄存器(读/写)
7
6
位编号
P2.7
P2.6
符号
读/写
上电初始值
读/写
0
读/写
0
0：Pxy 为高阻输入模式（上电初始值），上拉电阻关闭；
1：Pxy 上拉电阻打开
5
P0.5
4
P0.4
3
P0.3
2
P0.2
1
P0.1
0
P0.0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
5
x
4
x
3
P1.3
2
P1.2
1
P1.1
0
P1.0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
5
P2.5
4
P2.4
0
P2.0
读/写
0
2
x
1
P2.1
读/写
0
3
x
读/写
0
读/写
0
3
2
1
0
IOHCON(97H) 输出电流设置寄存器(读/写)
7
6
5
4
位编号
P2H[1:0]
P2L[1:0]
符号
读/写
上电初始值
读/写
0
读/写
0
位编号
7~6
位符号
P2H[1:0]
5~4
P2L[1:0]
3~2
P0H[1:0]
1~0
P0L[1:0]
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读/写
0
读/写
0
P0H[1:0]
读/写
0
读/写
0
P0L[1:0]
读/写
0
读/写
0
说明
P2 高四位 IOH 设置
00：设置 P2 高四位 IOH 等级 0（最大）；
01：设置 P2 高四位 IOH 等级 1；
10：设置 P2 高四位 IOH 等级 2；
11：设置 P2 高四位 IOH 等级 3（最小）；
P2 低四位 IOH 设置
00：设置 P2 低四位 IOH 等级 0（最大）；
01：设置 P2 低四位 IOH 等级 1；
10：设置 P2 低四位 IOH 等级 2；
11：设置 P2 低四位 IOH 等级 3（最小）；
P0 高四位 IOH 设置
00：设置 P0 高四位 IOH 等级 0（最大）；
01：设置 P0 高四位 IOH 等级 1；
10：设置 P0 高四位 IOH 等级 2；
11：设置 P0 高四位 IOH 等级 3（最小）；
P0 低四位 IOH 设置
00：设置 P0 低四位 IOH 等级 0（最大）；
01：设置 P0 低四位 IOH 等级 1；
10：设置 P0 低四位 IOH 等级 2；
11：设置 P0 低四位 IOH 等级 3（最小）；
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14 软件 LCD 驱动
SC92F735X 的 P0.0~P0.4 可作为软件 LCD 的 COM 口，这些 IO 除了正常 IO 功能外，还可输出 1/2VDD 电压。
用户可根据使用情况，选择相应 IO 作为 LCD 驱动的 COM。
14.1 软件 LCD 驱动相关寄存器
LCD 驱动相关 SFR 寄存器说明如下：
P0VO (9CH) P0 口 LCD 电压输出寄存器(读/写)
7
6
5
位编号
符号
读/写
x
x
x
上电初始值
P0yVO (y=0~4)
0
1
3
P03VO
2
P02VO
1
P01VO
0
P00VO
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
P0y 口输出选择
P0y
普通 IO 口
打开 Pxy 口的 LCD 电压输出功能, Pxy 输出电压为 1/2VDD
X
1
OTCON (8FH) 输出控制寄存器(读/写)
7
6
位编号
符号
读/写
x
x
上电初始值
位编号
3~2
4
P04VO
位符号
VOIRS[1:0]
5
x
4
x
3
2
VOIRS[1:0]
读/写
0
读/写
0
1
x
0
x
说明
LCD 电压输出口分压电阻选择（根据 LCD 屏大小选择适合的驱动）
00：关闭内部分压电阻（省电）
01：设定内部分压电阻为 12.5K
10：设定内部分压电阻为 37.5K
11：设定内部分压电阻为 87.5K
15 UART
15.1 UART 相关寄存器
SCON (98H) 串口控制寄存器(读/写)
位编号
7
6
SM0
SM1
符号
读/写
上电初始值
位编号
7~6
Page 50 of 70
读/写
0
位符号
SM0~1
读/写
0
5
SM2
4
REN
3
TB8
2
RB8
1
TI
0
RI
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
串行通信模式控制位
00：模式 0，8 位半双工同步通信模式，在 RX 引脚上收发串行数据。
TX 引脚用作发送移位时钟。每帧收发 8 位，低位先接收或发送；
01：模式 1，10 位全双工异步通信，由 1 个起始位，8 个数据位和 1 个
停止位组成，通信波特率可变；
10：模式 2，11 位全双工异步通信，由 1 个起始位，8 个数据位，一个
可编程的第 9 位和 1 个停止位组成；
11：模式 3，11 位全双工异步通信，由 1 个起始位，8 个数据位，一个
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SM2
4
REN
3
2
1
0
TB8
RB8
TI
RI
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可编程的第 9 位和 1 个停止位组成，通信波特率可变。
串行通信模式控制位 2，此控制位只对模式 2，3 有效
0：每收到一个完整的数据帧就置位 RI 产生中断请求；
1：收到一个完整的数据帧时，只有当 RB8=1 时才会置位 RI 产生中断
请求。
接收允许控制位
0：不允许接收数据；
1：允许接收数据。
只对模式 2、3 有效，为发送数据的第 9 位
只对模式 2、3 有效，为接收数据的第 9 位
发送中断标志位
接收中断标志位
SBUF (99H) 串口数据缓存寄存器(读/写)
位编号
7
6
符号
读/写
读/写
读/写
0
0
上电初始值
位编号
7~0
位符号
SBUF[7:0]
5
读/写
0
位符号
SMOD
读/写
0
读/写
0
2
1
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
串口数据缓存寄存器
SBUF 包含两个寄存器：一个发送移位寄存器和一个接收锁存器，写入
SBUF 的数据将送至发送移位寄存器，并启动发送流程，读 SBUF 将返
回接收锁存器中的内容。
PCON (87H) 电源管理控制寄存器(只写、*不可读 *)
位编号
7
6
5
SMOD
符号
读/写
x
x
x
上电初始值
位编号
7
4
3
SBUF[7:0]
4
x
3
x
2
x
1
STOP
0
IDL
只写
0
只写
0
说明
波特率倍率设置位
0：SM0~1 = 00 时，串行端口在系统时钟的 1/12 下运行、SM0~1 = 10
时，串行端口在系统时钟的 1/64 下运行；
1：SM0~1 = 00 时，串行端口在系统时钟的 1/4 下运行、SM0~1 = 10
时，串行端口在系统时钟的 1/32 下运行。
15.2 串口通信的波特率
方式 0 中，波特率可编程为系统时钟的 1/12 或 1/4，由 SMOD(PCON.7)位决定。当 SMOD 为 0 时，串行端
口在系统时钟的 1/12 下运行。当 SMOD 为 1 时，串行端口在系统时钟的 1/4 下运行。
在方式 1 和方式 3 中，波特率可选择来至定时器 1 或定时器 2 的溢出率。
分别置 TCLK(T2CON.4)和 RCLK(T2CON.5)位为 1 来选择定时器 2 作为 TX 和 RX 的波特时钟源(详见定时器
章节)。无论 TCLK 还是 RCLK 为逻辑 1，定时器 2 都为波特率发生器方式。如果 TCLK 和 RCLK 为逻辑 0，定时
器 1 作为 Tx 和 Rx 的波特时钟源。
方式 1 和方式 3 波特率公式如下所示，其中 TH1 是定时器 1 的 8 位自动重载寄存器，SMOD 为 UART 的波特
率二倍频器，[RCAP2H、RCAP2L]是定时器 2 的 16 位重载入寄存器。
1. 用定时器 1 作为波特率发生器，定时器 1 工作在模式 2：
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BaudRate =
2𝑆𝑀𝑂𝐷
fn1
×
16
(256 − TH1) × 2
其中， fn1 为定时器 1 时钟频率：
fn1 =
fsys
12
;
fn1 = fsys;
2.
T1FD = 0
T1FD = 1
用定时器 2 作为波特率发生器：
BaudRate =
1
fn2
×
16 (65536 − [RCAP2H, RCAP2L]) × 2
其中， fn2 为定时器 2 时钟频率：
fn2 =
fsys
12
;
fn2 = fsys;
T2FD = 0
T2FD = 1
方式 1 和方式 3 波特率发生器的原理图如下：
SMOD
"0"
/2
Timer1 Overflow
"1"
Timer2 Overflow
"1"
"0"
RCLK
Rx
Clock
/16
"1"
"0"
TCLK
Tx
Clock
/16
方式 1 和方式 3 波特率发生器原理
在方式 2 中，波特率固定为系统时钟的 1/32 或 1/64，由 SMOD 位(PCON.7)决定。当 SMOD 位为 0 时，波特
率为系统时钟的 1/64。当 SMOD 位为 1 时，波特率为系统时钟的 1/32。
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16 模数转换 ADC
SC92F735X 内建一个 12-bit 9 通道的高精度逐次逼近型 ADC ，外部的 8 路 ADC 和 IO 口的其它功能复用。
内部还有一个通道可选择到 1/4 VDD，配合内部 2.4V 参考电压用于测量 VDD 电压。
ADC 的参考电压可以有 2 种选择：
① 是 VDD 管脚（即直接是内部的 VDD）；
② 是内部 Regulator 输出的参考电压精准的 2.4V。
16.1 ADC 相关寄存器
ADCCON (ADH) ADC 控制寄存器(读/写)
位编号
7
6
5
ADCEN
ADCS
LOWSP
符号
读/写
上电初始值
读/写
0
读/写
0
位编号
7
位符号
ADCEN
6
ADCS
5
LOWSP
4
EOC /ADCIF
3~0
ADCIS[3:0]
Page 53 of 70
读/写
0
4
EOC/ADCIF
3
读/写
0
读/写
0
2
1
ADCIS[3:0]
读/写
0
读/写
0
0
读/写
n
说明
启动 ADC 的电源
0：关闭 ADC 模块电源
1：开启 ADC 模块电源
ADC 开始触发控制（ADC Start）
对此 bit 写 “1”，开始做一次 ADC 的转换，即该位只是 ADC 转换的触发
信号。此位只可写入 1 有效。
注意：对 ADCS 写“1”后，到中断标志 EOC/ADCIF 置起前不要对
ADCCON 寄存器进行写操作
ADC 采样时钟频率选择(ADC Sampling Clocks Selector)
0： 设定 ADC 所使用的 clock 频率为 2MHz
1： 设定 ADC 所使用的 clock 频率为 333kHz
LOWSP 控制的是 ADC 的采样时钟频率，ADC 的转换时钟频率固定为
2MHz，且不受 LOWSP 位的影响
ADC 需经历 6 个 ADC 采样时钟加上 14 个 ADC 转换时钟的时间才能完
成从采样到转换的整个过程，因此在实际使用中，ADC 从采样到完成转
换的总时间计算如下：
LOWSP=0：TADC1=6*(1/2MHz)+14*(1/2 MHz)=10us；
LOWSP=1：TADC2=6*(1/333kHz)+14*(1/2 MHz)=25us。
转换完成/ADC 中断请求标志(End Of Conversion / ADC Interrupt Flag)
0：转换尚未完成
1：ADC 转换完成。需用户软件清除
ADC 转换完成标志 EOC：当使用者设定 ADCS 开始转换后，此位会被
硬件自动清除为 0； 当转换完成后, 此位会被硬件自动置为 1；
ADC 中断请求标志 ADCIF：此位同时也当作是 ADC 中断的中断请求标
志，如果用户使能 ADC 中断， 那么在 ADC 的 中断 发生后, 用户必须
用软件清除此位。
ADC 输入通道选择(ADC Input Selector)
0000：选用 AIN0 为 ADC 的输入
0001：选用 AIN1 为 ADC 的输入
0100：选用 AIN4 为 ADC 的输入
0101：选用 AIN5 为 ADC 的输入
0110：选用 AIN6 为 ADC 的输入
0111：选用 AIN7 为 ADC 的输入
1000：选用 AIN8 为 ADC 的输入
1001：选用 AIN9 为 ADC 的输入
1111： ADC 输入为 1/4 VDD，可用于测量电源电压
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
其它：保留
ADCCFG0 (ABH) ADC 设置寄存器 0(读/写)
位编号
7
6
5
EAIN7
EAIN6
EAIN5
符号
读/写
上电初始值
读/写
0
读/写
0
读/写
0
ADCCFG1 (ACH) ADC 设置寄存器 1(读/写)
7
6
位编号
符号
读/写
x
x
上电初始值
位编号
0
位符号
EAINx
(x=0~1, 4~9)
5
x
4
EAIN4
2
x
1
EAIN1
0
EAIN0
读/写
0
3
x
读/写
0
读/写
0
4
x
3
x
2
x
1
EAIN9
0
EAIN8
读/写
0
读/写
0
说明
ADC 端口设置寄存器
0：设定 AINx 为 IO 口
1：设定 AINx 为 ADC 输入，并自动将上拉电阻移除。
OP_CTM1 (C2H@FFH) Customer Option 寄存器 1(读/写)
7
6
5
4
位编号
VREFS
符号
读/写
上电初始值
位编号
7
读/写
n
x
位符号
VREFS
x
ADCVH (AFH) ADC 转换数值寄存器(高 8 位)(读/写)
7
6
5
位编号
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
0
0
0
上电初始值
位符号
ADCV[11:4]
ADCV[3:0]
IE (A8H) 中断使能寄存器(读/写)
位编号
7
6
EA
EADC
符号
读/写
上电初始值
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读/写
0
读/写
0
2
IAPS[1:0]
读/写
读/写
n
n
1
x
0
x
说明
参考电压选择(初始值从 Code Option 调入，用户可修改设置)
0：设定 ADC 的 VREF 为 VDD
1：设定 ADC 的 VREF 为 内部准确的 2.4V
ADCVL (AEH) ADC 转换数值寄存器(低 4 位)(读/写)
7
6
5
位编号
ADCV[3:0]
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
0
0
0
上电初始值
位编号
11~4
3~0
x
3
4
3
x
2
x
1
x
0
x
4
3
ADCV[11:4]
2
1
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
2
x
1
ET0
0
EINT0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
ADC 转换值的高 8 位数值
ADC 转换值的低 4 位数值
5
ET2
4
EUART
3
ET1
读/写
0
读/写
0
读/写
0
V1.0
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位编号
6
位符号
EADC
高速 1T 8051 内核 Flash MCU
说明
ADC 中断使能控制
0： 不允许 EOC/ADCIF 产生中断
1： 允许 EOC/ADCIF 产生 中断
IP (B8H) 中断优先级控制寄存器(读/写)
位编号
7
6
IPADC
符号
读/写
读/写
x
0
上电初始值
位编号
6
位符号
IPADC
5
IPT2
4
IPUART
3
IPT1
读/写
0
读/写
0
读/写
0
2
x
1
IPT0
0
IPINT0
读/写
0
读/写
0
说明
ADC 中断优先权选择
0：设定 ADC 的中断优先级是 “低”
1：设定 ADC 的中断优先级是 “高”
16.2 ADC 转换步骤
用户实际进行 ADC 转换所需要的操作步骤如下：
① 设定 ADC 输入管脚；（设定 AINx 对应的位为 ADC 输入，通常 ADC 管脚会预先固定）
② 设定 ADC 参考电压 Vref, 设定 ADC 转换所用的频率；
③ 开启 ADC 模块电源；
④ 选择 ADC 输入通道；(设置 ADCIS 位，选择 ADC 输入通道)；
⑤ 启动 ADCS，转换开始；
⑥ 等待 EOC/ADCIF=1，如果 ADC 中断使能，则 ADC 中断会产生，用户需要软件清 0 EOC/ADCIF 标志；
⑦ 从 ADCVH、ADCVL 获得 12 位数据，先高位后低位，一次转换完成；
⑧ 如不换输入通道，则重复 5~7 的步骤，进行下一次转换。
注意事项：在设定 IE[6](EADC)前，使用者最好用软件先清除 EOC/ADCIF，并且在 ADC 中断服务程序执行
完时，也清除该 EOC/ADCIF，以避免不断的产生 ADC 中断。
17 EEPROM 及 IAP 操作
SC92F735X 的 IAP 操作空间范围有两种模式可选：
EEPROM 及 IAP 的操作模式如下：
1. 128 bytes EEPROM 可以作为数据存储使用；
2. IC 的 Code 区域（范围可选）及 128 bytes EEPROM 内都可进行 In Application Programming(IAP)操作，
主要用作远程程序更新使用。
EEPROM 及 IAP 操作模式选择作为 Code Option 在编程器写入 IC 时选择：
OP_CTM1 (C2H@FFH) Customer Option 寄存器 1(读/写)
7
6
5
4
3
2
1
0
位编号
IAPS[1:0]
VREFS
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
n
x
x
x
n
n
x
x
上电初始值
位编号
3~2
Page 55 of 70
位符号
IAPS[1:0]
说明
IAP 空间范围选择
00: Code 区域禁止 IAP 操作，仅 EEPROM 区域可作为数据存储使用
01: 最后 0.5K Code 区域允许 IAP 操作(1E00H ~1FFFH)
10: 最后 1K Code 区域允许 IAP 操作(1C00H~1FFFH)
11: 全部 Code 区域允许 IAP 操作(0000H~1FFFH)
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
17.1 EEPROM / IAP 操作相关寄存器
EEPROM / IAP 操作相关寄存器说明：
符号
地址
说明
IAPKEY
F1H
IAP 保护寄存器
IAPADL
F2H
IAP 写入地址低位寄存器
IAPADH
F3H
IAP 写入地址高位寄存器
IAPADE
F4H
IAP 写入扩展地址寄存器
IAPDAT
F5H
IAP 数据寄存器
IAPCTL
F6H
IAP 控制寄存器
IAPKEY (F1H) IAP 保护寄存器(读/写)
位编号
7
6
符号
读/写
读/写
读/写
0
0
上电初始值
位编号
7~0
位符号
IAPKEY[7:0]
7
位符号
IAPADR[7:0]
位符号
IAPADR[12:8]
-
-
3
2
1
0
-
-
00000000b
IAPADR[12:8]
xxx00000b
00000000b
IAPDAT[7:0]
-
5
读/写
0
-
-
4
3
IAPKEY[7:0]
读/写
0
00000000b
PAYTIMES
[1:0]
-
Reset 值
00000000b
IAPADER[7:0]
读/写
0
CMD[1:0]
xxxx0000b
2
1
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
打开 EEPROM / IAP 功能及操作时限设置
写入一个非零值 n，代表：
① 打开 EEPROM / IAP 功能；
② n 个系统时钟后如果接收不到写入命令，则 EEPROM / IAP 功能被
重新关闭。
4
3
IAPADR[7:0]
读/写
0
读/写
0
2
1
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
1
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
2
1
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
EEPROM / IAP 写入地址的低 8 位
4
3
读/写
0
读/写
0
2
IAPADR[12:8]
说明
EEPROM / IAP 写入地址的高 5 位
保留
IAPADE (F4H) IAP 写入扩展地址寄存器(读/写)
位编号
7
6
5
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
0
0
0
上电初始值
Page 56 of 70
4
IAPADR[7:0]
IAPADH (F3H) IAP 写入地址高位寄存器(读/写)
位编号
7
6
5
符号
读/写
x
x
x
上电初始值
位编号
4~0
7~6
5
IAPKEY[7:0]
IAPADL (F2H) IAP 写入地址低位寄存器(读/写)
位编号
7
6
5
符号
读/写
读/写
读/写
读/写
0
0
0
上电初始值
位编号
7~0
6
4
3
IAPADER[7:0]
读/写
0
读/写
0
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位编号
7~0
高速 1T 8051 内核 Flash MCU
位符号
IAPADER[7:0]
说明
IAP 扩展地址：
0x00：MOVC 和 IAP 烧写都针对 Code 进行
0x01：针对用户 ID 区域进行读操作，不可进行写操作
0x02：MOVC 和写入都针对 EEPROM 进行
其它：保留
IAPDAT (F5H) IAP 数据寄存器(读/写)
位编号
7
6
符号
读/写
读/写
读/写
0
0
上电初始值
位编号
7~0
位符号
IAPDAT
IAPCTL(F6H)IAP 控制寄存器
位编号
7
符号
读/写
上电初始值
x
5
读/写
0
4
3
IAPDAT[7:0]
读/写
0
读/写
0
2
1
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
说明
EEPROM / IAP 写入的数据
6
-
5
-
4
-
x
x
x
位编号
3~2
位符号
PAYTIMES[1:0]
1~0
CMD[1:0]
3
2
PAYTIMES[1:0]
读/写
0
读/写
0
1
0
CMD[1:0]
读/写
0
读/写
0
说明
EEPROM / IAP 写入操作时，CPU Hold Time 时间长度设定
00：设定 CPU HOLD TIME 4mS@24/12/6/2MHz
01：设定 CPU HOLD TIME 2mS@24/12/6/2MHz
10：设定 CPU HOLD TIME 1mS@24/12/6/2MHz
11：保留
说明：CPU Hold 的是 PC 指针，其他功能模块继续工作；中断标志会被
保存，并在 Hold 结束后进入中断，但多次的中断只能保留最后一次。
选择建议：VDD 在 2.7V~5.5V，可选择 10
VDD 在 2.4V~5.5V，可选择 01 或者 00
EEPROM / IAP 写入操作命令
10 ：写入
其它：保留
注意：EEPROM / IAP 写操作的语句后面务必要加上至少 8 个 NOP 指
令，以保证 EEPROM / IAP 操作完成后可正常执行后续的指令！
17.2 EEPROM / IAP 操作流程
SC92F735X 的 EEPROM / IAP 的 写入流程如下:
① 写入 IAPADE[7:0] ，0x00：选择 Code 区，进行 IAP 操作；0x02：选择 EEPROM 区，进行 EEPROM
读写操作；
② 写入 IAPDAT[7:0]（准备好 EEPROM / IAP 写入的数据）；
③ 写入 {IAPADR[12:8] ，IAPADR[7:0]}（准备好 EEPROM / IAP 操作的目标地址）；
④ 写入 IAPKEY[7:0] 写入一个非 0 的值 n（打开 EEPROM / IAP 保护，且在 n 个系统时钟内没收到写入命
令 EEPROM / IAP 会被关闭）；
⑤ 写入 IAPCTL[3:0]（设定 CPU Hold 时间，写入 CMD[1:0]为 1、0，CPU Hold 并启动 EEPROM / IAP
写入）；
⑥ EEPROM / IAP 写入结束，CPU 继续后续操作。
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
注意：编程 IC 时，若通过 Code Option 选择了“Code 区域禁止 IAP 操作”，则 IAPADE[7:0]=0x00 时（选择
Code 区），IAP 不可操作，即数据无法写入，仅可通过 MOVC 指令读取数据。
17.2.1 128 BYTES 独立 EEPROM 操作例程
#include ”intrins.h”
unsigned char EE_Add;
unsigned char EE_Data;
unsigned char code * POINT =0x0000;
EEPROM 写操作 C 的 Demo 程序：
EA = 0;
//关总中断
IAPADE = 0X02;
//选择 EEPROM 区域
IAPDAT = EE_Data;
//送数据到 EEPROM 数据寄存器
IAPADH = 0x00;
//写入 EEPROM 目标地址高位值
IAPADL = EE_Add;
//写入 EEPROM 目标地址低位值
IAPKEY = 0XF0;
//此值可根据实际调整；需保证本条指令执行后到对 IAPCTL 赋值前，
//时间间隔需小于 240（0xf0）个系统时钟，否则 IAP 功能关闭;
// 开启中断时要特别注意
IAPCTL = 0X0A;
//执行 EEPROM 写入操作，1ms@24M/12M/6M/2M;
_nop_();
//等待(至少需要 8 个_nop_())
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
IAPADE = 0X00;
EA = 1;
//返回 ROM 区域
//开总中断
EEPROM 读操作 C 的 Demo 程序：
EA = 0;
//关总中断
IAPADE = 0X02;
//选择 EEPROM 区域
EE_Data = *( POINT +EE_Add);
//读取 IAP_Add 的值到 IAP_Data
IAPADE = 0X00;
//返回 ROM 区域, 防止 MOVC 操作到 EEPROM
EA = 1;
//开总中断
17.2.2 8 KBYTES CODE 区域 IAP 操作例程
#include ”intrins.h”
unsigned int IAP_Add;
unsigned char IAP_Data;
unsigned char code * POINT =0x0000;
IAP 写操作 C 的 Demo 程序：
IAPADE = 0X00;
//选择 Code 区域
IAPDAT = IAP_Data;
//送数据到 IAP 数据寄存器
IAPADH = (unsigned char)((IAP_Add >> 8));
//写入 IAP 目标地址高位值
IAPADL = (unsigned char)IAP_Add;
//写入 IAP 目标地址低位值
IAPKEY = 0XF0;
//此值可根据实际调整；需保证本条指令执行后到对 IAPCTL 赋值前，
//时间间隔需小于 240（0xf0）个系统时钟，否则 IAP 功能关闭;
// 开启中断时要特别注意
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IAPCTL = 0X0A;
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
高速 1T 8051 内核 Flash MCU
//执行 IAP 写入操作，1ms@24M/12M/6M/2M;
//等待(至少需要 8 个_nop_())
IAP 读操作 C 的 Demo 程序：
IAPADE = 0X00;
IAP_Data = *( POINT+IAP_Add);
//选择 Code 区域
//读取 IAP_Add 的值到 IAP_Data
注意：8 Kbytes Code 区域内的 IAP 操作有一定的风险，需要用户在软件中做相应的安全处理措施，如果操
作不当可能会造成用户程序被改写！除非用户必需此功能(比如用于远程程序更新等)，不建议用户使用。
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
18 电气特性
18.1 极限参数
符号
VDD/VSS
Voltage ON any
Pin
TA
TSTG
参数
最小值
-0.3
-0.3
最大值
5.5
VDD+0.3
UNIT
V
V
工作环境温度
-40
85
℃
储存温度
-55
125
℃
直流供电电压
任一管脚输入/输出电压
18.2 推荐工作条件
符号
VDD1
VDD2
TA
参数
工作电压
工作电压
工作环境温度
最小值
3.7
2.4
-40
最大值
5.5
5.5
85
系统时钟频率
24MHz
12/6/2MHz
-
UNIT
V
V
℃
18.3 直流电气特性
(VDD = 5V，TA = +25℃，除非另有说明)
符号
参数
最小值
典型值
最大值
单位
测试条件
-
10
7
6
5
0.7
1.0
mA
mA
mA
mA
μA
fSYS=24MHz
fSYS=12MHz
fSYS=6MHz
fSYS=2MHz
-
6.7
-
mA
-
6
8
μA
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输出低电流
输出低电流
输出高电流 Pxyz=0
0.7VDD
-0.3
0.8VDD
-0.2
-
28
47
16
VDD+0.3
0.3VDD
VDD
0.2VDD
-
V
V
V
V
mA
mA
mA
输出高电流 Pxyz=1
-
13
-
mA
输出高电流 Pxyz=2
-
9
-
mA
输出高电流 Pxyz=3
-
5
-
mA
电流
Iop1
Iop2
Iop3
Iop4
Ipd1
IIDL
IBTM
IO 口特性
VIH1
VIL1
VIH2
VIL2
IOL1
IOL2
IOH1
Page 60 of 70
工作电流
工作电流
工作电流
工作电流
待机电流
（Power Down 模式）
待机电流
（IDLE 模式）
Base Timer 工作电流
BTMFS[3:0]=
1000
每 4.0 秒产生一个
中断
施密特触发输入:
RST/tCK/SCK
VPin=0.4V
VPin=0.8V
VPin=4.3V
P0/P2 IOH 等级 0
及 P1
VPin=4.3V
P0/P2 IOH 等级 1
VPin=4.3V
P0/P2 IOH 等级 2
VPin=4.3V
V1.0
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IOH2
高速 1T 8051 内核 Flash MCU
P0/P2 IOH 等级 3
VPin=4.7V
P0/P2 IOH 等级 0
及 P1
VPin=4.7V
P0/P2 IOH 等级 1
VPin=4.7V
P0/P2 IOH 等级 2
VPin=4.7V
P0/P2 IOH 等级 3
输出高电流 Pxyz=0
-
7
-
mA
输出高电流 Pxyz=1
-
6
-
mA
输出高电流 Pxyz=2
-
4
-
mA
输出高电流 Pxyz=3
-
2
-
mA
-
30
-
k
2.37
2.40
2.45
V
最小值
典型值
最大值
单位
测试条件
-
7.0
5.0
4.2
3.6
0.7
1
mA
mA
mA
mA
uA
fSYS=24MHz
fSYS=12MHz
fSYS=6MHz
fSYS=2MHz
-
4.7
-
mA
0.7DD
-0.3
0.8VDD
-0.2
-
20
38
7
52
VDD+0.3
0.3VDD
VDD
0.2VDD
-
V
V
V
V
mA
mA
mA
2.37
2.40
2.45
V
RPH1
上拉电阻
做为 ADC 参考电压的内部基准 2.4V
VDD24
内部基准 2.4V 电压输出
TA=-40~85℃
(VDD = 3.3V，TA = +25℃，除非另有说明)
符号
参数
电流
Iop5
Iop6
Iop7
Iop8
Ipd2
IIDL2
工作电流
工作电流
工作电流
工作电流
待机电流
(Power Down 模式)
待机电流
(IDLE 模式)
IO 口特性
VIH3
VIL3
VIH4
VIL4
IOL3
IOL4
IOH3
RPH2
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输出低电流
输出低电流
输出高电流
上拉电阻
做为 ADC 参考电压的内部基准 2.4V
VDD24
内部基准 2.4V 电压输出
施密特触发输入:
RST/tCK/SCK
VPin =0.4V
VPin =0.8V
VPin =3.0V
k
TA =-40~85℃
18.4 交流电气特性
(VDD = 2.4V ~ 5.5V，TA = 25℃，除非另有说明)
符号
TPOR
TPDW
TReset
fHRC
Page 61 of 70
参数
Power On Reset 时间
Power Down 模式唤醒时
间
复位脉冲宽度
RC 振荡稳定性
最小值
-
典型值
5
1
最大值
10
1.5
单位
ms
ms
测试条件
18
23.76
24
24.24
us
MHz
低电平有效
VDD=4.0~5.5V
TA=-20~85 ℃
V1.0
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
18.5 ADC 电气特性
(TA = 25℃，除非另有说明)
符号
VAD
NR
VAIN
RAIN
IADC1
典型值
5.0
12
-
最大值
5.5
VDD
2
单位
V
bit
V
测试条件
供电电压
精度
ADC 输入电压
ADC 输入电阻
ADC 转换电流 1
最小值
3.0
GND
1
-
M
mA
VIN=5V
IADC2
ADC 转换电流 2
-
-
1.8
mA
DNL
INL
EZ
EF
EAD
TADC1
微分非线性误差
积分非线性误差
偏移量误差
满刻度误差
总绝对误差
ADC 转换时间
-
10
±1
±2
±3
±3
±8
-
LSB
LSB
LSB
LSB
LSB
us
TADC2
ADC 转换时间
-
25
-
us
Page 62 of 70
参数
GND≤VAIN≤VDD
ADC 模块打开
VDD=5V
ADC 模块打开
VDD=3.3V
VDD=5V
VREF=5V
ADC Clock =
2MHz
ADC Clock =
333kHz
V1.0
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SC92F7352/7351/7350
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高速 1T 8051 内核 Flash MCU
19 订购信息
产品编号
SC92F7352Q20R
SC92F7352X20U
SC92F7352M20U
SC92F7352N20U
SC92F7351M16U
SC92F7350M08U
Page 63 of 70
封装
QFN20
TSSOP20L
SOP20L
NSOP20L
SOP16L
SOP8L
包装
盘装
管装
管装
管装
管装
管装
V1.0
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SC92F7352/7351/7350
SinOne
高速 1T 8051 内核 Flash MCU
20 封装信息
SC92F7352Q20R
单位：毫米
D
e
L
QFN20(4X4)外形尺寸
N20
N16
E
E1
N1
D1
N11
N6
A
A2
A1
b
符号
Page 64 of 70
最小
mm(毫米)
正常
最大
A
0.700/0.800
0.750/0.850
0.800/0.900
A1
0
-
0.050
A2
0.153
0.203
0.253
b
0.180
0.250
0.300
D
3.900
4.000
4.100
D1
1.900
2.000
2.100
E
3.900
4.000
4.100
E1
1.900
2.000
2.100
e
0.450
0.500
0.550
L
0.390
0.400
0.410
V1.0
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SC92F7352/7351/7350
SinOne
高速 1T 8051 内核 Flash MCU
SC92F7352X20U
TSSOP20L 外形尺寸
单位：毫米
11
E
20
H
L
1
10
e1
e
b
A
A1
A2
c
D
See Detail F
符号
最小
mm(毫米)
正常
最大
A
-
-
1.200
A1
0.050
-
0.150
A2
0.800
-
1.000
b
0.190
-
0.300
c
0.090
-
0.200
D
6.400
-
6.600
E
6.250
-
6.550
e1
4.300
-
4.500
0.65(BSC)
e
L
0.500
-
0.700
1
-
7
H
Page 65 of 70
0.25(TYP)
V1.0
http://www.socmcu.com
SC92F7352/7351/7350
SinOne
高速 1T 8051 内核 Flash MCU
SC92F7352M20U
SOP 20L(300mil)外形尺寸 单位：毫米
20
11
e1
HE
E
~
~
L
1
10
Detail F
e1
e
Seating Plane
D
S
A
LE
y
See Detail F
符号
最小
mm(毫米)
正常
最大
A
2.465
2.515
2.565
A1
0.100
0.150
0.200
A2
2.100
2.300
2.500
b
0.356
0.406
0.456
C
0.254(BSC)
D
12.500
12.700
12.900
E
7.400
7.450
7.500
HE
10.206
10.306
10.406
1.27(BSC)
e
L
0.800
0.864
0.900
LE
1.303
1.403
1.503
0
-
10
S
Page 66 of 70
b
A1
A2
c
D
0.660(BSC)
V1.0
http://www.socmcu.com
SC92F7352/7351/7350
SinOne
高速 1T 8051 内核 Flash MCU
SC92F7352N20U
单位：毫米
NSOP 20L(150mil)外形尺寸
c
E
E1
L
D
B B
θ
e
b
c
A1
c1
A
A2
b1
BASE M ETAL
WITH PLATING
SECTION B-B
符号
mm(毫米)
最小
最大
A
1.350
1.750
A1
0.100
0.250
A2
1.350
1.550
b
0.330
0.510
b1
0.320
0.500
c
0.170
0.250
c1
0.160
0.240
D
9.800
10.200
E
3.800
4.000
E1
5.800
6.200
e
Page 67 of 70
1.000BSC
L
0.400
0.800
0
8
V1.0
http://www.socmcu.com
SC92F7352/7351/7350
SinOne
高速 1T 8051 内核 Flash MCU
SC92F7351M16U
SOP 16L(150mil) 外形尺寸 单位:毫米
e1
~
~
HE
9
E
16
£c
1
b
L
8
Detail F
e1
Seating Plane
y
符号
See Detail F
最小
mm(毫米)
正常
最大
A
-
-
1.75
A1
0.05
-
0.225
A2
1.30
1.40
1.50
b
0.39
-
0.48
C
0.21
-
0.26
D
9.70
9.90
10.10
E
3.70
3.90
4.10
HE
5.80
6.00
6.20
1.27(BSC)
e
L
0.50
LE
Page 68 of 70
LE
A1
e
D
S
A
A2
c
D
-
0.80
1.05(BSC)
0
-
8
V1.0
http://www.socmcu.com
SC92F7352/7351/7350
SinOne
高速 1T 8051 内核 Flash MCU
SC92F7350M08U
SOP 8L(150mil) 外形尺寸 单位:毫米
HE
5
E
8
1
b
L
4
Detail F
y
A1
e
D
A
c
D
See Detail F
Seating Plane
符号
最小
mm(毫米)
正常
最大
A
1.45
1.60
1.75
A1
0.10
0.15
0.20
A2
1.35
1.45
1.55
b
C
0.406
0.19
D
0.273
4.88
S
0.50
0.535
0.60
E
3.70
3.91
4.10
HE
5.80
6.00
6.20
1.27(BSC)
e
L
0.50
LE
Page 69 of 70
0.203
0.66
0.80
1.05(BSC)
0
-
10
V1.0
http://www.socmcu.com
SC92F7352/7351/7350
SinOne
高速 1T 8051 内核 Flash MCU
21 规格更改记录
版本
V1.0
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记录
初版
日期
2017 年 6 月
V1.0
http://www.socmcu.com
工商网监
湘ICP备2023018690号
