GP16510S

鎵能半導體（佛山）有限公司 GaNPower Semiconductor (Foshan) co., Ltd. www.ganpowersemi.com 650V N-channel GaN FET in SOP-16-W GP16510S 产品摘要（典型） 132 26 650 RDS(on) (m) Qrr (nC) VDS (V) 产品特点 : 低 QRR 无需续流二极管 用于降低 EMI 的高端安静标签™ 符合 RoHS 标准 高频操作 产品应用: 紧凑型 DC-DC 变换器 交流电机驱动 电池充电器 开关电源 极限参数 (TC=25 °C 若无特殊说明) 符号 参数名称 极限值 单位 ID 25°C 漏极电流（直流） @TC=25 °C 13 A ID 125°C 漏极电流（直流） @TC=125 °C 5.7 A IDM 漏极脉冲电流(pulse width:50 us) 26 A VDSS 漏源击穿电压 650 V VGSS 栅源电压（直流） ±6 V TJ 结温工作温度 -55 to 150 °C PD 25°C 漏极最大允许耗散功率 55 W TS 贮存温度 -55 to 150 °C TCsold 焊接峰值温度b 260 °C 耐热性 符号 参数名称 典型值 单位 RΘJC 结壳热阻 2.4 °C /W 中國廣東省佛山市南海區桂城寶石西路 1 號 C 時代 2 座 7 樓 706（AB 电梯） Tel：0757-86790868 Fax：0757-81023712 Room 706, Block2, C Times Square, No.1, Bao Shi Xi Road, Nanhai District, Foshan, Guangdong, China Post Code: 528251 鎵能半導體（佛山）有限公司 GaNPower Semiconductor (Foshan) co., Ltd. 电气特性 符号 www.ganpowersemi.com (TC=25 °C 若无特殊说明) 参数名称 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件 静态 VDSS-MAX 漏源击穿电压 VGS(th) 栅极阈值电压 RDS(on) RDS(on) IDSS 漏源通态电阻 (TJ = 150 °C) 漏源通态电阻 (TJ = 25 °C) 漏极漏电流测试 650 V VGS=0 V, ID=100 µA 1.4 V VDS=0.1 V, ID=12 mA 319 mΩ VGS=6V, ID =5A,TJ = 150 °C 132 mΩ VGS=6V, ID =5A, TJ = 25 °C 0.3 µA VDS=650V, VGS=0V, TJ = 25 °C 10 µA VDS=650V, VGS=0V, TJ = 150 °C 漏极正向漏电流 19 漏极正向漏电流 336 CISS 栅短路共源输入电容 85 COSS 栅短路共源输出电容 28 CRSS 栅短路共源反向传输电 IGSS VGS=0 V，ID=1 µA µA VGS= 6 V，VDS=0V，TJ = 25 °C VGS= 6 V, VDS=0V，TJ = 150 °C 动态 pF Vds=400V, Vgs=0, f=1MHz 0.5 容 Qg 总栅极电荷b 1.9 - nC Qgs 栅源电荷 0.1 Qgd 栅漏电荷 1.1 td(on) 开通延迟时间 6.2 tr 上升时间 12.7 Td(off) 关断延迟时间 5.8 tf 下降时间 10 Rg Gate Resistance 2.3 Ω Vs=Vd=0V, Vg=2V, f=1MHz Rdson (Dynamic) Dynamic Rdson 1.3 Ratio Vds=400V, Id=1A, f=10KHz,duty=10% ID-VD 源极反向电流 26 A VGS=6V, VDS=10V,Pulse Width=50us VSD 源漏反向电压 2.7 V VGS=0V, ISD=5A trr 反向恢复时间 14 ns Qrr 反向恢复充电电量 26 nC Vds=400V, Id=1A, Vg=0~6V ns Vgs=400V, Vgs=0~6V, Id=5A, Rg=10 Ohm, Wheeling Diode=G-S Shorted DUI 反向特性 - Vr=400V, If=5A, dI/dt=100A/us 中國廣東省佛山市南海區桂城寶石西路 1 號 C 時代 2 座 7 樓 706（AB 电梯） Tel：0757-86790868 Fax：0757-81023712 Room 706, Block2, C Times Square, No.1, Bao Shi Xi Road, Nanhai District, Foshan, Guangdong, China Post Code: 528251 鎵能半導體（佛山）有限公司 GaNPower Semiconductor (Foshan) co., Ltd. www.ganpowersemi.com 电特性曲线(TC=25℃)： 封装形式 (SOIC-16-W/SOP-16-W): 中國廣東省佛山市南海區桂城寶石西路 1 號 C 時代 2 座 7 樓 706（AB 电梯） Tel：0757-86790868 Fax：0757-81023712 Room 706, Block2, C Times Square, No.1, Bao Shi Xi Road, Nanhai District, Foshan, Guangdong, China Post Code: 528251 鎵能半導體（佛山）有限公司 GaNPower Semiconductor (Foshan) co., Ltd. www.ganpowersemi.com 在窄的 SOIC 包旁边(通常表示为 sox_n 或 n.n.n.n 在那里 x 是引脚的数目，也有宽(或有时叫做)扩展)版本。此包通常表示为 sox_w 或 SOICx_w.。 现在版本是宽版本 SOIC-16/SOP-16，即 SOIC-16-W/SOP-16-W。 引脚排列： 电极 引脚 Gate 8 Source 1,2,3,4,5,6,7 Drain 9,10,11,12,1 3,14,15,16 成品印章： 1.字体：Arial 2.字高：0.8mm（待定） 3.行距：0.3mm（待定） 4.左对齐，整体居中； 5.第一行是公司 LOGO，固定； 6.第二行是型号，固定； 7.第三行(***)是生产批号代码，随生产而定; 中國廣東省佛山市南海區桂城寶石西路 1 號 C 時代 2 座 7 樓 706（AB 电梯） Tel：0757-86790868 Fax：0757-81023712 Room 706, Block2, C Times Square, No.1, Bao Shi Xi Road, Nanhai District, Foshan, Guangdong, China Post Code: 528251