GP1A215TS_252

鎵能半導體（佛山）有限公司 GaNPower Semiconductor (Foshan) co., Ltd. www.ganpowersemi.com 1200V N-channel GaN FET in TO252 GP1A215TS_252 产品摘要（典型） 93 15 1200 RDS(on) (m) ID（A） VDS (V) G S D 产品特点 : 低 QRR 无需续流二极管 用于降低 EMI 的高端安静标签™ 符合 RoHS 标准 高频操作 产品应用: 紧凑型 DC-DC 变换器 交流电机驱动 电池充电器 开关电源 极限参数 (TC=25 °C 若无特殊说明) 符号 参数名称 极限值 单位 ID 25°C 漏极电流（直流） @TC=25 °C 19.5 A ID 125°C 漏极电流（直流） @TC=125 °C 8.6 A IDM 漏极脉冲电流(pulse width:50 us) 39 A VDSS 漏源击穿电压 1200 V VGSS 栅源电压（直流） ±6 V TJ 结温工作温度 -55 to 150 °C PD 25°C 漏极最大允许耗散功率 82.5 W TS 贮存温度 -55 to 150 °C TCsold 焊接峰值温度b 260 °C 耐热性 符号 参数名称 典型值 单位 RΘJC 结壳热阻 1.6 °C /W 中國廣東省佛山市南海區桂城寶石西路 1 號 C 時代 2 座 7 樓 706（AB 电梯） Tel：0757-86790868 Fax：0757-81023712 Room 706, Block2, C Times Square, No.1, Bao Shi Xi Road, Nanhai District, Foshan, Guangdong, China Post Code: 528251 鎵能半導體（佛山）有限公司 GaNPower Semiconductor (Foshan) co., Ltd. www.ganpowersemi.com 电气特性 (TC=25 °C 若无特殊说明) 序号 参考符号 静态参数 参数名称 测试条件 典型值 单位 Vds=Vgs Id=3.5mA 1.19 V Vgs=0V 1345 V 1 Vgs(TH) Gate Threshold Voltage 2 BVdss Drain-Source breakdown voltage 3 Idss Zero gate voltage drain current, TC = 25℃ Vgs=0V Vds=1000V 19.5 uA 4 Idss Zero gate voltage drain current, TC = 150℃ Vgs=0V Vds=1000V 50 uA 5 Igss Vgs = 6V Vds =0V 37.5 uA 6 Rdson static Drain-Source on resistance, TC = 25℃ Vgs=6V Id=2.5A 0.093 Ω 7 Rdson static Drain-Source on resistance, TC = 150℃ Vgs=6V Id=2.5A 0.215 Ω 8 Vsd Body diode forward voltage Isd=1A Vgs=0V 1.75 V capacitance Ciss Coss Vgs=0V Vds=400V f=1MHz Vds=400V Id=7.5A Vgs=6V 131 33 pf pf 5 3.35 pf nC 0.6 0.7 nC nC Vds=400V Id=2.5A Rg=10Ω Vgs=6V 5.2 12 16 11 ns ns ns ns Gate-Source Leakage 动态参数 1 Qg 3 Crss QgS Qgd Gate charge td(on) tr td(off) tf Turn-on delay time Rise time Turn-off delay time Fall time 开关性能 1 2 3 4 中國廣東省佛山市南海區桂城寶石西路 1 號 C 時代 2 座 7 樓 706（AB 电梯） Tel：0757-86790868 Fax：0757-81023712 Room 706, Block2, C Times Square, No.1, Bao Shi Xi Road, Nanhai District, Foshan, Guangdong, China Post Code: 528251 鎵能半導體（佛山）有限公司 GaNPower Semiconductor (Foshan) co., Ltd. www.ganpowersemi.com 电特性曲线(TC=25℃)： 1.IDS-VGS 曲线 3.RDSON-IDS 曲线 2.IDS-VGS 曲线 4.ISD-VSD 曲线 5.Capacitance-VDS 曲线 中國廣東省佛山市南海區桂城寶石西路 1 號 C 時代 2 座 7 樓 706（AB 电梯） Tel：0757-86790868 Fax：0757-81023712 Room 706, Block2, C Times Square, No.1, Bao Shi Xi Road, Nanhai District, Foshan, Guangdong, China Post Code: 528251 鎵能半導體（佛山）有限公司 GaNPower Semiconductor (Foshan) co., Ltd. 封装形式 www.ganpowersemi.com (TO252 Unit：mm): 建议焊盘布局： 中國廣東省佛山市南海區桂城寶石西路 1 號 C 時代 2 座 7 樓 706（AB 电梯） Tel：0757-86790868 Fax：0757-81023712 Room 706, Block2, C Times Square, No.1, Bao Shi Xi Road, Nanhai District, Foshan, Guangdong, China Post Code: 528251