GP1A215TS_263

鎵能半導體（佛山）有限公司 GaNPower Semiconductor (Foshan) co., Ltd. www.ganpowersemi.com 1200V N-channel GaN FET in TO263 GP1A215TS_263 S 产品摘要（典型） 106.8 39 1200 RDS(on) (m) Qrr (nC) VDS (V) G D 产品特点 : 低 QRR 无需续流二极管 用于降低 EMI 的高端安静标签™ 1.2KV 超高耐压； 高频操作 产品应用: 紧凑型 DC-DC 变换器 交流电机驱动 电池充电器 开关电源 极限参数 (TC=25 °C 若无特殊说明) 符号 参数名称 极限值 单位 ID 25°C 漏极电流（直流） @TC=25 °C 19.5 A ID 125°C 漏极电流（直流） @TC=125 °C 8.6 A IDM 漏极脉冲电流(pulse width:50 us) 39 A VDSS 漏源击穿电压 1200 V VGSS 栅源电压（直流） ±6 V TJ 结温工作温度 -55 to 150 °C PD 25°C 漏极最大允许耗散功率 82.5 W TS 贮存温度 -55 to 150 °C TCsold 焊接峰值温度b 260 °C 耐热性 符号 参数名称 典型值 单位 RΘJC 结壳热阻 1.6 °C /W 中國廣東省佛山市南海區桂城寶石西路 1 號 C 時代 2 座 7 樓 706（AB 电梯） Tel：0757-86790868 Fax：0757-81023712 Room 706, Block2, C Times Square, No.1, Bao Shi Xi Road, Nanhai District, Foshan, Guangdong, China Post Code: 528251 鎵能半導體（佛山）有限公司 GaNPower Semiconductor (Foshan) co., Ltd. 电气特性 符号 www.ganpowersemi.com (TC=25 °C 若无特殊说明) 参数名称 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件 静态 VDSS-MAX 漏源击穿电压 1200 VGS(th) 栅极阈值电压 RDS(on) 漏源通态电阻(TJ = 25 °C) RDS(on) 漏源通态电阻(TJ = 150 °C) IDSS 漏极漏电流测试 V 1.4 VGS=0 V, ID=150 µA V VDS=0.1 V, ID=18 mA 106.8 mΩ VGS=6V, ID =7.5A, TJ = 25 °C 213.5 mΩ VGS=6V, ID =7.5A,TJ = 150 °C 56 µA VDS=1200V, VGS=0V, TJ = 25 °C 215 µA VDS=1200V, VGS=0V, TJ = 150 °C 漏极正向漏电流(TJ = 25 °C) 29.5 漏极正向漏电流(TJ = 150 °C) 428 CISS 栅短路共源输入电容 127 COSS 栅短路共源输出电容 42 CRSS 栅短路共源反向传输电 IGSS VGS=0 V，ID=1.5 µA µA VGS= 6 V，VDS=0V，TJ = 25 °C VGS= 6 V, VDS=0V，TJ = 150 °C 动态 pF Vds=400V, Vgs=0, f=1MHz 0.8 容 Qg 总栅极电荷b 2.8 - nC Qgs 栅源电荷 0.2 Qgd 栅漏电荷 1.7 td(on) 开通延迟时间 6.2 tr 上升时间 12.7 Td(off) 关断延迟时间 5.8 tf 下降时间 10 Rg Gate Resistance 2.3 Ω Vs=Vd=0V, Vg=2V, f=1MHz Rdson (Dynamic) Dynamic Rdson 1.3 Ratio Vds=400V, Id=1.5A, f=10KHz,duty=10% ID-VD 源极反向电流 39 A VGS=6V, VDS=10V,Pulse Width=50us VSD 源漏反向电压 2.7 V VGS=0V, ISD=7.5A trr 反向恢复时间 14 ns Qrr 反向恢复充电电量 39 nC Vds=400V, Id=1A, Vg=0~6V ns Vgs=400V, Vgs=0~6V, Id=7.5A, Rg=6.7 Ohm, Wheeling Diode=G-S Shorted DUI 反向特性 - Vr=400V, If=7.5A, dI/dt=100A/us 中國廣東省佛山市南海區桂城寶石西路 1 號 C 時代 2 座 7 樓 706（AB 电梯） Tel：0757-86790868 Fax：0757-81023712 Room 706, Block2, C Times Square, No.1, Bao Shi Xi Road, Nanhai District, Foshan, Guangdong, China Post Code: 528251 鎵能半導體（佛山）有限公司 GaNPower Semiconductor (Foshan) co., Ltd. www.ganpowersemi.com 封装形式 (TO263,Unit：mm): 中國廣東省佛山市南海區桂城寶石西路 1 號 C 時代 2 座 7 樓 706（AB 电梯） Tel：0757-86790868 Fax：0757-81023712 Room 706, Block2, C Times Square, No.1, Bao Shi Xi Road, Nanhai District, Foshan, Guangdong, China Post Code: 528251