DW02B

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD. DW02A/DW02B(文件编号：S&CIC1577) 高精度内置 MOSFET 锂电池保护电路 概述 DW02A/DW02B 系列电路是一款高精度的单节内置 MOSFET 可充电锂电池的保护电路，它集高精度过电压 充电保护、过电压放电保护、过电流放电保护等性能于一身。 正常状态下，DW02A/DW02B 的 VDD 端电压在过电压充电保护阈值（VOC）和过电压放电保护阈值（VOD） 之间，且其 VM 检测端电压在充电器检测电压（VCHG）与过电流放电保护阈值（VEDI）之间，此时 DW02A/DW02B 使 内置 N-MOS 管 导通。这时，既可以使用充电器对电池充电，也可以通过负载使 电池放电。 DW02A/DW02B 通过检测 VDD 或 VM 端电压（相对于 GND 端）来进行过充/放电保护。当充/放电保护条 件发生时， 内置 N-MOS 由导通变为截止，从而充/放电过程停止。 DW02A/DW02B 对每种保护状态都有相应的恢复条件，当 恢复条件满足以后，内置 N-MOS 由截止变为导通， 从而 进入正常状态。 DW02A/DW02B 对每种保护/恢复条件都设置了一定的延迟时间，只有在保护/恢复条件持续到相应的时间以 后， 才进行相应的保护/恢复。如果保护/恢复条件在相应的 延迟时间以前消除，则不进入保护/恢复状态。 DW02A/DW02B 工作时功耗非常低，采用非常小的 SOT23-5 的封装，使得该芯片非常适合应用于空间限制 小的可充电电池组应用。 本产品不适用与无线及射频信号排布及屏蔽太差的产品，另请客户使用本产品前务必做成品整机验证。 特性  单节锂离子或锂聚合物电池的理想保护电路  有 0V 充电  内置低导通内阻 N-MOSFET  带有过充、过放自动恢复功能  高精度的过充电保护电压检测 4.275V±25mV  内部集成 RC、内置 MOSFET（无需任何外围  高精度的过放保护电压检测  高精度过电流放电保护检测  超小型化的 SOT23-5 封装  电池短路保护  MOSFET:RSS(on)