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深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 2301A（文件编号：S&CIC1621） 9V P 沟道增强型 MOS 场效应管 VDS= -9.0V RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-1.0A =85mΩ@TYP RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-0.5A = 110mΩ@TYP 一、特点   高级的加工技术 极低的导通电阻高密度的单元设计 SOT- 23 内部结构示意图 二、最大额定值和热特性(T A = 25℃，除非另有说明) 参数 符号 值 漏源电压 VDS -9.0 栅源电压 VGS -8.5 漏极电流 ID -2.0 漏极脉冲电流 IDM -5 最大功耗 TA=25℃ TA=75℃ 工作结温和存储温度范围 结环热阻（PCB 安装） www.superchip.cn 第 1 页 共 3 页 PD 1.25 0.8 单位 V A W TJ, Tstg -55 to 150 ℃ RθJA 140 W/℃ Version 1.0 深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 2301A（文件编号：S&CIC1621） 9V P 沟道增强型 MOS 场效应管 三、电特性 参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 BVDSS VGS = 0V, ID = -250uA -8.0 -9.0 -- V RDS(on) VGS = -4.5V, ID = -1A -- 85 105 mΩ RDS(on) VGS = -2.5V, ID = -0.5A -- 110 135 mΩ VGS(th) VDS = VGS, ID = -250uA -0.4 -0.6 -1.0 V 栅源短路时，漏极电流 IDSS VDS = -6V, VGS = 0V -- -- -1 uA 漏极短路时截止栅电流 IGSS VGS = -5V, VDS=0V -- -- ±100 nA 二极管最大正向电流 IS -- -- -- 1.4 A 二极管正向电压 VSD IS = -1.6A, VGS = 0V -- -- -1.3 V 静电 漏源击穿电压 漏源电阻 栅极阈值电压 漏源二极管 www.superchip.cn 第 2 页 共 3 页 Version 1.0 深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 2301A（文件编号：S&CIC1621） 9V P 沟道增强型 MOS 场效应管 四、封装信息 SOT- 23 符号 毫米 最小 最大 最小 最大 A 0.900 1.150 0.035 0.045 A1 0.000 0.100 0.000 0.004 A2 0.900 1.050 0.035 0.041 b 0.300 0.500 0.012 0.020 c 0.080 0.150 0.003 0.006 D 2.800 3.000 0.110 0.118 E 1.200 1.400 0.047 0.055 E1 2.250 2.550 0.089 0.100 e e1 0.950 TYP. 1.800 L www.superchip.cn 英寸 0.037 TYP. 2.000 0.071 0.550 REF. 0.079 0.022 REF. L1 0.300 0.500 0.012 0.020 θ 0° 8° 0° 8° 第 3 页 共 3 页 Version 1.0