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深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 2302B(文件编号：S&CIC1604) 30V N 沟道增强型 MOS 场效应管 VDS= 30V,VGS=±20V RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@2.0A = 75mΩ@TYP RDS(ON), Vgs@10.0V, Ids@3.0A =58mΩ@TYP 1 特点   G D 高级的加工技术 极低的导通电阻高密度的单元设计 SOT-23 S D 内部结构示意图 Drain Gate Source 最大额定值和热特性 (TA=25℃，除非另有说明) 参数 符号 C 值 漏源电压 VDS 30 栅源电压 VGS ±20 漏极电流 ID 2.4 漏极脉冲电流 IDM 5 最大功耗 TA=25℃ PD TA=75℃ 工作结温和存储温度范围 结环热阻（PCB 安装） 1.25 0.8 单位 V A W TJ, Tstg -55 to 150 ℃ RθJA 140 ℃/W B www.superchip.cn 第 1 页 共 3 页 Version 1.0 深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 2302B(文件编号：S&CIC1604) 30V N 沟道增强型 MOS 场效应管 电特性(TA=25℃，除非另有说明) 参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 BVDSS VGS = 0V, ID = 250uA 30 -- -- V VGS = 4.5V, ID = 2.0A -- 75.0 90.0 VGS =10.0V, ID = 3.0A -- 58.0 70.0 静电 漏源击穿电压 漏源电阻 RDS(on) mΩ 栅极阈值电压 VGS(th) VDS = VGS, ID = 250uA 1.0 1.7 3.0 V 栅源短路时，漏极电流 IDSS VDS = 24V, VGS = 0V -- -- 1 uA 漏极短路时截止栅电流 IGSS VGS = ±20V, IDS=0uA -- -- ±100 nA VSD ISD = 1A, VGS = 0V -- -- 1.3 V 漏源二极管 二极管正向电压 开关时间测试电路及波形： www.superchip.cn 第 2 页 共 3 页 Version 1.0 深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 2302B(文件编号：S&CIC1604) 30V N 沟道增强型 MOS 场效应管 封装信息 SOT-23 符号 毫米 英寸 最小 最大 最小 最大 A 0.900 1.150 0.035 0.045 A1 0.000 0.100 0.000 0.004 A2 0.900 1.050 0.035 0.041 b 0.300 0.500 0.012 0.020 c 0.080 0.150 0.003 0.006 D 2.800 3.000 0.110 0.118 E 1.200 1.400 0.047 0.055 E1 2.250 2.550 0.089 0.100 e e1 0.950 TYP. 1.800 L 0.037 TYP. 2.000 0.071 0.550 REF. 0.079 0.022 REF. L1 0.300 0.500 0.012 0.020 θ 0° 8° 0° 8° www.superchip.cn 第 3 页 共 3 页 Version 1.0