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深圳市富满电子集团股份有限公司 3 4 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 3401L(文件编号：S&CIC1274) P 沟道增强型 MOS 场效应管 RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-1.0A = 40mΩ@TYP RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-0.5A = 55mΩ@TYP 1 特点   高级的加工技术 极低的导通电阻高密度的单元设计 SOT-23 内部结构示意图 D Drain D 3 Gate 1 2 G S Source Top View P-Channel MOSFET 最大额定值和热特性 (TA=25℃，除非另有说明) 参数 漏源电压 C 符号 值 单位 VDS -18 V ID -3.5 IDM -20 连续漏极电流 脉冲漏极电流 1) 最大功率耗散 TA=25℃ PD TA=75℃ 结温和存储温度范围 结温至环境热阻（PCB 焊接） 1.4 1 A W TJ, Tstg -55~150 ℃ RθJA 140 ℃/W 注：重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温 B 第 1 页 共 2 页 A 深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 3401L(文件编号：S&CIC1274) P 沟道增强型 MOS 场效应管 电气特性 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 RDS(on) VGS = -4.5V, ID = -1.0A -- 40.0 55.0 RDS(on) VGS = -2.5V, ID = -0.5A -- 55.0 78.0 VGS(th) VDS = VGS, ID = -250uA -0.4 -0.7 -1.0 V 栅源短路时漏极电流 IDSS VDS = -12V, VGS = 0V -- -- -1 uA 漏极短路时截止栅电流 IGSS VGS = ±12V -- -- ±100 nA -- 6.36 8.27 -- 1.79 2.33 -- 1.42 1.85 -- 11.36 22.72 -- 2.32 4.64 -- 34.88 69.76 -- 3.52 7.04 -- 826.18 -- -- 90.74 -- -- 53.18 -- -- -- -2.2 A -- -1 V 静态 漏源导通电阻 栅极阈值电压 mΩ 动态 3) 总栅极电荷 Qg 栅源电荷 Qgs 栅漏电荷 Qgd 开启延迟时间 td(on) 开启上升时间 tr 关断延迟时间 td(off) 关断下降时间 tf 输入电容 Ciss 输出电容 Coss 反向传输电容 Crss VDS = -15V, ID = -4A VGS = -4.5V VDD = -15V, RL = 3.6Ω ID = -1A, VGEN = -10V RG = 6Ω VDS = -15V, VGS = 0V f=1.0MHz nC ns pF 漏源二极管 IS 最大二极管的正向电流 2 VSD 二极管的正向电压 -3 4 IS = -1.0A, VGS = 0V -- 注：脉冲测试：脉冲宽度≤300us，占空比≤2% to n VDD Switching Waveforms td (o n) D td (o ff ) tf 90% 90% VOUT O ut pu t . V ou t VGEN RG tr RD VIN Switching Test Circuit to ff 10% 10% DUT G 90% 50% 50% S I np ut . V I N 10% 第 2 页 共 2 页 P UL SE WI D TH I NV ER TE D 5