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深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 8205B (文件编号：S&CIC1639) 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 2 3 4 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.0A = 19mΩ RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5A = 16mΩ 特点      专有的先进平面技术 高密度超低电阻设计 大功率、大电流应用 理想的锂电池应用 封装形式：SOT23-6 8205B/SOT23-6 1 2 G1 D G2 6 5 4 1 2 3 S1 D S2 3 4 Drain G at e1 Gate2 Source1 Source2 N-Channel MOSFET www.superchip.cn 第 1 页 共 4 页 Version 1.0 深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 8205B (文件编号：S&CIC1639) 最大额定值和热特性 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 (Ta = 25℃，除非另有说明。) 参数 漏源电压 符号 值 VDS 20 单位 V 栅源电压 VGS ±12 漏极电流 ID 7 A IDM 漏极脉冲电流 20 TA = 25℃ 2.0 PD 最大功耗 W TA = 75℃ 1.3 工作结温和存储温度范围 结环热阻（PCB 安装） TJ, Tstg -55 to 150 ℃ RθJA 62.5 ℃/W 注：重复性极限值：脉冲宽度由最高结温限制。 电特性 参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 BVDSS VGS = 0V, ID = 250uA 20 -- -- V VGS=4.5V, ID=5A -- 16.0 20.0 VGS=2.5V, ID=4A -- 19.0 25.0 24.0 34.0 静电 漏源击穿电压 漏源电阻 RDS(on) VGS=1.8V, ID=3A mΩ VGS(th) VDS = VGS, ID = 250uA 0.45 0.65 1 V 栅源短路时漏极电流 IDSS VDS = 20V, VGS = 0V -- -- 1 uA 漏极短路时截止栅电流 IGSS VGS = ±12V, ID=0uA -- -- ±100 nA 跨导 gfs VDS = 15V, ID = 6.0A -- 29 -- S Qg VDS = 10V,ID = 6A 6.24 8.11 nC 栅极阈值电压 动态 总栅极电荷 www.superchip.cn 第 2 页 共 4 页 Version 1.0 深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 8205B (文件编号：S&CIC1639) 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 栅源电荷 Qgs 栅漏电荷 VGS = 4.5V 1.64 2.13 Qgd 1.34 1.74 延迟时间（On） td(on) 10.4 20.8 上升时间（On） tr 4.4 8.8 延迟时间（Off） td(off) 27.36 54.72 下降时间（Off） tf 4.16 8.32 -- 522.3 -- -- 98.48 -- -- 74.69 -- 输入电容 Ciss 输出电容 Coss 反向传输电容 Crss VDD = 10V,ID = 6A ID = 1A,VGS = 4.5V VDS = 8V, VGS = 0V f=1.0MHz ns pF 漏源二极管 二极管最大正向电流 二极管正向电压 IS -- -- -- 1.7 A VSD IS = 1.7A, VGS = 0V -- -- 1.2 V 注：脉冲测试：脉冲宽度