TC4953C

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC4953C (文件编号：S&CIC1071) 20V P 沟道增强型 MOS 场效应管 VDS= -20V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A = 65mΩ@TYP RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A = 98mΩ@TYP Internal Schemaic Diagram Source Gate Drain P-Channel MOSFET 特点    先进的沟道工艺技术 高密度超低电阻设计 改良的成形工艺 最大额定值和热特性(TA = 25℃，除非另有说明。) 参数 漏源电压 符号 值 VDS -20 单位 V 栅源电压 VGS ±12 漏极电流 ID -5.3 漏极脉冲电流 IDM -20 TJ, Tstg -50 to 150 A 工作结温和存储温度范围 ℃ 注：重复性极限值：脉冲宽度由最高结温限制。 1 2 第 1 页 共 3 页 3 深圳市富满电子集团股份有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC4953C (文件编号：S&CIC1071) 20V P 沟道增强型 MOS 场效应管 电特性 参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 BVDSS VGS = 0V, ID = -250uA -20 -- -- V RDS(on) VGS = -4.5V, ID = -4.2A -- 90 110 静电 漏源击穿电压 mΩ 漏源电阻 RDS(on) VGS = -10V, ID = -5.3A -- 70 90 VGS(th) VDS = VGS, ID = -250uA -1 -1.4 -3 V 栅源短路时漏极电流 IDSS VDS = -24V, VGS = 0V -- -- -1 uA 漏极短路时截止栅电流 IGSS VGS = ±20V, VDs= 0V -- -- ±100 uA 跨导 Gfs VDS = -10V, ID = -5.3A -- 10 -- S IS -- -- -- 2.6 A VSD IS = -2.6A, VGS = 0V -- -- -1.3 V 栅极阈值电压 漏源二极管 二极管最大正向电流 二极管正向电压 注：脉冲测试：脉冲宽度