LP20R045S
高性能副边同步整流驱动芯片
概述
特点
LP20R045S 是一款高性能的副边同步整流芯片,集
成同步整流 MOS,适用于隔离型的同步整流应用。
尤其适用于充电器中对高效率的需求场合。
LP20R045S 采用专利的整流管开通技术和周期追
踪技术,可以有效的避免因激磁振荡引起的驱动芯
片误动作以及在 CCM 工作条件下纯电压判定的关
断延迟造成的效率损失。
LP20R045S 采用特有的 VCC 供电技术,可以保证
芯片不会欠电工作。
另外 LP20R045S 还集成了 VCC 欠压保护,过压钳
位,以及驱动脚去干扰等技术。
隔离型的同步整流控制应用
集成同步整流管
兼容 DCM,BCM,QR,CCM 多种工作模式
专利的整流管开通技术和周期追踪技术
特有的 VCC 供电技术
芯片供电欠压保护
芯片过压钳位
芯片启动前驱动脚防误导通
外围元器件少
SOP7 封装
应用
充电器和适配器的同步整流
反激式控制器
LP20R045S 采用 SOP7 封装
典型应用
D
GND
LP20R045S
VCC
VD
AC
AC
PWM
PWM
VCC
VD
LP20R045S
D
GND
gnd
图 1 输出上端
图 2 输出下端(适用输出电压 5V)
定购信息
定购型号
封装
包装形式
打印
LP20R045S
SOP7
编带
4,000 颗/盘
LP20R045S
XXXX
XXXX:批号
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LP20R045S
高性能副边同步整流驱动芯片
管脚封装
VD
NC
LP20R045S
XXXX
VCC
GND
GND
D
D
图 3 管脚封装图
管脚描述
管脚号
管脚名称
1
2
3,4
5,6
7
NC
VCC
GND
D
VD
描述
悬空
芯片电源
芯片地,内接同步整流管源极
内接同步整流管漏极
芯片高压供电以及信号检测脚,外接电阻后接 D 脚
极限参数(注 1)
符号
VD
VCC
PDMAX
θJA
θJC
TJ
TSTG
参数
芯片高压供电以及信号检测脚
电源电压
功耗(注 2)
PN结到环境的热阻
PN结到管壳的热阻
工作结温范围
储存温度范围
ESD (注 3)
参数范围
-0.3~60
-0.3~8
0.45
120
60
-40 to 150
-55 to 150
2
单位
V
V
W
℃/W
℃/W
℃
℃
KV
注 1:最大极限值是指超出该工作范围,芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内,器件功能正常,但并不完全
保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数
规范。对于未给定上下限值的参数,该规范不予保证其精度,但其典型值合理反映了器件性能。
注 2:温度升高最大功耗一定会减小,这也是由 TJMAX, θJA,和环境温度 TA 所决定的。最大允许功耗为 PDMAX = (TJMAX TA)/ θJA 或是极限范围给出的数字中比较低的那个值。
注 3: 人体模型,100pF 电容通过 1.5KΩ 电阻放电。
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高性能副边同步整流驱动芯片
电气参数(注 4, 5)(无特别说明情况下,VCC =5.2 V,TA =25℃)
符号
描述
条件
最小值
典型值
最大值
单位
电源电压
VCC
VCC 工作电压
VCC_ON
VCC 启动电压
VCC_UVLO
5.2
V
VCC 上升
3.6
V
VCC 欠压保护阈值
VCC 下降
3.2
V
IST
VCC 启动电流
VCC= VCC-ON - 0.5V
120
uA
Icc
VCC 工作电流
260
uA
Vcc_clamp
VCC 钳位电压
6.0
V
ICC=40mA
阈值电压设置
VON
整流管开通电压阈值
-0.2
V
VOFF1
整流管第一关断阈值
-5
mV
Tb1
快速比较器屏蔽时间
3.4
uS
Td1
快速比较器响应时间
Td
总关断延迟
VOFF2
整流管第二关断阈值
Tb2
慢速比较器屏蔽时间
快速比较器
10
Cg=5nF
慢速比较器
nS
30
ns
-5
mV
1.3
uS
驱动能力
TRISE
驱动上升时间
CGATE=5nF
25
ns
TFALL
驱动下降时间
CGATE=5nF
25
ns
RDS_ON
功率管导通阻抗
VGS=6.5V/I DS=0.1A
25
mΩ
BV DSS
内置功率管击穿电压
VGS=0V/I DS=25uA
功率管
45
V
注 4:典型参数值为 25˚C 下测得的参数标准。
注 5:规格书的最小、最大规范范围由测试保证,典型值由设计、测试或统计分析保证。
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高性能副边同步整流驱动芯片
内部结构框图
VCC
VD
电源产生模块
BG
Vref
BG
VREF
IREF
-5mV
OFF1
UVLO
BG
CMP1
POK
VD
Vref
D
-5mV
OFF2
CMP2
原边开通判定
ON
LOGIC
SR_ON
Driver
-0.2V
CMP
VD
POK
钳位电路
GND
图4
LP20R045S 内部框图
应用信息
LP20R045S 是一款高性能的副边同步整流芯片,
集成同步整流 MOS,适用于隔离型的同步整流应
用,支持 DCM,BCM,CCM 和 QR 多种工作模
压充到开启阈值电压时,芯片内部控制电路开始
工作,MOS 正常的导通和关断。MOS 正常的导通
时,电流不再从体二极管流过,而从 MOS 的沟道
式。LP20R045S 采用专利的整流管开关技术,可
以有效的避免因激磁振荡引起的驱动芯片误动作
以及在 CCM 工作条件下纯电压判定的关断延迟
流过。芯片正常工作时,所需的工作电流仍然通
过 VS 脚,给 VCC 供电。
造成的效率损失。LP20R045S 采用特有的 VCC 供
电技术,可以保证在原边控制系统恒流和恒压两
种工作状态下,芯片都不会欠压工作。
DCM 工作时,由于电感的激磁作用,当初级芯片
关断时,会产生振荡。为了防止误检测振荡信号,
导致同步整流管的异常开启, LP20R045S 采用专
利的整流管开通技术。
启动
当系统上电后,通过内置 MOS 的体二极管对输出
电容充电,输出电压上升。LP20R045S 通过 VS
脚连接输出电压。当输出电压上升时,经过芯片
内部供电电路,给 VCC 电容充电,当 VCC 的电
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同步整流管导通
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当初级芯片关断时,次级 LP20R045S 的漏极 D 与
GND 之间的电压迅速下降。 LP20R045S 通过检
测 D 和 GND 之间的下降电压阈值和下降速率,能
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高性能副边同步整流驱动芯片
准确的判断同步整流管的开启。
保护功能
同步整流管关断
LP20R045S 集成了 VCC 欠压保护,过压钳位,以
及驱动脚去干扰等技术。
为了避免同步整流管导通时,因激磁振荡幅度较
大,导致误检测关断信号,使同步整流管异常的
关断;LP20R045S 通过设定的整流管第一关断电
压阈值和第二关断电压阈值,能准确地判断同步
整流管的关断。
PCB 设计
VD 与 D 之间串电阻说明
2)VS 自供电时,VCC 的旁路电容需要紧靠芯片
VCC 管脚和 GND 管脚。
为了加强可靠性,
需要在 D 与 VD 之间串 10Ω~300
Ω电阻。
D 和 GND 之间 RC 吸收回路
与肖特基应用一样,LP20R045S 的 D 和 GND 之
间可以加适当的 RC 吸收回路,改善 EMI 和尖刺
电压。
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在设计 LP20R045S PCB 时,需要遵循以下指南:
1)主功率回路走线要短粗
3)放输出下端,VCC 接输出电压正端供电时,
VCC 和 GND 要尽量靠近输出电容的两端
4)增加 D 引脚的铺铜面积以提高芯片散热。
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封装信息(SOP7)
c
D
5
10
E
E1
L
6
7
8
e
θ 11
4
1
3
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2
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A
A2
b
A1
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