LP3510
高性能副边同步整流驱动芯片
概述
特点
LP3510 是一款高性能的副边同步整流芯片,集成同
步整流 MOS,适用于隔离型的同步整流应用。尤其
适用于充电器中对高效率的需求场合。
LP3510 采用特有的 VCC 供电技术,可以保证在原
边控制系统恒流和恒压两种工作状态下,芯片都不
会欠电工作。
应用
LP3510 采用专利的原边开通判定和副边断续预判
定技术,可以有效的避免因激磁振荡引起的驱动芯
片误动作。
另外 LP3510 还集成了 VCC 欠压保护,过压钳位,
以及驱动脚去干扰等技术。
隔离型的 DCM 控制应用
集成同步整流管
专利的原边开通判定和副边断续预估
特有的 VCC 供电技术
芯片供电欠压保护
芯片过压钳位
芯片启动前驱动脚防误导通
外围元器件少
SOP8 封装
充电器和适配器的同步整流
反激式控制器
LP3510 采用 SOP8 封装
典型应用
GND
D
VCC
AE
AC
gnd
PWM
图1
LP3510_CN_DS_Rev.1.1
www.chip-hope.com
LP3510 典型应用图
SHENZHEN Chip Hope Micro-electronics LTD Confidential– Customer Use Only
LP3510
高性能副边同步整流驱动芯片
定购信息
定购型号
封装
LP3510
SOP8
包装形式
打印
编带
LP3510
4,000 颗/盘
XXXX
*XXXX 封装批次号
管脚封装
D
AE
LP3510
XXXX
VCC
GND
D
D
D
GND
图 2 管脚封装图
管脚描述
管脚号
管脚名称
1
AE
2
VCC
芯片电源
3,4
GND
芯片地,内置同步整流管源极
5,6,7,8
D
LP3510_CN_DS_Rev.1.1
描述
芯片原边开通判定和副边断续预估判定设置脚
内置同步整流管漏极
www.chip-hope.com
SHENZHEN Chip Hope Micro-electronics LTD Confidential– Customer Use Only
LP3510
高性能副边同步整流驱动芯片
极限参数(注 1)
符号
参数范围
单位
内置功率管漏极电压
-0.3~45
V
电源电压
-0.3~8
V
AE
判定设置端
-0.3~8
V
PDMAX
功耗(注 2)
0.45
W
θJA
PN结到环境的热阻
120
℃/W
TJ
工作结温范围
-40 to 150
℃
TSTG
储存温度范围
-55 to 150
℃
2
KV
D
VCC
参数
ESD (注 3)
注 1:最大极限值是指超出该工作范围,芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内,器件功能正常,但并不完全
保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数
规范。对于未给定上下限值的参数,该规范不予保证其精度,但其典型值合理反映了器件性能。
注 2:温度升高最大功耗一定会减小,这也是由 TJMAX, θJA,和环境温度 TA 所决定的。最大允许功耗为 PDMAX = (TJMAX TA)/ θJA 或是极限范围给出的数字中比较低的那个值。
注 3: 人体模型,100pF 电容通过 1.5KΩ 电阻放电。
LP3510_CN_DS_Rev.1.1
www.chip-hope.com
SHENZHEN Chip Hope Micro-electronics LTD Confidential– Customer Use Only
LP3510
高性能副边同步整流驱动芯片
电气参数(注 4, 5)(无特别说明情况下,VCC =5.0 V,TA =25℃)
符号
描述
条件
最小值
典型值
最大值
单位
VCC
VCC 工作电压
Drain=20V
5.5
V
VCC_ON
VCC 启动电压
VCC 上升
3.6
V
VCC_UVLO
VCC 欠压保护阈值
VCC 下降
3.2
V
IST
VCC 启动电流
VCC= VCC-ON - 0.5V
50
uA
Icc
VCC 工作电流
120
uA
Vcc_clamp
VCC 钳位电压
6.2
V
电源电压
ICC=40mA
阈值电压设置
SR_ON
整流管开通电压阈值
0.5
V
SR_OFF1
整流管关断第一电压阈值
-15
mV
SR_OFF2
整流管关断第二电压阈值
-5
mV
T_SRmin
整流管最小开通时间
0.9
us
S_AE
原边判定电压积分阈值
R_AE
副边断续判定比例
判定设置
RAE=100Kohm
25.5
27.0
28.5
90
us*V
%
驱动能力
TRISE
驱动上升时间
CGATE=1nF
25
ns
TFALL
驱动下降时间
CGATE=1nF
25
ns
RDS_ON
功率管导通阻抗
VGS=6.5V/I DS=0.1A
8
mΩ
BV DSS
内置功率管击穿电压
VGS=0V/I DS=25uA
ID
连续漏极电流
TC=25℃
功率管
45
V
18
A
注 4:典型参数值为 25˚C 下测得的参数标准。
注 5:规格书的最小、最大规范范围由测试保证,典型值由设计、测试或统计分析保证。
LP3510_CN_DS_Rev.1.1
www.chip-hope.com
SHENZHEN Chip Hope Micro-electronics LTD Confidential– Customer Use Only
LP3510
高性能副边同步整流驱动芯片
内部结构框图
D
VCC
电源产生模块
BG
VREF
IREF
BG
Vref
UVLO
BG
AE
Vref
同步整流
关断模块
POK
原边开通判定
ON
逻辑单元
SR_ ON
驱动
DRV
0.5V
DET
POK
副边断续预估
OFF_ EN
GND
图3
LP3510 内部框图
PWM
激磁振荡,会误判断同步整流管开启
Vin/ Nps
gnd
GND
D
0.9uS
GND
DRV 为高后, 屏蔽 0.9uS, 排除干扰
DRV
图 4 系统关键节点相对于 LP3510 的 GND 波形
LP3510_CN_DS_Rev.1.1
www.chip-hope.com
SHENZHEN Chip Hope Micro-electronics LTD Confidential– Customer Use Only
LP3510
高性能副边同步整流驱动芯片
应用信息
LP3510 是一款高性能的副边同步整流芯片,集成
同步整流 MOS,适用于隔离型的同步整流应用。
LP3510 采用专利的原边开通判定和副边断续预判
定技术,可以有效的避免因激磁振荡引起的驱动
芯片误动作。LP3510 采用特有的 VCC 供电技术,
可以保证在原边控制系统恒流和恒压两种工作状
态下,芯片都不会欠压工作。
AE 脚电阻设置
RAE=3.7×S AE
RAE:AE 脚要设置的电阻,单位 KΩ
SAE:根据 AE 电阻设定的伏秒面积,单位 uS*V
怎样设定 S AE
启动
当系统上电后,通过内置 MOS 的体二极管对输出
电容充电,输出电压上升。LP3510 通过 DET 脚连
要求输入电压 85~265VAC 且空载时,测试 LP3510
芯片 D 脚对芯片 GND 脚的工作波形,如下图:
要求(1.2×U2×t2 )
很抱歉,暂时无法提供与“LP3510”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货
免费人工找货