LP3515

LP3515 高性能副边同步整流驱动芯片 概述 特点 LP3515 是一款高性能的副边同步整流芯片，集成同 步整流 MOS，适用于隔离型的同步整流应用。尤其 适用于充电器中对高效率的需求场合。 LP3515 采用特有的 VCC 供电技术，可以保证在原          边控制系统恒流和恒压两种工作状态下，芯片都不 会欠电工作。 应用 LP3515 采用专利的原边开通判定和副边断续预判 定技术，可以有效的避免因激磁振荡引起的驱动芯 片误动作。 另外 LP3515 还集成了 VCC 欠压保护，过压钳位， 以及驱动脚去干扰等技术。   隔离型的 DCM 控制应用 集成同步整流管 专利的原边开通判定和副边断续预估 特有的 VCC 供电技术 芯片供电欠压保护 芯片过压钳位 芯片启动前驱动脚防误导通 外围元器件少 SOP7 封装 充电器和适配器的同步整流 反激式控制器 LP3515 采用 SOP7 封装 典型应用 GND VCC LP3515 AE D DET AC gnd PWM 图1 LP3515_CN_DS_Rev.1.6 www.chip-hope.com LP3515 典型应用图 SHENZHEN Chip Hope Micro-electronics LTD Confidential– Customer Use Only LP3515 高性能副边同步整流驱动芯片 定购信息 定购型号 封装 LP3515 SOP7 包装形式 打印 编带 LP3515 4,000 颗/盘 xxxxx xxxxx：批号 管脚封装 DET AE LP3515 xxxxx VCC GND D D GND 图 2 管脚封装图 管脚描述 管脚号 管脚名称 1 AE 2 VCC 芯片电源 3，4 GND 芯片地，内置同步整流管源极 5，6 D 7 DET LP3515_CN_DS_Rev.1.6 描述 芯片原边开通判定和副边断续预估判定设置脚 内置同步整流管漏极 主芯高压供电端 www.chip-hope.com SHENZHEN Chip Hope Micro-electronics LTD Confidential– Customer Use Only LP3515 高性能副边同步整流驱动芯片 极限参数(注 1) 符号 参数 参数范围 单位 DET 内部高压供电端到芯片地的峰值电压 -0.3~45 V VCC 电源电压 -0.3~8 V AE 判定设置端 -0.3~8 V PDMAX 功耗(注 2) 0.45 W θJA PN结到环境的热阻 120 ℃/W θJC PN结到管壳的热阻 60 ℃/W TJ 工作结温范围 -40 to 150 ℃ TSTG 储存温度范围 -55 to 150 ℃ 2 KV ESD (注 3) 注 1：最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内，器件功能正常，但并不完全 保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数 规范。对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精度，但其典型值合理反映了器件性能。 注 2：温度升高最大功耗一定会减小，这也是由 TJMAX, θJA,和环境温度 TA 所决定的。最大允许功耗为 PDMAX = (TJMAX TA)/ θJA 或是极限范围给出的数字中比较低的那个值。 注 3： 人体模型，100pF 电容通过 1.5KΩ 电阻放电。 LP3515_CN_DS_Rev.1.6 www.chip-hope.com SHENZHEN Chip Hope Micro-electronics LTD Confidential– Customer Use Only LP3515 高性能副边同步整流驱动芯片 电气参数(注 4, 5)（无特别说明情况下，VCC =5.0 V,TA =25℃） 符号 描述 条件 最小值 典型值 最大值 单位 VCC VCC 工作电压 Drain=20V 5.5 V VCC_ON VCC 启动电压 VCC 上升 3.6 V VCC_UVLO VCC 欠压保护阈值 VCC 下降 3.2 V IST VCC 启动电流 VCC= VCC-ON - 0.5V 50 uA Icc VCC 工作电流 120 uA Vcc_clamp VCC 钳位电压 6.2 V 电源电压 ICC=40mA 阈值电压设置 SR_ON 整流管开通电压阈值 0.5 V SR_OFF1 整流管关断第一电压阈值 -15 mV SR_OFF2 整流管关断第二电压阈值 -5 mV T_SRmin 整流管最小开通时间 0.9 us S_AE 原边判定电压积分阈值 R_AE 副边断续判定比例 判定设置 RAE=100Kohm 25.5 27.0 28.5 90 us*V % 驱动能力 TRISE 驱动上升时间 CGATE=1nF 25 ns TFALL 驱动下降时间 CGATE=1nF 25 ns RDS_ON 功率管导通阻抗 VGS=6.5V/I DS=0.1A 15 mΩ BV DSS 内置功率管击穿电压 VGS=0V/I DS=25uA ID 连续漏极电流 TC=25℃ 功率管 45 V 12 A 注 4：典型参数值为 25˚C 下测得的参数标准。 注 5：规格书的最小、最大规范范围由测试保证，典型值由设计、测试或统计分析保证。 LP3515_CN_DS_Rev.1.6 www.chip-hope.com SHENZHEN Chip Hope Micro-electronics LTD Confidential– Customer Use Only LP3515 高性能副边同步整流驱动芯片 内部结构框图 D DET VCC 电源产生模块 BG VREF IREF BG Vref UVLO BG AE 同步整流 关断模块 POK 原边开通判定 Vref ON 逻辑单元 SR_ ON 驱动 DRV 0.5V DET POK OFF_ EN 副边断续预估 GND 图 3 LP3515 内部框图 PWM 激磁振荡，会误判断同步整流管开启 Vin/Nps gnd GND D 0.9uS GND DRV 为高后，屏蔽 0.9uS，排除干扰 DRV 图 4 系统关键节点相对于 LP3515 的 GND 波形 LP3515_CN_DS_Rev.1.6 www.chip-hope.com SHENZHEN Chip Hope Micro-electronics LTD Confidential– Customer Use Only LP3515 高性能副边同步整流驱动芯片 应用信息 LP3515 是一款高性能的副边同步整流芯片，集成 同步整流 MOS，适用于隔离型的同步整流应用。 LP3515 采用专利的原边开通判定和副边断续预判 定技术，可以有效的避免因激磁振荡引起的驱动 芯片误动作。LP3515 采用特有的 VCC 供电技术， 可以保证在原边控制系统恒流和恒压两种工作状 态下，芯片都不会欠压工作。 RAE：AE 脚要设置的电阻，单位 KΩ SAE：根据 AE 电阻设定的伏秒面积，单位 uS*V 怎样设定 S AE 要求输入电压 85V~265V 且空载时，测试 LP3515 芯片 D 脚对芯片 GND 脚的工作波形，如下图： 要求（1.2×U2×t2 ）