UMW 10N65F

UMW R UMW 10N65 NN-沟道功率 MOS 管 TC=25 ●最大额定值（TC=25 TC=25°°C） （Tc=25 ●Absolute Maximum Ratings Ratings（ Tc=25°°C） 参数 PARAMETER 漏-源电压 Drain-source Voltage 栅-源电压 gate-source Voltage 漏极电流 Continuous Drain Current TC=25℃ 漏极电流 Continuous Drain Current TC=100℃ 最大脉冲电流 Drain Current －Pulsed ① 耗散功率 Power Dissipation 最高结温 Junction Temperature 存储温度 Storage Temperature 单脉冲雪崩能量 ② Single Pulse Avalanche Energy② TO-220 TO-220/220F/262/263 符号 SYMBOL 额定值 VALUE 单位 UNIT VDS 650 V VGS ±20 V ID 10 A ID 6 IDM 40 Ptot TO-220 TO-220F TO-262/263 0V 650V VDS=65 Ω 0.9Ω RDS(ON)=0.9 ID=10A A A W Tj 150 °C TSTG -55-150 °C EAS 500 mJ Tc=25 ●电特性（Tc=25 Tc=25°°C） （Tc=25 ●Electronic Characteristics Characteristics（ Tc=25°°C） 参数 PARAMETER 符号 SYMBOL 测试条件 TEST CONDITION 最小值 MIN 漏-源击穿电压 Drain-source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V, ID=250µA 650 击穿电压温度系数 Breakdown Voltage Temperature Coefficient ΔBVDSS/ ΔTj ID=250uA, Referenced to 25°C 栅极开启电压 Gate Threshold Voltage VGS(TH) VGS=VDS, ID=250µA 漏-源漏电流 Drain-source Leakage Current IDSS 跨导 Forward Transconductance gfs www.umw-ic.com 典型值 TYP 1 单位 UNIT V 0.65 2.0 VDS = 650V, VGS =0V, Tj=25°C VDS =480V, VGS =0V, Tj=125°C VDS =40V, ID=5.0A ③ 最大值 MAX 8 V/°C 4.0 V 1 µA 10 µA S 友台半导体有限公司 UMW R UMW 10N65 NN-沟道功率 MOS 管 最小值 MIN 典型值 TYP 最大值 MAX 单位 UNIT ±100 nA 0.9 Ω 参数 PARAMETER 符号 SYMBOL 测试条件 TEST CONDITION 栅极漏电流 Gate-body Leakage Current (VDS = 0) IGSS VGS =±20V 漏-源导通电阻 Static Drain-source On Resistance RDS(ON) VGS =10V, ID=5.0A ③ 0.75 输入电容 Input Capacitance Ciss VGS = 0V, VDS = 25V F = 1.0MHZ 1570 pF 关断延迟 Turn -Off Delay Time Td(off) VDD=300V, ID =10A RG=25Ω ③ 130 ns 栅极电荷 Total Gate Charge Qg 45 nC 7.5 nC 18.5 nC 栅源电荷 Gate-to-Source Charge 栅漏电荷 Gate-to-Drain Charge 二极管正向电流 Continuous Diode Forward Current 二极管正向压降 Diode Forward Voltage ID =10A, VDS = 480V VGS = 10V ③ Qgs Qgd IS Tj=25°C, Is=10A VGS =0V ③ VSD 反向恢复时间 Reverse Recovery Time trr 反向恢复电荷 Reverse Recovery Charge Qrr Tj=25°C,If=10A di/dt=100A/μs ③ 10 A 1.4 V 420 ns 4.2 uC ●热特性 ●Thermal Characteristics 参数 PARAMETER TO-220 最大值 MAX TO-220F TO-262/263 RthJC 0.80 2.50 1.0 ℃/W RthJA 62.5 62.5 62.5 ℃/W 符号 SYMBOL 热阻结-壳 Thermal Resistance Junction-case 热阻结-环境 Thermal Resistance Junction-ambient 单位 UNIT Notes)): 注释((Notes ① 脉冲宽度：以最高节温为限制 Repetitive rating: Pulse width limited by maximum junction temperature ② 初始结温=25oC, VDD =50V, L=10mH, RG =25Ω, IAS=10A Starting Tj=25oC, VDD =50V, L=10mH, RG =25Ω, IAS=10A ③ 脉冲测试：脉冲宽度≤ 300μs ，占空比≤ 2 ％ Pulse Test : Pulse width ≤ 300μs, Duty cycle ≤ 2% www.umw-ic.com 2 友台半导体有限公司 UMW R UMW 10N65 NN-沟道功率 MOS 管 ● 特性曲线 图 2 导通电阻与漏极电流和栅极电压曲线 Fig2 On-Resistance Vs.Drain Current and Gate Voltage 图 1 输出特性曲线, Tc=25℃ Fig1 Typical Output Characteristics, Tc=25℃ 图 4 二极管正向电压曲线 Fig4 Typical Source-Drain Diode Forward Voltage 图 3 导通电阻与温度曲线 Fig3 Normalized On-Resistance Vs.Temperature 图 5 最大漏极电流与壳温曲线 Fig5 Maximum Drain Current Vs.Case Temperature www.umw-ic.com 3 友台半导体有限公司 UMW R UMW 10N65 NN-沟道功率 MOS 管 ● 特性曲线 图 6-1 10N65(TO-220) 最大安全工作区曲线 Fig6-1 Maximum Safe Operating Area 图 6-1 10N65(TO-220F) 最大安全工作区曲线 Fig6 -2Maximum Safe Operating Area 图 6-3 10N65(TO-262&263) 最大安全工作区曲线 Fig6-3 Maximum Safe Operating Area www.umw-ic.com 4 友台半导体有限公司 UMW R UMW 10N65 NN-沟道功率 MOS 管 220 封装 TOTO-220 最小值 min 9.90 单位：毫米/UNIT：mm 最大值 典型值 max nom 10.70 最大值 max 4.80 符号 SYMBOL E 1.20 1.50 e B1 1.00 1.40 F 1.10 1.45 b1 0.65 1.00 L 12.50 14.50 c 0.35 0.75 L1 3.00 D 15.00 16.50 Q 2.50 3.00 D1 5.90 6.90 Q1 2.00 3.00 φP 3.60 3.90 符号 SYMBOL A 最小值 min 4.00 B www.umw-ic.com 典型值 nom 5 2.54 3.50 4.00 友台半导体有限公司 UMW R UMW 10N65 NN-沟道功率 MOS 管 TO-220F 封装 mm 单位::毫米//UNIT UNIT：mm 最大值 典型值 max nom 2.54 最大值 max 4. 95 4.9 符号 SYMBOL e 最小值 min 2.30 2.90 L 12.50 14.30 b 0.45 0.90 L1 9.10 10.05 b1 1.10 1.70 L2 15.00 16.00 c 0.35 0.90 L3 3.00 4.00 D 14.50 17.00 øp 3.00 3.50 D1 6.10 9.00 Q 2.30 2.80 E 9.60 10.30 符号 SYMBOL A 最小值 min 4. 40 4.4 A1 www.umw-ic.com 典型值 nom 6 友台半导体有限公司 UMW R UMW 10N65 NN-沟道功率 MOS 管 TO-262 封装 单位：毫米/UNIT：mm 符号 SYMBOL 最小值 min A 最大值 max 符号 SYMBOL 3.80 4.80 e A1 2.00 2.80 e1 b 0.60 1.00 E 9.90 10.70 b1 1.20 1.40 L 12.50 14.50 c 0.40 0.70 L1 0.80 c2 1.10 1.40 L2 D www.umw-ic.com 典型值 nom 最小值 min 典型值 nom 最大值 max 2.54 5.30 1.00 1.20 1.50 9.60 7 友台半导体有限公司 UMW R UMW 10N65 NN-沟道功率 MOS 管 TO-263 封装 单位：毫米/UNIT：mm 符号 SYMBOL 最小值 min A 最大值 max 符号 SYMBOL 最小值 min 4.42 4.72 E 8.99 9.29 B 1.22 1.32 e1 2.44 2.64 b 0.76 0.86 e2 4.98 5.18 b1 1.22 1.32 L1 15.19 15.79 b2 0.33 0.43 L2 2.29 2.79 C 1.22 1.32 L3 1.30 1.75 D 9.95 10.25 www.umw-ic.com 典型值 nom 8 典型值 nom 最大值 max 友台半导体有限公司 UMW R UMW 10N65 NN-沟道功率 MOS 管 63 编带规格 TO-2 TO-263 mm UNIT：mm 单位::毫米//UNIT /USER DIRECTION OF FEED 使用供带方向/USER 编带器件定位示意图//UNIT ORIENTATION www.umw-ic.com 9 友台半导体有限公司