UMW 1N60G

UMW R UMW 1N60 HANNEL POWER MOSFET NN-沟道功率 MOS 管// N-C N-CHANNEL TC=25 ●最大额定值（TC=25 TC=25°°C） （Tc=25 ●Absolute Maximum Ratings Ratings（ Tc=25°°C） TO-92/251T/251S/252,SOT-22 3 单位 UNIT 参数 PARAMETER 符号 SYMBOL 额定值 VALUE 漏-源电压 Drain-source Voltage VDS 600 V Ω 11Ω RDS(ON)=11 VGS ±30 V ID=1.0A ID 1.0* ID 0.6* A IDM 4.0* A 栅-源电压 gate-source Voltage 漏极电流 Continuous Drain Current TC=25℃ 漏极电流 Continuous Drain Current TC=100℃ 最大脉冲电流 Drain Current －Pulsed ① 耗散功率 Power Dissipation (TL=25°C) PD 最高结温 Junction Temperature Tj TO-92:3 TO-251T/251S/252/126:28 150 存储温度 TSTG -55-150 Storage Temperature 单脉冲雪崩能量 Single Pulse Avalanche EAS 14 ② Energy② *漏极电流由最高结温限制 *Drain current limited by maximum junction temperature VDS=600V A W °C °C mJ SOT-223 Tc=25 Tc=25°°C） ●电特性（Tc=25 （Tc=25 Tc=25°°C） Characteristics（ ●Electronic Characteristics 符号 SYMBOL 测试条件 TEST CONDITION 最小值 MIN BVDSS VGS=0V, ID=250µA 600 ΔBVDSS/ ΔTj ID=250uA, Referenced to 25°C VGS(TH) VGS=VDS, ID=250µA 漏-源漏电流 Drain-source Leakage Current IDSS VDS =600V, VGS =0V, Tj=25°C VDS =480V, VGS =0V, Tj=125°C 跨导 Forward Transconductance gfs 参数 PARAMETER 漏-源击穿电压 Drain-source Breakdown Voltage 击穿电压温度系数 Breakdown Voltage Temperature Coefficient 栅极开启电压 Gate Threshold Voltage www.umw-ic.com VDS =40V, ID=0.5A ③ 1 典型值 TYP 最大值 MAX V 0.6 2.0 0.5 单位 UNIT V/°C 4.0 V 25 µA 250 µA S 友台半导体有限公司 UMW R UMW 1N60 HANNEL POWER MOSFET NN-沟道功率 MOS 管// N-C N-CHANNEL 参数 PARAMETER 栅极漏电流 Gate-body Leakage Current (VDS = 0) 漏-源导通电阻 Static Drain-source On Resistance 输入电容 Input Capacitance 符号 SYMBOL 测试条件 TEST CONDITION IGSS VGS =±30V RDS(ON) VGS =10V, ID=0.5A ③ Coss 反向传输电容 Reverse transfer Capacitance Crss 关断延迟 Turn -Off Delay Time 栅极电荷 Total Gate Charge 栅源电荷 Gate-to-Source Charge 栅漏电荷 Gate-to-Drain Charge 二极管正向电流 Continuous Diode Forward Current 二极管正向压降 Diode Forward Voltage Td(off) VGS = 0V, VDS = 25V F = 1.0MHZ trr 反向恢复电荷 Reverse Recovery Charge Qrr ±100 nA 11 Ω 25 VDD=300V, ID =1.0A RG= 25Ω ③ pF ID =1.0A, VDS = 480V VGS = 10V ③ 13 ns 4.8 nC 0.7 nC 2.7 nC IS 反向恢复时间 Reverse Recovery Time 单位 UNIT 5.4 Qgd VSD 最大值 MAX 150 Qg Qgs 典型值 TYP 8.5 Ciss 输出电容 Output Capacitance 最小值 MIN Tj=25°C, Is=0.5A VGS =0V ③ Tj=25°C, If=1.0A di/dt=100A/μs ③ 1.0 A 1.4 V 190 ns 0.53 uC ●热特性 ●Thermal Characteristics 参数 PARAMETER 热阻结-环境 Thermal Resistance Junction-lead 热阻结-环境 Thermal Resistance Junction-ambient 符号 SYMBOL 最大值 MAX 单位 UNIT TO-92 T/251S/252 TO-251T TO-251 RthJL 41.67 4.46 ℃/W RthJA 140.0 110.0 ℃/W 注释((Notes Notes)): ① 脉冲宽度：以最高节温为限制 Repetitive rating: Pulse width limited by maximum junction temperature ② 初始结温=25oC, VDD =50V, L=30mH, RG =25Ω, IAS=1.0A Starting Tj=25oC, VDD =50V, L=30mH, RG =25Ω, IAS=1.0A ③ 脉冲测试：脉冲宽度≤ 300μs ，占空比≤ 2 ％ Pulse Test : Pulse width ≤ 300μs, Duty cycle ≤ 2% www.umw-ic.com 2 友台半导体有限公司 UMW R UMW 1N60 HANNEL POWER MOSFET NN-沟道功率 MOS 管// N-C N-CHANNEL ● 特性曲线 图 1 输出特性曲线, Tc=25℃ Fig1 Typical Output Characteristics, Tc=25℃ 图 2 输出特性曲线, Tc=150℃ Fig2 Typical Output Characteristics, Tc=150℃ 图 3 归一化导通电阻与温度曲线 Fig3 Normalized On-Resistance Vs.Temperature 图 4 二极管正向电压曲线 Fig4 Typical Source-Drain Diode Forward Voltage 图 5 最大漏极电流与壳温曲线 Fig5 Maximum Drain Current Vs.Case Temperature www.umw-ic.com 3 友台半导体有限公司 UMW R UMW 1N60 HANNEL POWER MOSFET NN-沟道功率 MOS 管// N-C N-CHANNEL TO-92 封装机械尺寸 TO-92 MECHANICAL DATA mm 单位::毫米//UNIT UNIT：mm 最大值//max 符号//SYMBOL 最小值//min A 4.30 5.30 b 0.30 0.55 c 0.30 0.50 φD D 4.30 5.20 d 1.00 1.70 E 3.20 4.20 典型值//nom e 2.54 e1 1.27 L 12.70 15.00 L1 1.50 2.00 www.umw-ic.com 4 友台半导体有限公司 UMW R UMW 1N60 HANNEL POWER MOSFET NN-沟道功率 MOS 管// N-C N-CHANNEL T 封装机械尺寸 TO-251 TO-251T T (IPAK) MECHANICAL DATA TO-251 TO-251T 单位:毫米/UNIT：mm 最大值//max 符号//SYMBOL 最小值//min A 2.10 2.50 A1 0.95 1.30 B 0.80 1.25 b 0.50 0.80 b1 0.70 0.80 c 0.45 0.70 c1 0.45 0.70 D 6.35 6.80 D1 5.10 5.50 E 5.30 6.30 e 2.25 L 7.00 9.20 H 0.35 0.45 W1 0.30 0.50 W2 0.20 0.40 典型值//nom 2.30 2.35 [S/L] www.umw-ic.com 5 友台半导体有限公司 UMW R UMW 1N60 HANNEL POWER MOSFET NN-沟道功率 MOS 管// N-C N-CHANNEL S 封装机械尺寸 TO-251 TO-251S S (IPAK) MECHANICAL DATA TO-251 TO-251S 单位:毫米/UNIT：mm 最大值//max 符号//SYMBOL 最小值//min A 2.20 2.40 b 0.60 0.85 C 0.45 D 6.50 6.70 D1 5.10 5.50 E 5.9 6.20 e 2.18 L 11.00 12.40 L1 4.8 5.3 L2 3.5 4.2 www.umw-ic.com 典型值//nom 0.50 2.29 6 0.60 2.38 友台半导体有限公司 UMW R UMW 1N60 HANNEL POWER MOSFET NN-沟道功率 MOS 管// N-C N-CHANNEL TO-252 封装机械尺寸 TO-252 MECHANICAL DATA mm 单位::毫米//UNIT UNIT：mm 最小值 最大值 min max 0.85 1.25 符号 SYMBOL A 最小值 min 2.10 最大值 max 2.50 符号 SYMBOL B b 0.50 0.80 b1 0.50 0.90 b2 0.45 0.70 C 0.45 0.70 D 6.30 6.75 D1 5.10 5.50 E 5.30 6.30 e1 2.25 2.35 L1 9.20 10.60 e2 4.45 4.75 L2 0.90 1.75 L3 0.60 1.10 K 0.00 0.23 www.umw-ic.com 7 友台半导体有限公司 UMW R UMW 1N60 HANNEL POWER MOSFET NN-沟道功率 MOS 管// N-C N-CHANNEL TO-252 编带规格尺寸 TO-252 TAPE AND REEL DATA mm UNIT：mm 单位::毫米//UNIT 符号 SYMBOL 最小值 min 最大值 max 符号 SYMBOL 最小值 min 最大值 max W 16.0-0.3 16.0+0.3 F 7.5-0.1 7.5+0.1 P0 4.0-0.1 4.0+0.1 D 1.5-0.0 1.5+0.1 P 8.0-0.1 8.0+0.1 P1 2.0-0.1 2.0+0.1 K 2.65 2.80 D1 1.5-0.0 1.5+0.1 使用供带方向/USER DIRECTION OF FEED 编带器件定位/UNIT ORIENTATION www.umw-ic.com 8 友台半导体有限公司 UMW R UMW 1N60 HANNEL POWER MOSFET NN-沟道功率 MOS 管// N-C N-CHANNEL SOT-22 ３ 封装机械尺寸 SOT-22 ３ MECHANICAL DATA www.umw-ic.com 9 友台半导体有限公司