物料型号:UMW 1N65
器件简介:N-Channel Power MOSFET,用于功率放大和开关应用。
引脚分配:文档中提供了不同封装类型的引脚分配,例如TO-92, TO-251, TO-251S, TO-252, 和SOT-223。
参数特性:
- 漏-源电压(Vos):650V
- 栅-源电压(VGs):±30V
- 漏极电流(Io):在25°C时为1.0A,在100°C时为0.6A
- 最大脉冲电流(IoM):4.0A
- 耗散功率(Po):取决于封装类型
- 最高结温(Tj):150℃
功能详解:文档提供了电特性表,包括漏-源击穿电压、栅极开启电压、漏-源漏电流、跨导等参数的最小值、典型值和最大值。
应用信息:UMW 1N65适用于功率放大和开关应用。
封装信息:文档详细列出了不同封装类型的机械尺寸数据。