HR8P506FHLP

HR8P506_Datasheet_C 32 位 MCU HR8P506 数 据 手 册  产品简介  数据手册 产品规格 上海东软载波微电子有限公司 2016 年 1 月 27 日 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 1/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 东软载波 MCU 芯片使用注意事项 关于芯片的上/下电 东软载波 MCU 芯片具有独立电源管脚。当 MCU 芯片应用在多电源供电系统时，应先对 MCU 芯片上电，再对系统 其他部件上电；反之，下电时，先对系统其他部件下电，再对 MCU 芯片下电。若操作顺序相反则可能导致芯片内 部元件过压或过流，从而导致芯片故障或元件退化。具体可参照芯片的数据手册说明。 关于芯片的复位 东软载波 MCU 芯片具有内部上电复位。对于不同的快速上/下电或慢速上/下电系统，内部上电复位电路可能失效， 建议用户使用外部复位、下电复位、看门狗复位等，确保复位电路正常工作。在系统设计时，若使用外部复位电路， 建议采用三极管复位电路、RC 复位电路。若不使用外部复位电路，建议采用复位管脚接电阻到电源，或采取必要 的电源抖动处理电路或其他保护电路。具体可参照芯片的数据手册说明。 关于芯片的时钟 东软载波 MCU 芯片具有内部和外部时钟源。内部时钟源会随着温度、电压变化而偏移，可能会影响时钟源精度； 外部时钟源采用陶瓷、晶体振荡器电路时，建议使能起振延时；使用 RC 振荡电路时，需考虑电容、电阻匹配；采 用外部有源晶振或时钟输入时，需考虑输入高/低电平电压。具体可参照芯片的数据手册说明。 关于芯片的初始化 东软载波 MCU 芯片具有各种内部和外部复位。对于不同的应用系统，有必要对芯片寄存器、内存、功能模块等进 行初始化，尤其是 I/O 管脚复用功能进行初始化，避免由于芯片上电以后，I/O 管脚状态的不确定情况发生。 关于芯片的管脚 东软载波 MCU 芯片具有宽范围的输入管脚电平，建议用户输入高电平应在 VIHMIN 之上，低电平应在 VILMAX 之 下。避免输入电压介于 VIHMIN 和 VILMAX 之间，以免波动噪声进入芯片。对于未使用的输入/输出管脚，建议用户 设为输入状态，并通过电阻上拉至电源或下拉至地，或设置为输出管脚，输出固定电平并浮空。对未使用的管脚处 理因应用系统而异，具体遵循应用系统的相关规定和说明。 关于芯片的 ESD 防护措施 东软载波 MCU 芯片具有满足工业级 ESD 标准保护电路。 建议用户根据芯片存储/应用的环境采取适当静电防护措施。 应注意应用环境的湿度；建议避免使用容易产生静电的绝缘体；存放和运输应在抗静电容器、抗静电屏蔽袋或导电 材料容器中；包括工作台在内的所有测试和测量工具必须保证接地；操作者应该佩戴静电消除手腕环手套，不能用 手直接接触芯片等。 关于芯片的 EFT 防护措施 东软载波 MCU 芯片具有满足工业级 EFT 标准的保护电路。当 MCU 芯片应用在 PCB 系统时，需要遵守 PCB 相关 设计要求，包括电源、地走线（包括数字/模拟电源分离，单/多点接地等） 、复位管脚保护电路、电源和地之间的去 耦电容、高低频电路单独分别处理以及单/多层板选择等。 关于芯片的开发环境 东软载波 MCU 芯片具有完整的软/硬件开发环境，并受知识产权保护。选择上海东软载波微电子有限公司或其指定 的第三方公司的汇编器、编译器、编程器、硬件仿真器开发环境，必须遵循与芯片相关的规定和说明。 注：在产品开发时，如遇到不清楚的地方，请通过销售或其它方式与上海东软载波微电子有限公司联系 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 2/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 产品订购信息 型号 FLASH RAM I/O HR8P506FHLQ HR8P506FHLP HR8P506FHN 46 36KB HR8P506FHS Example: 8KB 42 30 26 Timer RTC UART SPI I2C 16-bit X 4, 32-bit 1 2 2 X1 HR8P ADC LCD/LEDC LVD 12bit×16 8COM X 28SEG 1 12bit×12 8COM X 24SEG 12bit×10 8COM X 13SEG 12bit×11 8COM X 10SEG 506 F H 封装类型 LQFP48 √ LQFP44 QFN32 SOP28 LQ Package LQ LP NK SH — — — — LQFP48 LQFP44 QFN32 SOP28 Code Size H — 36K Bytes Code MEM Type F — FLASH Part No. Device Family HR8P — 32-Bit MCU based on ARM Cortex-M0 CPU Core 地 址：中国上海市龙漕路 299 号天华信息科技园 2A 楼 5 层 邮 编：200235 E-mail：support@essemi.com 电 话：+86-21-60910333 传 真：+86-21-60914991 网 址：http://www.essemi.com 版权所有© 上海东软载波微电子有限公司 本资料内容为上海东软载波微电子有限公司在现有数据资料基础上慎重且力求准确无误编制而成，本资料中所记载 的实例以正确的使用方法和标准操作为前提，使用方在应用该等实例时请充分考虑外部诸条件，上海东软载波微电 子有限公司不担保或确认该等实例在使用方的适用性、适当性或完整性，上海东软载波微电子有限公司亦不对使用 方因使用本资料所有内容而可能或已经带来的风险或后果承担任何法律责任。基于使本资料的内容更加完善等原因， 上海东软载波微电子有限公司保留未经预告的修改权。使用方如需获得最新的产品信息，请随时用上述联系方式与 上海东软载波微电子有限公司联系。 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 3/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 修订历史 版本 修改日期 更改概要 V1.0 2016-04-15 初版发布 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 4/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 目 录 内容目录 第 1 章 1. 1 1. 2 1. 3 1. 4 1. 5 第 2 章 2. 1 2. 2 2. 3 2. 4 2. 5 2. 6 芯片简介 ................................................................................................................... 15 概述 .......................................................................................................................... 15 应用领域 ................................................................................................................... 18 结构框图 ................................................................................................................... 18 管脚分配图 ............................................................................................................... 20 1. 4. 1 LQFP48 封装图 ................................................................................................. 20 1. 4. 2 LQFP44 封装图 ................................................................................................. 21 1. 4. 3 QFN32 封装图 ................................................................................................... 22 1. 4. 4 SOP28 封装图 ................................................................................................... 23 管脚说明 ................................................................................................................... 23 1. 5. 1 管脚说明............................................................................................................ 23 1. 5. 2 管脚对照表 ........................................................................................................ 24 系统控制及操作特性 ................................................................................................. 27 系统控制保护 ............................................................................................................ 27 2. 1. 1 概述 ................................................................................................................... 27 2. 1. 2 特殊功能寄存器 ................................................................................................. 27 系统电源 ................................................................................................................... 28 2. 2. 1 结构框图............................................................................................................ 28 2. 2. 2 芯片供电电源 .................................................................................................... 28 系统复位 ................................................................................................................... 28 2. 3. 1 概述 ................................................................................................................... 28 2. 3. 2 结构框图............................................................................................................ 28 2. 3. 3 复位时序图 ........................................................................................................ 29 2. 3. 4 外部复位 MRSTN 参考...................................................................................... 29 2. 3. 5 特殊功能寄存器 ................................................................................................. 30 低电压监测（LVD） ................................................................................................. 31 2. 4. 1 概述 ................................................................................................................... 31 2. 4. 2 特殊功能寄存器 ................................................................................................. 31 系统低功耗操作模式 ................................................................................................. 32 2. 5. 1 概述 ................................................................................................................... 32 2. 5. 2 浅睡眠模式 ........................................................................................................ 33 2. 5. 3 深度睡眠模式 .................................................................................................... 33 2. 5. 4 睡眠模式的唤醒 ................................................................................................. 33 2. 5. 5 FLASH 存储器等待功能 .................................................................................... 34 2. 5. 6 特殊功能寄存器 ................................................................................................. 34 系统时钟 ................................................................................................................... 35 2. 6. 1 概述 ................................................................................................................... 35 2. 6. 2 结构框图............................................................................................................ 36 2. 6. 3 功能说明............................................................................................................ 36 2. 6. 3. 1 外部时钟 XTAL....................................................................................... 36 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 5/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 2. 6. 3. 2 内部高速时钟 HRC ................................................................................ 37 2. 6. 3. 3 内部低速时钟 LRC ................................................................................. 37 2. 6. 3. 4 锁相环 PLL............................................................................................. 37 2. 6. 3. 5 外部时钟停振检测 CCM......................................................................... 39 2. 6. 3. 6 时钟滤波 CLKFLT .................................................................................. 39 2. 6. 3. 7 睡眠模式时钟状态 .................................................................................. 39 2. 6. 3. 8 浅睡眠模式............................................................................................. 40 2. 6. 3. 9 深度睡眠模式 ......................................................................................... 40 2. 6. 4 特殊功能寄存器 ................................................................................................. 40 2. 6. 5 系统时钟应用说明 ............................................................................................. 47 2. 6. 5. 1 外部时钟 XTAL....................................................................................... 47 2. 6. 5. 2 内部高速时钟 HRC ................................................................................ 47 2. 6. 5. 3 内部低速时钟 LRC ................................................................................. 48 2. 6. 5. 4 锁相环 PLL............................................................................................. 48 2. 6. 5. 5 时钟滤波 CLKFLT .................................................................................. 50 2. 7 中断和异常处理 ........................................................................................................ 50 2. 7. 1 中断和异常 ........................................................................................................ 50 2. 7. 2 中断和异常向量的分配 ...................................................................................... 52 2. 7. 3 中断向量表的重映射 ......................................................................................... 53 2. 7. 4 特殊功能寄存器 ................................................................................................. 53 2. 8 系统控制块（SCB）................................................................................................. 62 2. 8. 1 概述 ................................................................................................................... 62 2. 8. 2 特殊功能寄存器 ................................................................................................. 62 2. 9 系统定时器（SYSTICK）......................................................................................... 65 2. 9. 1 概述 ................................................................................................................... 65 2. 9. 2 特殊功能寄存器 ................................................................................................. 66 2. 10 配置字软件控制 ........................................................................................................ 67 2. 11 定时器（T16N/T32N）同步启动关停控制 ............................................................... 68 2. 11. 1 概述 ................................................................................................................. 68 2. 11. 2 特殊功能寄存器 ............................................................................................... 68 第 3 章 存储器资源 ............................................................................................................... 71 3. 1 内部存储器地址映射 ................................................................................................. 71 3. 2 FLASH 存储器 .......................................................................................................... 71 3. 2. 1 芯片配置字 ........................................................................................................ 71 3. 2. 2 程序区 FLASH................................................................................................... 73 3. 2. 3 自编程操作（IAP） ........................................................................................... 74 3. 2. 3. 1 IAP 概述 .................................................................................................. 74 3. 2. 3. 2 IAP 操作流程 .......................................................................................... 74 3. 2. 3. 3 IAP 自编程硬件固化模块 ........................................................................ 77 3. 2. 3. 4 特殊功能寄存器 ..................................................................................... 77 3. 3 数据存储器（SRAM）.............................................................................................. 81 3. 3. 1 SRAM 地址映射 ................................................................................................ 81 3. 3. 2 SRAM 位带扩展 ................................................................................................ 81 3. 4 外设寄存器 ............................................................................................................... 82 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 6/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 3. 5 第 4 章 4. 1 4. 2 4. 3 4. 4 4. 5 4. 6 第 5 章 5. 1 3. 4. 1 外设寄存器映射 ................................................................................................. 82 3. 4. 2 外设寄存器位带扩展 ......................................................................................... 82 3. 4. 3 系统控制单元（SCU）寄存器列表 ................................................................... 83 3. 4. 4 GPIO 寄存器列表 .............................................................................................. 83 3. 4. 5 IAP 寄存器列表 ................................................................................................. 85 3. 4. 6 ADC 寄存器列表................................................................................................ 85 3. 4. 7 RTC 寄存器列表 ................................................................................................ 85 3. 4. 8 LCD 寄存器列表 ................................................................................................ 86 3. 4. 9 LED 寄存器列表 ................................................................................................ 86 3. 4. 10 WDT 寄存器列表.............................................................................................. 87 3. 4. 11 T16N0/T16N1/T16N2/T16N3 寄存器列表 ....................................................... 87 3. 4. 12 T32N0 寄存器列表 ........................................................................................... 88 3. 4. 13 UART0/UART1 寄存器列表 ............................................................................. 88 3. 4. 14 EUART0 寄存器列表........................................................................................ 89 3. 4. 15 SPI0/ SPI1 寄存器列表 .................................................................................... 89 3. 4. 16 I2C0 寄存器列表 .............................................................................................. 90 内核寄存器 ............................................................................................................... 90 3. 5. 1 系统定时器（SYSTICK）寄存器列表 ............................................................... 90 3. 5. 2 中断控制器（NVIC）寄存器列表 ...................................................................... 90 3. 5. 3 系统控制块（SCB）寄存器列表 ....................................................................... 91 输入输出端口（GPIO） ........................................................................................... 92 概述 .......................................................................................................................... 92 结构框图 ................................................................................................................... 93 外部端口中断 ............................................................................................................ 93 外部按键中断 ............................................................................................................ 94 Buzz 输出 ................................................................................................................. 95 特殊功能寄存器 ........................................................................................................ 95 外设 ........................................................................................................................ 121 定时器/计数器 ......................................................................................................... 121 5. 1. 1 16 位定时器/计数器 T16N（T16N0/ T16N1/ T16N2/ T16N3） ...................... 121 5. 1. 1. 1 概述...................................................................................................... 121 5. 1. 1. 2 结构框图 .............................................................................................. 122 5. 1. 1. 3 T16N 定时/计数功能 ............................................................................. 122 5. 1. 1. 4 T16N 输入捕捉功能 .............................................................................. 123 5. 1. 1. 5 T16N 输出调制功能 .............................................................................. 125 5. 1. 1. 6 特殊功能寄存器 ................................................................................... 127 5. 1. 1. 7 T16N 应用说明 ..................................................................................... 138 5. 1. 2 32 位定时器/计数器 T32N（T32N0） ............................................................. 138 5. 1. 2. 1 概述...................................................................................................... 138 5. 1. 2. 2 结构框图 .............................................................................................. 138 5. 1. 2. 3 T32N 定时/计数功能 ............................................................................. 139 5. 1. 2. 4 T32N 输入捕捉功能 .............................................................................. 140 5. 1. 2. 5 T32N 输出调制功能 .............................................................................. 141 5. 1. 2. 6 特殊功能寄存器 ................................................................................... 142 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 7/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 5. 2 5. 3 5. 4 5. 5 5. 1. 2. 7 T32N 应用说明 ..................................................................................... 149 通用异步接收/发送器（UART0/ UART1） ............................................................. 149 5. 2. 1 概述 ................................................................................................................. 149 5. 2. 2 结构框图.......................................................................................................... 149 5. 2. 3 UART 数据格式 ............................................................................................... 150 5. 2. 4 UART 异步发送器 ........................................................................................... 151 5. 2. 5 UART 异步接收器 ........................................................................................... 153 5. 2. 6 UART 发送调制功能 ........................................................................................ 154 5. 2. 7 UART 红外唤醒功能 ........................................................................................ 155 5. 2. 8 UART 端口极性 ............................................................................................... 155 5. 2. 9 UART 自动波特率检测 .................................................................................... 155 5. 2. 10 UART 空闲帧检测 .......................................................................................... 157 5. 2. 11 UART 发送暂停和接收暂停 ............................................................................ 157 5. 2. 12 特殊功能寄存器 ............................................................................................. 157 5. 2. 13 UART 应用说明 .............................................................................................. 174 增强型通用异步接收/发送器（EUART0） ............................................................. 174 5. 3. 1 概述 ................................................................................................................. 174 5. 3. 2 结构框图.......................................................................................................... 174 5. 3. 3 EUART 端口复用............................................................................................. 174 5. 3. 4 普通 UART 通讯模式 ....................................................................................... 175 5. 3. 5 7816 通讯模式的异步接收器和发送器 ............................................................ 175 5. 3. 6 7816 通讯模式的数据格式............................................................................... 176 5. 3. 7 7816 通讯模式的自动重发功能 ....................................................................... 176 5. 3. 8 7816 通讯模式的自动重收功能 ....................................................................... 177 5. 3. 9 特殊功能寄存器 ............................................................................................... 177 5. 3. 10 EUART 应用说明 ........................................................................................... 188 SPI 同步串口通讯控制器（SPI0 /SPI1） ............................................................... 188 5. 4. 1 概述 ................................................................................................................. 188 5. 4. 2 结构框图.......................................................................................................... 188 5. 4. 3 SPI 通讯模式 ................................................................................................... 188 5. 4. 4 SPI 数据格式 ................................................................................................... 189 5. 4. 5 SPI 帧位宽....................................................................................................... 190 5. 4. 6 SPI 同步发送器 ............................................................................................... 190 5. 4. 7 SPI 同步接收器 ............................................................................................... 191 5. 4. 8 SPI 通讯控制 ................................................................................................... 192 5. 4. 9 SPI 延迟接收功能 ............................................................................................ 192 5. 4. 10 SPI 数据帧发送间隔功能................................................................................ 193 5. 4. 11 特殊功能寄存器 ............................................................................................. 193 5. 4. 12 SPI 应用说明 .................................................................................................. 199 I2C 总线串口通讯控制器（I2C0） ......................................................................... 201 5. 5. 1 概述 ................................................................................................................. 201 5. 5. 2 结构框图.......................................................................................................... 201 5. 5. 3 I2C 总线基本原理 ............................................................................................ 202 5. 5. 3. 1 I2C 通讯协议......................................................................................... 202 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 8/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 5. 6 5. 7 5. 8 5. 9 5. 5. 3. 2 I2C 数据传输格式 ................................................................................. 202 5. 5. 4 I2C 通讯端口配置 ............................................................................................ 203 5. 5. 5 I2C 时基定时器与 16 倍速采样器 .................................................................... 204 5. 5. 6 I2C 通讯发送器................................................................................................ 205 5. 5. 7 I2C 通讯接收器................................................................................................ 206 5. 5. 8 I2C 通讯控制 ................................................................................................... 206 5. 5. 8. 1 I2C 起始位 ............................................................................................ 207 5. 5. 8. 2 I2C 停止位 ............................................................................................ 207 5. 5. 8. 3 I2C 应答延迟功能 ................................................................................. 208 5. 5. 8. 4 I2C 数据帧传输间隔功能 ...................................................................... 208 5. 5. 8. 5 I2C 时钟线自动下拉等待请求功能 ........................................................ 209 5. 5. 8. 6 I2C 自动发送未应答功能 ...................................................................... 209 5. 5. 9 特殊功能寄存器 ............................................................................................... 210 5. 5. 10 I2C 应用说明 .................................................................................................. 217 模数转换器（ADC） .............................................................................................. 218 5. 6. 1 概述 ................................................................................................................. 218 5. 6. 2 结构框图.......................................................................................................... 219 5. 6. 3 ADC 基本配置 ................................................................................................. 219 5. 6. 4 ADC 高精度参考电压 ...................................................................................... 219 5. 6. 5 ADC 数据转换 ................................................................................................. 219 5. 6. 6 自动转换比较功能 ........................................................................................... 221 5. 6. 7 特殊功能寄存器 ............................................................................................... 222 实时时钟（RTC） .................................................................................................. 230 5. 7. 1 概述 ................................................................................................................. 230 5. 7. 2 RTC 写保护 ..................................................................................................... 230 5. 7. 3 时间日期设置 .................................................................................................. 230 5. 7. 4 RTC 中断源 ..................................................................................................... 232 5. 7. 5 RTC 计时功能 ................................................................................................. 232 5. 7. 6 特殊功能寄存器 ............................................................................................... 232 5. 7. 7 RTC 应用说明 ................................................................................................. 239 液晶显示控制器（LCDC） ..................................................................................... 239 5. 8. 1 概述 ................................................................................................................. 239 5. 8. 2 结构框图.......................................................................................................... 240 5. 8. 3 LCD 基本设置.................................................................................................. 240 5. 8. 4 LCD 偏置电压选择 .......................................................................................... 240 5. 8. 5 LCD 像素对照表 .............................................................................................. 241 5. 8. 6 LCD 工作时钟源 .............................................................................................. 242 5. 8. 7 LCD 显示帧频率 .............................................................................................. 242 5. 8. 8 LCD 闪烁功能.................................................................................................. 242 5. 8. 9 LCD 低功耗模式 .............................................................................................. 242 5. 8. 10 特殊功能寄存器 ............................................................................................. 243 数码管显示控制器（LEDC） ................................................................................. 249 5. 9. 1 概述 ................................................................................................................. 249 5. 9. 2 结构框图.......................................................................................................... 249 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 9/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 5. 9. 3 LED 基本设置 .................................................................................................. 249 5. 9. 4 LED 像素对照表 .............................................................................................. 249 5. 9. 5 LED 工作时钟源 .............................................................................................. 250 5. 9. 6 LED 工作示意图 .............................................................................................. 250 5. 9. 7 特殊功能寄存器 ............................................................................................... 250 5. 10 看门狗定时器（WDT） .......................................................................................... 253 5. 10. 1 概述 ............................................................................................................... 253 5. 10. 2 特殊功能寄存器 ............................................................................................. 254 第 6 章 芯片封装图 ............................................................................................................. 257 6. 1 LQFP 48-pin 封装图 ............................................................................................... 257 6. 2 LQFP 44-pin 封装图 ............................................................................................... 258 6. 3 QFN 32-pin 封装图 ................................................................................................. 259 6. 4 SOP 28-pin 封装图 ................................................................................................. 260 附录 1 Cortex-M0 内核描述...................................................................................................... 261 附录 1.1 Cortex-M0 指令集 ................................................................................................... 261 附录 1.2 Cortex-M0 内核寄存器 ............................................................................................ 263 附录 1.2.1 通用寄存器 R0~R12 .................................................................................... 263 附录 1.2.2 堆栈指针寄存器 SP（R13）........................................................................ 263 附录 1.2.3 链接寄存器 LR（R14） ................................................................................ 264 附录 1.2.4 程序计数器 PC（R15）................................................................................ 264 附录 1.2.5 程序状态寄存器 xPSR .................................................................................. 264 附录 1.2.6 异常/中断屏蔽寄存器 PRIMASK................................................................... 265 附录 1.2.7 控制寄存器 CONTROL ................................................................................. 265 附录 2 电气特性 ................................................................................................................. 267 附录 2.1 参数特性表 .............................................................................................................. 267 附录 2.1.1 芯片工作条件 ............................................................................................... 267 附录 2.1.2 芯片特性参数测量方法 ................................................................................ 268 附录 2.1.3 芯片功耗特性 ............................................................................................... 268 附录 2.1.4 芯片 IO 端口特性 ......................................................................................... 270 附录 2.1.5 芯片系统时钟特性........................................................................................ 272 附录 2.1.6 芯片功能模块特性........................................................................................ 272 附录 2.2 参数特性图 .............................................................................................................. 275 附录 2.2.1 芯片功耗特性 ............................................................................................... 275 附录 2.2.2 芯片 IO 端口输入特性 .................................................................................. 277 附录 2.2.3 芯片 IO 端口输出特性（普通驱动，PA6~PA13 端口除外）........................ 279 附录 2.2.4 芯片 IO 端口输出特性（大电流驱动，PA6~PA13 端口除外） .................... 283 附录 2.2.5 芯片 IO 端口输出特性（普通驱动，PA6~PA13 端口） ............................... 287 附录 2.2.6 芯片 IO 端口输出特性（大电流驱动，PA6~PA13 端口） ........................... 291 附录 3 编程调试接口 .......................................................................................................... 296 附录 3.1 概述 ......................................................................................................................... 296 附录 3.2 ISP 编程接口........................................................................................................... 296 附录 3.2.1 通信协议 ....................................................................................................... 296 附录 3.2.2 操作流程 ....................................................................................................... 297 附录 3.3 SWD 调试接口 ........................................................................................................ 297 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 10/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 附录 3.3.1 概述 .............................................................................................................. 297 附录 3.3.2 SWD 特性 ..................................................................................................... 298 附录 4 LCD 驱动波形 ................................................................................................................ 299 附录 4.1 概述 ........................................................................................................................ 299 附录 4.2 驱动波形图 ............................................................................................................. 299 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 11/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 图目录 图 图 图 图 图 1-1 1-2 1-3 1-4 1-5 HR8P506 结构框图 .......................................................................................................... 19 LQFP48 封装顶视图 ........................................................................................................ 20 LQFP44 封装顶视图 ........................................................................................................ 21 QFN32 封装顶视图 .......................................................................................................... 22 SOP28 封装顶视图 .......................................................................................................... 23 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 2-1 2-2 2-3 2-4 2-5 2-6 2-7 2-8 3-1 3-2 3-3 3-4 3-5 3-6 3-7 4-1 系统电源结构框图 ............................................................................................................ 28 系统复位电路结构框图..................................................................................................... 28 上电复位时序示意图 ........................................................................................................ 29 掉电复位时序示意图 ........................................................................................................ 29 MRSTN 复位参考电路图 1 ............................................................................................... 29 MRSTN 复位参考电路图 2 ............................................................................................... 29 系统时钟电路结构框图..................................................................................................... 36 XTAL 振荡器电路结构示意图 ........................................................................................... 37 内部存储系统分配示意图 ................................................................................................. 71 IAP 操作请求流程图 ......................................................................................................... 75 IAP 全擦除操作流程图 ..................................................................................................... 75 IAP 页擦除操作流程图 ..................................................................................................... 76 IAP 编程操作流程图 ......................................................................................................... 76 SRAM 映射图 ................................................................................................................... 81 外设存储器分配示意图..................................................................................................... 82 IO 端口电流结构图 ........................................................................................................... 93 4-2 4-3 4-4 4-5 外部端口中断电路结构示意图 .......................................................................................... 93 外部按键中断电路结构示意图 .......................................................................................... 94 Buzz 高电平调制输出波形图............................................................................................ 95 Buzz 低电平调制输出波形图............................................................................................ 95 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 5-1 5-2 5-3 5-4 5-5 5-5 5-6 5-7 5-8 5-9 5-10 5-11 5-12 5-13 5-14 5-15 5-16 T16N 电路结构框图 ....................................................................................................... 122 T16N 计数匹配功能示意图 ............................................................................................ 123 T16N 捕捉功能示意图 .................................................................................................... 124 T16N PWM 独立模式输出调制功能示意图 .................................................................... 126 T16N 互补输出功能示意图 ............................................................................................ 127 T32N 电路结构框图 ....................................................................................................... 138 T32N 计数匹配功能示意图 ............................................................................................ 140 T32N 捕捉功能示意图 .................................................................................................... 141 T32N 输出调制功能示意图 ............................................................................................ 142 UART 电路结构图 .......................................................................................................... 150 UART 7 位数据格式 ..................................................................................................... 150 UART 8 位数据格式 ..................................................................................................... 150 UART 9 位数据格式 ..................................................................................................... 150 UART 发送数据流示意图 ............................................................................................. 151 UART 发送数据操作流程图示例 .................................................................................. 152 UART 接收数据流示意图 ............................................................................................. 153 UART 接收数据操作流程图示例 .................................................................................. 154 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 12/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 5-17 TXx 高电平调制输出波形图 ......................................................................................... 155 5-18 TXx 低电平调制输出波形图 ......................................................................................... 155 5-19 自动波特率检测时序示意图 ......................................................................................... 156 5-20 自动波特率检测错误时序示意图 .................................................................................. 156 5-21 空闲帧检测时序示意图................................................................................................. 157 5-22 EUART 电路结构框图 .................................................................................................. 174 5-23 7816 通讯模式发送数据流示意图 ................................................................................ 175 5-24 7816 通讯模式接收数据流示意图 ................................................................................ 176 5-25 SPI 电路结构框图 ........................................................................................................ 188 5-26 SPI 时钟上升沿发送，下降沿接收波形示意图 ............................................................. 189 5-27 SPI 时钟下降沿发送，上升沿接收波形示意图 ............................................................. 189 5-28 SPI 时钟上升沿接收，下降沿发送波形示意图 ............................................................. 190 5-29 SPI 时钟下降沿接收，上升沿发送波形示意图 ............................................................. 190 5-30 SPI 发送数据流示意图 ................................................................................................. 191 5-31 SPI 接收数据流示意图 ................................................................................................. 191 5-32 SPI 延迟接收功能波形示意图 ...................................................................................... 193 5-33 I2C 电路结构框图 ......................................................................................................... 201 5-34 I2C 总线通讯协议示意图 .............................................................................................. 202 5-35 I2C 主控器写入从动器数据示意图 ............................................................................... 203 5-36 I2C 主控器读取从动器数据示意图 ............................................................................... 203 5-37 开漏输出端口示意图 .................................................................................................... 204 5-38 I2C 总线端口信号的波形示意图 ................................................................................... 205 5-39 I2C 发送数据流示意图 ................................................................................................. 205 5-40 2C 接收数据流示意图 .................................................................................................. 206 5-41 I2C 起始位波形图 ......................................................................................................... 207 5-42 I2C 自动寻呼波形图 ..................................................................................................... 207 5-43 I2C 停止位波形图 ......................................................................................................... 208 5-44 I2C 应答延迟功能波形示意图 ...................................................................................... 208 5-45 I2C 数据帧传输间隔功能波形示意图 ........................................................................... 209 5-46 I2C 时钟线下拉等待波形示意图 ................................................................................... 209 5-47 ADC 内部结构图 .......................................................................................................... 219 5-48 ADC 数据转换时序示意图（ADC_CON1 寄存器的 SMPS=0，软件控制采样） ........ 220 5-49 ADC 数据转换时序示意图（ADC_CON1 寄存器的 SMPS=1，硬件控制采样） ........ 220 5-50 LCD 驱动模块框图 ....................................................................................................... 240 5-51 1/4 VDD 外部偏置电压参考电路..................................................................................... 241 5-52 快速充放电示意图 ........................................................................................................ 243 5-53 LED 驱动模块框图 ....................................................................................................... 249 5-54 LED 工作示意图 ........................................................................................................... 250 6-1 内核寄存器 ..................................................................................................................... 263 6-2 堆栈操作示意图.............................................................................................................. 264 6-3 芯片功耗测量连接示意图 ............................................................................................... 268 6-4 芯片 IO 端口输出特性参数测量连接示意图 ................................................................... 268 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 13/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 表目录 表 1-1 管脚说明........................................................................................................................... 24 表 1-2 管脚对照表 ....................................................................................................................... 25 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 2-1 2-2 2-3 2-4 4-1 5-1 5-2 5-3 5-3 5-5 5-4 低功耗模式时钟状态表..................................................................................................... 33 异常/中断优先级操作类型说明说明表 .............................................................................. 51 异常/中断优先级列表 ....................................................................................................... 51 IRQ 分配列表 ................................................................................................................... 53 PINT 选择对应列表 .......................................................................................................... 94 I2C 总线端口信号的时序参数列表 ................................................................................. 204 12/24 小时模式对照表.................................................................................................... 231 LCD 外部偏置电压输入配置表 ....................................................................................... 241 LCD 像素对照列表 ......................................................................................................... 242 LCD 复用类型列表 ......................................................................................................... 245 LED 像素对照列表 ......................................................................................................... 250 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 14/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 第 1 章 芯片简介 1. 1 概述 该产品是一款高集成度的通用 MCU 芯片，内部集成 32 位 ARM Cortex-M0 CPU 内核。集成多 个 16 位和 32 位定时器/计数器，带红外发送调制功能的 UART 模块，兼容 7816 协议的通信接 口，SPI 和 I2C 通信模块，带实时时钟模块 RTC，支持停显及闪烁功能的 LCD 驱动模块，12 位 ADC，以及用于系统电源监测的 LVD 模块等外设。       工作条件  工作电压范围：2.2V ~ 5.5V  工作温度范围：-40 ~ 85℃（工业级）  工作主时钟频率：32KHz~48MHz  工作电流：Ivdd = 3.5mA（@内部 HRC 16MHz，典型值）  待机电流：Ivdd = 5uA（常温，典型值） 封装  LQFP48 封装（支持 46 个 I/O 端口）  LQFP44 封装（支持 42 个 I/O 端口）  QFN32 封装（支持 30 个 I/O 端口）  SOP28 封装（支持 26 个 I/O 端口） 电源  系统电源输入 VDD，支持工作电压为 5V 或 3.3V 的应用系统  低功耗 LVD 用于监测系统电源掉电和上电，可选择产生掉电或上电中断 复位  内嵌上电复位电路 POR  内嵌掉电复位电路 BOR  支持外部复位 时钟  外部晶体振荡器可配置，支持低速振荡器 32KHz 和高速振荡器 1~20MHz，可配置 为系统时钟源  内部 4MHz 或 16MHz RC 振荡器（HRC）可配置为系统时钟源，出厂前已校准（全 温度，全电压范围内频率精度为±3%）  内部 32KHz RC 振荡器（LRC）作为 WDT 时钟源，可配置为系统时钟源  支持 PLL 倍频，时钟源可选择，最大可倍频至 48MHz，可配置为系统时钟源 内核  ARM Cortex-M0 32 位嵌入式处理器内核  支持 SWD 串行调试接口，支持 2 个监视点（watchpoint）和 4 个断点（breakpoint）  支持两组 SWD 调试接口可选择，通过配置字 DEBUG_S 进行选择 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 15/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C    内嵌向量中断控制器 NVIC  支持唤醒中断控制器 WIC  NVIC 包含一个不可屏蔽中断 NMI  内置 1 个 SysTick 系统定时器 硬件看门狗  时钟源可选择  支持低功耗模式下唤醒  超时计数溢出可选择触发中断或复位 存储器 36K 字节 FLASH 存储器   支持 ISP 在线串行编程  支持两组 ISP 编程接口可选择，硬件自动识别有效的 ISP 编程接口  支持 IAP 在应用中编程，可选取部分区域作为数据存储使用  支持 FLASH 编程代码加密保护 8K 字节 SRAM 存储器    I/O 端口 支持最多 46 个双向 I/O 端口    SRAM 存储空间及外设寄存器地址空间支持位带（Bit band）扩展  PA 端口（PA0~PA31）  PB 端口（PB0~PB13）  支持 8 路外部中断输入，触发方式可配置，每个 I/O 端口均可作为外部中断输入源  支持 1 路按键中断输入，触发方式可配置，每个 I/O 端口均可作为按键中断输入源 定时器/计数器  T16N0：16 位定时器/计数器，带预分频器，扩展输入捕捉/输出调制功能  T16N1：16 位定时器/计数器，带预分频器，扩展输入捕捉/输出调制功能  T16N2：16 位定时器/计数器，带预分频器，扩展输入捕捉/输出调制功能  T16N3：16 位定时器/计数器，带预分频器，扩展输入捕捉/输出调制功能  T32N0：32 位定时器/计数器，带预分频器，扩展输入捕捉/输出调制功能  RTC ：一路 RTC 实时时钟 UART 通信接口  支持二路 UART 通信接口 UART0，UART1  支持全/半双工异步通信模式  支持传输波特率可配置  支持 8 级发送/接收缓冲器 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 16/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C      支持 7/8/9 位数据格式可配  支持奇偶校验功能可配，支持硬件自动奇偶校验位判断  支持空闲帧检测  支持接收帧错误标志、溢出标志、奇偶校验错误标志  支持数据接收和发送中断  支持 PWM 调制输出，且 PWM 占空比线性可调  支持接收端口红外唤醒功能  支持 UART 输入输出通讯端口极性可配置 EUART 通信接口  支持一路 EUART 通信接口 EUART0  兼容 UART 通信接口，可配置为普通 UART 模式  扩展支持异步半双工接收/发送（7816 模式）  扩展支持 8 位数据位和 1 位奇偶校验位（7816 模式）  扩展支持自动重发重收模式（7816 模式）  扩展支持可配置内部时钟输出（7816 模式）  扩展支持双通道通讯可配置（7816 模式） I2C 通信接口  支持一路通信接口 I2C0  支持主控和从动模式  支持标准 I2C 总线协议，最高传输速率 400K bit/s  支持 7 位寻址方式  约定数据从最高位开始接收/发送  支持数据接收和发送中断  SCL/SDA 端口支持推挽/开漏模式，开漏时必须使能内部弱上拉或使用外部上拉电 阻  SCL 端口支持时钟线自动下拉等待请求功能 SPI 通信接口  支持二路通信接口 SPI0，SPI1  支持主控模式和从动模式  支持 4 种通信数据格式  支持 4 级接收/发送缓冲器  支持数据接收和发送中断 ADC 模拟数字转换器  支持 12 位转换结果，有效精度为 11 位  支持 16 通道模拟输入端 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 17/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C     支持参考电压源可选择  支持中断产生  支持转换结果自动比较  支持定时触发 ADC 转换 LCDC 液晶显示控制器  支持最大 8 COM x 28SEG  支持时钟源可配置：LRC 的 4 分频，LOSC 的 4 分频或 PCLK 的 4096 分频  支持灰度调节功能  支持显示闪烁功能，闪烁频率可调  支持两种不同的 LCD 驱动波形  支持内部偏置电压可调 LEDC 数码管显示控制器  支持 1~8 个 8 段式共阴极数码管  支持时钟源可配置：LRC 的 4 分频，LOSC 的 4 分频或 PCLK 的 4096 分频 RTC 实时时钟  仅 POR 上电复位有效，支持程序写保护，有效避免系统干扰对时钟造成的影响  采用外部 32.768KHz 晶体振荡器作为精确计时时钟源  可进行高精度数字校正，提供高精度计时  时钟调校提供两种时间精度，调校范围为±384ppm（或±128ppm） ，可实现最大时 间精度为±1.5 ppm（或±0.5ppm）  时间计数（实现小时﹑分钟和秒）和日历计数（实现年﹑月﹑日和星期） ，BCD 格 式  提供 5 个可编程定时中断  提供 2 个可编程日历闹钟  提供一路可配置时钟输出  自动闰年识别，有效期到 2099 年  12 小时和 24 小时模式设置可选  低功耗设计：工作电压为 VDD=5.0V 时模块工作电流典型值为 0.5μA 1. 2 应用领域 本芯片可用于家电，小家电以及工业控制仪表等领域。 1. 3 结构框图 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 18/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C GPIO X 46 Clock Reset SCU WDT X1 36K Bytes FLASH CORTEX-M0 APB Interrupt 8K Bytes SRAM RTC X1 LCD/LEDC 8x28 AHB 12Bit ADC X 16ch AHB-APB Bridge SPI X2 APB 16Bit Timer X4 32Bit Timer X1 UART X2 EUART X1 I2C X1 图 1-1 HR8P506 结构框图 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 19/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 1. 4 管脚分配图 PA13/E0TX0/E0CK0/MOSI0/COM0 PA12/E0RX0/E0IO0/MISO0/COM1 PA11/T16N2_1/T16N3_1/SCK0/COM2 PA10/T16N2_0/T16N3_0/NSS0/COM3 26 25 29 27 PA14/NSS0/T16N2_0/SEG0/ISCK1 30 28 PA16/MISO0/SEG2 PA15/SCK0/T16N2_1/SEG1/ISDA1 31 PA18/T16N3_0/SCL0/SEG4 PA17/MOSI0/SEG3 32 PA19/T16N3_1/SDA0/SEG5 34 33 PA21/RTCO/T16N0_1/SEG7 PA20/CLKO1/T16N0_0/SEG6 35 12 MRSTN/PB12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 10 11 9 OSC1I/PB10 8 VSS OSC1O/PB11 7 PB8/T32N0_0/OSC2I/AN3/SEG26 PB9/T32N0_1/OSC2O/AN4/SEG27 6 PB7/E0TX1/E0CK1/AN2/SEG25 P B 1 /T 3 2 N 0 _ 1 /T X D 1 /T 1 6 N 3 _ 1 /S E G 1 9 5 P B 0 /T 3 2 N 0 _ 0 /R X D 1 /T 1 6 N 3 _ 0 /S E G 1 8 4 P A 3 1 /M O S I1 /T X D 1 /S E G 1 7 PB6/E0RX1/E0IO1/AN1/SEG24 P A 3 0 /M IS O 1 /R X D 1 /S E G 1 6 PB5/E0TX0/E0CK0/MOSI0/AN0/SEG23 P A 2 8 /N S S 1 /T 1 6 N 2 _ 0 /S E G 1 4 P A 2 9 /S C K 1 /T 1 6 N 2 _ 1 /S E G 1 5 3 P A 2 7 /N S S 1 /T X D 0 /T 1 6 N _ B K 3 /S E G 1 3 PB4/E0RX0/E0IO0/MISO0/SEG22 P A 2 6 /S C K 1 /R X D 0 /T 1 6 N _ B K 2 /S E G 1 2 2 P A 2 5 /M IS O 1 /T X D 0 /T 1 6 N 1 _ 1 /S E G 1 1 PB3/T16N0_1/SCK0/SDA0/SEG21 P A 2 4 /M O S I1 /R X D 0 /T 1 6 N 1 _ 0 /S E G 1 0 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 P A 2 3 /T X D 0 /S E G 9 1 P A 2 2 /R X D 0 /S E G 8 36 LQFP48 封装图 PB2/T16N0_0/NSS0/SCL0/SEG20 1. 4. 1 P A 9 /T X D 1 /T 1 6 N 1 _ 1 /A N 1 5 /C L K O 0 /C O M 4 P A 8 /R X D 1 /T 1 6 N 1 _ 0 /A N 1 4 /C O M 5 P A 7 /T 1 6 N 0 _ 1 /A N 1 3 /C O M 6 P A 6 /T 1 6 N 0 _ 0 /A N 1 2 /C O M 7 P A 5 /S D A 0 /M O S I1 /A N 1 1 P A 4 /S C L 0 /M IS O 1 /A N 1 0 P A 3 /T 3 2 N 0 _ 1 /S C K 1 /A N 9 /T 1 6 N _ B K 1 P A 2 /T 3 2 N 0 _ 0 /N S S 1 /A N 8 /T 1 6 N _ B K 0 P A 1 /B U Z /A V R E F P /A N 7 /IS D A 0 P A 0 /T 1 6 N 1 _ 1 /A V R E F N /B U Z /A N 6 /IS C K 0 VDD P B 1 3 /T 1 6 N 1 _ 0 /B U Z /A N 5 图 1-2 LQFP48 封装顶视图 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 20/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C PA12/E0RX0/E0IO0/MISO0/COM1 PA11/T16N2_1/T16N3_1/SCK0/COM2 PA10/T16N2_0/T16N3_0/NSS0/COM3 25 24 23 9 10 11 MRSTN/PB12 PB13/T16N1_0/BUZ/AN5 OSC1I/PB10 OSC1O/PB11 VSS 8 7 PB9/T32N0_1/OSC2O/AN4/SEG27 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 PA14/NSS0/T16N2_0/SEG0/ISCK1 28 PA13/E0TX0/E0CK0/MOSI0/COM0 PA15/SCK0/T16N2_1/SEG1/ISDA1 29 26 PA16/MISO0/SEG2 30 27 PA18/T16N3_0/SCL0/SEG4 PA17/MOSI0/SEG3 31 PA20/CLKO1/T16N0_0/SEG6 PA19/T16N3_1/SDA0/SEG5 32 6 PA31/MOSI1/TXD1/SEG17 5 PA30/MISO1/RXD1/SEG16 4 PA29/SCK1/T16N2_1/SEG15 PB8/T32N0_0/OSC2I/AN3/SEG26 PA28/NSS1/T16N2_0/SEG14 PB3/T16N0_1/SCK0/SDA0/SEG21 PA27/NSS1/TXD0/T16N_BK3/SEG13 3 PA26/SCK1/RXD0/T16N_BK2/SEG12 PB2/T16N0_0/NSS0/SCL0/SEG20 PA25/MISO1/TXD0/T16N1_1/SEG11 2 PA24/MOSI1/RXD0/T16N1_0/SEG10 PB1/T32N0_1/TXD1/T16N3_1/SEG19 PA23/TXD0/SEG9 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 PA22/RXD0/SEG8 1 PA21/RTCO/T16N0_1/SEG7 33 LQFP44 封装图 PB0/T32N0_0/RXD1/T16N3_0/SEG18 1. 4. 2 PA9/TXD1/T16N1_1/AN15/CLKO0/COM4 PA8/RXD1/T16N1_0/AN14/COM5 PA7/T16N0_1/AN13/COM6 PA6/T16N0_0/AN12/COM7 PA5/SDA0/MOSI1/AN11 PA4/SCL0/MISO1/AN10 PA3/T32N0_1/SCK1/AN9/T16N_BK1 PA2/T32N0_0/NSS1/AN8/T16N_BK0 PA1/BUZ/AVREFP/AN7/ISDA0 PA0/T16N1_1/AVREFN/BUZ/AN6/ISCK0 VDD 图 1-3 LQFP44 封装顶视图 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 21/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 17 PA9/TXD1/T16N1_1/AN15/CLKO0/COM4 18 PA10/T16N2_0/T16N3_0/NSS0/COM3 19 PA11/T16N2_1/T16N3_1/SCK0/COM2 21 PA13/E0TX0/E0CK0/MOSI0/COM0 20 PA12/E0RX0/E0IO0/MISO0/COM1 22 PA14/NSS0/T16N2_0/SEG0/ISCK1 5 6 7 MRSTN/PB12 PB13/T16N1_0/BUZ/AN5 9 10 11 12 13 14 15 16 4 OSC1I/PB10 OSC1O/PB11 PA8/RXD1/T16N1_0/AN14/COM5 PA7/T16N0_1/AN13/COM6 PA6/T16N0_0/AN12/COM7 PA5/SDA0/MOSI1/AN11 PA4/SCL0/MISO1/AN10 PA3/T32N0_1/SCK1/AN9/T16N_BK1 PA2/T32N0_0/NSS1/AN8/T16N_BK0 PA1/BUZ/AVREFP/AN7/ISDA0 VDD 8 3 PB1/T32N0_1/TXD1/T16N3_1/SEG19 2 PB0/T32N0_0/RXD1/T16N3_0/SEG18 VSS PA28/NSS1/T16N2_0/SEG14 PB9/T32N0_1/OSC2O/AN4/SEG27 PA27/NSS1/TXD0/T16N_BK3/SEG13 32 31 30 29 28 27 26 25 PA25/MISO1/TXD0/T16N1_1/SEG11 1 PA23/TXD0/SEG9 PA24/MOSI1/RXD0/T16N1_0/SEG10 PB8/T32N0_0/OSC2I/AN3/SEG26 PA22/RXD0/SEG8 23 PA15/SCK0/T16N2_1/SEG1/ISDA1 QFN32 封装图 24 PA16/MISO0/SEG2 1. 4. 3 图 1-4 QFN32 封装顶视图 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 22/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 1. 4. 4 SOP28 封装图 PA23/TXD0/SEG9 1 28 PA19/T16N3_1/SDA0/SEG5 PB1/T32N0_1/TXD1/T16N3_1/SEG19 2 27 PA18/T16N3_0/SCL0/SEG4 PB8/T32N0_0/OSC2I/AN3/SEG26 3 26 PA17/MOSI0/SEG3 PB9/T32N0_1/OSC2O/AN4/SEG27 4 25 PA16/MISO0/SEG2 5 24 PA15/SCK0/T16N2_1/SEG1/ISDA1 OSC1I/PB10 6 23 PA14/NSS0/T16N2_0/SEG0/ISCK1 OSC1O/PB11 7 22 PA13/E0TX0/E0CK0/MOSI0/COM0 MRSTN/PB12 8 21 PA12/E0RX0/E0IO0/MISO0/COM1 VDD 9 20 PA11/T16N2_1/T16N3_1/SCK0/COM2 PA1/BUZ/AVREFP/AN7/ISDA0 10 19 PA10/T16N2_0/T16N3_0/NSS0/COM3 PA2/T32N0_0/NSS1/AN8/T16N_BK0 11 18 PA9/TXD1/T16N1_1/AN15/CLKO0/COM4 PA3/T32N0_1/SCK1/AN9/T16N_BK1 12 17 PA8/RXD1/T16N1_0/AN14/COM5 PA4/SCL0/MISO1/AN10 13 16 PA7/T16N0_1/AN13/COM6 PA5/SDA0/MOSI1/AN11 14 15 PA6/T16N0_0/AN12/COM7 VSS 图 1-5 SOP28 封装顶视图 1. 5 管脚说明 1. 5. 1 管脚说明 管脚名称 输入类型 输出类型 A/D PA0~PA31 CMOS CMOS D 通用 I/O 端口 PB0~PB13 CMOS CMOS D 通用 I/O 端口 ISCK0/1 CMOS — D 编程/调试串行时钟端口 ISDA0/1 CMOS CMOS D 编程/调试串行数据端口 AIN0~AIN15 — — A ADC 模拟通道 0~15 TX0~TX1 — CMOS D UART0~UART1 发送输出端口 RX0~RX1 CMOS — D UART0~UART1 接收输入端口 E0TX0/1 — CMOS D EUART0 发送输出端口 E0RX0/1 CMOS — D EUART0 接收输入端口 E0CK0/1 — CMOS D EUART0 内部时钟输出端口 E0IO0/1 CMOS CMOS D EUART0 数据输入/输出端口 SCK0~SCK1 CMOS CMOS D SPI0~SPI1 时钟输入/输出端口 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 管脚说明 23/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C NSS0~NSS1 CMOS — D SPI0~SPI1 片选端口 MISO0~MISO1 CMOS CMOS D SPI0~SPI1 主控输入/从机输出端口 MOSI0~MOSI1 CMOS CMOS D SPI0~SPI1 主控输出/从机输入端口 SCL0 CMOS CMOS D I2C 时钟输入/输出端口 SDA0 CMOS CMOS D I2C 数据输入/输出端口 SEG0~SEG27 — — A LCD Segment 端口 COM0~COM7 — — A LCD Common 端口 LCD_V1~LCDV4 — — A LCD 外部偏置电压输入端口 T16Nx_y CMOS CMOS D T16Nx 外部时钟输入/捕捉输入/调制输出端口 T32Nx_y CMOS CMOS D T32Nx 外部时钟输入/捕捉输入/调制输出端口 T16N_BKy CMOS — D T16Nx 刹车输入端口（只能设置一个有效） LVD_IN － － A LVD 监测电压模拟输入通道 AVREFP － － A ADC 外部正向参考电压 AVREFN － － A ADC 外部负向参考电压 MRSTN CMOS － D 芯片主复位，低电平有效 OSC1I － － A OSC1O － － A OSC2I － － A OSC2O － － A VDD － － P 系统主电源 VSS － － P 系统地 外部晶体振荡器端口 1 外部晶体振荡器端口 2 表 1-1 管脚说明 注 1：A = 模拟端口，D = 数字端口，P = 电源/地； 1. 5. 2 管脚对照表 PIN NAME (FUN0(D)) FUN1(D) FUN2(D) FUN3(D) FUN4(A) PB0 T32N0_0 RXD1 T16N3_0 － SEG18 PB1 T32N0_1 TXD1 T16N3_1 － SEG19 PB2 T16N0_0 NSS0 SCL0 － SEG20 PB3 T16N0_1 SCK0 SDA0 － SEG21 PB4 E0RX0/E0IO0 MISO0 － － SEG22 PB5 E0TX0/E0CK0 MOSI0 － AIN0 SEG23 PB6 E0RX1/E0IO1 － － AIN1 SEG24 PB7 E0TX1/E0CK1 － － AIN2 SEG25 PB8/OSC2I － － T32N0_0 AIN3 SEG26 PB9/OSC2O － － T32N0_1 AIN4 SEG27 PB10/OSC1I － － － － － PB11/ OSC1O － － － － － V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 FUN5(A) 24/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C PB12/MRSTN － － － － － PB13 T16N1_0 BUZ － AIN5 － PA0 T16N1_1 － BUZ PA1 BUZ － － PA2 T16N_BK0 T32N0_0 PA3 T16N_BK1 PA4 NSS1 AVREFN/ AIN6 AVREFP/ AIN7 AIN8 LCD_V1 T32N0_1 SCK1 AIN9 LCD_V2 SCL0 － MISO1 AIN10 LCD_V3 PA5 SDA0 － MOSI1 AIN11 LCD_V4 PA6 － T16N0_0 － AIN12/ LVD_IN COM7 PA7 － T16N0_1 － AIN13 COM6 PA8 RXD1 T16N1_0 － AIN14 COM5 PA9 TXD1 T16N1_1 CLKO0 AIN15 COM4 PA10 T16N2_0 T16N3_0 NSS0 － COM3 PA11 T16N2_1 T16N3_1 SCK0 － COM2 PA12 － E0RX0/E0IO0 MISO0 － COM1 PA13 － E0TX0/E0CK0 MOSI0 － COM0 PA14 NSS0 T16N2_0 － － SEG0 PA15 SCK0 T16N2_1 － － SEG1 PA16 MISO0 － － － SEG2 PA17 MOSI0 － － － SEG3 PA18 T16N3_0 SCL0 － － SEG4 PA19 T16N3_1 SDA0 － － SEG5 PA20 － CLKO1 T16N0_0 － SEG6 PA21 － RTCO T16N0_1 － SEG7 PA22 RXD0 － － － SEG8 PA23 TXD0 － － － SEG9 PA24 MOSI1 RXD0 T16N1_0 － SEG10 PA25 MISO1 TXD0 T16N1_1 － SEG11 PA26 SCK1 T16N_BK2_B RXD0 － SEG12 PA27 NSS1 T16N_BK3_B TXD0 － SEG13 PA28 － NSS1 T16N2_0 － SEG14 PA29 － SCK1 T16N2_1 － SEG15 PA30 － MISO1 RXD1 － SEG16 PA31 － MOSI1 TXD1 － SEG17 － － 表 1-2 管脚对照表 注 1：FUNx(D)表示数字端口；FUNx(A)表示模拟端口。 注 2：表中每一个 T16Nx_y 都表示对应 Timer 的 T16NxCKy, T16NxINy, T16NxOUTy 三个复用输入或输出信号。如 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 25/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C T16N1_0 表示 T16N1 定时器/计数器的 T16N1CK0/T16N1IN0/T16N1OUT0 三个复用输入或输出。T32Nx_y 亦然。下文若未加特别说明，T16Nx_y 和 T32Nx_y 都指其对应的三个复用输入或输出信号。 注 3：表中的 FUN4/5 为模拟端口功能，不通过 GPIO_PxFUNCy 控制寄存器选取。 注 4：支持两组编程/调试接口，分别为 ISCK0（PA0） ，ISDA0（PA1）和 ISCK1（PA14） ，ISDA1（PA15） 。 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 26/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 第 2 章 系统控制及操作特性 2. 1 系统控制保护 2. 1. 1 概述 由于系统控制寄存器的访问操作会影响整个芯片的运行状态，为避免误操作导致芯片运行不正 常，芯片提供系统设置保护寄存器。修改系统控制单元前，必须先关闭写保护，操作完成后应 当重新使能写保护，使芯片安全运行。 2. 1. 2 特殊功能寄存器 系统设置保护寄存器（SCU_PROT） 偏移地址：00H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000001B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 7 6 5 4 3 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 保留 － PROT bit31-1 bit0 W R/W PROT 对 SCU_PROT写 0x55AA6996 时，位 PROT 为 0； 写其它值时位 PROT 为 1 SCU 写保护位 0：写保护关闭 1：写保护使能 注 1：只有以字方式对 SCU_PROT 寄存器写入 0x55AA6996 才能关闭写保护，其他任何对 SCU_PROT 寄存器的 写操作都将使能写保护功能。 注 2：SCU_PROT 保护的寄存器为 SCU_NMICON，SCU_PWRC，SCU_FAULTFLAG，SCU_FLASHWAIT， SCU_SOFTCFG，SCU_LVDCON，SCU_CCM，SCU_PLLLKCON，SCU_TIMEREN，SCU_TIMERDIS， SCU_SCLKEN0，SCU_SCLKEN1，SCU_PCLKEN，SCU_WAKEUPTIME。 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 27/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 2. 2 系统电源 2. 2. 1 结构框图 ADC VDD LCD Driver 2.2V~5.5V LDO VSS Logic & Memory 图 2-1 系统电源结构框图 2. 2. 2 芯片供电电源 芯片供电电源为 VDD，与其对应的是芯片的参考地 VSS。 VDD 给 GPIO 端口，ADC 以及 LCD 供电，内部 LDO 输出电压给数字逻辑，Flash、SRAM 等供电。 2. 3 系统复位 2. 3. 1 概述  支持 POR 上电复位  支持 BOR 低电压监测复位  支持 MRSTN 外部端口复位  支持 WDT 看门狗计数溢出复位  支持 Cortex-M0 调试接口软件复位 2. 3. 2 结构框图 MCU_CLK CFG_PWRTEB 低电压 检测 上电 检测 BOR POR POR/BOR 稳定等待定 时器 1024个系统 主时钟周期 定时器 系统复位 CFG_BOREN 140ms 上电 定时器 RESET MRSTN WDT_RST Cortex-M0 软件复位 图 2-2 系统复位电路结构框图 注 1：对 140ms 上电延时定时器，在 MRSTN 管脚复用为 GPIO 功能时，或当芯片发生 BOR 掉电复位后，该延时 固定为使能，与配置位 CFG_PWRTEB 无关。 注 2：芯片上电稳定后，在工作过程中，如果发生外部复位，WDT 计数溢出复位，或软件复位，则在复位条件撤除 后，芯片会立即退出复位状态，恢复正常运行状态，与上图中的各定时器无关。 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 28/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 2. 3. 3 复位时序图 工作电压 VDD 0V Tfilter 1024个 MCU_CLK 140ms RESET 图 2-3 上电复位时序示意图 工作电压 低电压检测阈值 VDD 0V Tfilter 1024个 MCU_CLK 140ms RESET 图 2-4 掉电复位时序示意图 2. 3. 4 外部复位MRSTN参考 VDD D1 R1 DIODE R2 MRSTN管脚 C1 图 2-5 MRSTN 复位参考电路图 1 注 1：采用 RC 复位，其中 47KΩ≤R1≤100KΩ，电容 C1=（0.1μF） ，R2 为限流电阻，0.1KΩ≤R2≤1KΩ。 注 2：当 MRSTN 用作外部复位管脚时，芯片内部固定集成了约 45K 欧姆的上拉电阻，可以省去上图中的电阻 R1。 VDD VDD R1 PNP Q1 R4 R2 R3 MRSTN管脚 C1 图 2-6 MRSTN 复位参考电路图 2 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 29/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 注 1：采用 PNP 三极管复位，通过 R1（2KΩ）和 R2（10KΩ）分压作为基极输入，发射极接 VDD，集电极一路 通过 R3（20KΩ）接地，另一路通过 R4（1KΩ）和 C1（0.1μF）接地，C1 另一端作为 MRSTN 输入。 注 2：当 MRSTN 用作外部复位管脚时，芯片内部固定集成了约 45K 欧姆的上拉电阻，可以省去上图中的电阻 R1。 特殊功能寄存器 2. 3. 5 复位寄存器（SCU_PWRC） 偏移地址：08H 复位值：00000000_00000000_00000000_xxxxxxxx B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 5 4 3 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 保留 － CFG_RST POR_LOST SOFT_RSTF bit31-9 bit8 bit7 bit6 8 7 6 CFG_ POR_L SOFT_ MR WDTR BOR PORRST POR POR RST OST RSTF STF STF F F RCF F － － R/W 配置字读取标志位（内部测试用，用户无需关 心此位） 0：无读取配置字发生 1：读取配置字发生 R/W POR 丢失标志位（内部测试用，用户无需关心 此位） 0：无 POR 丢失 1：有 POR 丢失 R/W 软件复位标志位 0：无软件复位 1：有软件复位 MRSTF bit5 R/W MRSTN 复位标志位 0：无 MRSTN 复位 1：有 MRSTN 复位 WDTRSTF bit4 R/W WDT 复位标志位 0：无 WDT 复位 1：有 WDT 复位 R/W BOR 掉电复位标志位 0：无 BOR 复位 1：有 BOR 复位 BORF bit3 PORRSTF bit2 R/W PORRST 上电复位标志位 0：无 PORRST 复位 1：有 PORRST 复位 PORRCF bit1 R/W PORRC 复位标志位（内部测试用，用户无需关 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 30/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 心此位） 0：无 PORRC 复位 1：有 PORRC 复位 PORF bit0 POR 复位标志位（内部测试用，用户无需关心 此位） 0：无 POR 复位 1：有 POR 复位 R/W 2. 4 低电压监测（LVD） 概述 2. 4. 1 芯片内置 LVD 低电压监测模块，可监测 VDD 电压或 LVD_IN 模拟通道电压。LVD 模块监 测 LVD_IN 模拟通道时，阈值电压为 1.2V。触发条件可选择掉电触发或上电触发，触发后 产生 LVD 中断标志，当 LVD 中断使能开启时产生 LVD 中断请求。在睡眠模式下此中断可 唤醒芯片。 特殊功能寄存器 2. 4. 2 低电压监测控制寄存器（SCU_LVDCON） 偏移地址：28H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 6 5 4 3 18 17 16 保留 15 LVDO 14 13 保留 — 12 11 10 IFS bit31-16 9 8 IE IF 7 VS — — 2 保留 LVDO bit15 R LVD 输出状态位 0：被监测电压高于电压阈值 1：被监测电压低于电压阈值 — bit14-13 — — IFS bit12-10 0 EN R/W LVD 中断标志产生模式选择位 000：LVDO 上升沿产生中断 001：LVDO 下降沿产生中断 010：LVDO 高电平产生中断 011：LVDO 低电平产生中断 1xx：LVDO 变化（上升或下降沿）产生中断 IE bit9 R/W LVD 中断使能位 0：禁止 1：使能 IF bit8 R/W LVD 中断标志位 0：未发生 LVD 触发事件 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 1 FLTEN 31/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 1：发生 LVD 触发事件 边沿模式产生中断标志时，可以写 1 清除标志； 电平模式产生中断标志时，该标志只读，触发电平 消失后，中断标志自动清零。 VS bit7-4 R/W — bit3-2 — FLTEN bit1 EN bit0 LVD 触发电压 0000：2.0V 0001：2.1V 0010：2.2V 0011：2.4V 0100：2.6V 0101：2.8V 0110：3.0V 0111：3.6V 1000：4.0V 1001：4.6V 1010：2.3V 1011,，1100，1101，1110：保留 1111：监测 LVD_IN，阈值电压 1.2V — R/W LVD 滤波使能位 0：禁止 1：使能 R/W LVD 使能位 0：禁止 1：使能 注 1：对 SCU_LVDCON 寄存器进行写操作前，需要设置 SCU_PROT 寄存器，关闭写保护。 注 2：对 LVD 滤波使能位 FLTEN，需根据实际芯片的工作电源和环境，及应用系统的具体要求进行设置，当 LVD 滤波使能时，会滤除短暂的电源电压抖动，但也会降低 LVD 电路对电源波动的反应敏感度。 2. 5 系统低功耗操作模式 2. 5. 1 概述 配置外设时钟控制寄存器 SCU_PCLKEN，可分别关闭芯片各个外设功能模块电路的时钟， 使该部分电路功耗降到最低。 通过 WFI 指令，可使芯片进入休眠状态，配置 SCB_SCR 寄存器的 SLEEPDEEP 位，可选 择休眠状态为浅睡眠模式或深度睡眠模式。 芯片进入休眠状态后，所有 I/O 端口将保持进入休眠前的状态。为了降低功耗，所有 I/O 端 口都应保持为高电平或低电平，同时避免输入端口悬空而产生漏电流，可通过弱上拉或下拉 将悬空的输入端口固定为高电平或低电平。 芯片进入休眠状态后，时钟工作状态参考下表： V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 32/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 时钟 浅睡眠模式 深度睡眠模式 XTAL 工作（若 XTAL_EN=1） 工作（若 XTAL_EN=1 且 MOSC_EN=1） HRC 工作（若 HRC_EN=1） 工作（若 HRC_EN=1 且 MOSC_EN=1） LRC 工作 工作 表 2-1 低功耗模式时钟状态表 浅睡眠模式 2. 5. 2 在浅睡眠模式下，芯片内核时钟停止，指令停止运行。可通过复位或中断唤醒浅睡眠模式。 芯片进入浅睡眠模式的步骤如下： 配置休眠状态选择位 SLEEPDEEP=0； 运行等待中断（WFI）指令，进入浅睡眠模式。 在浅睡眠模式下外设功能模块继续运行，并可能产生中断使内核处理器恢复运行。浅睡眠模 式下不访问存储器系统，相关控制器和内部总线。 在浅睡眠模式下，内核处理器的状态和寄存器，外设寄存器和内部 SRAM 的值都会保持，端 口的逻辑电平也会保持睡眠前的状态。 深度睡眠模式 2. 5. 3 在深度睡眠模式下，芯片内核时钟停止，指令停止运行。可通过复位或中断唤醒深度睡眠模 式。 芯片进入深度睡眠模式的步骤如下： 配置休眠状态选择位 SLEEPDEEP=1； 运行等待中断（WFI）指令，进入深度睡眠模式。 在深度睡眠模式下，外设时钟 PCLK 停止，使用 PCLK 或其分频时钟作为时钟源的外设功能 模块都停止工作，其它使用内部低速时钟 LRC 或外部时钟 XTAL 作为时钟源的外设功能模块 可正常工作。深度睡眠模式下不访问存储器系统，相关控制器和内部总线。 在深度睡眠模式下，内核处理器的状态和寄存器，外设寄存器和内部 SRAM 的值都会保持， 端口的逻辑电平也会保持深度睡眠前的状态。 在进入深度睡眠模式前，通过系统唤醒时间控制寄存器（SCU_WAKEUPTIME）的深度睡眠 模式时钟控制位（MOSC_EN）来选择主晶振 XTAL、PLL、HRC 和时钟滤波器 CLKFLT 等 时钟模块是否关闭。选择时钟模块关闭时（即 MOSC_EN=0） ，可降低深度睡眠模式下系统 的功耗，但同时也增大了唤醒时所需要的时间。 睡眠模式的唤醒 2. 5. 4 芯片可通过以下事件从睡眠状态唤醒，并执行下一条指令或进入中断处理程序。如果是中断 唤醒且该中断已使能，则唤醒后立即进入中断处理程序，否则执行休眠时的下一条指令。   浅睡眠模式唤醒：  所有中断均可以唤醒浅睡眠模式  芯片复位唤醒浅睡眠模式 深度睡眠模式唤醒： V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 33/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C  外部端口中断 PINTx 可以唤醒深度睡眠模式  外部端口中断 KINT 可以唤醒深度睡眠模式  RTC 中断可以唤醒深度睡眠模式  LVD 中断可以唤醒深度睡眠模式  WDT 中断可以唤醒深度睡眠模式（工作于 LRC 时钟源）  ADC 中断可以唤醒深度睡眠模式（工作于 LRC 时钟源）  芯片复位唤醒深度睡眠模式 2. 5. 5 FLASH存储器等待功能 FLASH 存储器的访问频率对芯片功耗影响较大，降低其访问频率，可降低芯片功耗。可以通 过降低系统时钟频率来降低 FLASH 存储器的访问频率，但这同时也会降低芯片外设模块的 工作速率。 芯片支持增加 FLASH 存储器等待时间的设置， 在不降低系统时钟频率的前提下， 降低 FLASH 存储器取指令或数据的频率，从而降低芯片整体功耗。同时 FLASH 存储器支持最高 24MHz 的访问频率，如果系统时钟的频率超过 24MHz，则也需要设置 FLASH 存储器等待时间，否 则会导致 FLASH 访问错误。 配置 SCU_FLASHWAIT 寄存器的 ACCT，可设定 FLASH 访问的等待时间。FLASH 访问的等待时间，与芯片支持的系统时钟最高频率的对应关系描述如下： ACCT=0 时，芯片系统时钟频率最高可为 24MHz； ACCT=1 时，芯片系统时钟频率最高可为 40MHz； ACCT=2~F 时，芯片系统时钟频率最高可为 48MHz。 如上所述，当芯片系统时钟选为 PLL 倍频时钟 32MHz 时，ACCT不能为 0，即至少需 要 2 个系统时钟周期才能成功访问 FLASH 存储器；当芯片系统时钟选为 PLL 倍频时钟 48MHz 时，ACCT不能为 0 或 1，即至少需要 3 个系统时钟周期才能成功访问 FLASH 存储器。所以当系统时钟为 32MHz 或 48MHz 时，需要先设置 ACCT，选择合适的 FALSH 读取时间，再将系统时钟切换到 32MHz 或 48MHz，否则会导致芯片指令运行错误。 2. 5. 6 特殊功能寄存器 FLASH 访问等待时间寄存器（SCU_FLASHWAIT） 偏移地址：20H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000010B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 7 6 5 4 3 18 17 16 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 保留 － ACCT bit31-4 bit3-0 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 ACCT － R/W － FLASH 读取访问等待时间设置位 0：1TCLK 完成 FLASH 读取 1：2TCLK 34/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 2：3TCLK ... F：16TCLK 注 1：对 SCU_FLASHWAIT 寄存器进行写操作前，需要设置 SCU_PROT 寄存器，关闭写保护。 注 2：TCLK 时钟周期与芯片系统时钟周期相同。 2. 6 系统时钟 2. 6. 1          概述 芯片系统有四个可选时钟源。 外部时钟源支持两种模式，即高速模式 HS（又称为 HOSC ，1~20MHz）和低速模式 LP（又称为 LOSC ，32KHz）。支持 2 组外部晶振管脚可选择。 内部高频 RC 时钟源 HRC，支持 4MHz/16MHz 两种时钟频率可选择。 内部低频 RC 时钟源 LRC，支持约 32KHz 时钟频率。 内部集成锁相环电路 PLL，其时钟源输入频率支持 32KHz 或 4MHz，PLL 输出时钟频率支 持 32MHz 或 48MHz。 系统时钟支持 1~128 分频。 支持 2 组 IO 端口可输出系统时钟频率。 外部时钟停振检测，支持停振后自动切换至 LRC 时钟并产生中断。 PLL 失锁检测，支持 PLL 失锁后自动切换至使用 PLL 前的时钟源并产生中断。 支持系统时钟滤波，提高系统工作稳定性。 芯片系统时钟源的选择方式，见如下描述： 1）系统时钟为外部时钟源 XTAL：在编程界面中设置配置字，选择晶振管脚，选择高速 HS 模式或低速 LP 模式；在程序软件中设置 SCU_SCLKEN0 寄存器的 CLK_SEL=2，设置 SCU_SCLKEN1 寄存器的 XTAL_EN=1，选择并使能外部振荡器时钟；设置 SCU_SCLKEN1 寄存器的 PLL_EN=0。 2）系统时钟为内部时钟源 HRC 16MHz：在编程界面中设置配置字，选择内部时钟 16MHz； 在程序软件中设置 SCU_SCLKEN0 寄存器的 CLK_SEL=0；设置 SCU_SCLKEN1 寄存 器的 PLL_EN=0。 3) 系统时钟为内部时钟源 HRC 4MHz：在编程界面中设置配置字，选择内部时钟 4MHz； 设置 SCU_SCLKEN0 寄存器的 CLK_SEL=0；设置 SCU_SCLKEN1 寄存器的 PLL_EN=0。 4）系统时钟为内部时钟源 LRC 32KHz：设置 SCU_SCLKEN0 寄存器的 CLK_SEL=1；设 置 SCU_SCLKEN1 寄存器的 PLL_EN=0。 5）系统时钟为内部时钟源 PLL 倍频时钟：设置 SCU_SCLKEN0 寄存器的 CLK_SEL=0； 设置 SCU_SCLKEN1 寄存器的 PLL_REF_SEL，选择 PLL 输入时钟源，设置 PLL_48M_SEL，选择 PLL 输出时钟频率，设置 PLL_EN=1。 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 35/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 结构框图 2. 6. 2 C F G _ O S C M D [7 :0 ] C F G _ O S C _ P IN CCM O SC1I O SC2I 32K H z, 1~24M H z O SC1O 外部振荡电路 XTAL S Y S C L K _ D IV < 2 :0 > PLL_M UX OSC_CLK CLKFLT_BY O SC2O 2分 频 4分 频 C F G _ O S C _ P IN 分 频 器 c lk flt PLL 4 M H z /1 6 M H z 内部振荡器 3 2 /4 8 MHz HRC 8分 频 SYS_C LK 16分 频 32分 频 64分 频 32KH z 时 钟 振 荡 器 LRC WDT_32K 128分 频 PLL_EN C L K _ S E L [1 :0 ] WDT 看门狗 模块 P L L _ R E F _ S E L /P L L _ 4 8 M _ S E L FCLK SCLK HCLK PCLK DCLK D C L K F C L K fo r C o rte x M 0 系 统 定 时 器 S y s T ic k 生成器 H C L K A H B 总 线 ,M E M O R Y PCLK LRC_32K 异步时钟 LCD显 示 驱 动模块 OSC_CLK ADC LRC_32K 模数转换器 EUART0 OSC_CLK 增强型串口 U A R T 0 /U A R T 1 OSC_CLK 串口通讯 RTC LRC_32K RTC定 时 器 T32N0 OSC_CLK 32位 定 时 器 异步时钟 16位 定 时 器 T16N0~T16N3 图 2-7 系统时钟电路结构框图 2. 6. 3 功能说明 2. 6. 3. 1 外部时钟XTAL 外部振荡器可通过 PB8、PB9 或 PB10、PB11 其中一组端口串接晶振工作，可在编程界 面中设置芯片配置字进行选择。只要外部振荡器模块使能后（XTAL_EN=1） ，对应的 IO 端口即被用作模拟端口，禁止其数字输入输出功能。 外部时钟源支持两种模式，即高速模式 HS（又称为 HOSC，频率范围为 1~20MHz）和低 速模式 LP（又称为 LOSC，频率约为 32KHz） 。可在编程界面中设置芯片配置字进行选择， 工作在低速模式时，建议使用 32.768KHz 晶振，工作在高速模式时，建议使用 1~20MHz 晶振。 当使用外部振荡器时，需外接匹配电容。XTAL 振荡器电路示意图如下： V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 36/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C XCLK_IN OSCxI C1 Rf C2 RS XTAL_EN OSCxO 图 2-8 XTAL 振荡器电路结构示意图 注 1：电阻 RS 为可选配置。 注 2：C1 和 C2 为晶振匹配电容，根据所使用的晶振，电容参考取值范围为 15~33pF，建议 1~20MHz 晶振匹配 15pf 电容，32.768KHz 晶振匹配 33pf 电容。 芯片上电后系统时钟默认为内部高速时钟 HRC，需软件配置方可使用外部时钟 XTAL。详 情可参考外部时钟操作例程。当 MOSC_EN=0，芯片进入深度睡眠模式时，XTAL 时钟振 荡器会自动关闭，被唤醒后，XTAL 时钟振荡器会自动打开；当 MOSC_EN=1，芯片进入 深度睡眠模式时，XTAL 时钟振荡器不会关闭。 当系统时钟选择为外部时钟 XTAL，在芯片正常工作时，不建议关闭 XTAL 时钟振荡器 （XTAL_EN=0） ，否则系统时钟会自动切换至内部低速 LRC 时钟。 可通过寄存器位 XTAL_LP，选择外部时钟振荡器的功耗模式，该选择位仅在外部时钟处于 低速 LP 模式时有效，在软件检测到外部振荡器稳定后（XTAL_RDY=1），可以将振荡器设 置为低功耗模式，降低芯片振荡器电路功耗。当外部时钟为高速 HS 模式时，振荡器电路 会一直保持高功耗模式，无法设置为低功耗模式。 2. 6. 3. 2 内部高速时钟HRC 内部高速时钟 HRC 支持 4MHz 和 16MHz 频率可选，可在编程界面中设置芯片配置字进行 选择。全温度范围内 HRC 频率精度为±3%。芯片上电后系统时钟默认为内部高速时钟 HRC，可通过寄存器位 HRC_EN 关闭。 当系统时钟选择为内部高速时钟 HRC 时，不建议关闭 HRC 时钟（HRC_EN=0） ，否则系 统时钟会自动切换至内部低速 LRC 时钟。 在 HRC_EN=1 的情况下，当 MOSC_EN=0，芯片进入深度睡眠模式时，HRC 时钟会自 动关断，被唤醒后，HRC 时钟会自动使能；当 MOSC_EN=1，芯片进入深度睡眠模式时， HRC 时钟不会关闭。 2. 6. 3. 3 内部低速时钟LRC 芯片支持内部低速时钟 LRC（频率约为 32KHz），且无法关闭，始终保持工作。全温度范 围内，LRC 时钟频率精度为±40%。内部低速时钟可供芯片主系统、WDT、LCD、LED、 RTC 等模块使用。对于时钟频率精度要求高的模块不建议使用 LRC 作为时钟源。 2. 6. 3. 4 锁相环PLL PLL 时钟输入可选择 XTAL（32.768KHz、4MHz、8MHz、16MHz） ，HRC（4MHz、16MHz）， V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 37/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C LRC （32KHz） 。 PLL 模块工作时，通过寄存器位 PLL_REF_SEL选择其输入时钟源，同时需对所选 用的 HRC，LRC 或 XTAL 时钟振荡器进行对应的正确设置；通过寄存器位 PLL_48M_SEL 选择 PLL 模块的倍频系数，得到对应的时钟输出频率，具体见下面的详细描述： 当 PLL_REF_SEL=0 时：HRC 必须配置为 4MHz（通过芯片配置字进行配置） ，PLL 输入 时钟源即为 HRC 4MHz。当 PLL_48M_SEL=0 时，PLL 倍频系数为 8 倍，PLL 输出时钟 为 32MHz。当 PLL_48M_SEL=1 时，PLL 倍频系数为 12 倍，PLL 输出时钟为 48MHz。 当 PLL_REF_SEL=2 时：HRC 必须配置为 16MHz（通过芯片配置字进行配置） ，PLL 输 入时钟源为 HRC 16MHz 的 4 分频。当 PLL_48M_SEL=0 时，PLL 倍频系数为 8 倍，PLL 输出时钟为 32MHz。当 PLL_48M_SEL=1 时，PLL 倍频系数为 12 倍，PLL 输出时钟为 48MHz。 当 PLL_REF_SEL=3 时：PLL 输入时钟源为 LRC 32KHz。当 PLL_48M_SEL=0 时，PLL 倍频系数为 1024 倍，PLL 输出时钟为 32.768MHz。当 PLL_48M_SEL=1 时，PLL 倍频 系数为 1536 倍，PLL 输出时钟为 49.152MHz。 当 PLL_REF_SEL=4 时：XTAL 必须配置为 HS 模式，外接 4MHz 振荡器， PLL 输入时 钟源为 XTAL 4MHz 时钟。当 PLL_48M_SEL=0 时，PLL 倍频系数为 8 倍，PLL 输出时钟 为 32MHz。当 PLL_48M_SEL=1 时，PLL 倍频系数为 12 倍，PLL 输出时钟为 48MHz。 当 PLL_REF_SEL=5 时：XTAL 必须配置为 HS 模式，外接 8MHz 振荡器， PLL 输入时 钟源为 XTAL 8MHz 时钟的 2 分频。当 PLL_48M_SEL=0 时，PLL 倍频系数为 8 倍，PLL 输出时钟为 32MHz。当 PLL_48M_SEL=1 时，PLL 倍频系数为 12 倍，PLL 输出时钟为 48MHz。 当 PLL_REF_SEL=6 时：XTAL 必须配置为 HS 模式，外接 16MHz 振荡器， PLL 输入时 钟源为 XTAL 16MHz 时钟的 4 分频。当 PLL_48M_SEL=0 时，PLL 倍频系数为 8 倍，PLL 输出时钟为 32MHz。当 PLL_48M_SEL=1 时，PLL 倍频系数为 12 倍，PLL 输出时钟为 48MHz。 当 PLL_REF_SEL=7 时：XTAL 必须配置为 LP 模式，外接 32.768KHz 振荡器，PLL 输入 时钟源为 XTAL 32KHz 时钟。当 PLL_48M_SEL=0 时，PLL 倍频系数为 1024 倍，PLL 输 出时钟为 32.768MHz。当 PLL_48M_SEL=1 时，PLL 倍频系数为 1536 倍，PLL 输出时 钟为 49.152MHz。 对 PLL 模块，必须等其所选择的输入时钟源稳定后，才可以使能 PLL 工作（PLL_EN=1）， 详情可参考 PLL 操作例程。 在 PLL_EN=1 的情况下，当 MOSC_EN=0，芯片进入深度睡眠模式时，PLL 会自动关闭， 被唤醒后，PLL 会自动打开；当 MOSC_EN=1，芯片进入深度睡眠模式时，PLL 不会关闭。 PLL 模块支持锁频或失锁中断，可通过寄存器位 LK_IFS进行选择，当 LK_IFS=0 或 2 时，PLL 锁频成功时产生中断，当 LK_IFS=1 或 3 时，PLL 锁频失败时产生中断，当 LK_IFS=4，5，6 或 7 时，PLL 锁频成功或失败时都可以产生中断。 PLL 模块工作时，建议不旁路 PLL 锁频信号（PLL_BYLOCK=0） ，当 PLL 时钟失锁后， 系统会自动切换至非 PLL 的原始时钟源（由 CLK_SEL 决定） 。如果旁路 PLL 锁频信号 （PLL_BYLOCK=1），当 PLL 时钟失锁后，系统仍使用 PLL 时钟，可能会导致芯片工作 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 38/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 异常。时钟输出 CLKO 芯片支持 2 路 IO 端口输出时钟信号。其中 CLKO0 端口支持高频时钟直接输出，CLKO1 端口支持高频时钟 128 分频后输出。使用时需配置相应端口的 GPIO_PxFUNCy 寄存器， 使能管脚的时钟输出功能。当使用高频时钟直接输出时，需使能管脚大电流驱动模式，以 免输出时钟波形严重失真。 2. 6. 3. 5 外部时钟停振检测CCM 外部时钟停振检测模块使能必须同时满足以下条件： 1. SCU_CCM 寄存器的外部时钟停振检测软件使能位 EN=1。 2. 时钟源选择为外部时钟，即 SCU_SCLKEN0 寄存器的 CLK_SEL=2。 注意： 1. 当 PLL 时钟源输入使用的是外部时钟，但是以上 2 个条件有任何一个不满足时，外部 时钟停振检测模块不工作。 2. 外部时钟停振检测开始工作后，当 MOSC_EN=0 时，芯片进入深度睡眠模式会关闭外 部时钟源导致外部时钟停振，此类情况不会触发时钟停振标志。 外部时钟停振检测开始工作后，当检测到外部时钟停振时，系统时钟会自动切换至 LRC 时钟，同时会置起中断标志位。当芯片进入停振中断后，需立即操作 CLK_SEL 把系统时 钟切换至 LRC 或 HRC，同时关闭外部时钟振荡器（XTAL_EN=0） ；如果使用 PLL，则还 需要关闭 PLL 模块（PLL_MUX=0，PLL_EN=0）。当外部时钟停振问题解决后，必须再次 通过软件配置使能外部时钟。详情可参考外部时钟停振检测例程。 2. 6. 3. 6 时钟滤波CLKFLT 芯片支持系统时钟分频前滤波。 系统时钟滤波使能操作时，必须先使能 SCU_WAKEUPTIME 寄存器的系统时钟滤波器使 能位 CLKFLT_EN=1，然后再不旁路 CLKFLT，即 SCU_SCLKEN0 寄存器的 CLKFLT_BY ≠8’h55。 当需要关闭时钟滤波时，必须先旁路 CLKFKT，即 CLKFLT_BY=8’h55，然后再通过 CLKFLT_EN=0 来关闭时钟滤波器。详情可见时钟滤波例程。 在 CLKFLT_EN=1 的情况下，当 MOSC_EN=0，芯片进入深度睡眠模式时，CLKFLT 会自 动关断，而当深度睡眠唤醒后，CLKFLT 会自动打开；当 MOSC_EN=1，芯片进入深度睡 眠模式时，CLKFLT 不会关断。 为保证系统工作可靠性，除深度睡眠模式外，不建议关闭 CLKFLT。 2. 6. 3. 7 睡眠模式时钟状态 在睡眠模式下，芯片内核处理器的状态和寄存器，外设寄存器和内部 SRAM 的值都会保持， 端口的逻辑电平也会保持睡眠前的状态。 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 39/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 浅睡眠模式 2. 6. 3. 8 在浅睡眠模式下，芯片内核时钟停止工作，外设时钟 PCLK 正常运行，芯片时钟源正常工 作。 深度睡眠模式 2. 6. 3. 9 在深度睡眠模式下，芯片内核时钟停止工作，外设时钟 PCLK 停止运行。 1. MOSC_EN=0 时：除 LRC 时钟源正常运行外，XTAL、HRC、PLL 和 CLKFLT 模块全 部关断。外设模块只有选择使用 LRC 作为时钟源的能正常工作，其它全部停止工作（异 步唤醒功能正常工作） 。当芯片唤醒后，XTAL、HRC、PLL、CLKFLT 自动恢复到睡 眠前的状态。 2. MOSC_EN=1 时：时钟源正常运行，PLL 模块、CLKFLT 正常工作。外设模块只有选 择使用 LRC、XTAL 作为时钟源的能正常工作，其它使用 PCLK 或其分频时钟作为时 钟源的全部停止工作（异步唤醒功能正常工作） 。 特殊功能寄存器 2. 6. 4 系统时钟控制寄存器 0（SCU_SCLKEN0） 偏移地址：40H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000100B 31 30 29 28 保留 15 保留 14 27 26 CLKOUT1_SEL 13 12 11 SYSCLK_DIV － CLKOUT1_SEL CLKOUT0_SEL 25 24 23 21 20 CLKOUT0_SEL 10 9 保留 8 bit 31-28 bit27-26 bit 25-24 － 19 18 17 16 1 0 CLKFLT_BY 7 6 5 4 保留 PLL_MUX 3 2 XTAL_LP CLK_SEL － R/W CLKO1 选择位 00：禁止时钟输出 01：系统时钟输出（128 分频） 10：LRC 时钟输出 11：HRC 时钟输出（128 分频） R/W CLKO0 选择位 00：禁止时钟输出 01：系统时钟输出 10：LRC 时钟输出 11：HRC 时钟输出 CLKFLT 旁路控制位 8’h55：CLKFLT 旁路 其它：不旁路 CLKFLT CLKFLT 为系统时钟滤波器，为保证系统稳定 性，不建议旁路 CLKFLT。 CLKFLT_BY bit 23-16 R/W － bit15 － V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 22 － 40/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C SYSCLK_DIV bit14-12. R/W － bit11-9 － 系统时钟后分频选择位 000：1:1 001：1:2 010：1:4 011：1:8 100：1:16 101：1:32 110：1:64 111：1:128 － 系统时钟选择位 0：使用原始时钟（由 CLK_SEL 选择的时钟） 1：使用倍频时钟 PLL_MUX bit8 R/W － bit7-3 － － － 外部时钟振荡器功耗模式选择位 0：低功耗（仅低速 LP 模式有效） 1：高功耗 XTAL_LP bit2 CLK_SEL bit1-0 R/W 原始时钟源选择位 00 ： HRC 时 钟 4/16MHz （ 由 配 置 位 INTOSC_SEL 设置为 4MHz 或 16MHz） 01：LRC 时钟 32KHz 10：XTAL 时钟（由配置位 CFG_OSCMD 设 置为 HS 或 LP 模式） 11 ： HRC 时 钟 4/16MHz （ 由 配 置 位 INTOSC_SEL 设置为 4MHz 或 16MHz） 注 1：对 SCU_SCLKEN0 寄存器进行写操作前，需要设置 SCU_PROT 寄存器，关闭写保护。 注 2： 当系统时钟选择为 PLL 倍频时钟 32MHz 或 48MHz 时，需要先设置 SCU_FLASHWAIT 寄存器的 ACCT， 选择合适的 FALSH 读取时间，再将系统时钟切换到 32MHz 或 48MHz，否则会导致芯片指令运行错误。具体 参见“FLASH 存储器等待功能”章节的描述。 系统时钟控制寄存器 1（SCU_SCLKEN1） 偏移地址：44H 复位值：00000000_00000010_00000000_00000010B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 保留 15 14 保留 13 12 11 PLL_BYLOCK PLL_EN PLL_48M_SEL 10 9 8 PLL_REF_SEL 7 6 5 4 3 保留 － bit 31-19 － － PLL_RDY bit18 R PLL 时钟振荡模式稳定标志位 0：不稳定 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 18 17 16 PLL_RDY HRC_RDY XTAL_RDY 2 1 0 HRC_EN XTAL_EN 41/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 1：稳定 HRC_RDY bit17 R 内部高速时钟振荡模式稳定标志位 0：不稳定 1：稳定 XTAL_RDY bit16 R 外部时钟振荡模式稳定标志位 0：不稳定 1：稳定 该标志位仅在寄存器位 XTAL_EN=1 时有效，作为 XTAL 振荡器工作稳定的标志位 － bit15-14 － － PLL_BYLOCK bit13 R/W PLL 锁频信号旁路控制位 0：不旁路 1：旁路 R/W PLL 倍频电路工作使能位 0：禁止 1：使能（使能前需先确认 PLL_REF_SEL 所选择的 时钟源是否稳定） R/W PLL 输出时钟选择位 0：输出约 32MHz 时钟 1：输出约 48MHz 时钟 PLL 输入时钟源选择位 000：内部 4MHz 时钟 001：010：内部 16MHz 时钟 011：内部 LRC 时钟（约 32KHz） 100：外部 4MHz 时钟 101：外部 8MHz 时钟 110：外部 16MHz 时钟 111：外部 32KHz 时钟 PLL_EN PLL_48M_SEL bit12 bit11 PLL_REF_SEL bit10-8 R/W － bit7-2 － HRC_EN XTAL_EN bit1 bit0 － R/W 内部高速时钟振荡电路使能位 0：禁止 1：使能 R/W 外部时钟振荡电路使能位 0：禁止 1：使能 注 1：对 SCU_SCLKEN1 寄存器进行写操作前，需要设置 SCU_PROT 寄存器，关闭写保护。 外设时钟控制寄存器（SCU_PCLKEN） 偏移地址：48H V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 42/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 复位值：00010011_00010011_00011111_11110111B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 保留 保留 SPI1_EN 14 13 19 18 _EN 12 11 10 9 8 7 6 5 4 T32N T16N3_ T16N2 T16N1_E T16N0_E WDT_E LCD_E RTC_E ADC_E 0_EN EN _EN N N N N N N 3 bit 31-29 － I2C0_EN bit28 R/W － bit 27-26 － SPI1_EN bit 25 2 － bit 23-21 － EUART0_EN bit 20 R/W － bit 19-18 － R/W UART0_EN bit 16 R/W UART0 时钟使能位 0：禁止 1：使能 － bit 15-13 － T32N0_EN bit 12 R/W T32N0 时钟使能位 0：禁止 1：使能 R/W T16N3 时钟使能位 0：禁止 1：使能 R/W T16N2 时钟使能位 0：禁止 1：使能 R/W T16N1 时钟使能位 0：禁止 1：使能 T16N1_EN bit 10 bit 9 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 SCU_EN － bit 17 T16N2_EN GPIO_EN N EUART0 时钟使能位 0：禁止 1：使能 UART1_EN bit 11 0 － UART1 时钟使能位 0：禁止 1：使能 T16N3_EN 1 － SPI0 时钟使能位 0：禁止 1：使能 R/W EN I2C0 时钟使能位 0：禁止 1：使能 R/W bit 24 EN － SPI1 时钟使能位 0：禁止 1：使能 SPI0_EN 16 UART0_ IAP_E 保留 保留 － 17 UART1_ 保留 保留 SPI0_EN EN 15 20 EUART0 I2C0_ － 43/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C T16N0_EN bit 8 R/W T16N0 时钟使能位 0：禁止 1：使能 WDT_EN bit 7 R/W WDT 时钟使能位 0：禁止 1：使能 LCD_EN bit 6 R/W LCD 时钟使能位 0：禁止 1：使能 R/W RTC 时钟使能位 0：禁止 1：使能 ADC 时钟使能位 0：禁止 1：使能 RTC_EN bit 5 ADC_EN bit 4 R/W － bit 3 － IAP_EN bit 2 GPIO_EN bit 1 SCU_EN bit 0 － R/W FLASH_IAP 时钟使能位 0：禁止 1：使能 R/W GPIO 时钟使能位 0：禁止 1：使能 R/W SCU 时钟使能位 0：禁止 1：使能 注 1：对 SCU_PCLKEN 寄存器进行写操作前，需要设置 SCU_PROT 寄存器，关闭写保护。 注 2：使能某外设时钟之前需要先使能 SCU 时钟，即 SCU_PCLKEN 寄存器 SCU_EN 位设置为 1。 以 WDT 时钟配置为例： LDR R0, =SCU_PCLKEN LDR R1, =0X00000001 STR R1, [R0] LDR R1, =0X00000081 STR R1, [R0] ; 首先使能 SCU 时钟 ; 使能 SCU 和 WDT 时钟 系统唤醒时间控制寄存器（SCU_WAKEUPTIME） 偏移地址：4CH 复位值：00000000_00000000_00110011_11111111B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 保留 15 14 13 12 - FLASHPW_PD CLKFLT_EN MOSC_EN V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 11 18 17 16 LDOLP_VOSEL 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 WAKEUPTIME 44/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C － bit31-19 － － LDOLP_VOSEL bit18-16 W 在深度睡眠模式下，LDO 电压输出选择位 000：正常电压 100：睡眠模式电压（需软件固定设置为 100） 其它：仅供测试使用，请勿设置 － bit15 － － W 睡眠模式下 FLASH 电源控制位 0：开启 1：关断（仅供测试使用，实际应用时禁止关断 FLASH 电源） R/W CLKFLT 系统时钟滤波器使能位 0：禁止 1：使能 CLKFLT 为系统时钟滤波器，为保证系统稳定性， 在芯片正常工作时，需保持使能，在深度睡眠模式 下，可禁止 CLKFLT，降低芯片功耗 FLASHPW_PD bit14 CLKFLT_EN bit13 MOSC_EN bit12 R/W 深度睡眠模式时钟控制位 0：深度睡眠模式下，自动关闭 HRC、PLL、XTAL 和时钟滤波器 CLKFLT 1：深度睡眠模式下，使能 HRC、PLL、XTAL 和 时钟滤波器 CLKFLT WAKEUPTIME bit11-0 R/W 唤醒时间控制位 Tmclk* WAKEUPTIME 注 1：对 SCU_WAKEUPTIME 寄存器进行写操作前，需要设置 SCU_PROT 寄存器，关闭写保护。 注 2：对 LDOLP_VOSEL寄存器位，需软件在芯片初始化时固定设置为 100，以降低深度睡眠模式下的芯片 功耗。 注 3：对 FLASHPW_PD 寄存器位，需软件固定设置为 0，禁止写 1，否则可能会导致芯片工作异常。 注 4：深度睡眠模式下，当 MOSC_EN 为 1 时，HRC、PLL、XTAL 和时钟滤波器还必须各自的控制位 HRC_EN、 PLL_EN、XTAL_EN 和 CLKFLT_EN 为 1 时，才实际被使能。 外部时钟检测控制寄存器（SCU_CCM） 偏移地址：54H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000001B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 保留 15 14 13 12 11 10 9 保留 8 IF 7 6 IFS 5 4 IE － bit31-17 － － FLAG bit16 R CCM 外部时钟停振检测标志位 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 16 FLAG 3 2 保留 1 0 EN 45/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 0：晶振未停振 1：晶振停振 － － bit15-9 IF bit8 IFS bit7-5 － R/W CCM 中断标志位 0：未发生 CCM 触发事件 1：发生 CCM 触发事件 边沿模式产生中断标志时，可以写 1 清除标志； 电平模式产生中断标志时，该标志只读，触发电平消失 后，中断标志自动清零。 R/W CCM 中断标志产生模式选择位 000：CCM_FLAG 上升沿产生中断，晶振停振 001：CCM_FLAG 下降沿产生中断，晶振恢复振荡 010：CCM_FLAG 高电平产生中断，晶振停振 011：CCM_FLAG 低电平产生中断，晶振恢复振荡 1xx：CCM_FLAG 变化（上升或下降沿）产生中断 外部时钟停振中断使能位 0：禁止 1：使能 IE bit 4 R/W － bit3-1 － EN bit0 － R/W 外部时钟停振检测使能位 0：禁止 1：使能 PLL 锁定中断控制寄存器（SCU_PLLLKCON） 偏移地址：30H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 保留 15 14 13 12 11 10 9 保留 － bit31-17 LK_FLAG bit16 － bit15-9 IF bit8 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 － R － R/W 16 LK_FLAG 8 7 IF 保留 6 5 4 LK_IFS 3 2 保留 1 0 IE － PLL 锁定检测标志位 0：PLL 未锁定 1：PLL 锁定，锁频成功 － PLL 中断标志位 0：未发生 PLL 锁定标志触发事件 1：发生 PLL 锁定标志触发事件 边沿模式产生中断标志时，可以写 1 清除标志； 电平模式产生中断标志时，该标志只读，触发电平消失 后，中断标志自动清零。 46/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C － － bit7 LK_IFS bit6-4 R/W － bit3-1 － IE bit0 R/W 2. 6. 5 － PLL 锁定标志产生模式选择位 000：PLL 锁定标志上升沿产生中断，锁频成功 001：PLL 锁定标志下降沿产生中断，锁频失败 010：PLL 锁定标志高电平产生中断，锁频成功 011：PLL 锁定标志低电平产生中断，锁频失败 1xx：PLL 锁定标志变化（上升或下降沿）产生中断 － PLL 锁定中断使能位 0：禁止 1：使能 系统时钟应用说明 以下操作都已关闭系统保护寄存器 SCU_PROT，且使能了 SCU 时钟使能位 CLKEN_SCU。 2. 6. 5. 1 外部时钟XTAL 使用外部时钟 XTAL： SWITCH_XTAL PROC PUSH {LR} LDR R0, =SCU_SCLKEN1 LDR R1, [R0] LDR R2, =0X01 ORRS R1, R1, R2 STR R1, [R0] ;使能 XTAL_EN WAIT_XTAL_FLAG LDR R0, =SCU_SCLKEN1 LDR R1, [R0] LDR R2, =0X010000 TST R1, R2 BEQ WAIT_XTAL_FLAG ;等待 XTAL_RDY ;如果系统时钟为外部 LP 低速时钟，并工作在低功耗模式，则设置如下： LDR R0, =SCU_SCLKEN0 LDR R1, =0X02 STRB R1, [R0] ;设置 LP 低速时钟为低功耗模式 POP ALIGN LTORG ENDP 2. 6. 5. 2 {PC} 内部高速时钟HRC 使用内部高速时钟 HRC： V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 47/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C SWITCH_HRC PROC PUSH {LR} LDR R0, =SCU_SCLKEN1 LDR R1, [R0] LDR R2, =0X02 ORRS R1, R1, R2 STR R1, [R0] ;使能 HRC_EN WAIT_HRC_FLAG LDR R0, =SCU_SCLKEN1 LDR R1, [R0] LDR R2, =0X020000 TST R1, R2 BEQ WAIT_HRC_FLAG ;等待 HRC_RDY LDR LDRB LDR ANDS STRB POP ALIGN LTORG ENDP 2. 6. 5. 3 R0，=SCU_SCLKEN0 R1，[R0] R2, =0XFC R1, R1, R2 R1, [R0] ;系统时钟选用 HRC {PC} 内部低速时钟LRC 使用内部低速时钟 LRC： SWITCH_LRC PROC PUSH {LR} LDR R0，=SCU_SCLKEN0 LDRB R1，[R0] LDR R2, =0XFC ANDS R1, R1, R2 LDR R2，=0X01 ORRS R1，R1，R2 STRB R1, [R0] ;系统时钟选用 LRC POP {PC} ALIGN LTORG ENDP 2. 6. 5. 4 锁相环PLL 使用 PLL 前必须先使能 PLL 输入源时钟使能位，且等待输入时钟源稳定。 以 PLL 输入时钟选择为外部 16MHz 时钟，输出时钟为 48MHz 为例： SWITCH_XTAL16M_PLL48M PROC PUSH {LR} V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 48/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C LDR R0, =SCU_SCLKEN1 LDR R1, [R0] LDR R2, =0X01 ORRS R1, R1, R2 STR R1, [R0] ;使能 XTAL_EN，注意外接振荡器必须是 16MHz。 WAIT_XTAL_FLAG LDR R0, =SCU_SCLKEN1 LDR R1, [R0] LDR R2, =0X010000 TST R1, R2 BEQ WAIT_XTAL_FLAG ;等待 XTAL_RDY LDR R0，=SCU_SCLKEN1 LDR R1，=0X1E ;配置 PLL 输入时钟选择， STRB R1，[R0，#0X01] ;PLL 锁频信号不旁路，使能 PLL 模块 WAIT_PLL_FLAG LDR R0, =SCU_SCLKEN1 LDR R1, [R0] LDR R2, =0X040000 TST R1, R2 BEQ WAIT_PLL_FLAG ;等待 PLL_RDY LDR R0, =SCU_SCLKEN0 LDR R1, [R0] LDR R2, =0X0100 ORRS R1, R1, R2 STR R1, [R0] ;系统时钟选用 PLL 倍频时钟 POP {PC} ALIGN LTORG ENDP 关闭 PLL： POWER_OFF_PLL PROC PUSH {LR} LDR R0, =SCU_SCLKEN0 LDRB R1, [R0, #0X01] LDR R2, =0XFE ANDS R1, R1, R2 STRB R1, [R0, #0X01] ;系统时钟选用原始时钟 LDR R0, =SCU_SCLKEN1 LDRB R1, [R0, #0X01] LDR R2, =0X0F ANDS R1, R1, R2 STRB R1, [R0, #0X01] ;关断 PLL 模块 POP {PC} V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 49/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C ALIGN LTORG ENDP 2. 6. 5. 5 时钟滤波CLKFLT 使用 CLKFLT： POWER_ON_CFT PROC PUSH {LR} LDR R0, =SCU_WAKEUPTIME LDRB R1, [R0, #0X01] LDR R2, =0X02 ORRS R1, R1, R2 STRB R1, [R0, #0X01] ;使能 CLKFLT_EN LDR R0, =SCU_SCLKEN0 LDRB R1, =0X55 STRB R1, [R0, #0X02] ;系统时钟选用滤波后时钟 POP {PC} ALIGN LTORG ENDP 关闭 CLKFLT： POWER_OFF_CFT PROC PUSH {LR} LDR R0, =SCU_SCLKEN0 LDRB R1, =0X00 STRB R1, [R0, #0X02] ;系统时钟选用滤波前时钟 LDR R0, =SCU_WAKEUPTIME LDRB R1, [R0, #0X01] LDR R2, =0XFD ANDS R1, R1, R2 STRB R1, [R0, #0X01] ;关闭 CLKFLT_EN POP {PC} ALIGN LTORG ENDP 2. 7 中断和异常处理 2. 7. 1 中断和异常 Cortex-M0 内核支持嵌套向量中断控制器 NVIC(Nested Vectored Interrupt Controller)，具体 功能如下： 支持中断嵌套 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 50/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 支持中断向量 支持中断优先级动态调整 支持中断可屏蔽 对 Cortex-M0 内核来说，打断程序正常执行流程的事件均称之为异常，中断也是其中一种异 常。为便于理解，本文档将内核的中断等事件称为异常，将外设模块的中断称为中断。 异常/中断优先级操作说明： 操作类型 描述 抢占 产生条件：ISR 或线程正在执行时，出现新的优先级更高的异常/中断。 操作结果：如果当前处于线程状态，则产生异常/中断挂起中断；如果当前处于 ISR 状态，则产生中断嵌套，处理器自动保存工作状态并压栈。 末尾连锁 产生条件：当前 ISR 执行结束，正在返回时，出现新的优先级更高的异常/中断。 操作结果：跳过出栈操作，处理新的异常/中断。 返回 产生条件：当前 ISR 执行结束，正在返回时，没有出现新的优先级更高的 异常/中断。 操作结果：执行出栈操作，并将处理器状态恢复为进入 ISR 之前的状态。 迟来 产生条件：当前 ISR 执行开始，正在保存时，出现新的优先级更高的异常/中断。 操作结果：处理器转去处理优先级更高的异常/中断。 表 2-2 异常/中断优先级操作类型说明说明表 注 1：ISR – Interrupt Service Routine，中断服务程序。 异常/中断优先级： 编号 类型 优先级 简介 0 N/A N/A 没有异常在运行 1 复位 -3（最高） 复位 2 NMI -2 不可屏蔽中断（来自外设 NMI 中断输入） 3 Hard Fault -1 所有被禁用的 Fault，都将升级为 Hard Fault 4~10 保留 NA － 11 SVC 可编程控制 系统服务调用 12~13 保留 NA － 14 PendSV 可编程控制 为系统设备而设的“可悬挂请求” 15 SysTick 可编程控制 系统定时计数器 16 IRQ0 可编程控制 外设中断 0 17 IRQ1 可编程控制 外设中断 1 … … … … 47 IRQ31 可编程控制 外设中断 31 表 2-3 异常/中断优先级列表 Cortex-M0 支持如下异常/中断： V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 51/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C NMI 中断、Hard Fault 异常、SVC 异常、PendSV 异常、SysTick 异常、和 32 个外设中断 请求 IRQ0~IRQ31。 其中 Hard Fault 异常、SVC 异常、PendSV 异常、SysTick 异常为 Cortex-M0 内核异常源， 只受 Cortex-M0 内核控制，而 NMI 中断与 32 个 IRQ 可由芯片配置控制。 虽然 Cortex-M0 对 NMI 不支持中断使能位，但为了防止芯片上电初始化完成前，误产生 NMI 中断源，而误进中断，芯片提供了 NMI 使能位 NMIEN，可在 NMI 中断源配置完成后再设置 NMIEN=1。 对于 32 个 IRQ，Cortex-M0 内核提供 32 个 IRQ 使能位，可对每个中断请求独立控制。配置 NVIC_ISER 和 NVIC_ICER 中断控制寄存器可使能或禁止 IRQ。 配置 NVIC_PR0~NVIC_PR7 优先级控制寄存器，可设置 IRQ0~IRQ31 的中断优先级。如果 同时产生多个 IRQ 请求，则最先响应优先级最高的 IRQ；如果同时产生多个相同最高优先级 的 IRQ 请求，则按照中断向量分配表，最先响应向量表编号最低的 IRQ，即如果同时产生中 断优先级相同的 IRQ0 与 IRQ1，则先响应 IRQ0。 2. 7. 2 中断和异常向量的分配 编号 类型 功能 说明 0~15 异常 — Cortex-M0 内核异常，包括 NMI 不可屏蔽中断 16 IRQ0 PINT0 中断 外部端口中断 0 17 IRQ1 PINT1 中断 外部端口中断 1 18 IRQ2 PINT2 中断 外部端口中断 2 19 IRQ3 PINT3 中断 外部端口中断 3 20 IRQ4 PINT4 中断 外部端口中断 4 21 IRQ5 PINT5 中断 外部端口中断 5 22 IRQ6 PINT6 中断 外部端口中断 6 23 IRQ7 PINT7 中断 外部端口中断 7 24 IRQ8 T16N0 中断 16 位定时器/计数器 0 中断 25 IRQ9 T16N1 中断 16 位定时器/计数器 1 中断 26 IRQ10 T16N2 中断 16 位定时器/计数器 2 中断 27 IRQ11 T16N3 中断 16 位定时器/计数器 3 中断 28 IRQ12 T32N0 中断 32 位定时器/计数器 0 中断 29 IRQ13 Reserved 预留 30 IRQ14 Reserved 预留 31 IRQ15 Reserved 预留 32 IRQ16 WDT 中断 看门狗中断 33 IRQ17 RTC 中断 实时时钟中断 34 IRQ18 KINT 中断 外部按键输入中断 35 IRQ19 ADC 中断 模数转换中断 36 IRQ20 Reserved 预留 37 IRQ21 LVD 中断 低电压检测中断 38 IRQ22 PLLLK 中断 PLL 失锁中断 39 IRQ23 UART0 中断 UART0 中断 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 52/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 40 IRQ24 UART1 中断 UART1 中断 41 IRQ25 EUART0 中断 EUART0 中断 42 IRQ26 Reserved 预留 43 IRQ27 SPI0 中断 SPI0 中断 44 IRQ28 SPI1 中断 SPI1 中断 45 IRQ29 I2C0 中断 I2C0 中断 46 IRQ30 Reserved 预留 47 IRQ31 CCM 中断 外部振荡器停振检测中断 表 2-4 IRQ 分配列表 2. 7. 3 中断向量表的重映射 Cortex-M0 内核本身并不支持中断向量表的重映射，在 HR8P506 芯片中有两个特殊功能寄 存器“中断向量表重映射使能寄存器”和“中断向量表偏移寄存器”，可以支持中断向量表 的重映射。具体的使用方式可参考 Flash 自编程（IAP）相关章节的描述。 2. 7. 4 特殊功能寄存器 不可屏蔽中断控制寄存器（SCU_NMICON） 偏移地址：04H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 6 5 4 3 2 1 16 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 7 保留 － － bit31-6 NMICS bit5-1 NMIEN 0 NMICS bit0 NMIEN － R/W NMI 不可屏蔽中断选择位 00000：IRQ0 00001：IRQ1 … 11111：IRQ31 R/W NMI 不可屏蔽中断使能位 0：禁止 1：使能 注 1：对 SCU_NMICON 寄存器进行写操作前，需要设置 SCU_PROT 寄存器，关闭写保护。 中断向量表重映射使能寄存器（SCU_TBLREMAPEN） 偏移地址：60H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 53/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 保留 — — bit31-1 EN bit0 0 EN — 中断向量表重映射使能 0：中断向量表位于 Flash Memory 的“0”地址开始的一段 空间（默认状态）；目前共支持 48 个向量，因此，这段空间 的大小为 192 字节； 1：中断向量表位于“中断向量表偏移寄存器”指定的地址开 始的 192 字节空间。 R/W 中断向量表偏移寄存器（SCU_TBLOFF） 偏移地址：64H 复位值：00100000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 TBLOFF 15 14 13 12 11 10 9 8 7 TBLOFF TBLOFF bit31-0 TBLOFF R/W 中断向量表偏移地址 该寄存器存放重映射后的中断向量表所在的起始地址，“中 断向量表重映射使能寄存器”为“1”时有效。 高 24 位 TBLOFF可读可写，但低 8 位 TBLOFF 只读，不可写，且读取时返回全零。 注：该地址为起始地址是有要求的：必须先求出系统中共有多少个向量，再把这个数字向上增大到是 2 的整次幂， 而起始地址必须对齐到后者的边界上。如果一共有 32 个中断，则共有 32+16（系统异常）=48 个向量，向上 增大到 2 的整次幂后值为 64，因此地址值必须能被 64×4=256 整除，从而合法的起始地址可以是：0x000， 0x100，0x200 等。 硬件错误标志寄存器（SCU_FAULTFLAG） 偏移地址：0CH 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 6 5 4 3 18 17 16 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 7 保留 － bit31-3 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 － 2 1 0 FLAG2 FLAG1 FLAG0 － 54/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C FLAG2 bit2 FLAG1 bit1 FLAG0 bit0 R/W 硬件错误 2 标志位 0：未发生在异常区域进行写入操作 1：发生在异常区域进行写入操作（硬件自动置 1， 软件写 1 清除） R/W 硬件错误 1 标志位 0：未发生在异常区域进行取指操作 1：发生在异常区域进行取指操作（硬件自动置 1， 软件写 1 清除） R/W 硬件错误 0 标志位 0：未发生读指令代码为空 1：发生读指令代码为空（硬件自动置 1，软件写 1 清除） 注 1：读指令代码为空表示 Cortex-M0 内核读 Flash 程序存储器的指令时，读到的值为 FFFFFFFFH。 注 2：清除硬件错误标志位时，需要设置 SCU_PROT 寄存器，关闭写保护。 IRQ0~31 置中断请求使能寄存器（NVIC_ISER） 偏移地址：00H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 SETENA 15 14 13 12 11 10 9 8 7 SETENA SETENA bit31-0 R/W IRQx 使能位 0：中断禁止 1：中断使能 软件写 1 使能中断请求，写 0 无效 注：对 NVIC_ISER 寄存器中的各 IRQx 使能位，写 0 无效，写 1 才使能中断请求；读操作时，实际是读取 IRQx 中 断使能的状态，读取的值为 1 表示中断使能，为 0 表示中断禁止。 IRQ0~31 清中断请求使能寄存器（NVIC_ICER） 偏移地址：80H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 CLRENA 15 14 13 12 11 10 9 8 7 CLRENA V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 55/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C CLRENA bit31-0 R/W IRQx 禁止位 0：中断禁止 1：中断使能 软件写 1 禁止中断请求，写 0 无效 注：对 NVIC_ICER 寄存器中的各 IRQx 禁止位，写 0 无效，写 1 才禁止中断请求；读操作时，实际是读取 IRQx 中 断使能的状态，读取的值为 1 表示中断使能，为 0 表示中断禁止。 IRQ0~31 置中断挂起寄存器（NVIC_ISPR） 偏移地址：00H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 SETPEND 15 14 13 12 11 10 9 8 7 SETPEND SETPEND bit31-0 R/W 置 IRQx 挂起位 0：中断未挂起 1：中断挂起 软件写 1 挂起中断，写 0 无效 注：对 NVIC_ISPR 寄存器中的各 IRQx 挂起位，写 0 无效，写 1 才挂起中断；读操作时，实际是读取 IRQx 中断挂 起的状态，读取的值为 1 表示中断挂起，为 0 表示中断未挂起。 IRQ0~31 清中断挂起寄存器（NVIC_ICPR） 偏移地址：80H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 CLRPEND 15 14 13 12 11 10 9 8 7 CLRPEND CLRPEND bit31-0 R/W 清 IRQx 挂起位 0：中断未挂起 1：中断挂起 软件写 1 清除中断挂起，写 0 无效 注：对 NVIC_ICPR 寄存器中的各 IRQx 清挂起位，写 0 无效，写 1 才清除中断挂起；读操作时，实际是读取 IRQx 中断挂起的状态，读取的值为 1 表示中断挂起，为 0 表示中断未挂起。 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 56/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C IRQ0~3 优先级控制寄存器（NVIC_PR0） 偏移地址：00H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 14 25 24 保留 PRI_3 15 26 13 12 11 22 21 20 19 10 9 8 7 6 5 4 3 bit31-30 R/W － bit29-24 － PRI_2 bit23-22 R/W － bit21-16 － PRI_1 bit15-14 R/W － bit13-8 － 17 16 2 1 0 18 17 16 2 1 0 保留 PRI_0 PRI_3 18 保留 PRI_2 保留 PRI_1 23 IRQ3 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － IRQ2 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － IRQ1 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － PRI_0 bit7-6 R/W － bit5-0 － IRQ0 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － IRQ4~7 优先级控制寄存器（NVIC_PR1） 偏移地址：04H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 14 25 24 保留 PRI_7 15 26 13 PRI_5 12 11 22 21 20 19 保留 PRI_6 10 9 8 7 保留 bit31-30 R/W － bit29-24 － bit23-22 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 6 5 PRI_4 PRI_7 PRI_6 23 R/W 4 3 保留 IRQ7 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － IRQ6 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 57/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C － － bit21-16 PRI_5 bit15-14 R/W － bit13-8 － PRI_4 bit7-6 R/W － bit5-0 － － IRQ5 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － IRQ4 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － IRQ8~11 优先级控制寄存器（NVIC_PR2） 偏移地址：08H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 15 14 26 25 24 保留 PRI_11 13 12 11 10 9 8 保留 PRI_9 23 22 21 20 19 7 6 5 4 3 bit31-30 R/W － bit29-24 － PRI_10 bit23-22 R/W － bit21-16 － PRI_9 bit15-14 R/W － bit13-8 － PRI_8 bit7-6 R/W － bit5-0 － 17 16 2 1 0 18 17 16 保留 PRI_8 PRI_11 18 保留 PRI_10 IRQ11 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － IRQ10 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － IRQ9 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － IRQ8 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － IRQ12~15 优先级控制寄存器（NVIC_PR3） 偏移地址：0C H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 PRI_15 29 28 27 26 保留 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 25 24 23 22 PRI_14 21 20 19 保留 58/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 15 14 13 12 11 10 9 8 7 保留 PRI_13 6 5 4 3 bit31-30 R/W － bit29-24 － 1 0 18 17 16 2 1 0 保留 PRI_12 PRI_15 2 IRQ15 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － PRI_14 bit23-22 R/W － bit21-16 － IRQ14 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － PRI_13 bit15-14 R/W － bit13-8 － IRQ13 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － PRI_12 bit7-6 R/W － bit5-0 － IRQ12 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － IRQ16~19 优先级控制寄存器（NVIC_PR4） 偏移地址：10H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 15 14 26 25 24 保留 PRI_19 13 PRI_17 12 11 23 22 21 20 19 保留 PRI_18 10 9 8 7 保留 5 PRI_16 PRI_19 bit31-30 R/W － bit29-24 － PRI_18 bit23-22 R/W － bit21-16 － PRI_17 bit15-14 R/W － bit13-8 － PRI_16 bit7-6 R/W V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 6 4 3 保留 IRQ19 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － IRQ18 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － IRQ17 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － IRQ16 优先级设置位 59/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 00：最高优先级 11：最低优先级 － － bit5-0 － IRQ20~23 优先级控制寄存器（NVIC_PR5） 偏移地址：14H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 15 14 26 25 24 保留 PRI_23 13 12 11 10 9 8 保留 PRI_21 23 22 21 20 19 7 6 5 4 3 bit31-30 R/W － bit29-24 － PRI_22 bit23-22 R/W － bit21-16 － PRI_21 bit15-14 R/W － bit13-8 － PRI_20 bit7-6 R/W － bit5-0 － 17 16 2 1 0 18 17 16 2 1 0 保留 PRI_20 PRI_23 18 保留 PRI_22 IRQ23 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － IRQ22 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － IRQ21 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － IRQ20 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － IRQ24~27 优先级控制寄存器（NVIC_PR6） 偏移地址：18H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 15 14 26 25 24 保留 PRI_27 13 PRI_25 12 11 23 22 21 20 19 保留 PRI_26 10 9 8 保留 6 5 PRI_24 PRI_27 bit31-30 R/W － bit29-24 － V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 7 4 3 保留 IRQ27 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － 60/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C PRI_26 bit23-22 R/W － bit21-16 － PRI_25 bit15-14 R/W － bit13-8 － PRI_24 bit7-6 R/W － bit5-0 － IRQ26 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － IRQ25 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － IRQ24 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － IRQ28~31 优先级控制寄存器（NVIC_PR7） 偏移地址：1CH 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 15 14 26 25 24 保留 PRI_31 13 PRI_29 12 11 23 22 21 20 19 10 9 8 保留 6 5 PRI_28 PRI_31 bit31-30 R/W － bit29-24 － PRI_30 bit23-22 R/W － bit21-16 － PRI_29 bit15-14 R/W － bit13-8 － PRI_28 bit7-6 R/W － bit5-0 － V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 7 18 17 16 2 1 0 保留 PRI_30 4 3 保留 IRQ31 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － IRQ30 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － IRQ29 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － IRQ28 优先级设置位 00：最高优先级 11：最低优先级 － 61/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 2. 8 系统控制块（SCB） 概述 2. 8. 1 系统控制块提供芯片内核系统实现的状态信息，并对内核系统工作进行控制。 特殊功能寄存器 2. 8. 2 SCB_CPUID 寄存器（SCB_CPUID） 偏移地址：00H 复位值：01000001_00001100_11000010_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 IMPLEMENTER 15 14 13 12 11 22 21 20 19 18 VARIANT 10 9 8 7 6 5 17 16 CONSTANT 4 3 2 PARTNO 1 0 REVISION IMPLEMENTER bit31-24 R 处理器实现者编号 0x41，ARM VARIANT bit23-20 R 主版本号 R=0x0，作为 rnpn 版本编号格式中的主要编号 CONSTANT bit19-16 R 处理器构架 0xC，ARMv6-M PARTNO bit15-4 R 处理器分类号 0xC20，Cortex-M0 REVISION bit3-0 R 次版本号 P=0x0，作为 rnpn 版本编号格式中的次要编号 中断控制和状态寄存器（SCB_ICSR） 偏移地址：04H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 15 28 27 保留 NMIPENDSET 14 13 12 26 25 PENDSTSET PENDSTCLR 10 9 11 24 23 22 21 20 8 7 6 19 5 4 中断控制和状态寄存器（SCB_ICSR） 地址 E000ED04H 复位值 00000000_00000000_00000000_00000000B bit31 R/W － bit30-27 － V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 16 2 1 0 VECTACTIVE 寄存器名称 NMIPENDSET 17 VECTPENDING 3 保留 VECTPENDING 18 保留 ISRPENDDING NMI 中断挂起控制位 0：不置 NMI 中断挂起 1：置 NMI 中断挂起 － 62/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C PENDSTSET bit26 置 SysTick 异常挂起位 0：无效 1：置 SysTick 异常挂起 R/W PENDSTCLR bit25 W 清 SysTick 异常挂起位 0：无效 1：清除 SysTick 异常挂起 － bit24-23 － － ISRPENDDING bit22 R 中断挂起标志位 0：无中断挂起 1：有中断挂起 － bit21-18 － － VECTPENDING bit17-12 R 当前的挂起中，优先级最高的异常/中断号 0x0：无挂起异常/中断 非 0：当前被挂起的异常/中断中，优先级最高的异常 /中断号 － bit11-6 － － R 当前被处理的异常/中断号 0x0：线程（Thread）模式 非 0：当前被处理的异常/中断号 VECTACTIVE bit5-0 应用中断和复位控制寄存器（SCB_AIRCR） 偏移地址：0CH 复位值：11111010_00000101_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 5 4 3 18 17 16 VECTKEY 15 14 13 12 11 10 ENDIANNESS — 8 7 6 保留 ENDIANNESS VECTKEY 9 2 1 0 SYSRESET VECTCLR 保 REQ ACTIVE 留 W 向量关键码位 只能写 0x05FA，其它无效 bit15 R 存储器数据格式选择位 0：小端格式 1：大端格式 bit14-3 — — bit31-16 SYSRESETREQ bit2 W 系统复位请求位 0：无效 1：请求系统复位，复位后自动清零 VECTCLRACTIVE bit1 W 异常/中断状态清除位 该位只能写 0；写 1 会产生 HardFault 异常 — bit0 — — V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 63/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 注 1：寄存器 SCB_AIRCR 只能进行字写入，且高半字只能写入 0x05FA，否则对该寄存器的写入操作无效。 系统控制寄存器（SCB_SCR） 偏移地址：10H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 4 3 18 17 16 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 SEVONP 保留 保留 END — — bit31-5 SEVONPEND bit4 R/W — bit3 — SLEEPDEEP bit2 2 1 SLEEP SLEEP DEEP ONEXIT 保留 — 中断被挂起时，是否作为唤醒事件的选择位 0：中断被挂起时，不作为唤醒事件 1：中断被挂起时，作为唤醒事件 — R/W 休眠模式选择位 0：睡眠模式 1：深度睡眠模式 从 ISR 中断处理程序返回到线程模式时，是否进入 休眠状态的选择位 0：不进入休眠状态 1：进入休眠状态 SLEEPONEXIT bit1 R/W — bit0 — — 配置和控制寄存器（SCB_CCR） 偏移地址：14H 复位值：00000000_00000000_00000010_00001000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 保留 9 8 7 保留 STKALIGN UNALIGN_TRP 保留 — bit31-10 — — STKALIGN bit9 R 非堆栈对齐标志位 读取始终为 1，指示异常入口 8 字节堆栈对齐 — bit8-4 — — UNALIGN_TRP bit3 R 字或半字访问操作的非对齐故障标志位 读取始终为 1，指示非对齐访问产生硬故障 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 64/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C — — bit2-0 — 系统处理程序优先级寄存器 2（SCB_SHPR2） 偏移地址：1CH 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 15 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 保留 PRI_11 14 13 12 11 10 9 8 7 保留 PRI_11 bit31-30 R/W — bit29-0 — SVCall（异常编号 11）的优先级设置位 — 系统处理程序优先级寄存器 3（SCB_SHPR3） 偏移地址：20H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 14 25 24 23 保留 PRI_15 15 26 13 12 11 22 21 20 19 9 8 7 6 17 16 2 1 0 保留 PRI_14 10 18 5 4 3 保留 PRI_15 bit31-30 R/W — bit29-24 — PRI_14 bit23-22 R/W — bit21-0 — SysTick（异常编号 15）的优先级设置位 — PendSV（异常编号 14）的优先级设置位 — 2. 9 系统定时器（SYSTICK） 2. 9. 1 概述 SysTick 是一个系统递减计数器，配置 SYST_RVR 寄存器，可设定计数初值。当 SysTick 计数为 0 时，COUNTFLAG 状态位置 1，并重载 SYST_RVR 中的计数初值。在处理器调试 停机时，SysTick 停止计数。在计数过程中，如果将 SYST_RVR 寄存器设置为 0，则计数器 递减计数到 0 后，停止计数。 SysTick 的当前计数值可以通过读 SYST_CVR 寄存器获得。如果写 SYST_CVR 寄存器，则 将该寄存器清零，并且将 COUNTFLAG 位清 0，写操作不会触发 SysTick 异常事件。 访问 SysTick 寄存器时，需使用字操作方式。配置 SysTick 计数器的步骤如下： 1. 设置计数器重装值寄存器 SYST_RVR。 2. 清除计数器当前值寄存器 SYST_CVR。 3. 设置控制和状态寄存器 SYST_CSR。 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 65/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 2. 9. 2 特殊功能寄存器 SYSTICK 控制和状态寄存器（SYST_CSR） 偏移地址：10H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 保留 — bit31-17 16 COUNTFLAG — — 2 1 0 CLKSOURCE TICKINT ENABLE COUNTFLAG bit16 R SYSTICK 递减计数到零的标志位 0；未计数到 0 1：计数到 0 该位读操作后清 0，或写 SYST_CVR 寄存器清 0 — bit15-3 — — CLKSOURCE bit2 R/W SYSTICK 时钟源选择位 0：基准时钟 1：处理器时钟 TICKINT bit1 R/W SYSTICK 异常挂起使能位 0：计数到 0 时，不产生异常挂起 1：计数到 0 时，产生异常挂起 ENABLE bit0 R/W SYSTICK 计数器使能位 0：禁止 1：使能 注 1：处理器时钟为芯片内核工作时钟 HCLK，时钟频率与系统时钟频率相同。 注 2：SYSTICK 基准时钟，实际是处理器时钟 3 分频后的时钟，频率为 FHCLK/3。 SYSTICK 重装值寄存器（SYST_RVR） 偏移地址：14H 复位值：00000000_11111111_11111111_11111111B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 保留 15 14 13 12 20 19 18 17 16 2 1 0 RELOAD 11 10 9 8 7 6 5 4 3 RELOAD — bit31-24 — RELOAD bit23-0 R/W V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 — SYSTICK 计数器重载值 计数范围 0x00_0001~0xFF_FFFF。如果为 0， SysTick 不计数。 66/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C SYSTICK 重装值寄存器（SYST_CVR） 偏移地址：18H 复位值：00000000_11111111_11111111_11111111B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 保留 15 14 13 12 20 19 18 17 16 2 1 0 CURRENT 11 10 9 8 7 6 5 4 3 CURRENT — — bit31-24 CURRENT bit23-0 — SYSTICK 计数器当前值 读取时返回 SysTick 计数器的当前值。 写入任何值都会将该寄存器清零，同时还会清零 COUNTFLAG 标志位。 R/W SYSTICK 校准值寄存器（SYST_CALIB） 偏移地址：1C H 复位值：01000000_00000010_10001011_00001010B 31 30 NOREF SKEW 15 14 29 28 27 26 25 24 23 22 21 保留 13 12 11 20 19 18 17 16 2 1 0 TENMS 10 9 8 7 6 5 4 3 TENMS NOREF bit31 R 基准时钟标志位 0：不提供基准时钟 1：提供基准时钟 SKEW bit30 R TENMS 校准值是否准确的标志位 0：TENMS 校准值准确 1：TENMS 校准值不准确 — bit29-24 — — TENMS bit23-0 R/W SYSTICK 校准值 读取为 0 时，表示校准值未知 2. 10 配置字软件控制 在芯片配置字的 CFG_BORV为 11 时，可通过软件设置寄存器 SCU_SOFTCFG 来控制 BOR 电压点，电源电压低于 BORV设定的电压时，将产生掉电复位。 系统配置软件控制寄存器（SCU_SOFTCFG） V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 67/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 偏移地址：24H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 7 6 5 4 3 18 17 16 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 保留 － BORV bit31-4 bit3-0 BORV － R/W － BOR 电压点选择（仅在配置字 CFG_BORV=11 时 有效） 0000：1.7V 0001：2.0V 0010：2.1V 0011：2.2V 0100：2.3V 0101：2.4V 0110：2.5V 0111：2.6V 1000：2.8V 1001：3.0V 1010：3.1V 1011：3.3V 1100：3.6V 1101：3.7V 1110：4.0V 1111：4.3V 2. 11 定时器（T16N/T32N）同步启动关停控制 2. 11. 1 概述 通过 SCU_TIMEREN 和 SCU_TIMERDIS 控制寄存器，可以选择性同时启动或关停多个 T16N/T32N 定时器。可用于对多个 TIMER 同时启动或关停，对于其它应用，仍然可使用各 个 TIMER 自身的 T16N_CON0 或 T32N_CON0 寄存器的 EN 控制位来使能或关停 TIMER。 对各 TIMER 工作的控制，SCU_TIMEREN 和 SCU_TIMERDIS 控制寄存器的优先级高于 T16N_CON0 和 T32N_CON0 寄存器的 EN 控制位，并且 SCU_TIMEREN 控制寄存器的优 先级高于 SCU_TIMERDIS。 2. 11. 2 特殊功能寄存器 SCU_TIMEREN 使能控制寄存器（SCU_TIMEREN） 偏移地址：34H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 68/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 保留 － 7 6 － Bit31-9 T32N0EN bit8 R/W － bit7-4 － 5 R/W T16N2EN bit2 R/W T16N2使能位 0：－ 1：使能 R/W T16N1使能位 0：－ 1：使能 R/W T16N0使能位 0：－ 1：使能 bit0 1 0 T16N1EN T16N0EN － bit3 T16N0EN 2 T16N2EN T32N0使能位 0：－ 1：使能 T16N3EN bit1 3 T16N3EN － T16N3使能位 0：－ 1：使能 T16N1EN 4 保留 T32N0EN 注 1：对 SCU_TIMEREN 寄存器的各位写 0 无效，写 1 使能后，硬件自动清零。 SCU_TIMERDIS 使能控制寄存器（SCU_TIMERDIS） 偏移地址：38H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 4 3 2 1 0 T16N3DIS T16N2DIS T16N1DIS T16N0DIS 保留 15 14 13 12 11 10 保留 － 9 8 T32N0DIS bit31-9 － T32N0DIS bit8 R/W － bit7-4 － 7 6 保留 5 － T32N0关停位 0：－ 1：关停 － T16N3DIS bit3 R/W T16N3关停位 0：－ 1：关停 T16N2DIS bit2 R/W T16N2关停位 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 69/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 0：－ 1：关停 T16N1DIS T16N0DIS bit1 bit0 R/W T16N1关停位 0：－ 1：关停 R/W T16N0关停位 0：－ 1：关停 注 1：对 SCU_TIMERDIS 寄存器的各位写 0 无效，写 1 关停后，硬件自动清零。 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 70/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 第 3 章 存储器资源 3. 1 内部存储器地址映射 芯片内部存储器包括程序存储器，数据存储器，外设寄存器和系统内核寄存器，各存储器区域 的地址映射关系如下图所示，图中对系统内核寄存器区域的地址映射进行了详细描述。 0xFFFF_FFFF 0xFFFF_FFFF System Reserved 0xE000_0000 0xFFF0_0000 0xFFEF_FFFF 0xDFFF_FFFF Reserved 0xFFE0_0000 0xFFDF_FFFF Reserved Reserved 0xFFD0_0000 0xFFCF_FFFF 0xA000_0000 0x9FFF_FFFF Reserved 0xE00F_FFFF Rom Ttable 0xE00F_F000 0xF00F_DFFF Reserved 0xE000_F000 0xE000_EFFF SCS System Control Space 0xE000_E000 0xE000_DFFF Reserved 0xE000_EFFF Debug Control 0xE000_ED00 NVIC 0xE000_E100 Reserved 0xE040_0000 0xE03F_FFFF 0x6000_0000 0x5FFF_FFFF Peripheral Reserved 0x4000_0000 0x3FFF_FFFF 0xE020_0000 0xE01F_FFFF SRAM Reserved 0x2000_0000 0x1FFF_FFFF 0xE010_0000 0xE00F_FFFF Internal Private Peripheral Bus 0xE000_0000 Code 0x0000_0000 Bank:512MB 0xE000_3000 0xE000_2FFF BP Breakpoint Unit 0xE000_2000 0xE000_1FFF DWT Data Watchpoint Unit 0xE000_1000 0xE000_0FFF 0xE000_3000 Reserved 0xE000_E020 SysTick Timer 0xE000_E010 Reserved Reserved 0xE000_0000 Bank:1MB 0xE000_E000 Bank:4KB 图 3-1 内部存储系统分配示意图 3. 2 FLASH存储器 芯片配置字 3. 2. 1 芯片配置字位于 FLASH 存储器的信息区，用户可在 ISP 编程时进行设置。芯片的各种功能 配置由芯片配置字和各功能相关寄存器共同设置完成。芯片配置字包括外部 XTAL 振荡器工 作模式的选择、WDT 使能控制、BOR 电压选择等。 配置字名称 CFG_WORD0 地址 00100004H CFG_OSC_PIN INTOSC_SEL bit4-0 - bit5 XTAL 晶振管脚选择位 0：分布在 PB8，PB9 1：分布在 PB10，PB11（默认） bit6 内部 HRC 时钟频率选择位 0：16MHz 1：4MHz（默认，HRC 时钟频率为 4MHz） V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 71/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C bit7 上电 140ms 延时使能位 0：使能（默认） 1：禁止 仅在将 MRSTN 管脚作为外部复位（CFG_MRSTN≠00）时， 该配置位才有效，推荐设置为使能。 CFG_BORV bit 9-8 掉电复位电压选择位 00：3.7V 01：2.5V 10：2.1V 11：1.7V（默认，可通过寄存器 SCU_SOFTCFG，进行软件 设置掉电复位电压） - bit10 - CFG_PWRTEB CFG_MRSTN DEBUG_S CFG_DEBUG MRSTN 管脚复用配置位 00：GPIO 功能 其它：MRSTN 功能（默认） bit 12-11 SWD 调试管脚选择位 0：PA14 和 PA15 端口作为调试管脚 1：PA0 和 PA1 端口作为调试管脚（默认） bit13 SWD 调试模式使能位 0x：禁止 10：使能（默认） 。由 DEBUG_S 配置位所选定的 IO 管脚被 强制作为 SWD 调试端口，用户程序对该 IO 管脚的控制 无效。 11：- bit 15-14 注 1：对配置位 CFG_PWRTEB，仅在将 MRSTN 管脚作为外部复位（CFG_MRSTN≠00）时，该配置位才有效， 推荐用户设置为上电延时使能（CFG_PWRTEB=0） ，只有在应用系统特别要求芯片上电后快速进入工作状态， 并且系统供电电源稳定可靠的条件下，才可考虑禁止上电延时。 注 2：当 MRSTN 管脚用作外部复位管脚时，芯片内部固定集成了约 45K 欧姆的弱上拉电阻。 注 3：对上电 140ms 延时，在 MRSTN 管脚复用为 GPIO 功能时，或当芯片发生 BOR 掉电复位后，该延时固定为 使能，与配置位 CFG_PWRTEB 无关。 注 4：在对 Flash 程序加密编程时，必须要禁止 CFG_DEBUG 位，否则加密无效，编程工具将提示错误。 配置字名称 CFG_WORD1 地址 0010000CH - bit 0 - CFG_WDTEN bit1 WDT 硬件看门狗使能位 0：禁止 1：使能（默认，WDT 计数时钟源固定为内部 LRC 时钟） WDTINTEN bit 2 WDT 硬件看门狗中断使能位（仅在 CFG_WDTEN=1 时有效） 0：禁止（默认） 1：使能 - bit 4-3 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 72/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C WDTRL FWPS bit7-5 上电复位 WDT 重载值选择位（仅在 CFG_WDTEN=1 时有效） 000：0x0000_0200（WDT 计数溢出时间约 16ms） 001：0x0000_0400（WDT 计数溢出时间约 32ms） 010：0x0000_1000（WDT 计数溢出时间约 128ms） 011：0x0000_4000（WDT 计数溢出时间约 512ms） 100：0x0000_8000（WDT 计数溢出时间约 1s） 101：0x0001_0000（WDT 计数溢出时间约 2s） 110：0x0002_0000（WDT 计数溢出时间约 4s） 111：0x0004_0000（WDT 计数溢出时间约 8s） （默认） bit12-8 FLASH 地址单元写保护控制位 00000：地址单元(0000_0000H~0000_07FFH)写保护 00001：地址单元(0000_0000H~0000_0FFFH)写保护 00010：地址单元(0000_0000H~0000_17FFH)写保护 00011：地址单元(0000_0000H~0000_1FFFH)写保护 …… 10000：地址单元(0000_0000H~0000_87FFH)写保护 1xxx1：地址单元(0000_0000H~0000_8FFFH)写保护（默认） FWPEB bit13 - bit15-14 FLASH 自编程操作（IAP）写保护区使能位 0：使能 1：禁止（默认） - 注 1：写保护区使能后，位于写保护区的地址单元，不支持 IAP 擦除和编程操作。 注 2：在 SWD 调试模式下，需要禁止 WDT，否则在调试过程中，WDT 会始终保持工作，可能会产生计数溢出复 位，导致芯片调试异常。 配置字名称 CFG_WORD2 地址 00100010H CFG_OSCMD 3. 2. 2 bit7-0 - bit15-8 XTAL 振荡器工作模式选择位 8’h2C： 高速 HS 模式（1~20MHz） （默认） 8’hF0： 低速 LP 模式（32KHz） 程序区FLASH 芯片内部的程序存储器 FLASH 总容量为 36K 字节， 地址范围为 0000_0000H~0000_8FFFH， 共分 36 页，每页 1K 字节。FLASH 存储器支持至少 10 万次擦写次数，10 年以上的数据保 持时间。 芯片支持通过 IAP 模块对程序存储器 FLASH 进行编程、页擦除操作，其中字地址单元编程 时间约为 20us，页擦除时间约为 2ms。 芯片支持在 SWD 调试模式下对 Flash 进行编程、擦除、读取等操作，对 SWD 调试模式， 需在 ISP 编程时通过配置字 CFG_DEBUG 和 DEBUG_S 使能并选择调试端口。 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 73/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 自编程操作（IAP） 3. 2. 3 芯片内部 FLASH 存储器，支持应用中自编程操作 IAP（In-Application Programming）。 写保护区使能后，位于写保护区的 FLASH 存储器地址单元，不支持 IAP 擦除和编程操作。 可通过配置字 FWPEB 使能 FLASH 写保护区，通过配置字 FWPS 选择写保护区地址范围。 3. 2. 3. 1 IAP概述  支持 FLASH 数据保护，进行 IAP 操作前需先进行解锁，去除相关寄存器的写保护。  支持程序存储器 FLASH 全擦除模式（仅在 SWD 调试时有效）和页擦除模式。  支持字编程模式，每个字包含 4 个字节。  IAP 操作过程中可软件禁止全局中断；也可使能中断，将中断向量表和中断服务程序（ISR） 复制到 SRAM，通过设置中断向量表重映射使能寄存器 SCU_TBLREMAPEN 和中断向量 表偏移寄存器 SCU_TBLOFF 可调用 SRAM 中的中断服务程序（ISR）来响应中断。  IAP 操作进入擦除或编程状态后，IAP 自动上锁，进入 FLASH 保护状态，下次 IAP 操作 前需重新解锁。  IAP 自编程操作程序需放在芯片的 SRAM 中执行，并在程序中对 FLASH 擦除或编程结果 进行校验。  芯片内置 IAP 自编程硬件固化模块，在 IAP 自编程操作程序中可以调用这些自编程固化 模块，以减少 SRAM 中的 IAP 操作代码量。 3. 2. 3. 2  IAP操作流程 IAP 操作请求流程  首先通过 IAP 控制寄存器，置位访问 FLASH 请求信号，查询得到允许应答。  再进行对应的 IAP 操作，IAP 操作是指 FLASH 全擦除，页擦除和编程三种操作。  操作完成后清除 FLASH 请求信号，查询应答信号也被清零后，结束本次 FLASH 的 访问操作。  具体操作流程图如下所示： V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 74/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 开始 设置IAP_UL，对IAP解锁 FLASH_REQ=1 FLASH_ACK=1 ? N Y IAP操作 FLASH_REQ=0 FLASH_ACK=0 ? N Y 结束 图 3-2 IAP 操作请求流程图  IAP 全擦除操作流程 IAP 全擦除操作只在芯片调试模式使能时有效，即将配置字 CFG_WORD0（0010_0004H） 的 bit15 写“1”时有效。 开始 设置IAP_UL，对IAP解锁 设置IAP_TRIG为0x000051AE， 选择全擦除模式 N BSY = 1 ? Y 是否超时？ Y N ERASE_END =1 ? N 出错处理 Y 结束 图 3-3 IAP 全擦除操作流程图  IAP 页擦除操作流程 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 75/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 开始 设置IAP_UL，对IAP解锁 设置IAPPA，选择页地址 设置IAP_TRIG为0x00005EA1， 选择页擦除模式 N 设置IAP_UL 对IAP解锁 BSY = 1 ? Y 是否超时？ Y N 设置IAP_UL，对IAP解锁 ERASE_END =1 ? 出错处理 Y Y N N N 连续擦除下一页？ 完成？ Y 结束 图 3-4 IAP 页擦除操作流程图  IAP 编程操作流程 开始 设置IAP_UL，对IAP解锁 设置IAP_ADDR，写入编程地址 设置IAP_DATA，写入编程数据 设置IAP_UL IAP解锁 设置IAP_TRIG为0x00005DA2， 选择编程模式 N 设置IAP_UL，对IAP解锁 BSY = 1 ? N Y N 下一单元跨页？ PROG_END =1 ? 超时？ Y N 出错处理 Y Y N Y 连续编程 下一单元？ N 完成？ Y 结束 图 3-5 IAP 编程操作流程图 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 76/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 3. 2. 3. 3 IAP自编程硬件固化模块 芯片内置 IAP 自编程固化模块，由硬件电路实现，在 IAP 自编程操作程序中可以调用这些 自编程固化模块，以减少 SRAM 中的 IAP 操作代码量。 IAP 自编程硬件固化模块支持单页擦除，单字编程和多字编程，分别由如下 IAP 操作函数 来实现：    单页擦除函数（IAP_PageErase）  入口地址：保存在 0x10000004 单元内  参数输入：R0-擦除页的首地址  参数输出：R0-函数执行状态（R0=1 为成功，R0=0 为失败） 单字编程函数（IAP_WordProgram）  入口地址：保存在 0x10000008 单元内  参数输入：R0-编程的 Flash 地址，R1-编程数据  参数输出：R0-函数执行状态（R0=1 为成功，R0=0 为失败） 多字编程函数（IAP_WordsProgram） 3. 2. 3. 4  入口地址：保存在 0x10000000 单元内  参数输入：R0-编程的 Flash 首地址，R1-放在 SRAM 空间的编程数据首地址， R2-编程数据长度，R3-当编程到页首时是否先进行页擦除（R3 非零为擦除， R3=0 为不擦除）  参数输出：R0-函数执行状态（R0=1 为成功，R0=0 为失败） 特殊功能寄存器 IAP 解锁寄存器（IAP_UL） 偏移地址：10H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 UL 15 14 13 12 11 10 9 8 7 UL UL bit31-0 R/W IAP 解锁：写入 0x0000_00A5； IAP 上锁：进行如下任一操作均可上锁 写入其它值，IAP 上锁； 写 IAP 触发寄存器 IAP_TRIG，IAP 自动上锁； 写保留地址，IAP 上锁； IAP 软件复位后，IAP 上锁。 注 1：IAP 上锁后，处于写保护状态的寄存器为 IAP_CON，IAP_ADDR，IAP_DATA，IAP_TRIG。 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 77/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 注 2：写保留地址，IAP 上锁，是指对 40000800H~40000BFFH 空间中未定义的地址单元，进行写操作时，IAP 上锁。 IAP 控制寄存器（IAP_CON） 偏移地址：00H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 FLASH_ACK FLASH_REQ RST EN 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 7 保留 － FLASH_FAIL bit31-8 － － IAP 访问 FLASH 地址失败标志位 0：IAP 未访问 FLASH 地址保护区 1：IAP 访问 FLASH 地址保护区，访问失败 FLASH_FAIL bit7 R － bit6 R/W FLASH_ACK bit5 － R FLASH 应答信号 0：不允许访问 1：允许 IAP 访问 FLASH 存储器 IAP 访问 FLASH 的请求信号 0：无请求 1：IAP 请求访问 FLASH 存储器 FLASH_REQ bit4 R/W － bit3-2 － － W IAP 软件复位 0：读取时始终为 0 1：复位 RST bit1 EN bit0 保留 IAP 使能位 0：禁止 1：使能 R/W 注 1：对 IAP_CON 寄存器进行写操作前，需要先设置 IAP_UL 寄存器，对 IAP 解锁，去除写保护。 IAP 地址寄存器（IAP_ADDR） 偏移地址：04H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 IAPPA － bit31-21 7 6 5 IAPCA － V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 20 19 18 4 17 16 1 0 保留 IFREN 3 2 保留 － 78/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C IFREN bit20 R/W － bit19-16 － IAPPA bit15-10 IAP 信息区使能 0：不允许 IAP 操作 FLASH_INFO 区 1：允许 IAP 操作 FLASH_INFO 区 － R/W IAP 页地址（擦除模式） 1）0x00~0x23：共 36 页，对应的地址范围 0x0000_0000~0x0000_8FFF 2）操作 FLASH INFO 区时，IAPPA 无效 IAP 单元地址 1）擦除模式下，单元地址无效 2）编程模式下： 操作非 FLASH INFO 区时，IAPCA 为当前页中被编程 单元的相对地址，每页 256 个单元，每单元 4 个字节。编 程前需保证该单元已经被擦除 操作 FLASH INFO 区时，仅 IAPCA[5:0]有效，INFO 区共包括 64 个单元，每单元 4 个字节 IAPCA bit9-2 R/W － bit1-0 － － 注 1：对 IAP_ADDR 寄存器进行写操作前，需要先设置 IAP_UL 寄存器，对 IAP 解锁，去除写保护。 注 2：完成页擦除后，IAPPA 自动+1； 注 3：完成单元编程后，IAPCA 自动+1；由于 IAPCA 只在当前页中进行单元寻址，所以跨页编程时，必须重新填 写 IAPPA，指定下一页地址。 IAP 数据寄存器（IAP_DATA） 偏移地址：08H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 DATA 15 14 13 12 11 10 9 8 7 DATA DATA bit31-0 IAP 单元数据 R/W 注 1：对 IAP_DATA 寄存器进行写操作前，需要先设置 IAP_UL 寄存器，对 IAP 解锁，去除写保护。 触发寄存器（IAP_TRIG） 偏移地址：0CH 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 TRIG 15 14 13 12 11 10 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 9 8 7 79/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C TRIG TRIG bit31-0 IAP 操作命令（写入该寄存器后，IAP 重新上锁） 0x0000_51AE：全擦除（仅在 SWD 调试时有效） 0x0000_5EA1：页擦除（擦除 INFO 区时，必须先 执行全擦除操作，否则无效） 0x0000_5DA2：编程模式 其它：无操作（IAP 完成后，硬件自动更改为无操作） R/W 注 1：对 IAP_TRIG 寄存器进行写操作前，需要先设置 IAP_UL 寄存器，对 IAP 解锁，去除写保护。 IAP 状态寄存器（IAP_STA） 偏移地址：14H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 保留 － TIMEOUT_ERR PROG_END ERASE_END BSY bit31-4 bit3 bit2 bit1 bit0 － 4 3 2 1 0 TIMEOUT_ERR PROG_END ERASE_END BSY － R/W IAP 超时错误标志位 0：写 0 清除，触发 IAP_TRIG 自动清除， 或 IAP 软件复位清除 1：IAP 操作超时 R/W IAP 编程结束标志位 0：写 0 清除，触发 IAP_TRIG 自动清除， 或 IAP 软件复位清除 1：当前单元编程完成 R/W IAP 页擦除结束标志位 0：写 0 清除，触发 IAP_TRIG 自动清除， 或 IAP 软件复位清除 1：当前页擦除完成 R IAP 工作状态位 0：空闲，IAP 软件复位可将该位清零 1：IAP 操作正在进行中 注 1：IAP_STA 寄存器的 TIMEOUT_ERR 为 1 时，硬件自动清零 IAP_CON 寄存器的 EN 位。 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 80/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 3. 3 数据存储器（SRAM） 芯片内部集成 8K 字节数据存储器 SRAM，地址范围为 2000_0000H~2000_1FFFH。 3. 3. 1 SRAM地址映射 0xFFFF_FFFF 0x3FFF_FFFF System 0xE000_0000 0xDFFF_FFFF Reserved SRAM bitband 0xA000_0000 0x9FFF_FFFF Reserved 0x2200_0000 0x21FF_FFFF 0x6000_0000 0x5FFF_FFFF Peripheral Reserved 0x4000_0000 0x3FFF_FFFF SRAM 0x2000_0000 0x1FFF_FFFF 0x2000_2000 0x2000_1FFF 8K Bytes SRAM FLASH 0x0000_0000 0x2000_0000 图 3-6 SRAM 映射图 3. 3. 2 SRAM位带扩展 SRAM 支持位带扩展，可使用普通的加载和存储指令对单比特进行读写操作。通过位带扩展， 除可在起始地址为 0x2000_0000 的空间访问 SRAM 外，还可在起始地址为 0x2200_0000 的位带扩展区以单比特方式访问 SRAM。 位带扩展区把每个比特扩展为一个 32-bit 的字， 通过访问这些字可达到访问原始比特的目的。 对于 SRAM 的某个 bit，如果它所在字节地址为 A，位序号为 N（0≤N≤7） ，则该 bit 在 SRAM 位带扩展后的地址为： AliasAddress_A_N = 0x2200_0000 + ( A – 0x2000_0000) x 32 + N x 4 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 81/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 3. 4 外设寄存器 3. 4. 1 外设寄存器映射 Peripheral Device 0xFFFF_FFFF System 0xE000_0000 0xDFFF_FFFF Reserved 0x6000_0000 0x5FFF_FFFF Peripheral 0x4000_0000 0x3FFF_FFFF Peripheral bitband 0x4200_0000~0x5FFF_FFFF Reserved 0x4000_9400~0x41FF_FFFF I2C0 0x4000_9000~0x4000_93FF Reserved 0x4000_8C00~0x4000_8FFF SPI1 0x4000_8400~0x8400_8BFF SPI0 0x4000_8000~0x4000_83FF Reserved 0x4000_7400~0x4000_7FFF EUART0 0x4000_7000~0x4000_73FF UART1 0x4000_6400~0x4000_67FF UART0 0x4000_6000~0x4000_63FF Reserved 0x4000_4400~0x4000_5FFF T32N0 0x4000_4000~0x4000_43FF Reserved 0x4000_3000~0x4000_3FFF T16N3 0x4000_2C00~0x4000_2FFF T16N2 0x4000_2800~0x4000_2BFF T16N1 0x4000_2400~0x4000_27FF T16N0 0x4000_2000~0x4000_23FF WDT 0x4000_1C00~0x4000_1FFF LCD/LED 0x4000_1800~0x4000_1BFF RTC 0x4000_1400~0x4000_17FF ADC0 0x4000_1000~0x4000_13FF Reserved 0x4000_0C00~0x4000_0FFF Flash Interface 0x4000_0800~0x4000_0BFF GPIO 0x4000_0400~0x4000_07FF SCU 0x4000_0000~0x4000_03FF SRAM 0x2000_0000 0x1FFF_FFFF Code 0x0000_0000 图 3-7 外设存储器分配示意图 注 1：Reserved 保留寄存器区域为只读，读出值为 00000000H。 3. 4. 2 外设寄存器位带扩展 外设寄存器支持位带扩展，可使用普通的加载和存储指令对单比特进行读写操作。通过位带 扩展，除可在 0x4000_0000 起始的空间访问外设外，还可在起始地址为 0x4200_0000 的位 带扩展区以单比特方式访问外设寄存器。 位带扩展区把每个比特扩展为一个 32-bit 的字， 通过访问这些字可达到访问原始比特的目的。 对于外设寄存器的某一位，如果它所在字节地址为 A，位序号为 N（0≤N≤7） ，则该位在外设 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 82/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 寄存器位带扩展后的地址为： AliasAddress_A_N = 0x4200_0000 + ( A – 0x4000_0000) x 32 + N x 4 GPIO 端口寄存器 GPIO_PADATABSR，GPIO_PADATABCR，GPIO_PADATABRR， GPIO_PADIRBSR，GPIO_PADIRBCR，GPIO_PADIRBRR，GPIO_PBDATABSR， GPIO_PBDATABCR，GPIO_PBDATABRR，GPIO_PBDIRBSR，GPIO_PBDIRBCR， GPIO_PBDIRBRR，用于实现对 GPIO 端口数据寄存器和方向控制寄存器的位操作，这些端 口位操作寄存器不再支持位带扩展访问。除上述寄存器外，其它外设寄存器均支持位带扩展 访问操作。 3. 4. 3 系统控制单元（SCU）寄存器列表 系统控制单元（SCU） 寄存器名称 寄存器偏移地址 寄存器描述 SCU_PROT 0000H 系统设置保护寄存器 SCU_NMICON 0004H 不可屏蔽中断控制寄存器 SCU_PWRC 0008H 复位寄存器 SCU_FAULTFLAG 000CH 硬件错误标志寄存器 SCU_FLASHWAIT 0020H FLASH 访问等待时间寄存器 SCU_SOFTCFG 0024H 系统配置软件控制寄存器 SCU_LVDCON 0028H LVD 控制寄存器 SCU_CCM 002CH 外部时钟检测控制寄存器 SCU_PLLLKCON 0030H PLL 锁定中断控制寄存器 SCU_TIMEREN 0034H TIMER 使能控制寄存器 SCU_TIMERDIS 0038H TIMER 关停控制寄存器 SCU_SCLKEN0 0040H 系统时钟控制寄存器 0 SCU_SCLKEN1 0044H 系统时钟控制寄存器 1 SCU_PCLKEN 0048H 外设时钟控制寄存器 SCU_WAKEUPTIME 004CH 系统唤醒时间控制寄存器 SCU_TBLREMAPEN 0060H 中断向量表重映射使能寄存器 SCU_TBLOFF 0064H 中断向量表偏移寄存器 SCU 基地址：4000_0000H 3. 4. 4 GPIO寄存器列表 GPIO 寄存器列表 寄存器名称 寄存器偏移地址 寄存器描述 GPIO 基地址：4000_0400H GPIO_PAPORT 0000H PA 端口状态寄存器 GPIO_PADATA 0004H PA 端口数据寄存器 GPIO_PADATABSR 0008H PA 输出置位寄存器 GPIO_PADATABCR 000CH PA 输出清零寄存器 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 83/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C GPIO_PADATABRR 0010H PA 输出翻转寄存器 GPIO_PADIR 0014H PA 端口方向控制寄存器 GPIO_PADIRBSR 0018H PA 端口方向置位寄存器. GPIO_PADIRBCR 001CH PA 端口方向清零寄存器 GPIO_PADIRBRR 0020H PA 端口方向翻转寄存器 GPIO_PAFUNC0 0024H PA[7:0]端口复用选择寄存器 GPIO_PAFUNC1 0028H PA[15:8]端口复用选择寄存器 GPIO_PAFUNC2 002CH PA[23:16]端口复用选择寄存器 GPIO_PAFUNC3 0030H PA[31:24]端口复用选择寄存器 GPIO_PAINEB 0034H PA 端口输入控制寄存器 GPIO_PAODE 0038H PA 端口开漏控制寄存器 GPIO_PAPUE 003CH PA 端口弱上拉使能寄存器 GPIO_PAPDE 0040H PA 端口弱下拉使能寄存器 GPIO_PADS 0044H PA 端口驱动电流控制寄存器 GPIO_PBPORT 0080H PB 端口状态寄存器 GPIO_PBDATA 0084H PB 端口数据寄存器 GPIO_PBDATABSR 0088H PB 端口输出置位寄存器 GPIO_PBDATABCR 008CH PB 端口输出清零寄存器 GPIO_PBDATABRR 0090H PB 端口输出翻转寄存器 GPIO_PBDIR 0094H PB 端口方向控制寄存器 GPIO_PBDIRBSR 0098H PB 端口方向置位寄存器 GPIO_PBDIRBCR 009CH PB 端口方向清零寄存器 GPIO_PBDIRBRR 00A0H PB 端口方向翻转寄存器 GPIO_PBFUNC0 00A4H PB[7:0]端口复用选择寄存器 GPIO_PBFUNC1 00A8H PB[13:8]端口复用选择寄存器 GPIO_PBINEB 00B4H PB 端口输入控制寄存器 GPIO_PBODE 00B8H PB 端口开漏控制寄存器 GPIO_PBPUE 00BCH PB 端口弱上拉使能寄存器 GPIO_PBPDE 00C0H PB 端口弱下拉使能寄存器 GPIO_PBDS 00C4H PB 端口驱动电流控制寄存器 GPIO_PINTIE 0300H PINT 中断使能寄存器 GPIO_PINTIF 0304H PINT 中断标志寄存器 GPIO_PINTSEL 0308H PINT 中断源选择寄存器 GPIO_PINTCFG 030CH PINT 中断配置寄存器 GPIO_KINTIE 0310H KINT 中断使能寄存器 GPIO_KINTIF 0314H KINT 中断标志寄存器 GPIO_KINTSEL 0318H KINT 中断源选择寄存器 GPIO_KINTCFG 031CH KINT 中断配置寄存器 GPIO_IOINTFLTS 0330H 端口中断 20ns 滤波器分配控制寄存器 GPIO_TMRFLTSEL 0340H TMR 输入端口 20ns 滤波器分配控制寄存器 GPIO_SPIFLTSEL 0344H SPI 输入端口 20ns 滤波器分配控制寄存器 GPIO_TXPWM 0380H 脉宽调制寄存器 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 84/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C GPIO_BUZC 3. 4. 5 蜂鸣器计数控制寄存器 0384H IAP寄存器列表 IAP 寄存器列表 寄存器名称 寄存器偏移地址 寄存器描述 IAP_CON 0000H IAP 控制寄存器 IAP_ADDR 0004H IAP 地址寄存器 IAP_DATA 0008H IAP 数据寄存器 IAP_TRIG 000CH IAP 触发寄存器 IAP_UL 0010H IAP 解锁寄存器 IAP_STA 0014H IAP 状态寄存器 IAP 基地址：4000_0800H 3. 4. 6 ADC寄存器列表 ADC 寄存器列表 寄存器名称 寄存器偏移地址 寄存器描述 ADC_DR 0000H ADC 转换值寄存器 ADC_CON0 0004H ADC 控制寄存器 0 ADC_CON1 0008H ADC 控制寄存器 1 ADC_CHS 000CH ADC 通道选择寄存器 ADC_IE 0010H ADC 中断使能寄存器 ADC_IF 0014H ADC 中断标志寄存器 ADC_ACPC 0028H ADC 自动转换比较控制寄存器 ADC_ACPCMP 0030H ADC 自动转换比较阈值寄存器 ADC_ACPMEAN 0034H ADC 自动转换均值数据寄存器 ADC_VREFCON 0040H ADC 参考控制寄存器 ADC 基地址：4000_1000H 3. 4. 7 RTC寄存器列表 RTC 寄存器列表 寄存器名称 寄存器偏移地址 寄存器描述 RTC_CON 0000H RTC 控制寄存器 RTC_CAL 0004H RTC 调校寄存器 RTC_WA 0008H RTC 周闹钟寄存器 RTC_DA 000CH RTC 日闹钟寄存器 RTC_HMS 0010H RTC 时分秒寄存器 RTC 基地址：4000_1400H V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 85/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C RTC_YMDW 0014H RTC 年月日周寄存器 RTC_IE 0018H RTC 中断使能寄存器 RTC_IF 001CH RTC 中断标志寄存器 RTC_WP 0020H RTC 写保护寄存器 3. 4. 8 LCD寄存器列表 LCD 寄存器列表 寄存器名称 寄存器偏移地址 寄存器描述 LCD_CON0 0000H LCD 控制寄存器 0 LCD_TWI 0004H LCD 闪烁时间寄存器 LCD_SEL 0008H LCD 段使能寄存器 LCD_CON1 0010H LCD 控制寄存器 1 LCD_D0 0020H LCD 像素寄存器 0 LCD_D1 0024H LCD 像素寄存器 1 LCD_D2 0028H LCD 像素寄存器 2 LCD_D3 002CH LCD 像素寄存器 3 LCD_D4 0030H LCD 像素寄存器 4 LCD_D5 0034H LCD 像素寄存器 5 LCD_D6 0038H LCD 像素寄存器 6 LCD：4000_1800H 注：LCD/LED 模块中寄存器 LCD_CON0 和 LED_CON0，LCD_SEL 和 LED_SEL，LCD_CON1 和 LED_CON1， LCD_D0 和 LED_D0，LCD D1 和 LED_D1 地址共用。 3. 4. 9 LED寄存器列表 LED 寄存器列表 寄存器名称 寄存器偏移地址 寄存器描述 LED 基地址：4000_1800H LED_CON0 0000H LED 控制寄存器 0 LED_SEL 0008H LED 段使能寄存器 LED_CON1 0010H LED 控制寄存器 1 LED_D0 0020H LED 像素寄存器 0 LED_D1 0024H LED 像素寄存器 1 注：LCD/LED 模块中寄存器 LCD_CON0 和 LED_CON0，LCD_SEL 和 LED_SEL，LCD_CON1 和 LED_CON1， LCD_D0 和 LED_D0，LCD D1 和 LED_D1 地址共用。 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 86/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 3. 4. 10 WDT寄存器列表 WDT 寄存器列表 寄存器名称 寄存器偏移地址 寄存器描述 WDT_LOAD 0000H WDT 计数器装载值寄存器 WDT_VALUE 0004H WDT 计数器当前值寄存器 WDT_CON 0008H WDT 控制寄存器 WDT_INTCLR 000CH WDT 中断标志清除寄存器 WDT_RIS 0010H WDT 中断标志寄存器 WDT_LOCK 0100H WDT 访问使能寄存器 WDT_ITCR 0300H WDT 测试寄存器，仅供测试使用 WDT_ITOP 0304H WDT 测试寄存器，仅供测试使用 WDT 基地址：4000_1C00H 注：WDT_ITCR 和 WDT_ITOP 寄存器仅供测试使用，禁止用户对其进行写操作，否则可能会导致芯片工作异常。 3. 4. 11 T16N0/T16N1/T16N2/T16N3 寄存器列表 T16N 寄存器列表 寄存器名称 寄存器偏移地址 寄存器描述 T16N0 基地址：4000_2000H T16N1 基地址：4000_2400H T16N2 基地址：4000_2800H T16N3 基地址：4000_2C00H T16N_CNT0 0000H T16N 计数值寄存器 0 T16N_CNT1 0004H T16N 计数值寄存器 1 T16N_PRECNT 0008H T16N 预分频器计数值寄存器 T16N_PREMAT 000CH T16N 预分频器计数匹配寄存器 T16N_CON0 0010H T16N 控制寄存器 0 T16N_CON1 0014H T16N 控制寄存器 1 T16N_CON2 0018H T16N 控制寄存器 2 T16N_IE 0020H T16N 中断使能寄存器 T16N_IF 0024H T16N 中断标志寄存器 T16N_PDZ 0028H T16N 调制模式死区宽度寄存器 T16N_PTR 002CH T16N 调制模式 ADC 触发寄存器 T16N_MAT0 0030H T16N 计数匹配寄存器 0 T16N_MAT1 0034H T16N 计数匹配寄存器 1 T16N_MAT2 0038H T16N 计数匹配寄存器 2 T16N_MAT3 003CH T16N 计数匹配寄存器 3 T16N_TOP0 0040H T16NCNT0 计数峰值寄存器 0 T16N_TOP1 0044H T16NCNT1 计数峰值寄存器 1 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 87/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 3. 4. 12 T32N0 寄存器列表 T32N 寄存器列表 寄存器名称 寄存器偏移地址 寄存器描述 T32N_CNT 0000H T32N 计数值寄存器 T32N_CON0 0004H T32N 控制寄存器 0 T32N_CON1 0008H T32N 控制寄存器 1 T32N_PRECNT 0010H T32N 预分频器计数值寄存器 T32N_PREMAT 0014H T32N 预分频器计数匹配寄存器 T32N_IE 0018H T32N 中断使能寄存器 T32N_IF 001CH T32N 中断标志寄存器 T32N_MAT0 0020H T32N 计数匹配寄存器 0 T32N_MAT1 0024H T32N 计数匹配寄存器 1 T32N_MAT2 0028H T32N 计数匹配寄存器 2 T32N_MAT3 002CH T32N 计数匹配寄存器 3 T32N0 基地址：4000_4000H 3. 4. 13 UART0/UART1 寄存器列表 UART 寄存器列表 寄存器名称 寄存器偏移地址 寄存器描述 UART0 基地址：4000_6000H UART1 基地址：4000_6400H UART_CON0 0000H UART 控制寄存器 0 UART_CON1 0004H UART 控制寄存器 1 UART_BRR 0010H UART 波特率寄存器 UART_STA 0014H UART 状态寄存器 UART_IE 0018H UART 中断使能寄存器 UART_IF 001CH UART 中断标志寄存器 UART_TBW 0020H UART 发送数据写入寄存器 UART_RBR 0024H UART 接收数据读取寄存器 UART_TB0 0040H UART 发送缓冲寄存器 0 UART_TB1 0044H UART 发送缓冲寄存器 1 UART_TB2 0048H UART 发送缓冲寄存器 2 UART_TB3 004CH UART 发送缓冲寄存器 3 UART_TB4 0050H UART 发送缓冲寄存器 4 UART_TB5 0054H UART 发送缓冲寄存器 5 UART_TB6 0058H UART 发送缓冲寄存器 6 UART_TB7 005CH UART 发送缓冲寄存器 7 UART_RB0 0060H UART 接收缓冲寄存器 0 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 88/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C UART_RB1 0064H UART 接收缓冲寄存器 1 UART_RB2 0068H UART 接收缓冲寄存器 2 UART_RB3 006CH UART 接收缓冲寄存器 3 UART_RB4 0070H UART 接收缓冲寄存器 4 UART_RB5 0074H UART 接收缓冲寄存器 5 UART_RB6 0078H UART 接收缓冲寄存器 6 UART_RB7 007CH UART 接收缓冲寄存器 7 3. 4. 14 EUART0 寄存器列表 EUART 寄存器列表 寄存器名称 寄存器偏移地址 寄存器描述 EUART0 基地址：4000_7000H EUART_CON0 0000H EUART 控制寄存器 0 EUART_CON1 0004H EUART 控制寄存器 1 EUART_CON2 0008H EUART 控制寄存器 2 EUART_BRR 0010H EUART 波特率寄存器 EUART_IE 0018H EUART 中断使能寄存器 EUART_IF 001CH EUART 中断标志寄存器 EUART_TBW 0020H EUART 发送数据写入寄存器 EUART_RBR 0024H EUART 接收数据读取寄存器 EUART_TB01 0040H EUART 发送缓冲寄存器 0/1 EUART_TB23 0044H EUART 发送缓冲寄存器 2/3 EUART_RB01 0048H EUART 接收缓冲寄存器 0/1 EUART_RB23 004CH EUART 接收缓冲寄存器 2/3 3. 4. 15 SPI0/ SPI1 寄存器列表 SPI 寄存器列表 寄存器名称 寄存器偏移地址 寄存器描述 SPI0 基地址：4000_8000H SPI1 基地址：4000_8400H SPI_CON 0000H SPI 控制寄存器 SPI_TBW 0008H SPI 发送数据写入寄存器 SPI_RBR 000CH SPI 接收数据读取寄存器 SPI_IE 0010H SPI 中断使能寄存器 SPI_IF 0014H SPI 中断标志寄存器 SPI_TB 0018H SPI 发送缓冲寄存器 SPI_RB 001CH SPI 接收缓冲寄存器 SPI_STA 0020H SPI 状态寄存器 SPI_CKS 0024H SPI 波特率设置寄存器 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 89/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 3. 4. 16 I2C0 寄存器列表 I2C 寄存器列表 寄存器名称 寄存器偏移地址 寄存器描述 I2C0 基地址：4000_9000H I2C_CON 0000H I2C 控制寄存器 I2C_MOD 0004H I2C 工作模式寄存器 I2C_IE 0008H I2C 中断使能寄存器 I2C_IF 000CH I2C 中断标志寄存器 I2C_TBW 0010H I2C 发送数据写入寄存器 I2C_RBR 0014H I2C 接收数据读取寄存器 I2C_TB 0018H I2C 发送缓冲寄存器 I2C_RB 001CH I2C 接收缓冲寄存器 I2C_STA 0020H I2C 状态寄存器 3. 5 内核寄存器 3. 5. 1 系统定时器（SYSTICK）寄存器列表 系统定时器（SYSTICK） 寄存器名称 寄存器偏移地址 寄存器描述 SYSTICK 基地址：E000_E000H SYST_CSR 0010H SYSTICK 控制/状态寄存器 SYST_RVR 0014H SYSTICK 重装值寄存器 SYST_CVR 0018H SYSTICK 当前值寄存器 SYST_CALIB 001CH SYSTICK 校准值寄存器 3. 5. 2 中断控制器（NVIC）寄存器列表 中断控制器（NVIC） 寄存器名称 寄存器偏移地址 寄存器描述 NVIC 基地址：E000_E100H NVIC_ISER 0000H IRQ0~31 置中断请求使能寄存器 NVIC_ICER 0080H IRQ0~31 清中断请求使能寄存器 NVIC_ISPR 0100H IRQ0~31 置中断挂起寄存器 NVIC_ICPR 0180H IRQ0~31 清中断挂起寄存器 NVIC_PR0 0300H IRQ0~3 优先级控制寄存器 NVIC_PR1 0304H IRQ4~7 优先级控制寄存器 NVIC_PR2 0308H IRQ8~11 优先级控制寄存器 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 90/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C NVIC_PR3 030CH IRQ12~15 优先级控制寄存器 NVIC_PR4 0310H IRQ16~19 优先级控制寄存器 NVIC_PR5 0314H IRQ20~23 优先级控制寄存器 NVIC_PR6 0318H IRQ24~27 优先级控制寄存器 NVIC_PR7 031CH IRQ28~31 优先级控制寄存器 3. 5. 3 系统控制块（SCB）寄存器列表 系统控制块（SCB） 寄存器名称 寄存器偏移地址 寄存器描述 SCB 基地址：E000_ED00H SCB_CPUID 0000H SCB_CPUID 寄存器 SCB_ICSR 0004H 中断控制和状态寄存器 SCB_AIRCR 000CH 应用中断和复位控制寄存器 SCB_SCR 0010H 系统控制寄存器 SCB_CCR 0014H 配置和控制寄存器 SCB_SHPR2 001CH 系统处理程序优先级寄存器 2 SCB_SHPR3 0020H 系统处理程序优先级寄存器 3 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 91/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 第 4 章 输入输出端口（GPIO） 4. 1 概述 本芯片支持两组 GPIO 端口，最多支持共 46 个 I/O 管脚。 所有 I/O 端口都是 CMOS 施密特输入和 CMOS 输出驱动（可配置为开漏输出） ，每个 I/O 端口 的复用功能和工作模式由端口复用选择寄存器（GPIO_PxFUNCy）配置。 当 I/O 端口配置为通用数字 I/O 功能时，其输出状态由端口方向控制寄存器（GPIO_PxDIR） 配置，输入状态由相应的端口输入控制寄存器（GPIO_PxINEB）配置。当 I/O 端口处于输出状 态时，其电平由端口数据寄存器（GPIO_PxDATA）决定，1 为高电平，0 为低电平；当 I/O 端 口处于输入状态时，其电平状态可通过读取端口状态寄存器（PxPORT）获得。 端口输出电平支持位操作。将 GPIO 输出置位寄存器（GPIO_PxDATABSR）相应位写 1，可 将相应位的 GPIO 端口设置为高电平；将 GPIO 输出清零寄存器（GPIO_PxDATABCR）相应 位写 1，可将相应位的 GPIO 端口设置为低电平；将 GPIO 输出翻转寄存器 （GPIO_PxDATABRR）相应位写 1，可将相应位的 GPIO 端口电平取反。 端口方向控制支持位操作。将 GPIO 端口方向置位寄存器（GPIO_PxDIRBSR）相应位写 1， 可将相应位的 GPIO 端口设置为输入；将 GPIO 端口方向清零寄存器（GPIO_PxDIRBCR）相 应位写 1，可将相应位的 GPIO 端口设置为输出；将 GPIO 输出翻转寄存器（GPIO_PxDIRBRR） 相应位写 1，可将相应位的 GPIO 端口方向取反。 当 I/O 端口配置为复用功能时，作为芯片外设功能模块的复用端口，其输出状态仍需通过端口 方向控制寄存器（GPIO_PxDIR）进行配置，输入状态仍需通过相应的端口输入控制能寄存器 （GPIO_PxINEB）进行配置。 每个 I/O 端口均支持开漏输出，由相应的端口开漏输出使能寄存器（GPIO_PxODE）控制开漏 输出是否使能。 每个 I/O 端口均支持弱上拉或弱下拉，由相应的端口输入弱上拉使能寄存器（GPIO_PxPUE） 控制其弱上拉功能是否使能，由相应的端口输入弱下拉使能寄存器（GPIO_PxPDE）控制其弱 下拉功能是否使能。 每个 I/O 端口均支持电流驱动能力可配置，由相应的端口驱动电流控制寄存器（GPIO_PxDS） 选择 I/O 端口的输出驱动能力，可选择为强电流驱动 I/O 端口，或者普通驱动 I/O 端口。其中 PA6~PA13 端口可复用为 LCDC/LEDC 模块的 COM7~COM0 端口， 当其设置为强电流驱动 I/O 端口时，具有比其它 I/O 端口更强的驱动能力，具体参见《附录 2 电气特性》章节的描述。 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 92/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 4. 2 结构框图 系统时钟 地址总线 读数据总线 VDD VDD VDD Px中断 IO输出 IO控制 IO逻辑 写数据总线 IO输入 弱上拉控制 控制总线 Px IOMUX 外设使能 外设输出 外设输入 数模选择 模拟输入 模拟输出 图 4-1 IO 端口电流结构图 4. 3 外部端口中断 支持全部 IO 口外部端口中断，分成 8 组，每组对应一个 IRQ，并可通过 GPIO_PINTCFG 寄 存器的 PINTx 位配置各外部中断触发方式。触发方式配置为高电平或低电平时，中断标志只有 在触发电平翻转后，才可通过对 GPIO_PINTIF 寄存器的相应位写 1 来清除。 GPIO_PINTIE 寄存器的输入屏蔽使能位 PMASKx，可对外部端口中断输入进行屏蔽，屏蔽位 使能时，对应的中断输入源就被屏蔽了，不会产生中断和标志位。 GPIO_PINTIE 寄存器的外部端口中断使能位 PINTIEx，可对每个外部端口中断标志 PINTIFx 是否触发外部端口中断请求，进行配置。 PINTx_SEL PINTx_CFG PINTIEx PINTx_IN0 PINTx_IN1 中断 PORT 选择 PINTx_IN2 PINTx_IN3 PINTx_IN PINTx中断 产生电路 PINTx_IN4 IRQ_PINTx PINTIFx PINTx_IN5 PINTx_MASK 图 4-2 外部端口中断电路结构示意图 PINTx SEL0 SEL1 SEL2 SLE3 SEL4 SEL5 PINT0 PA0 PA8 PA16 PA24 PB0 PB8 PINT1 PA1 PA9 PA17 PA25 PB1 PB9 PINT2 PA2 PA10 PA18 PA26 PB2 PB10 PINT3 PA3 PA11 PA19 PA27 PB3 PB11 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 93/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C PINT4 PA4 PA12 PA20 PA28 PB4 PB12 PINT5 PA5 PA13 PA21 PA29 PB5 PB13 PINT6 PA6 PA14 PA22 PA30 PB6 - PINT7 PA7 PA15 PA23 PA31 PB7 - 表 4-1 PINT 选择对应列表 4. 4 外部按键中断 支持 1 个 8 输入外部按键中断（KINT） ，8 个按键输入为 KINT0_IN~KINT7_IN，其中任意一个 按键输入都可以触发按键中断，每个按键输入可以从 6 个 I/O 端口中选择一个作为其输入源。 输入屏蔽使能位 KMASKx，可对每个输入源 KINTx_IN 进行屏蔽。屏蔽使能时，不论 KINTx_IN 输入如何变化，中断标志 KINTIFx 均保持不变；屏蔽使能时，可通过端口中断配置寄存器位 KINTx_CFG，对各个按键输入 KINTx 进行配置，选择中断的有效触发边沿或电平。 按键中断使能位 KINTIEx，可对每个按键标志 KINTIFx 是否触发按键中断请求，进行配置。 GPIO_KINTCFG 寄存器的按键中断配置位 KINTx，可对每个输入源的触发方式进行配置，根 据端口电平变化的不同状态，触发中断。切换输入源触发方式时，需先屏蔽输入源，避免误产 生中断；或先禁止按键中断，并在切换完成后，对中断标志进行清零，然后再使能按键中断。 KINTx_SEL KINTx_CFG KINTIEx KINTx_IN0 KINTx_IN1 KINTx_IN2 KINTx_IN3 KINTx_IN4 KINTx_IN5 按键中 断 PORT KINTx_IN 选择 KMASKx KINTFx按键标 志产生电路 KINTIFx IRQ_KINT 图 4-3 外部按键中断电路结构示意图 KINTx SEL0 SEL1 SEL2 SLE3 SEL4 SEL5 KINT0 PA0 PA8 PA16 PA24 PB0 PB8 KINT1 PA1 PA9 PA17 PA25 PB1 PB9 KINT2 PA2 PA10 PA18 PA26 PB2 PB10 KINT3 PA3 PA11 PA19 PA27 PB3 PB11 KINT4 PA4 PA12 PA20 PA28 PB4 PB12 KINT5 PA5 PA13 PA21 PA29 PB5 PB13 KINT6 PA6 PA14 PA22 PA30 PB6 - KINT7 PA7 PA15 PA23 PA31 PB7 - V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 94/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 4. 5 Buzz输出 Buzz 输出可用于驱动蜂鸣器等音频发声器件。 GPIO_BUZC 控制寄存器用于使能 Buzz 和设定其输出信号的频率。Buzz 信号频率为： Fbuz = FPCLK/ (2*(BUZ_LOAD+1)) 由 GPIO_PAFUNCx 和 GPIO_PBFUNCx 寄存器来设定 Buzz 信号直接输出至 PA0，PA1 或 PB13。 Buzz 的固定频率输出信号还可被 UART0 的输出信号 TXD0 调制为 TXPWM0 信号或被 EUART0 的输出信号 E0TX0 调制为 TXPWM1 信号，并送至相应输出端口上。可通过 TX0PLV 和 TX1PLV 控制位设定为高电平调制还是低电平调制。 当 GPIO_TXPWM 寄存器的 TX0PS 控制位为 2’b11 时，TXPWM0 调制信号可输出至 TXD0、 T16N0OUT0、T16N0OUT1 或 BUZ 管脚（由 GPIO_TXPWM 寄存器的 TXPWM0_Sx 选取）。 当 GPIO_TXPWM 寄存器的 TX1PS 控制位为 2’b11 时，TXPWM1 调制信号可输出至 E0TX0、 T16N1OUT0、T16N1OUT1 或 BUZ 管脚（由 GPIO_TXPWM 寄存器的 TXPWM1_Sx 选取）。 E0TX0 或TXD0 Buzz信号 TXPWM0或 TXPWM1 图 4-4 Buzz 高电平调制输出波形图 E0TX0 或TXD0 Buzz信号 TXPWM0或 TXPWM1 图 4-5 Buzz 低电平调制输出波形图 4. 6 特殊功能寄存器 PA 端口状态寄存器（GPIO_PAPORT） 偏移地址：00H V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 95/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 复位值：xxxxxxxx_xxxxxxxx_xxxxxxxx _xxxxxxxxB 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 PORT 15 14 13 12 11 10 9 8 7 PORT PORT bit 31-0 R PA 端口输入/输出电平 0：低电平 1：高电平 PA 端口数据寄存器（GPIO_PADATA） 偏移地址：04H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 DATA 15 14 13 12 11 10 9 8 7 DATA DATA bit 31-0 R/W PA 端口输出寄存器 0：输出低电平 1：输出高电平 PA 输出置位寄存器（GPIO_PADATABSR） 偏移地址：08H 复位值：xxxxxxxx_xxxxxxxx_xxxxxxxx _xxxxxxxxB 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 20 19 18 17 16 DATABSR 15 14 13 12 11 10 9 8 7 DATABSR DATABSR bit 31-0 W PA 输出置位选择 0：不改变输出电平 1：相应端口输出高电平 PA 端口输出清零寄存器（GPIO_PADATABCR） 偏移地址： 0CH 复位值：xxxxxxxx_xxxxxxxx_xxxxxxxx _xxxxxxxxB 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 DATABCR V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 96/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 DATABCR DATABCR bit 31-0 W PA 输出清零选择 0：不改变输出电平 1：相应端口输出低电平 PA 端口输出翻转寄存器（GPIO_PADATABRR） 偏移地址： 10H 复位值：xxxxxxxx_xxxxxxxx_xxxxxxxx _xxxxxxxxB 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 DATABRR 15 14 13 12 11 10 9 8 7 DATABRR DATABRR bit 31-0 W PA 输出翻转选择 0：不改变输出电平 1：相应端口输出翻转 PA 端口方向控制寄存器（GPIO_PADIR） 偏移地址： 14H 复位值：11111111_11111111_11111111_11111111B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 DIR 15 14 13 12 11 10 9 8 7 DIR DIR bit0 31-0 R/W PA 端口方向控制位 0：输出 1：非输出（若 GPIO_PAINEB 对应位为 0，则可作 为数字输入端口使用。若需使能模拟通道功能， GPIO_PAINEB 和 GPIO_PADIR 的对应位都应设置 为 1，关闭数字输入和输出功能） PA 端口方向置位寄存器（GPIO_PADIRBSR） 偏移地址： 18H 复位值：xxxxxxxx_xxxxxxxx_xxxxxxxx _xxxxxxxxB 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 DIRBSR V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 97/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 DIRBSR DIRBSR bit 31-0 W PA 端口方向置位选择 0：不改变 GPIO_PADIR 值 1：对应的 GPIO_PADIR 位设置为 1 PA 端口方向清零寄存器（GPIO_PADIRBCR） 偏移地址： 1CH 复位值：xxxxxxxx_xxxxxxxx_xxxxxxxx _xxxxxxxxB 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 DIRBCR 15 14 13 12 11 10 9 8 7 DIRBCR DIRBCR bit 31-0 W PA 端口方向清零选择 0：不改变 GPIO_PADIR 的值 1：对应的 GPIO_PADIR 位设置为 0 PA 端口方向翻转寄存器（GPIO_PADIRBRR） 偏移地址： 20H 复位值：xxxxxxxx_xxxxxxxx_xxxxxxxx _xxxxxxxxB 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 18 17 16 DIRBRR 15 14 13 12 11 10 9 8 7 DIRBRR DIRBRR bit 31-0 W PA 端口方向翻转选择 0：不改变 GPIO_PADIR 的值 1：对应的 GPIO_PADIR 位值翻转 PA[7:0]端口复用选择寄存器（GPIO_PAFUNC0） 偏移地址：24H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 保留 15 28 27 13 12 PA3 26 保留 PA7 14 保留 29 11 25 24 23 保留 PA6 10 保留 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 9 8 PA2 22 7 20 19 保留 PA5 6 保留 21 5 4 PA1 3 PA4 2 保留 1 0 PA0 98/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C — — bit31-30 PA7 bit29-28 R/W — bit27-26 — PA6 bit25-24 R/W — bit23-22 — PA5 bit21-20 R/W — bit19-18 — PA4 bit17-16 R/W — bit15-14 — PA3 bit13-12 R/W — bit11-10 — PA2 bit9-8 R/W — bit7-6 — PA1 bit5-4 R/W — bit3-2 — PA0 bit1-0 R/W — PA7 复用选择位 00：FUN0 01：FUN1 10：FUN2 11：FUN3 — PA6 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PA5 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PA4 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PA3 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PA2 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PA1 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PA0 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 PA[15:8]端口复用选择寄存器（GPIO_PAFUNC1） 偏移地址：28H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 保留 15 29 28 27 14 保留 13 12 PA11 — PA15 26 保留 PA15 11 25 24 23 10 保留 bit31-30 bit29-28 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 9 8 PA10 — R/W 22 保留 PA14 7 21 20 19 6 保留 5 4 PA9 18 保留 PA13 3 2 保留 17 16 PA12 1 0 PA8 — PA15 复用选择位 00：FUN0 01：FUN1 10：FUN2 99/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 11：FUN3 — bit27-26 — PA14 bit25-24 R/W — bit23-22 — PA13 bit21-20 R/W — bit19-18 — PA12 bit17-16 R/W — bit15-14 — PA11 bit13-12 R/W — bit11-10 — PA10 bit9-8 R/W — bit7-6 — PA9 bit5-4 R/W — bit3-2 — PA8 bit1-0 R/W — PA14 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PA13 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PA12 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PA11 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PA10 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PA9 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PA8 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 PA[23:16]端口复用选择寄存器（GPIO_PAFUNC2） 偏移地址：2CH 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 保留 15 28 27 保留 PA23 14 13 保留 12 PA19 — 26 11 25 24 23 保留 PA22 10 保留 bit31-30 9 8 7 — bit29-28 R/W — bit27-26 — PA22 bit25-24 R/W — bit23-22 — 21 20 19 6 5 4 18 保留 PA21 保留 PA18 PA23 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 22 3 16 PA20 2 保留 PA17 17 1 0 PA16 — PA23 复用选择位 00：FUN0 01：FUN1 10：FUN2 11：FUN3 — PA22 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — 100/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C PA21 bit21-20 R/W — bit19-18 — PA20 bit17-16 R/W — bit15-14 — PA19 bit13-12 R/W — bit11-10 — PA18 bit9-8 R/W — bit7-6 — PA17 bit5-4 R/W — bit3-2 — PA16 bit1-0 R/W PA21 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PA20 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PA19 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PA18 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PA17 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PA16 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 PA[31:24]端口复用选择寄存器（GPIO_PAFUNC3） 偏移地址：30H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 保留 15 28 27 14 13 保留 12 PA27 — 26 保留 PA31 11 25 24 23 10 保留 bit31-30 9 8 7 — bit29-28 R/W — bit27-26 — PA30 bit25-24 R/W — bit23-22 — PA29 bit21-20 R/W — bit19-18 — PA28 bit17-16 R/W 21 20 19 6 5 4 18 保留 PA29 保留 PA26 PA31 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 22 保留 PA30 3 2 保留 PA25 17 16 PA28 1 0 PA24 — PA31 复用选择位 00：FUN0 01：FUN1 10：FUN2 11：FUN3 — PA30 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PA29 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PA28 复用选择位 101/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 00~11：FUN0~FUN3 — bit15-14 — — PA27 bit13-12 R/W — bit11-10 — PA26 bit9-8 R/W — bit7-6 — PA25 bit5-4 R/W — bit3-2 — PA24 bit1-0 R/W PA27 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PA26 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PA25 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PA24 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 注 1：PA2/PA3/PA27/PA26 中只能有一个可配置为 PWM 输出的刹车控制信号，优级为：PA2>PA3>PA27>PA26， 例如一旦 PA3 设置为 PWM 输出刹车控制信号，则 PA27 和 PA26 不可再配置为 PWM 输出刹车控制信号。 注 2： GPIO_PAFUNCx 寄存器仅用于端口的数字输入输出功能选择。 使用端口的模拟功能时， 需要设置 GPIO_PADIR 和 GPIO_PAINEB 寄存器的对应位为 1，关闭端口的数字输入和输出功能。 PA 端口输入控制寄存器 GPIO_PAINEB 偏移地址：34H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 INEB 15 14 13 12 11 10 9 8 7 INEB INEB bit31-0 R/W 端口数字输入功能使能位 0：使能 1：禁止 PA 端口开漏控制寄存器 GPIO_PAODE 偏移地址：38H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 ODE 15 14 13 12 11 10 9 8 7 ODE ODE bit31-0 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 R/W 端口输出开漏使能位 102/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 0：禁止，端口为推挽输出 1：使能，端口为开漏输出 PA 端口弱上拉使能寄存器（GPIO_PAPUE） 偏移地址：3CH 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 PUE 15 14 13 12 11 10 9 8 7 PUE PUE bit31-0 R/W 端口弱上拉使能位 0：禁止 1：使能 PA 端口弱下拉使能寄存器（GPIO_PAPDE） 偏移地址：40H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 PDE 15 14 13 12 11 10 9 8 7 PDE PDE bit31-0 R/W 端口弱下拉使能位 0：禁止 1：使能 PA 端口驱动电流控制寄存器（GPIO_PADS） 偏移地址：44H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 DS 15 14 13 12 11 10 9 8 7 DS DS bit31-0 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 R/W 端口输出驱动能力选择位 0：普通电流驱动 1：强电流驱动 103/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C PB 端口状态寄存器（GPIO_PBPORT） 偏移地址：80H 复位值：00000000_00000000_00xxxxxx _xxxxxxxxB 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 7 6 5 4 3 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 保留 PORT － bit31-14 PORT bit13-0 － － R PB 端口输入/输出电平 0：低电平 1：高电平 PB 端口数据寄存器（GPIO_PBDATA） 偏移地址：84H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 7 6 5 4 3 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 保留 DATA － － bit31-14 DATA bit13-0 R/W － PB 端口输出电平 0：输出低电平 1：输出高电平 PB 端口输出置位寄存器（GPIO_PBDATABSR） 偏移地址：88H 复位值：xxxxxxxx_xxxxxxxx_xxxxxxxx _xxxxxxxxB 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 7 6 5 4 3 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 保留 DATABSR － DATABSR bit31-14 bit13-0 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 － － W PB 输出置位选择 0：不改变输出电平 1：相应端口输出高电平 104/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C PB 端口输出清零寄存器（GPIO_PBDATABCR） 偏移地址：8CH 复位值：xxxxxxxx_xxxxxxxx_xxxxxxxx _xxxxxxxxB 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 7 6 5 4 3 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 保留 DATABCR － bit31-14 DATABCR bit13-0 － － W PB 输出清零选择 0：不改变输出电平 1：相应端口输出低电平 PB 端口输出翻转寄存器（GPIO_PBDATABRR） 偏移地址：90H 复位值：xxxxxxxx_xxxxxxxx_xxxxxxxx _xxxxxxxxB 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 7 6 5 4 3 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 保留 DATABRR － bit31-14 DATABRR bit13-0 － － W PB 输出翻转选择 0：不改变输出电平 1：相应端口输出翻转 PB 端口方向控制寄存器（GPIO_PBDIR） 偏移地址：94H 复位值：11111111_11111111_11111111_11111111B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 7 6 5 4 3 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 保留 DIR － DIR bit31-14 bit13-0 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 － R/W － PB 端口方向控制位 0：输出 1：输入（若 GPIO_PBINEB 对应位为 0，则可作为 数字输入端口使用。若需使能模拟通道功能， 105/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C GPIO_PBINEB 和 GPIO_PBDIR 的对应位都应设置 为 1，关闭数字输入和输出功能） PB 端口方向置位寄存器（GPIO_PBDIRBSR） 偏移地址：98H 复位值：xxxxxxxx_xxxxxxxx_xxxxxxxx _xxxxxxxxB 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 7 6 5 4 3 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 保留 DIRBSR － bit31-14 DIRBSR bit13-0 － － W PB 端口方向置位选择 0：不改变 GPIO_PBDIR 的值 1：对应的 GPIO_PBDIR 位设置为 1 PB 端口方向清零寄存器（GPIO_PBDIRBCR） 偏移地址：9CH 复位值：xxxxxxxx_xxxxxxxx_xxxxxxxx _xxxxxxxxB 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 7 6 5 4 3 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 保留 DIRBCR － bit31-14 DIRBCR bit13-0 － － W PB 端口方向清零选择 0：不改变 GPIO_PBDIR 的值 1：对应的 GPIO_PBDIR 位设置为 0 PB 端口方向翻转寄存器（GPIO_PBDIRBRR） 偏移地址：A0H 复位值：xxxxxxxx_xxxxxxxx_xxxxxxxx _xxxxxxxxB 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 7 6 5 4 3 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 保留 DIRBRR － bit31-14 － － DIRBRR bit13-0 W PB 端口方向翻转选择 0：不改变 GPIO_PBDIR 的值 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 106/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 1：对应的 GPIO_PBDIR 位值翻转 PB[7:0]端口复用选择寄存器（GPIO_PBFUNC0） 偏移地址：A4H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 保留 15 29 28 27 14 保留 13 12 PB3 — 26 保留 PB7 11 25 24 23 10 保留 bit31-30 9 8 PB2 — PB7 bit29-28 R/W — bit27-26 — PB6 bit25-24 R/W — bit23-22 — PB5 bit21-20 R/W — bit19-18 — PB4 bit17-16 R/W — bit15-14 — PB3 bit13-12 R/W — bit11-10 — PB2 bit9-8 R/W — bit7-6 — PB1 bit5-4 R/W — bit3-2 — PB0 bit1-0 R/W 22 保留 PB6 7 20 19 5 4 PB 18 保留 PB5 6 保留 21 3 16 PB4 2 保留 17 1 0 PB0 — PB7 复用选择位 00：FUN0 01：FUN1 10：FUN2 11：FUN3 — PB6 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PB5 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PB4 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PB3 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PB2 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PB1 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PB0 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 PB[15:8]端口复用选择寄存器（GPIO_PBFUNC1） 偏移地址：A8H V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 107/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 保留 15 14 13 保留 12 10 9 保留 — 20 19 8 7 — bit31-22 6 保留 PB10 5 4 18 保留 PB13 11 PB11 21 3 16 PB12 2 保留 PB9 17 1 0 PB8 — PB13 bit21-20 R/W — bit19-18 — PB12 bit17-16 R/W — bit15-14 — PB11 bit13-12 R/W — bit11-10 — PB10 bit9-8 R/W — bit7-6 — PB9 bit5-4 R/W — bit3-2 — PB8 bit1-0 R/W PB13 复用选择位 00：FUN0 01：FUN1 10：FUN2 11：FUN3 — PB12 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PB11 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PB10 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PB9 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 — PB8 复用选择位 00~11：FUN0~FUN3 注： GPIO_PBFUNCx 仅用于端口的数字输入输出功能选择。使用 PB 端口的模拟功能时，需要设置 GPIO_PBDIR 和 GPIO_PBINEB 寄存器的对应位为 1，关闭端口的数字输入和输出功能。 PB 端口输入控制寄存器（GPIO_PBINEB） 偏移地址：B4H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 7 6 5 4 3 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 保留 INEB － bit31-14 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 － － 108/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C INEB bit13-0 R/W 端口数字输入功能使能位 0：使能 1：禁止 PB 端口开漏控制寄存器（GPIO_PBODE） 偏移地址：B8H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 7 6 5 4 3 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 保留 ODE － － bit31-14 ODE bit13-0 R/W － 端口输出开漏使能位 0：禁止，端口为推挽输出 1：使能，端口为开漏输出 PB 端口弱上拉使能寄存器（GPIO_PBPUE） 偏移地址：BCH 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 7 6 5 4 3 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 保留 PUEN － － bit31-14 PUEN bit13-0 R/W － 端口弱上拉使能位 0：禁止 1：使能 注 1：当 MRSTN 管脚用作外部复位管脚时，芯片内部固定集成了约 45K 欧姆的弱上拉电阻，不受端口弱上拉使能 寄存器的控制。 PB 端口弱下拉使能寄存器（GPIO_PBPDE） 偏移地址：C0H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 7 6 5 4 3 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 9 8 109/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 保留 PDEN － － bit31-14 PDEN bit13-0 R/W － 端口弱下拉使能位 0：禁止 1：使能 PB 端口驱动电流控制寄存器（GPIO_PBDS） 偏移地址：C4H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 7 6 5 4 3 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 保留 DS － － bit31-14 DS bit13-0 R/W － 端口输出驱动能力选择位 0：普通电流驱动 1：强电流驱动 PINT 中断使能寄存器（GPIO_PINTIE） 偏移地址：00H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 7 6 5 4 3 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 PMASK — PMASK PINTIE bit31-16 bit15-8 bit7-0 PINTIE — — R/W PINTx 中断源屏蔽控制位 0：不屏蔽 1：屏蔽 R/W PINTx 使能位 0：禁止 1：使能 PINT 中断标志寄存器（GPIO_PINTIF） 偏移地址：04H V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 110/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 7 6 5 20 19 18 17 16 4 3 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 保留 － PINTIF － bit 31-8 PINTIF bit7-0 R/W － GPIO 外部中断标志位 0：无中断 1：有中断 软件写 1 清除中断标志位，写 0 无效 注：对 GPIO_PINTIF 寄存器中的各中断标志位，写 0 无效，写 1 才能清除标志位；读操作时，读取的值为 1 表示 有中断发生。 PINT0~7 中断源选择寄存器（GPIO_PINTSEL） 偏移地址：08H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 保留 15 保留 29 28 14 13 PINT3 — 27 26 保留 PINT7 12 11 保留 25 24 10 9 PINT2 bit31 23 8 7 — bit30-28 R/W — bit27 — PINT6 bit26-24 R/W — bit23 — PINT5 bit22-20 R/W — bit19 — PINT4 bit18-16 R/W — bit15 — PINT3 bit14-12 R/W 21 20 6 5 PINT1 19 18 保留 PINT5 保留 PINT7 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 22 保留 PINT6 4 3 2 保留 17 16 PINT4 1 0 PINT0 — PINT7 输入选择位 000~101：SEL0~SEL5 其余： SEL0 — PINT6 输入选择位 000~101：SEL0~SEL5 其余： SEL0 — PINT5 输入选择位 000~101：SEL0~SEL5 其余： SEL0 — PINT4 输入选择位 000~101：SEL0~SEL5 其余： SEL0 — PINT3 输入选择位 111/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 000~101：SEL0~SEL5 其余： SEL0 — — bit11 PINT2 bit10-8 R/W — bit7 — PINT1 bit6-4 R/W — bit3 — PINT0 bit2-0 R/W — PINT2 输入选择位 000~101：SEL0~SEL5 其余： SEL0 — PINT1 输入选择位 000~101：SEL0~SEL5 其余： SEL0 — PINT0 输入选择位 000~101：SEL0~SEL5 其余： SEL0 PINT 中断配置寄存器（GPIO_PINTCFG） 偏移地址：0CH 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 保留 15 保留 29 28 14 13 PINT3 27 26 保留 PINT7 12 11 保留 25 24 10 9 PINT2 23 8 7 保留 — bit31 — PINT7 bit30-28 R/W — bit27 — PINT6 bit26-24 R/W — bit23 — PINT5 bit22-20 R/W — bit19 — PINT4 bit18-16 R/W — bit15 — PINT3 bit14-12 R/W — bit11 — PINT2 bit10-8 R/W V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 22 保留 PINT6 21 20 6 5 19 18 保留 PINT5 4 PINT1 3 17 2 保留 16 PINT4 1 0 PINT0 — PINT7 配置位 参见 GPIO_PINTCFG 详情 — PINT6 配置位 参见 GPIO_PINTCFG 详情 — PINT5 配置位 参见 GPIO_PINTCFG 详情 — PINT4 配置位 参见 GPIO_PINTCFG 详情 — PINT3 配置位 参见 GPIO_PINTCFG 详情 — PINT2 配置位 112/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 参见 GPIO_PINTCFG 详情 — bit7 — PINT1 bit6-4 R/W — bit3 — PINT0 bit2-0 R/W 寄存器名称 — PINT1 配置位 参见 GPIO_PINTCFG 详情 — PINT0 配置位 参见 GPIO_PINTCFG 详情 GPIO_PINTCFG 详情 PINTCFG bit 2-0 R/W GPIO_PINTCFG 配置位 000：上升沿触发中断 001：下降沿触发中断 010：高电平触发中断 011：低电平触发中断 1xx：上升沿和下降沿均触发中断 KINT 中断使能寄存器（GPIO_KINTIE） 偏移地址：10H 复位值：00000000_00000000_11111111_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 7 6 5 20 19 18 17 16 4 3 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 KMASK — KINTIE — bit31-16 KMASK bit15-8 KINTIE bit7-0 — R/W KINx 按键输入屏蔽控制位 0：不屏蔽 1：屏蔽 R/W KINTx 中断使能位 0：禁止 1：使能 KINT 中断标志寄存器（GPIO_KINTIF） 偏移地址：14H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 7 6 5 4 3 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 9 8 113/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 保留 － KINTIF － bit 31-8 KINTIF bit7-0 R/W － GPIO 按键中断标志位 0：无中断 1：有中断 软件写 1 清除中断标志位，写 0 无效 注：对 GPIO_KINTIF 寄存器中的各中断标志位，写 0 无效，写 1 才能清除标志位；读操作时，读取的值为 1 表示 有中断发生。 KINT0~7 中断源选择寄存器（GPIO_KINTSEL） 偏移地址：18H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 保留 15 保留 29 28 13 KINT3 — 26 保留 KINT7 14 27 12 11 保留 25 24 9 KINT2 bit31 8 7 — bit30-28 R/W — bit27 — KINT6 bit26-24 R/W — bit23 — KINT5 bit22-20 R/W — bit19 — KINT4 bit18-16 R/W — bit15 — KINT3 bit14-12 R/W — bit11 — KINT2 bit10-8 R/W 21 20 6 5 KINT1 19 18 保留 KINT5 保留 KINT7 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 22 保留 KINT6 10 23 4 3 16 KINT4 2 保留 17 1 0 KINT0 — KINT7 输入选择位 000~101：SEL0~SEL5 其余： SEL0 — KINT6 输入选择位 000~101：SEL0~SEL5 其余： SEL0 — KINT5 输入选择位 000~101：SEL0~SEL5 其余： SEL0 — KINT4 输入选择位 000~101：SEL0~SEL5 其余： SEL0 — KINT3 输入选择位 000~101：SEL0~SEL5 其余： SEL0 — KINT2 输入选择位 114/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 000~101：SEL0~SEL5 其余： SEL0 — — bit7 KINT1 bit6-4 R/W — bit3 — KINT0 bit2-0 R/W — KINT1 输入选择位 000~101：SEL0~SEL5 其余： SEL0 — KINT0 输入选择位 000~101：SEL0~SEL5 其余： SEL0 KINT 中断配置寄存器（GPIO_KINTCFG） 偏移地址：1CH 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 保留 15 保留 29 28 14 13 KINT3 27 26 保留 KINT7 12 11 保留 25 24 10 9 KINT2 23 8 7 保留 — bit31 — KINT7 bit30-28 R/W — bit27 — KINT6 bit26-24 R/W — bit23 — KINT5 bit22-20 R/W — bit19 — KINT4 bit18-16 R/W — bit15 — KINT3 bit14-12 R/W — bit11 — KINT2 bit10-8 R/W — bit7 — KINT1 bit6-4 R/W V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 22 保留 KINT6 21 20 6 5 KINT1 19 18 保留 KINT5 4 3 17 2 保留 16 KINT4 1 0 KINT0 — KINT7 配置位 参见 GPIO_KINTCFG 详情 — KINT6 配置位 参见 GPIO_KINTCFG 详情 — KINT5 配置位 参见 GPIO_KINTCFG 详情 — KINT4 配置位 参见 GPIO_KINTCFG 详情 — KINT3 配置位 参见 GPIO_KINTCFG 详情 — KINT2 配置位 参见 GPIO_KINTCFG 详情 — KINT1 配置位 参见 GPIO_KINTCFG 详情 115/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C — bit3 — KINT0 bit2-0 R/W 寄存器名称 — KINT0 配置位 参见 GPIO_KINTCFG 详情 GPIO_KINTCFG 详情 GPIO_KINTCFG bit 2-0 R/W GPIO_KINTCFG 配置位 000：上升沿触发中断 001：下降沿触发中断 010：高电平触发中断 011：低电平触发中断 1xx：上升沿和下降沿均触发中断 端口中断 20ns 滤波器分配控制寄存器（GPIO_IOINTFLTS） 偏移地址：30H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 7 6 5 20 19 18 17 16 4 3 2 1 0 18 17 16 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 保留 － FLT_S － bit31-8 FLT_S bit7-0 R/W － 端口中断 20ns 滤波器分配控制位 0：用于 PINT 中断信号源的滤波 1：用于 KINT 中断信号源的滤波 TMR 输入端口 20ns 滤波器分配控制寄存器（GPIO_TMRFLTSEL） 偏移地址：40H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 6 5 4 3 保留 15 14 13 FLT3_SEL － FLT3_SEL 12 11 10 9 8 FLT2_SEL bit31-16 bit15-12 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 － R/W 7 FLT1_SEL FLT0_SEL － TMR FLT3 滤波器控制位 4’h0：T16N0_0 使用 TMR_FLT3 4’h1：T16N0_1 使用 TMR_FLT3 4’h2：T16N1_0 使用 TMR_FLT3 4’h3：T16N1_1 使用 TMR_FLT3 4’h4：T16N2_0 使用 TMR_FLT3 116/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 4’h5：T16N2_1 使用 TMR_FLT3 4’h6：T16N3_0 使用 TMR_FLT3 4’h7：T16N3_1 使用 TMR_FLT3 4’h8：T32N0_0 使用 TMR_FLT3 4’h9：T32N0_1 使用 TMR_FLT3 其它：预留 FLT2_SEL FLT1_SEL FLT0_SEL bit11-8 bit7-4 bit3-0 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 R/W TMR FLT2 滤波器控制位 4’h0：T16N0_0 使用 TMR_FLT2 4’h1：T16N0_1 使用 TMR_FLT2 4’h2：T16N1_0 使用 TMR_FLT2 4’h3：T16N1_1 使用 TMR_FLT2 4’h4：T16N2_0 使用 TMR_FLT2 4’h5：T16N2_1 使用 TMR_FLT2 4’h6：T16N3_0 使用 TMR_FLT2 4’h7：T16N3_1 使用 TMR_FLT2 4’h8：T32N0_0 使用 TMR_FLT2 4’h9：T32N0_1 使用 TMR_FLT2 其它：预留 R/W TMR FLT1 滤波器控制位 4’h0：T16N0_0 使用 TMR_FLT1 4’h1：T16N0_1 使用 TMR_FLT1 4’h2：T16N1_0 使用 TMR_FLT1 4’h3：T16N1_1 使用 TMR_FLT1 4’h4：T16N2_0 使用 TMR_FLT1 4’h5：T16N2_1 使用 TMR_FLT1 4’h6：T16N3_0 使用 TMR_FLT1 4’h7：T16N3_1 使用 TMR_FLT1 4’h8：T32N0_0 使用 TMR_FLT1 4’h9：T32N0_1 使用 TMR_FLT1 其它：预留 R/W TMR FLT0 滤波器控制位 4’h0：T16N0_0 使用 TMR_FLT0 4’h1：T16N0_1 使用 TMR_FLT0 4’h2：T16N1_0 使用 TMR_FLT0 4’h3：T16N1_1 使用 TMR_FLT0 4’h4：T16N2_0 使用 TMR_FLT0 4’h5：T16N2_1 使用 TMR_FLT0 4’h6：T16N3_0 使用 TMR_FLT0 4’h7：T16N3_1 使用 TMR_FLT0 4’h8：T32N0_0 使用 TMR_FLT0 4’h9：T32N0_1 使用 TMR_FLT0 其它：预留 117/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C SPI 输入端口 20ns 滤波器分配控制寄存器（GPIO_SPIFLTSEL） 偏移地址：44H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 7 6 5 4 3 18 17 16 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 保留 － － bit31-4 FLT_SEL FLT_SEL bit3-0 R/W － SPI FLT 滤波器控制位 1：SPI1 使用该滤波器 0：SPI0 使用该滤波器 脉宽调制寄存器（GPIO_TXPWM） 偏移地址：80H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 1 16 保留 15 14 13 12 11 10 7 6 5 4 3 2 TX1 TX1 TX1 TX1 保 TX1 TX1PS< TX0 TX0 TX0 TX0_ 保留 TX0PL _S3 _S2 _S1 _S0 留 PLV 1:0> _S3 _S2 _S1 S0 － 9 bit31-16 8 － 0 TX0PS V － TX1_S3 bit15 R/W TXPWM1 调制输出使能端（仅在 TXPWM0_S3=0 时 有效） 0：BUZ 管脚正常输出 1：BUZ 管脚为 TXPWM1 输出 TX1_S2 bit14 R/W TXPWM1 调制输出使能端 0：T16N1OUT1 管脚正常输出 1：T16N1OUT1 管脚为 TXPWM1 输出 TX1_S1 bit13 R/W TXPWM1 调制输出使能端 0：T16N1OUT0 管脚正常输出 1：T16N1OUT0 管脚为 TXPWM1 输出 TXPWM1 调制输出使能端 0：E0TX0 管脚正常输出 1：E0TX0 管脚为 TXPWM1 输出 TX1_S0 bit12 R/W － bit11 － TX1PLV bit10 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 R/W － TXPWM1 调制电平选择位 0：低电平调制（E0TX0 与 TX1PS 所选取的脉冲信 号进行硬件或操作） 1：高电平调制（E0TX0 与 TX1PS 所选取的脉冲信 118/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 号进行硬件与操作） TX1PS bit9-8 R/W TXPWM1 调制 PWM 脉冲选择位 00：调制禁止 01：与 T16N1OUT0 进行调制 10：与 T16N1OUT1 进行调制 11：与 BUZ 进行调制 TX0_S3 bit7 R/W TXPWM0 调制输出使能端 0：BUZ 管脚正常输出 1：BUZ 管脚为 TXPWM0 输出 R/W TXPWM0 调制输出使能端 0：T16N0OUT1 管脚正常输出 1：T16N0OUT1 管脚为 TXPWM0 输出 R/W TXPWM0 调制输出使能端 0：T16N0OUT0 管脚正常输出 1：T16N0OUT0 管脚为 TXPWM0 输出 TXPWM0 调制输出使能端 0：TXD0 管脚正常输出 1：TXD0 管脚为 TXPWM0 输出 TX0_S2 bit6 TX0_S1 bit5 TX0_S0 bit4 R/W － bit3 － TX0PLV bit2 TX0PS bit1-0 － R/W TXPWM0 调制电平选择位 0：低电平调制（TXD0 与 TX0PS 所选取的脉冲信号 进行硬件或操作） 1：高电平调制（TXD0 与 TX0PS 所选取的脉冲信号 进行硬件与操作） R/W TXPWM0 调制 PWM 脉冲选择位 00：调制禁止 01：与 T16N0OUT0 进行调制 10：与 T16N0OUT1 进行调制 11：与 BUZ 进行调制 BUZ 控制寄存器（GPIO_BUZC） 偏移地址：84H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 保留 15 14 22 21 20 19 18 17 4 3 2 1 16 BUZ_LOAD 13 12 11 10 9 8 － BUZ_LOAD bit31-28 bit27-8 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 7 6 5 保留 BUZ_LOAD － R/W 0 BUZEN － BUZ 计数装载值寄存器 BUZ 信号频率的计算公式为： FPCLK/ (2*(BUZ_LOAD+1)) 119/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C － BUZEN bit7-1 bit0 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 － R/W － BUZ 使能位 0：禁止 1：使能 120/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 第 5 章 外设 5. 1 定时器/计数器 5. 1. 1 16 位定时器/计数器T16N（T16N0/ T16N1/ T16N2/ T16N3） 5. 1. 1. 1   1 个 8 位可配置预分频器，分频时钟作为 T16N_CNT0/1 的定时/计数时钟  预分频时钟源可选：PCLK 或 T16NxCKy  预分频计数器可由 T16N_PRECNT 寄存器设定计数初值  分频比由寄存器 T16N_PREMAT 设定 2 个 16 位可配置定时/计数寄存器 T16N_CNT0/1     T16N_CNT1 仅在独立调制工作模式或 T16N_CNT1 峰值触发 ADC 转换被使 能时可用 2 个 16 位峰值寄存器 T16N_TOP0/1  T16N_CNT0/1 计数值达到峰值时被清零  在调制工作模式下，若使能 ADC 触发功能，T16N_CNT0/1 计数值达到峰值时 可分别产生 ADC 转换触发信号 支持定时/计数工作模式   概述 支持 4 组 16 位计数匹配寄存器 T16N_MATy，计数匹配后支持下列操作：  产生中断  支持 T16N_CNT0 计数寄存器三种操作：保持，清 0 或继续计数  支持 T16NxOUTy 端口四种操作：保持，清 0，置 1 或取反 支持输入捕捉工作模式  捕捉边沿可配置  捕捉次数可配置 支持调制工作模式  通过对匹配寄存器进行配置，同时设置匹配后端口输出特性，可得到相应的 PWM 输出  支持调制过程触发 ADC 转换  匹配 0、匹配 1、匹配 2、匹配 3 及峰值 0 与 T16N_CNT0 计数值匹配触发  峰值 1 与 T16N_CNT1 计数值匹配触发  两路 PWM 可配置为独立/同步/互补等三种模式  独立模式，T16NxOUTy 输出不同的 PWM 波形  同步模式，T16NxOUTy 输出相同 PWM 波形  互补模式，T16NxOUTy 输出互补 PWM 波形  互补模式下死区时间宽度可配置 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 121/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C  5. 1. 1. 2 PCLK T16NxCKy T16NxINy 支持刹车控制  可通过 GPIO_PAFUNCx 寄存器来选取 PA2（T16N_BK0） ，PA3 （T16N_BK1） ，PA26（T16N_BK2）或 PA27（T16N_BK3），其中任意 一个作为外部刹车信号，有效刹车极性可配置  刹车输出电平可配置 结构框图 M U X T16N_MATy ADC T16N_TOPy 数值比较器 T16NxOUTy T16N_PREMAT T16N_CNTy 捕捉选择 T16N_MATy 图 5-1 T16N 电路结构框图 5. 1. 1. 3 T16N定时/计数功能 设置 T16N_CON0 寄存器的 MOD=00 或 01，使 T16N 工作在定时/计数模式。 设置 T16N_CON0 寄存器的 EN=1，使能 T16N，计数值寄存器 T16N_CNTy 从预设值开 始累加计数。 设置 T16N_CON0 寄存器的 CS，选择计数时钟源。时钟源为内部时钟 PCLK 时，为定时 模式；时钟源为外部时钟 T16NxCKy 端口输入时，为计数模式。 设置 T16N_CON0 寄存器的 SYNC，选择外部时钟 T16NxCKy 是否被内部时钟 PCLK 同 步。当选择外部时钟被同步时，为同步计数模式，否则为异步计数模式。同步计数模式时， T16NxCKy 端口输入的高/低电平脉宽均必须大于 2 个 PCLK 时钟周期。 设置 T16N_CON0 寄存器的 EDGE，选择外部时钟计数方式：上升沿计数，下降沿计数， 或上升/下降沿均计数，其中上升/下降沿均计数只适用于同步计数模式。 设置 T16N_CON0 寄存器的 MATyS，选择计数匹配后 T16N_CNTy 计数值寄存器的工作 状态。 MATyS=00：当 T16N_CNTy 计数值匹配 T16N_MATy 时，继续累加计数，不产生中 断，当计数到 0xFFFF 后，下一次累加计数溢出，T16N_CNTy 的值为 0x0000，并产生中 断，重新开始累加计数。 MATyS=01：当 T16N_CNTy 计数值匹配 T16N_MATy 时，计数值将保持，即在下一 个计数时钟（经过预分频之后的时钟）到来时，T16N_CNTy 不再累加计数，只产生中断。 MATyS=10：当 T16N_CNTy 计数值匹配 T16N_MATy 时，计数值在下一个计数时钟 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 122/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C （经过预分频之后的时钟）到来时被清 0，并产生中断，重新开始累加计数。 MATyS=11：当 T16N_CNTy 计数值匹配 T16N_MATy 时，继续累加计数，并在下一 个计数时钟（经过预分频之后的时钟）到来时，产生中断，当计数到 0xFFFFH，下一次累 加计数溢出，T16N_CNTy 的值为 0x0000，并产生中断，重新开始累加计数。 对设置的多个不同匹配值 T16N_MATy，当计数值匹配到每一个匹配值时，会产生相应的 中断。由于中断产生后，T16N 继续累加计数，若未及时读取匹配中断标志位，则有可能 后续的匹配中断也已产生，从而会同时读到多个有效的匹配中断标志。 如果 T16N_CNT0 的计数值匹配 T16N_MAT0/1/2/3，当 T16N_CON1 寄存器的 MOE0=1 时，T16NxOUT0 端口输出翻转；当 MOE1=1 时，T16NxOUT1 端口输出翻转。可选择 T16NxOUT0/1 端口同时输出。 举例说明：T16N_CNTy 计数值匹配 T16N_MATy 后的工作方式。 T16N_MAT0=0x0002，T16N_CON0 寄存器的 MAT0S=00，继续计数，不产 生中断 T16N_MAT1=0x0004，T16N_CON0 寄存器的 MAT1S=11，继续计数，产生 中断； T16N_MAT2=0x0006，T16N_CON0 寄存器的 MAT2S=10，清 0，产生中断， 重新计数。 预分频设置为 1:1，采用内部 PCLK 时钟源。计数匹配功能示意图如下所示： MAT1IF MAT2IF PCLK T16N_CNTy 0x0000 0x0001 0x0002 0x0003 0x0004 0x0005 0x0006 0x0000 0x0001 图 5-2 T16N 计数匹配功能示意图 5. 1. 1. 4 T16N输入捕捉功能 设置 T16N_CON0 寄存器的 MOD=10，使 T16N 工作在捕捉模式。在捕捉模式下 T16N_CNT1 不可使用。 在捕捉工作模式下，需设置 T16N_CON0 寄存器的 CS=00，使 T16N_CNT0 采用内 部 PCLK 时钟源计数；并且设置 T16N_CON0 寄存器的 MATyS=00，计数匹配不影 响 T16N_CNT0 的工作。 在捕捉工作模式下，对端口 T16NxIN0 和 T16NxIN1 的状态进行检测。 当 T16NxIN0 端口的状态变化符合所设定的捕捉事件时，将 T16N_CNT0 和 T16N_PRECNT 的当前值分别装载到 T16N_MAT0 和 T16N_MAT2 寄存器中，产生 T16N 的 CAP0IF 中断。通过使能 T16N_CON1 寄存器的 CAPL0，可在 CAP0IF 中断时将 T16N_CNT0 和 T16N_PRECNT 清零；若 CAPL0 为零，则计数器继续累加。 当 T16NxIN1 端口的状态变化符合所设定的捕捉事件时，将 T16N_CNT0 和 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 123/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C T16N_PRECNT 的当前值分别装载到 T16N_MAT1 和 T16N_MAT3 寄存器中，产生 T16N 的 CAP1IF 中断。通过使能 T16N_CON1 寄存器的 CAPL1，可在 CAP1IF 中断时将 T16N_CNT0 和 T16N_PRECNT 清零；若 CAPL1 为零，则计数器继续累加。 当 T16N_CNT0 计数直到溢出时，仍未检测到设定的捕捉事件，T16N_CNT0 的值被清零， 并重新开始累加计数。 设置 T16N_CON1 寄存器的 CAPPE 和 CAPNE，可选择 T16NxIN0 和 T16NxIN1 端口信 号的捕捉事件。 选择捕捉上升沿：只设置 CAPPE 为 1； 选择捕捉下将沿：只设置 CAPNE 为 1； 选择捕捉上升沿/下降沿：设置 CAPPE 为 1，TCAPNE 为 1。 设置 TT16N_CON1 寄存器的 CAPIS0，选择 T16NxIN0 是否作为捕捉输入端口；设置 CAPIS1，选择 T16NxIN1 是否作为捕捉输入端口；可同时选择两个端口作为捕捉输入端 口。 设置 T16N_CON1 寄存器的 CAPT，可选择捕捉事件发生的次数。 举例说明：捕捉 T16NxIN0 端口上升沿/下降沿，捕捉 8 次；预分频设置为 1:1。 T16N_CON0 寄存器的 MOD=10，CS=00，MAT0S=00， T16N_CON1 寄存器的 CAPPE=1，CAPNE=1，CAPIS=1， CAPT=0111。 CAP0IF CAP0IF T16NxIN0 PCLK 0x0000 0x0000 0x0000 T16N_CNT0 T16N_MAT0 0x0000 0x0000 Load Event 0x0000 Load Event 0x0000 T16N_PRECNT T16N_MAT2 0x0000 Load Event Load Event 图 5-3 T16N 捕捉功能示意图 在捕捉工作模式下，修改 T16N 预分频器计数匹配寄存器 T16N_PREMAT 时，预分频器 计数不会被清零。因此，首次捕捉可以从一个非零预分频器计数开始。当捕捉事件匹配发 生时，产生的中断标志位必须通过软件清除，并及时读取捕捉到的 T16N_MATy 寄存器的 值，在下一次捕捉事件发生时，T16N_MATy 寄存器会装载为新的计数值。 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 124/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 5. 1. 1. 5 T16N输出调制功能 设置 T16N_CON0 寄存器的 MOD=11，使 T16N 工作在调制模式。 在调制工作模式下，需设置 T16N_CON0 寄存器的 CS=00，使 T16N_CNT 采用内 部 PCLK 时钟源计数。 设置 T16N_CON1 寄存器的 MOE0，选择 T16NxOUT0 是否使能为匹配输出端口，使能时 启用 T16N_MAT0/1 匹配寄存器和 T16N_CNT0 进行匹配；设置 T16N_CON1 寄存器的 MOE1，选择 T16NxOUT1 是否使能为匹配输出端口，使能时启用 T16N_MAT2/3 匹配寄 存器和 T16N_CNT0 或 T16N_CNT1（PWM 独立工作模式）进行匹配。 设置 T16N_CON2 寄存器的 MOMy，选择计数匹配发生时，对 T16NxOUT0/1 端口的影响： 保持，清 0，置 1，取反。 设置 T16N_CON2 寄存器的 PWMMOD寄存器，两路 PWM 可配置为独立/同步/互补 等三种模式： 独立模式，T16NxOUTy 输出不同的 PWM 波形。其中 T16N_CNT0 匹配 T16N_MAT0/1， 控制 T16NxOUT0 输出；而 T16N_CNT1 匹配 T16N_MAT2/3，控制 T16NxOUT1 输出。 同步模式，T16NxOUTy 输出相同 PWM 波形。T16N_CNT0 匹配 T16N_MAT0/1，控制 T16NxOUT0/1 输出。无需设置 T16N_CNT1。 互补模式，T16NxOUTy 输出为互补 PWM 波形。互补模式下死区时间宽度可配置。互补 模式下 T16N_CNT0 匹配 T16N_MAT0/1，控制 T16NxOUT0/1 输出；PWM 周期由 T16N_TOP0 设定，为 T16N _TOP0+1。无需设置 T16N_CNT1。 调制工作模式下支持匹配 0、匹配 1、匹配 2、匹配 3、峰值 0 及峰值 1 触发 ADC： 匹配 0、匹配 1、匹配 2、匹配 3、峰值 0 与 T16N_CNT0 计数值匹配，匹配时产生 ADC 触发信号； 峰值 1 与 T16N_CNT1 计数值匹配，匹配时产生 ADC 触发信号。 举例说明： 1）独立模式，在 T16NxOUT0 和 T16NxOUT1 端口，产生双边 PWM 波形。 T16N_CON2 寄存器中： MOE0=1，MOE1=1；T16NxOUT0 和 T16NxOUT1 匹配输出端口使能； MOM0=10；T16N_MAT0 匹配，T16NxOUT0 输出高电平； MOM1=01；T16N_MAT1 匹配，T16NxOUT0 输出低电平； MOM2=10；T16N_MAT2 匹配，T16NxOUT1 输出高电平； MOM3=01；T16N_MAT3 匹配，T16NxOUT1 输出低电平； PWMMOD=00；独立模式 T16N_CON0 寄存器中： MOD=11；T16N 设置为调制输出 MAT0S=11；T16N_CNT 继续计数，并产生 中断 MAT1S=11；T16N_CNT 继续计数，并产生中断 MAT2S=11；T16N_CNT 继续计数，并产生中断 MAT3S=10；T16N_CNT 清 0，并产生中断 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 125/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 设置其它寄存器： T16N_MAT0 = 0x0002；T16N_MAT1 = 0x0004； T16N_MAT2 = 0x0006；T16N_MAT3 = 0x0008； 设置合适的 T16N_TOP0/1 值； MAT0IF MAT1IF MAT3IF MAT2IF PCLK T16N_CNT 0x0000 0x0001 0x0002 0x0003 0x0004 0x0005 0x0006 0x0007 0x0008 0x0009 T16NxOUT0 T16NxOUT1 图 5-4 T16N PWM 独立模式输出调制功能示意图 2）互补模式，PCLK=48MHz，在 T16NxOUT0 和 T16NxOUT1 端口，产生 24MHz 互补 PWM 波形。 T16N_CON2 寄存器中： MOE0=1，MOE1=1，即 T16NxOUT0 和 T16NxOUT1 匹配输出端口使能； MOM0=10，即 T16N_MAT0 匹配，T16NxOUT0 输出高电平，T16NxOUT1 输出低 电平； MOM1=01，即 T16N_MAT1 匹配，T16NxOUT0 输出低电平，T16NxOUT1 输出高 电平； PWMMOD=11，即互补 PWM 模式；PWMDZE=0，禁止死区时间 T16N_CON0 寄存器中： MOD=11；T16N 设置为调制输出 MAT0S=11；T16N_CNT 继续计数，并产生 中断 MAT1S=11；T16N_CNT 继续计数，并产生中断 设置其它寄存器： T16N_MAT0 = 0x0000；T16N_MAT1 = 0x0001；T16N_TOP0=0x0001; T16N_PREMAT=0，即不预分频 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 126/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C PCLK T16N_CNT 0x0001 0x0000 0x0000 0x0001 0x0000 0x0001 0x0001 0x0000 0x0000 0x0001 T16NxOUT0 T16NxOUT1 图 5-5 T16N 互补输出功能示意图 5. 1. 1. 6 特殊功能寄存器 T16N 计数值寄存器（T16N_CNT0） 偏移地址：00H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 7 6 5 4 3 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 CNT0 － bit31-16 － CNT0 bit 15-0 R/W － T16N_CNT0计数值 注 1：T16N_CNT0 可使用所有的 T16N 的 T16N_MATy 寄存器，但在计数器被设置为捕捉模式，即 T16N_CON0 寄存器中 MOD=0x2 时，T16N_CNT0 只能使用 T16N_MAT0/1；而 T16N_CNT1 任何情况下仅可使用 T16N_MAT2/3。 T16N 计数值寄存器（T16N_CNT1） 偏移地址：04H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 7 6 5 4 3 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 CNT1 － bit31-16 － CNT1 bit 15-0 R/W － T16N_CNT1计数值 T16N 预分频器计数值寄存器（T16N_PRECNT） V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 127/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 偏移地址：08H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 7 6 5 20 19 18 17 16 4 3 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 保留 PRECNT － bit31-8 － PRECNT bit7-0 R/W － T16N预分频器计数值 T16N 预分频器计数比例寄存器（T16N_PREMAT） 偏移地址：0CH 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 7 6 5 20 19 18 17 16 4 3 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 保留 － PREMAT － bit31-8 PREMAT bit7-0 R/W － 预分频比例设置位 00：预分频1：1 01：预分频1：2 02：预分频1：3 …… FE：预分频1：255 FF：预分频1：256 T16N 控制寄存器 0（T16N_CON0） 偏移地址：10H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 保留 15 14 MAT3S 13 12 MAT2S 11 10 MAT1S — bit 31~17 — ASYWEN bit 16 R/W V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 9 8 MAT0S 16 ASYWEN 7 6 MOD 5 4 EDGE 3 SYNC 2 1 CS 0 EN — 外部时钟异步计数模式下，对计数器的写使能位 0：禁止写 T16N_CNT0 和 T16N_PRECNT，如果强制写， 有可能写操作不成功（为避免对计数器的写操作错误，不 建议用户对该位写 0） 128/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 1：使能写 T16N_CNT0 和 T16N_PRECNT MAT3S bit 15~14 R/W T16N_CNT0 匹配 T16N_MAT3 后的工作模式选择位 00：T16N_CNT0 继续计数，不产生中断 01：T16N_CNT0 保持，产生中断 10：T16N_CNT0 清 0 并重新计数，产生中断 11：T16N_CNT0 继续计数，产生中断 MAT2S bit 13~12 R/W T16N_CNT0 匹配 T16N_MAT2 后的工作模式选择位 00：T16N_CNT0 继续计数，不产生中断 01：T16N_CNT0 保持，产生中断 10：T16N_CNT0 清 0 并重新计数，产生中断 11：T16N_CNT0 继续计数，产生中断 MAT1S bit 11~10 R/W T16N_CNT0 匹配 T16N_MAT1 后的工作模式选择位 00：T16N_CNT0 继续计数，不产生中断 01：T16N_CNT0 保持，产生中断 10：T16N_CNT0 清 0 并重新计数，产生中断 11：T16N_CNT0 继续计数，产生中断 MAT0S bit 9~8 R/W T16N_CNT0 匹配 T16N_MAT0 后的工作模式选择位 00：T16N_CNT0 继续计数，不产生中断 01：T16N_CNT0 保持，产生中断 10：T16N_CNT0 清 0 并重新计数，产生中断 11：T16N_CNT0 继续计数，产生中断 MOD bit 7~6 R/W 工作模式选择位 00：定时/计数模式 01：定时/计数模式 10：捕捉模式 11：调制模式 EDGE bit 5~4 R/W 外部时钟计数边沿选择位 00：上升沿计数 01：下降沿计数 10：上升沿/下降沿均计数（仅同步计数模式） 11：上升沿/下降沿均计数（仅同步计数模式） SYNC bit 3 R/W 外部时钟同步使能位 0：不同步外部时钟 T16NxCKy，为异步计数模式 1：通过 PCLK 对外部时钟 T16NxCKy 同步，为同步计数 模式，外部时钟的高/低电平均至少保持 2 个 PCLK 时钟 周期 CS bit 2~1 R/W T16N 计数时钟源选择位 00：内部时钟 PCLK 01：外部时钟 T16NxCK0 10：外部时钟 T16NxCK1 11：内部时钟 PCLK V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 129/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C EN bit 0 T16N 使能位 0：禁止 1：使能 R/W 注 1：PCLK 为芯片内部外设模块时钟源，时钟频率与芯片系统时钟频率相同。 T16N 控制寄存器 1（T16N_CON1） 偏移地址：14H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 5 4 19 18 17 16 停留 15 14 13 12 停留 － CAPL1 CAPL0 CAPT CAPIS1 CAPIS0 CAPNE CAPPE 11 10 9 8 CAPL1 CAPL0 bit31-10 bit9 bit8 bit7-4 bit3 bit2 bit1 bit0 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 7 － 6 CAPT 3 2 1 0 CAPIS1 CAPIS0 CAPNE CAPPE － R/W 捕捉 1 重载计数器使能位 0：禁止 1：使能 R/W 捕捉 0 重载计数器使能位 0：禁止 1：使能 R/W 捕捉次数控制位 0：捕捉 1 次后，产生装载动作 1：捕捉 2 次后，产生装载动作 2：捕捉 3 次后，产生装载动作 …… F：捕捉 16 次后，产生装载动作 R/W 捕捉输入端口 T16NxIN1 使能位 0：禁止 1：使能 R/W 捕捉输入端口 T16NxIN0 使能位 0：禁止 1：使能 R/W 下降沿捕捉使能位 0：禁止 1：使能 R/W 上升沿捕捉使能位 0：禁止 1：使能 130/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C T16N 控制寄存器 2（T16N_CON2） 偏移地址：18H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 PWMBK PWMB PWMB F KP1 KP0 8 7 6 21 保留 15 14 13 12 11 10 MOM2 0> 9 PWMBKP1 保留 31-25 bit24 bit23 — 16 PWMBK PWMBK PWMBK PWMBK L1 L0 E1 E0 5 3 2 1 0 POL1 POL0 MOE1 MOE0 4 PWMMOD R/W R/W PWM 通道 1 刹车信号极性选择位 0：高电平刹车 1：低电平刹车 PWM 通道 0 刹车信号极性选择位 0：高电平刹车 1：低电平刹车 R/W — bit21-20 － bit19 bit18 — PWM 刹车事件标志位 0：未发生刹车事件 1：发生刹车事件，PWM 端口输出刹车电平；软件 写 1 清零，清零后 PWM 端口输出恢复正常 bit22 PWMBKL0 17 ZE PWMBKP0 PWMBKL1 18 PWMD MOM0 PWMBKF 19 保留 MOM3 2。 3）由于不同的通讯数据格式对端口的初始电平要求是不同的（参见上面各通讯波形示意图）， 因此若无法确定使能 SPI 之前的 SPI 端口的初始值，必须先配置通讯数据格式控制位， V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 199/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 对 SPI 端口初始电平进行自动设置；然后再通过对 SPI_CON 寄存器的 EN 和 REN 置 1 来使能 SPI 发送和接收，即对 SPI_CON 寄存器分两步写入。 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 200/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 5. 5 I2C总线串口通讯控制器（I2C0） 5. 5. 1 概述  支持单主控模式 支持自动重复寻呼功能 支持自动发送“停止位”功能 支持数据应答延迟功能 支持数据帧传输间隔功能 支持软件触发“起始位” 支持软件触发“停止位” 支持软件触发数据接收，接收模式可配  支持从动模式 支持 7 位从机地址可配 支持从机地址匹配中断标志 支持接收“停止位”中断标志 支持时钟线自动下拉等待请求功能 支持自动发送“未应答”功能  支持 4 级发送缓冲器和 4 级接收缓冲器  通讯端口 SCLx 和 SDAx，均支持输出模式可配置：推挽输出或开漏输出  通讯端口 SCLx 和 SDAx 支持 16 倍速采样器可配置  支持发送和接收缓冲器空/满中断  支持起始位中断、停止位中断  支持接收数据溢出中断、发送数据写错误中断 5. 5. 2 结构框图 传输状态控制电路 16倍速采样器 SCLx 16倍速采样器 SDAx APB_I2C 数据传输电路 通讯端口主从选择 图 5-34 I2C 电路结构框图 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 201/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 5. 5. 3 I2C总线基本原理 5. 5. 3. 1 I2C通讯协议 I2C 总线通讯协议，读写操作示意图如下所示： 启动信号 启动信号 寻呼从机地址＋读操作 寻呼从机地址＋写操作 应答信号 应答信号 数据字节1 主 控 器 从 动 器 应答信号 主 控 器 数据字节1 应答信号 数据字节2 数据字节2 应答信号 应答信号 停止信号 停止信号 从 动 器 图 5-35 I2C 总线通讯协议示意图 I2C 通讯由主控器发起，发送启动信号 S 控制总线，发送停止信号 P 释放总线。 I2C 总线上可以同时有多个主控器（前提是每个主控器都支持多主机仲裁机制），并至少需 要一个从动器，且每一个从动器都必须有一个独立且唯一的寻呼地址。 主控器在发送启动信号后，紧接着发送寻呼从机地址和读写控制位。 读写控制位 R/ W ，用于通知从动器数据传送的方向， “0”表示由主控器向从动器“写”数 据，“1”表示由主控器向从动器“读”数据。 I2C 通讯协议支持应答机制，即发送方每传送一个字节的数据（包括寻呼地址），接收方必 须反馈一个应答信号（ACK 或 NACK） ，发送方再根据应答信号进行下一步的操作。 如果主控器和从动器的时钟端口（SCL）都使用输出开漏设计，且主控器支持时钟线等待请 求操作，那么从动器可以在时钟线为低电平时下拉时钟线，使主控器等待从动器，直到从 动器释放时钟线。 I2C 通讯时，每个数据字节在传输时都是高位在前，低位在后。 I2C 通讯时，数据线 SDA 的数据信号电平，只在时钟线 SCL 的低电平期间变化，在 SCL 高电平期间应保持稳定。如果 SDA 电平在 SCL 高电平期间变化，则会触发起始位或停止 位，由高到低变化触发起始位，由低到高变化触发停止位。 5. 5. 3. 2 I2C数据传输格式 I2C 通讯时，根据从动器的具体设计规格，确定实际的数据传输格式。以下只介绍一种常 用的 I2C 通讯数据传输格式： V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 202/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C S Slave Address W ACK Memory Address 7位寻呼从动器地 址 DATA1 ACK 片内访问单元地址 ACK ... ... DATAn DATA0 ACK 写入数据0 ACK (NACK) P 主控器接收 主控器发送 写入数据1 写入数据n 图 5-36 I2C 主控器写入从动器数据示意图 S Slave Address W ACK 7位寻呼从动器地址 R-S Slave Address ACK 片内访问单元地址 R ACK DATA0 ACK 读取数据0 7位寻呼从动器地址 DATA1 Memory Address ACK ... ... 读取数据1 DATAn NACK P 读取数据n 主控器接收 主控器发送 图 5-37 I2C 主控器读取从动器数据示意图 5. 5. 4 I2C通讯端口配置 I2C 通讯端口 SCLx 和 SDAx，均支持推挽输出和开漏输出两种模式，配置 I2C_CON 寄存 器的 SCLOD 和 SDAOD，可分别进行选择。 推挽输出是 I/O 端口的标准输出，输出数据 0 和 1 时，I/O 端口电平也分别为 0 和 1。 对推挽输出模式，存在端口电平冲突的风险。例如：当主控器输出 0，而从动器输出 1 时， 会发生端口信号电平冲突，导致端口状态不确定。 开漏输出是 I2C 总线协议中的标准模式，可以避免端口电平冲突问题。开漏输出端口的示 意图如下所示： V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 203/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C VDD SDA数据线 SCL时钟线 SDA1_OUT SCL1_OUT SCL_IN SCL2_OUT SDA2_OUT SDA_IN SCL_IN SDA_IN 主控器 从动器 图 5-38 开漏输出端口示意图 开漏输出端口的高电平由 I2C 总线的上拉电阻提供， 而低电平由主控器与从动器共同决定。 任何一方都可以将总线电平下拉到 0，但只有当双方都释放总线后，总线电平才能被上拉 到 1。 5. 5. 5 I2C时基定时器与 16 倍速采样器 通讯端口 SCLx 和 SDAx 支持 16 倍采样器，配置 I2C_CON 寄存器的 SCLSE，SDASE 可 使能两个端口的采样器。I2C 时基定时器的计数周期，作为 16 倍速采样器的采样周期。 在 I2C 主控模式下，I2C 时基定时器还用于提供通讯传输波特率。 如果需要使用 16 倍速采样器，或使用 I2C 主控模式，均必须使能 I2C 时基定时器。配置 I2C_CON 寄存器的 TJE，可使能该时基定时器，配 TJP，可设定时基定时周期。 I2C 主控模式下，总线端口信号的时序参数如下： 参数名称 参数符号 使能 16 倍速采样器 禁止 16 速倍采样器 启动/重启动位建立时间 TSU:S > Tosc x (TJP+1) x 12 Tosc x (TJP+1) x 8 启动/重启动位保持时间 THD:S > Tosc x (TJP+1) x 12 Tosc x (TJP+1) x 8 停止位建立时间 TSU:P > Tosc x (TJP+1) x 12 Tosc x (TJP+1) x 8 停止位保持时间 THD:P > Tosc x (TJP+1) x 12 Tosc x (TJP+1) x 8 数据/应答位建立时间 TSU:DA > Tosc x (TJP+1) x 4 Tosc x (TJP+1) x 4 数据/应答位保持时间 THD:DA > Tosc x (TJP+1) x 8 Tosc x (TJP+1) x 4 通讯时钟高电平脉宽 THIGH Tosc x (TJP+1) x 12 Tosc x (TJP+1) x 8 通讯时钟低电平脉宽 TLOW Tosc x (TJP+1) x 12 Tosc x (TJP+1) x 8 表 5-1 I2C 总线端口信号的时序参数列表 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 204/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C TSU:DA TSU:S THD:P THD:DA SDAx TLOW SCLx THD:S TSU:P THIGH 图 5-39 I2C 总线端口信号的波形示意图 使能 16 倍速采样器后，采样器对 I2C 总线进行采样，而 I2C 总线由于上拉电阻的作用， 开始时的电平是不稳定的，当 I2C 总线电平稳定后，采样器的输出才能稳定。因此，这段 不稳定的时间将造成 I2C 传输波特率的下降，下降程度取决于总线电平上升边沿的时间。 I2C 主控模式下，传输波特率计算公式如下（Fosc 为系统时钟频率）： 使能通讯端口的 16 倍速采样器时：FSCL=Fosc / ((TJP+1) x 24)； 禁止通讯端口的 16 倍速采样器时：FSCL=Fosc / ((TJP+1) x 16)。 5. 5. 6 I2C通讯发送器 支持 4 级发送缓冲器 TB0，TB1，TB2，TB3 和 1 级发送移位寄存器，可进行数据的连续 发送，直到发送缓冲器和移位寄存器全空，最多可连续写入和发送 5 帧数据。发送缓冲器 TBy 为只读寄存器，只能通过发送数据寄存器 I2C_TBW 写入。 发送数据寄存器 I2C_TBW 为一个虚拟地址单元，物理上不存在实际的寄存器电路，写该 寄存器地址单元时，实际上是将发送数据写入到发送缓冲器 TBy 中，再传输到发送移位寄 存器，通过数据端口 SDAx 进行数据发送。 发送数据寄存器 I2C_TBW 支持 3 种写入方式：字节写入，半字写入和字写入。 字节方式写入 I2C_TBW 时，发送数据被写入到发送缓冲器 TB0；半字方式写入 I2C_TBW 时，发送数据被同时写入到发送缓冲器 TB0 和 TB1，其中低字节存放在 TB1 中；字方式 写入 I2C_TBW 时，发送数据被同时写入到发送缓冲器 TB0，TB1，TB2 和 TB3，其中低 字节存放在 TB3 中。 发送数据从写入到发送到端口的数据流示意图如下所示： I2C_TBW TB0 TB1 TB2 TB3 发送移位寄存器 SDAx端口 图 5-40 I2C 发送数据流示意图 支持发送缓冲器空中断，配置 I2C_IE 寄存器的 TBIM，可选择中断模式。 TBIM=00，为字节空产生中断，即发送缓冲器 TB0 为空时，会置起 I2C_IF 寄存器 的中断标志 TBIF； TBIM=01，为半字空产生中断，即发送缓冲器 TB0 和 TB1 均为空时，会置起 I2C_IF 寄存器的中断标志 TBIF； TBIM=10，为字空产生中断，即发送缓冲器 TB0，TB1，TB2 和 TB3 均为空时，会 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 205/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 置起 I2C_IF 寄存器的中断标志 TBIF。 支持发送数据寄存器 I2C_TBW 误写中断，当对 I2C_TBW 的写入方式，与发送缓冲器 TBy 的空闲状态冲突时， 或写入操作访问错误时，会置起 I2C_IF 寄存器误写中断标志 TBWEIF。 5. 5. 7 I2C通讯接收器 支持 4 级接收缓冲器 RB0，RB1，RB2，RB3 和 1 级接收移位寄存器，可进行数据的连续 接收，直到接收缓冲器和移位寄存器全满，最多可连续接收 5 帧数据，再执行数据读取操 作。读取接收数据寄存器 I2C_RBR，可得到接收的数据，I2C_STA 寄存器中对应的接收 缓冲器清除满标志 RBFFy；也可以读取接收缓冲器 RBy 得到接收的数据，但不会清除满 标志 RBFFy。 接收数据寄存器 I2C_RBR 为一个虚拟地址单元，物理上不存在实际的寄存器电路，读该 寄存器地址单元时，实际上是读取接收缓冲器 RBy 中的数据。 接收数据寄存器 I2C_RBR 支持 3 种读取方式：字节读取，半字读取和字读取。 字节方式读取 I2C_RBR 时，实际是读取接收缓冲器 RB0 的数据；半字方式读取 I2C_RBR 时，实际是同时读取接收缓冲器 RB0 和 RB1 的数据，其中 RB0 中的数据为低字节；字 方式读取 I2C_RBR 时，实际是同时读取接收缓冲器 RB0，RB1，RB2 和 RB3，其中 RB0 中的数据为低字节。 接收数据从数据端口到各级缓冲器的数据流示意图如下所示： I2C_RBR RB0 RB1 RB2 RB3 接收移位寄存器 SDAx端口 图 5-41 2C 接收数据流示意图 接收缓冲器 RBy 的数据移到下一级缓冲器后，会清除其接收满标志 RBFFy。 当 4 级接收缓冲器和 1 级接收移位寄存器均满时，会立即置起接收数据溢出中断标志 I2C_IF 寄存器中 ROIF，同时不会接收新数据。 支持接收缓冲器满中断，I2C_IE 寄存器种配置 RBIM，可选择中断模式。 RBIM=00，为字节满产生中断，即接收缓冲器 RB0 为满时，会置起 I2C_IF 寄存器 的中断标志 RBIF； RBIM=01，为半字满产生中断，即接收缓冲器 RB0 和 RB1 均为满时，会置起 I2C_IF 寄存器的中断标 RBIF； RBIM=10，为字满产生中断，即接收缓冲器 RB0，RB1，RB2 和 RB3 均为满时， 会置起 I2C_IF 寄存器的中断标志 RBIF。 5. 5. 8 I2C通讯控制 配置 I2C_CON 寄存器的 RST，可将 I2C 通讯模块软件复位，复位后：禁止数据通讯 EN=0； I2C_IE 寄存器中禁止相关中断 SRIE=0，SPIE=0，TBIE=0，TBWEIE=0，RBIE=0，TEIE=0， ROIE=0，NAIE=0；I2C_IF 寄存器中复位相关中断标志为默认值 SRIF=0，SPIF=0， V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 206/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C TBIF=1，TBWEIF=0，RBIF=0，TEIF=0，ROIF=0，NAIF=0；置起空闲标志 IDLE=1； 置起各发送缓冲器空标志 TBEFy=1；清除各接收缓冲器满标志 RBFFy=0。 5. 5. 8. 1 I2C起始位 配置 SRT，可触发 I2C 发送起始位，启动或重启动一次传输操作，发送寻呼从动器地址。 起始位波形图如下： SDAx SCLx S START 8 9 R/W ACK 1-7 ADRRESS 图 5-42 I2C 起始位波形图 I2C 主控模式，支持自动寻呼功能。配置 I2C_MOD 寄存器的 SRAE，可使能自动寻呼功 能，I2C 主控器会自动判断“地址应答”位，若该“地址应答”位为未应答 NACK，则自 动发送起始位，重启动本次地址寻呼操作，并且直到接收到应答 ACK 才停止继续重启动。 在芯片应用时，使能 I2C 自动寻呼功能前，需确保被寻呼的地址是真实存在的，否则会造 成主控器芯片持续重启动地址寻呼。 举例说明自动寻呼功能：芯片通过 I2C 向 EEPROM 器件写入数据时，存在写等待时间。 在 EEPROM 存储器本身写数据期间，主控器芯片寻呼该器件时，将收到未应答 NACK。 可有两种方法解决 EEPROM 写数据期间的地址寻呼问题：一种是主控器芯片设定寻呼间 隔，在 EEPROM 数据写操作完成后，再寻呼该器件；另一种是主控器芯片启动自动寻呼 功能，持续寻呼该器件，直到收到应答 ACK 为止。 SDAx 8 1-7 SCLx 9 S START 1-7 8 9 ADRRESS R/W ACK S ADRRESS R/W ACK START 图 5-43 I2C 自动寻呼波形图 5. 5. 8. 2 I2C停止位 配置 I2C_MOD 寄存器的 SPT，可触发 I2C 发送停止位，结束本次传输操作。停止位波形 图如下： V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 207/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C SDAx 9 8 1-7 SCLx P START ADRRESS R/W ACK STOP 图 5-44 I2C 停止位波形图 I2C 主控模式，支持自动结束功能。配置 I2C_MOD 寄存器的 SPAE，可使能自动结束功 能，在发送 NACK 或接收 NACK 后，自动发送停止位，结束本次不成功的传输操作。自 动结束功能的优先级小于自动寻呼功能。 5. 5. 8. 3 I2C应答延迟功能 I2C 的主控模式，支持应答延迟功能，配置 I2C_MOD 寄存器的 ADE，可使能该功能，配 置 ADLY，可设定应答延迟的时间。应答延迟功能使能后，I2C 主控器将延迟发送通讯时 钟 SCLx 的应答位脉冲。 当从动器不能按照正常数据的通讯速率，对应答位进行接收和发送时，主控器可使能应答 延迟功能，并根据从动器的具体设计规格，设定应答延迟时间。 举例说明 I2C 应答延迟功能： I2C_MOD 寄存器中 ADLY=001，延迟时间为 1 个 TSCLx， 通讯波形示意图如下： SDAx 1.5*TSCLx SCLx 1-8 9 DATA ACK 1.5*TSCLx 1-8 DATA 1-8 9 ACK 图 5-45 I2C 应答延迟功能波形示意图 5. 5. 8. 4 I2C数据帧传输间隔功能 I2C 主控模式，支持数据帧传输间隔功能，配置 I2C_MOD 寄存器的 TIS，可使能该功能， 并设定间隔的时间。数据帧传输间隔时间设定后，在当前数据帧的应答位脉冲之后，I2C 主控器将延迟一段设定的时间，再发送下一个数据帧的通讯脉冲。 当从动器不能及时读取接收到的数据，或准备好发送的数据时，主控器可根据从动器的具 体设计规格，设定数据帧的传输间隔。 举例说明 I2C 数据帧传输间隔功能：I2C_MOD 寄存器中 TIS=0001，间隔时间为 1 个 TSCLx，通讯波形示意图如下： V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 208/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C SDAx SCLx 1-8 9 DATA ACK 1.5*TSCLx 1-8 DATA 9 1.5*TSCLx 1-8 9 ACK 图 5-46 I2C 数据帧传输间隔功能波形示意图 5. 5. 8. 5 I2C时钟线自动下拉等待请求功能 I2C 从动模式，支持时钟线自动下拉等待请求功能，配置 I2C_MOD 寄存器的 CSE，可使 能该功能。 为实现 I2C 时钟线的下拉等待请求功能，还需配置 I2C_CON 寄存器的 SCLOD，将通讯 端口 SCLx 选择为开漏输出模式，通过上拉电阻提供高电平，使从动器可对时钟线下拉控 制，使主控器等待。 在通常情况下，从动器处于释放时钟线的状态，时钟线 SCLx 完全由主控器控制。但当从 动器出现异常情况，短时间内无法继续进行数据传输时，从动器可以在时钟线 SCLx 为低 电平时输出 0（不可以在高电平时输出 0，否则会破坏数据传输过程） ，强行使 SCLx 保持 低电平，使主控器进入通讯等待状态，直到从动器释放时钟线。时钟线下拉等待请求波形 示意图如下： 主控器 主控器 释放时钟线 从动器 下拉时钟线 从动器 释放时钟线 从动器 SCLx 图 5-47 I2C 时钟线下拉等待波形示意图 I2C 从动模式下，时钟自动下拉等待请求功能使能后，当接收到本芯片寻呼地址和读操作 位时，如果 I2C 的发送缓冲器和发送移位寄存器全空，则会自动将时钟线下拉；当接收到 本芯片寻呼地址和写操作位时，如果 I2C 的接收缓冲器和接收移位寄存器全满，则会自动 将时钟线下拉。 5. 5. 8. 6 I2C自动发送未应答功能 I2C 从动模式，支持自动发送未应答 NACK 功能，配置 I2C_MOD 寄存器的 ANAE，可使 能该功能。从动器使能自动发送未应答功能时，不会强制控制时钟线，适用于通讯端口 SCLx 选择为推挽输出或开漏输出模式两种情况。 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 209/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C I2C 从动模式下，自动发送未应答 NACK 功能使能后，当接收到本芯片寻呼地址和读操作 位时，如果 I2C 的发送缓冲器和发送移位寄存器全空，则会自动发送未应答 NACK；当接 收到本芯片寻呼地址和写操作位时，如果 I2C 的接收缓冲器和接收移位寄存器全满，则会 自动发送未应答 NACK，通知主控器重新通讯。 特殊功能寄存器 5. 5. 9 I2C 控制寄存器（I2C_CON） 偏移地址：00H 复位值：00000000_00000000_11111111_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 保留 15 14 13 12 11 SA 10 9 8 bit31-24 bit23-17 RW bit16 TJP bit15-8 6 5 4 3 2 1 0 SDASE SCLSE SDAOD SCLOD RST EN — R/W R/W I2C 读写控制位 0：写操作 1：读操作 主控模式：该位可读可写，触发“启动/重启动”操 作时，自动发送该位 从动模式：该位只可读，从机地址匹配后，硬件自动 根据接收到的控制位值，更新该位 R/W I2C 时基定时周期设置位 00~FF：分别为 1~256 个 TPCLK I2C 时基定时器使能位 0：禁止 1：使能 bit6 — bit4 bit3 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 — 从机地址位 主控模式：触发“启动/重启动”操作时，自动发送 从动模式：接收到“启动/重启动”后用于匹配比较 — bit5 16 RW 保留 R/W SDAOD 17 7 bit7 SCLSE 18 TJE TJE SDASE 19 SA TJP — 20 — R/W SDAx 端口 16 倍速采样使能位 0：禁止 1：使能 R/W SCLx 端口 16 倍速采样使能位 0：禁止 1：使能 R/W SDAx 端口输出模式选择位 0：推挽输出 1：开漏输出 210/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C SCLOD bit2 SCLx 端口输出模式选择位 0：推挽输出 1：开漏输出 R/W I2C 软件复位 0：读取时始终为 0 1：软件复位，硬件自动清零 RST bit1 W EN bit0 R/W I2C 通讯使能位 0：禁止 1：使能 I2C 工作模式寄存器（I2C_MOD） 偏移地址：04H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 保留 15 14 13 12 TIS — 24 23 11 ADE 10 9 8 ADLY bit31-25 7 6 5 4 SRAE ANAE CSE — R/W — bit23-20 — RDT SPT SRT TIS bit18 bit17 bit16 bit15-12 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 20 SPAE bit24 bit19 21 保留 TAS TAS BLD 22 19 18 17 16 BLD RDT SPT SRT 2 1 3 RDM 0 MS — I2C 发送应答设置位（仅从动模式支持） 0：发送 ACK 1：发送 NACK — R/W I2C 总线释放功能控制位（仅主控模式支持） 0：无效 1：SDAx 端口为高电平，SCLx 端口发送 8 个 时钟。 该功能需配合 I2C 起始位和停止位使用，达到 释放时钟线和数据线的目的。 R/W I2C 接收数据触发位（仅主控模式支持） 0：无效 1：开始发送通讯时钟，接收数据，由 RDM 配置接收数据模式 R/W I2C 停止位触发位（仅主控模式支持） 0：无效 1：触发停止位 R/W I2C 起始位触发位（仅主控模式支持） 0：无效 1：触发起始位，产生起始位发送完成中断标志 R/W I2C 数据帧传输间隔设置位（仅主控模式支持） 0000：禁止 0001~1111：分别为 1~15 个 I2C 通讯时钟周期 211/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C ADE ADLY SPAE bit11 bit10-8 bit7 R/W I2C 应答延迟使能位（仅主控模式支持） 0：禁止 1：使能 R/W I2C 应答延迟时间设置位（仅主控模式支持） 000：0.5 个 I2C 通讯时钟周期 001：1 个 I2C 通讯时钟周期 010：1.5 个 I2C 通讯时钟周期 011：2 个 I2C 通讯时钟周期 100：2.5 个 I2C 通讯时钟周期 101：3 个 I2C 通讯时钟周期 110：3.5 个 I2C 通讯时钟周期 111：4 个 I2C 通讯时钟周期 R/W I2C 自动结束使能位（仅主控模式支持） 0：禁止 1：使能（当发送或接收 NACK 后，自动发送 停止位，优先级小于 SRAE） SRAE bit6 R/W I2C 自动寻呼使能位（仅主控模式支持） 0：禁止 1：使能（若寻呼地址的应答位为 NACK，则自 动重启动本次寻呼操作） ANAE bit5 R/W I2C 自动发送未应答使能位（仅从动模式支持） 0：禁止 1：使能 R/W I2C 时钟线自动下拉等待请求使能位（仅从动 模式支持） 0：禁止 1：使能 R/W I2C 接收模式选择位（仅主控模式支持） 000：接收 1 字节，发送 ACK 001：接收 1 字节，发送 NACK 010：连续接收 2 字节，每个字节发送 ACK 011：连续接收 2 字节，前 1 字节发送 ACK， 后 1 字节，发送 NACK 100：连续接收 4 字节，每个字节发送 ACK 101：连续接收 4 字节，前 3 字节发送 ACK， 后 1 字节，发送 NACK 110：连续接收，每个字节发送 ACK 111：完成该字节接收，发送 NACK R/W I2C 通讯模式选择位 0：主控模式 1：从动模式 CSE RDM MS bit4 bit3-1 bit0 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 212/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C I2C 中断使能寄存器（I2C_IE） 偏移地址：08H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 保留 15 14 13 保留 12 TIDLEIE — TIDLEIE RBIM TBIM TBWEIE NAIE ROIE 11 10 RBIM 9 8 TBIM bit31-13 bit12 bit11-10 bit9-8 bit7 bit6 bit5 — 7 6 5 4 3 2 1 0 TBWEIE NAIE ROIE TEIE RBIE TBIE SPIE SRIE — R/W I2C 发送空闲中断使能位 0：禁止 1：使能 R/W I2C 接收缓冲器满中断模式选择位 00：字节满产生中断 01：半字满产生中断 10：字满产生中断 11：保留 R/W I2C 发送缓冲器空中断模式选择位 00：字节空产生中断 01：半字空产生中断 10：字空产生中断 11：保留 R/W I2C 发送数据写错误中断使能位 0：禁止 1：使能 R/W I2C 未应答 NACK 中断使能位 0：禁止 1：使能 R/W I2C 接收数据溢出中断使能位 0：禁止 1：使能 TEIE bit4 R/W I2C 发送数据错误中断使能位 0：禁止 1：使能 RBIE bit3 R/W I2C 接收缓冲器满中断使能位 0：禁止 1：使能 R/W I2C 发送缓冲器空中断使能位 0：禁止 1：使能 R/W I2C 停止位中断使能位 0：禁止 1：使能 TBIE SPIE bit2 bit1 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 213/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C SRIE bit0 R/W I2C 起始位中断使能位 0：禁止 1：使能 I2C 中断状态寄存器（I2C_IF） 偏移地址：0CH 复位值：00000000_00000000_00000000_00000100B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 保留 15 14 13 保留 — 12 11 TIDLEIF bit31-13 10 9 保留 — TIDLEIF bit12 R/W — bit11-8 — TBWEIF NAIF ROIF bit7 bit6 bit5 8 7 6 5 4 3 2 1 0 TBWEIF NAIF ROIF TEIF RBIF TBIF SPIF SRIF — I2C 发送空闲中断标志位 0：未产生空闲中断 1：空闲中断标志 软件写 1 清除标志位，写 0 无效 — R/W I2C 发送数据写错误中断标志位 0：未发生写错误 1：发生写错误，可能会出现下列错误： 对 I2C_TBW 字写入时，TBy 未全空； 对 I2C_TBW 半字写入时，TBy 未半空； 对 I2C_TBW 字节写入时，TBy 全满； 对 I2C_TBW进行半字写入； 对 I2C_TBW进行字节写入。 软件写 1 清除标志位，写 0 无效 R/W I2C 未应答中断标志位 0：未产生未应答 NACK 1：产生未应答 NACK I2C 接收或发送 NACK 位后，产生中断标志 软件写 1 清除标志位，写 0 无效 R/W I2C 接收数据溢出中断标志位 0：未溢出 1：溢出 软件写 1 清除标志位，写 0 无效 I2C 发送错误中断标志位 0：未发生发送错误 1：发生发送错误：发送缓冲器和发送移位寄存器全空 时，又收到主控方提供的通讯时钟 软件写 1 清除标志位，写 0 无效 TEIF bit4 R/W RBIF bit3 R V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 I2C 接收缓冲器满中断标志位 214/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 0：非满 1：满 读 I2C_RBR 寄存器可清除中断标志位 TBIF bit2 SPIF R bit1 SRIF I2C 发送缓冲器空中断标志位 0：非空 1：空 写 I2C_TBW 寄存器可清除中断标志位 bit0 R/W I2C 停止位中断标志位 0：未产生停止位 1：产生停止位 主控模式：发送停止位后产生中断标志。 从动模式：接收停止位后产生中断标志。 软件写 1 清除标志位，写 0 无效 R/W I2C 起始位中断标志位 0：未产生起始位 1：产生起始位 主控模式：如果禁止自动寻呼，发送完“起始位+地址+ 接收应答位后”产生中断标志。如果使能自动寻呼， 发送完“起始位+地址+接受应答位” ，并且应答位为 ACK 时，产生中断标志。 从动模式：接收到“起始位+地址位” ，且地址匹配，发送应答 位后，产生中断标志。 软件写 1 清除标志位，写 0 无效 注：对 I2C_IF 寄存器中的各中断标志位，写 0 无效，写 1 才能清除标志位；读操作时，读取的值为 1 表示有中断 发生。 I2C 发送数据写入寄存器（I2C_TBW） 偏移地址：10H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 TBW 15 14 13 12 11 10 9 8 7 TBW TBW bit31-0 W 写入的发送数据 字节写入时：仅允许对 TBW写入 半字写入时：仅允许对 TBW写入 字写入时：对 TBW写入 I2C 接收数据读取寄存器（I2C_RBR） V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 215/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 偏移地址：14H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 18 17 16 2 1 0 18 17 16 2 1 0 RBR 15 14 13 12 11 10 9 8 7 RBR RBR bit31-0 读取的接收数据 字节读取时：仅允许对 RBR读取 半字读取时：仅允许对 RBR读取 字读取时：对 RBR读取 R I2C 发送缓冲寄存器（I2C_TB） 偏移地址：18H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 TB3 15 14 13 12 11 20 19 TB2 10 9 8 7 6 5 TB1 4 3 TB0 TB3 bit31-24 R 发送数据缓冲器 3 TB2 bit23-16 R 发送数据缓冲器 2 TB1 bit15-8 R 发送数据缓冲器 1 TB0 bit7-0 R 发送数据缓冲器 0 I2C 接收缓冲寄存器（I2C_RB） 偏移地址：1CH 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 RB3 15 14 13 12 11 20 19 RB2 10 9 8 7 6 5 RB1 4 3 RB0 RB3 bit31-24 R 接收数据缓冲器 3 RB2 bit23-16 R 接收数据缓冲器 2 RB1 bit15-8 R 接收数据缓冲器 1 RB0 bit7-0 R 接收数据缓冲器 0 I2C 状态寄存器（I2C_STA） V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 216/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 偏移地址：20H 复位值：00000000_00000010_00001111_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 RBFF3 RBFF2 RBFF1 RBFF0 TBEF3 TBEF2 TBEF1 TBEF0 — bit31-18 — — IDLE bit17 R I2C 空闲标志位 0：非空闲状态 1：空闲状态 ACK bit16 R I2C 应答位 0：应答 ACK 1：未应答 NACK R RB3 满标志位 0：空 1：满 R RB2 满标志位 0：空 1：满 R RB1 满标志位 0：空 1：满 R RB0 满标志位 0：空 1：满 R TB3 空标志位 0：满 1：空 R TB2 空标志位 0：满 1：空 R TB1 空标志位 0：满 1：空 RBFF3 RBFF2 RBFF1 RBFF0 TBEF3 TBEF2 TBEF1 bit15 bit14 bit13 bit12 bit11 bit10 bit9 TBEF0 bit8 R TB0 空标志位 0：满 1：空 — bit7-0 — — 7 6 5 4 3 2 17 16 IDLE ACK 1 0 保留 5. 5. 10 I2C应用说明 芯片支持 1 个 I2C 总线串口通讯控制器 I2C0。 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 217/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C I2C 总线在连续发送数据的应用中，利用发送空闲标志（TIDLEIF）进入中断的方式进行 数据发送时，要注意以下 2 点： 1）主控模式下，在主程序中设置 Memory Address 之后，发送空闲标志（TIDLEIF）置 1 并触发中断，在中断服务程序中，将数据写入 I2C_TBW 中，并开始发送数据； 2）从动模式下，必须在主程序中等待 I2C_STA 寄存器的 IDLE 置 1 之后，将以 Memory Address 为起始地址的第一个数据写入 I2C_TBW 中。当主机发送读命令后，发送空闲 标志（TIDLEIF）置 1 并触发中断，在中断服务程序中读取接收的数据，在主机读完数 据后，必须发送 STOP 位，否则，若要直接再次启动读操作，可能导致读取命令发送 错误。 I2C_IE 寄存器的 TBIM（发送缓冲器中断模式选择位）会影响 TIDLEIF，因此，对于字节 发送或半字发送，在 I2C 开始发送数据时最好使用字空产生中断模式（TBIM=2‘b10） ，否 则会连续产生多个字节空中断，容易导致发送数据出错。如果使用字节空（TBIM=2‘b00） 或者半字空（TBIM=2‘b01）中断模式，则发送开始时，必须向 I2C_TBW 写满四个待发送 的数据字节，否则也会连续产生多个字节空或半字空中断。 使用发送空闲标志（TIDLEIF）的好处在于，在 I2C 发送空闲中断使能位（TIDLEIE）有 效的情况下，只需清除发送空闲标志位（TIDLEIF） ，即可达到连续发送数据的目的。 5. 6 模数转换器（ADC） 5. 6. 1 概述  支持 12 位转换结果，有效精度为 11 位  采样速率最高支持 125ksps (kilo-samples per second)  支持 16 个模拟输入通道  支持 ADC 中断，可唤醒睡眠模式（仅在时钟源为 LRC 时唤醒）  支持正负向参考电压可配置  支持转换时钟可配置  支持自动转换比较功能 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 218/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 5. 6. 2 结构框图 ADVREFP ADVREFN ADC_DR APB_ADC 模数 转换器 通道 选择 转换时钟选择器 AIN0 AIN1 AIN2 AIN3 AIN12 AIN13 AIN14 AIN15 ADC控制寄存器 图 5-48 ADC 内部结构图 5. 6. 3 ADC基本配置 将端口配置为 ADC 模拟输入通道的方式如下： 配置 GPIO_PxINEB 寄存器，关断该端口的数字输入；配置 GPIO_PxDIR 寄存器，关断该 端口的数字输出。 配置 ADC_CHS 寄存器的 CHS，选择相应的 ADC 模拟通道。 ADC 正常工作时必须使能的控制位：ADC_VREFCON 寄存器的 VREF_EN 和 IREF_EN， ADC_CON0 寄存器的 EN，ADC_CON1 寄存器的 VCMBUF_EN。 5. 6. 4 ADC高精度参考电压 ADC 提供一个高精度内部 1.8V 或者 2.6V 的参考源，用作 ADC 的参考电压。ADC 正常工作 时必须使能 VREF_EN 与 IREF_EN。 5. 6. 5 ADC数据转换 配置 ADC_CHS 寄存器的 CHS，可选择 ADC 模拟通道；配置 ADC_CON1 寄存器的 CLKS，可选择工作时钟源；配置 CLKDIV，可选择时钟源预分频；配置 VREFP， 可选择正向参考电压，配置 VREFN，可选择负向参考电压，当 VREFP为 01 时，必须 开启 VRBUF_EN；配置 ADC_CON0 寄存器的 EN，使能 ADC；最后配置 TRIG，启动 A/D 转换，转换完成后，硬件电路自动将 TRIG 清零。 ADC 在每次转换完成后，会产生 ADC_IF 寄存器的中断标志 IF，需软件清零；启动下一次 A/D 转换时，需重新配置 TRIG。 AD 采样时间可选择硬件或软件控制，默认为硬件自动控制，最快为 1 个 ADC 时钟（取决于 芯片的实际应用条件和 ADC 时钟源频率） 。转换时间为 14 个 ADC 时钟。在使用 VDD 作参 考电压时，ADC 最快采样速率为 125Ksps，即每秒可输出 125K 个高精度 ADC 转换值。通 过配置 ADC_CON1 寄存器的 CLKS 和 CLKDIV 寄存器来产生合适的 ADC 时钟。 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 219/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C ADCLK SMPS Tog* EN 14Tadclk SMPON TRIG 转换时间 采样时间 软件清零 IF 新数据 原数据 ADC_DR 图 5-49 ADC 数据转换时序示意图（ADC_CON1 寄存器的 SMPS=0，软件控制采样） ADCLK SMPS EN TRIG Tog* 14Tadclk 转换时间 采样时间 软件清零 IF ADC_DR 原数据 新数据 图 5-50 ADC 数据转换时序示意图（ADC_CON1 寄存器的 SMPS=1，硬件控制采样） 注 1：Tog>0； 注 2：AD 转换时钟周期 Tadclk，可通过 ADC_CON1 寄存器的 CLKS 和 CLKDIV配置不同的频率。 ADC 应用例程 1：启动一次 A/D 转换。 LDR R0, = ADC_VREFCON ;使能 VREF_EN 与 IREF_EN，选择 2.6V LDR R1, =0X07 STR R1, [R0] LDR R0, =ADC_CON1 ; A/D 时钟源选择 PCLK 的 32 分频,选择内部 参考电压 VREF 2.6V 为正向参考电压，VREF BUF 使能，选择硬件控制采样时间，VCM BUF 使能 且为高速模式，AD 转换高速使能 LDR R1, =0X03005905 STR R1, [R0] LDR R0, =ADC_CHS ;选择 AIN3 LDR R1, =0X03 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 220/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C STR LDR LDR STR LDR LDR STR R1, [R0] R0, =ADC_CON0 R1, =0X01 R1, [R0] R0, =ADC_CON0 R1, =0X03 R1, [R0] LDR LDR TST BEQ STR LDR LDR STR R0, =ADC_IF R1, =0X01 R0, R1 WAIT4IF R1, [R0] R0, =ADC_CON0 R1, =0X00 R1, [R0] ;使能 ADC ; A/D 转换 WAIT4IF 5. 6. 6 ;等待 ADC 中断 ;清零 ADC 中断 ;关闭 ADC 自动转换比较功能 芯片提供自动转换比较功能，可自动完成多次 AD 转换并计算出平均值，并根据所设定的阈 值进行比较产生相应的中断，平均值和每次转换的结果均可读。 配置 ADC_CON0 寄存器的 ACP_EN 为 1 时，对 TRIG 写 1 则启动连续自动转换比较功能， 并固定为硬件控制采样时间，对 SMPS 写 0 无效。启动此功能前必须先完成下面的配置： 配置 ADC_CON1 寄存器的 ST 可设置采样时间，建议采样时间大于 1us。 配置 ADC_ACPC 寄存器的 TIMES，可设置每个溢出时间周期内的 ADC 采样转换次数。 配置 OVFL_TIMES，可设置自动转换比较溢出时间，每次计数溢出后自动计算 ADC 转换的 平均值，保存在自动转换数据寄存器 ADC_ACPMEAN 中，如果 ADC_CON0 寄存器的 EN 关闭，则硬件自动将溢出计数和自动转换数据寄存器清零。若溢出时间已到，但采样转换次 数（由 TIMES设定的次数）未满，则直到完成所有 ADC 转换次数后，才启动下一个溢 出时间计算。 配置 ADC_ACPC 寄存器的 CLKS 可选择溢出计数的时钟源，为 PCLK 或者 LRC（32KHz） 256 分频。如果需要在芯片睡眠模式下，自动转换比较模块仍保持工作，则在进入睡眠模式 之前，需要将计数时钟源设置为 LRC 的 256 分频，并配置 ADC_CON1 寄存器的 CLKS 选 择 A/D 时钟源为 LRC。 配置 ADC_ACPCMP 寄存器的 CMP_MIN，设置自动比较的低阈值，如果 ADC_ACPMEAN 寄存器的 MEAN_DATA 小于等于此阈值，则中断标志 ACPMINIF 置 1。 配置 ADC_ACPCMP 寄存器的 CMP_MAX，设置自动比较的高阈值，如果 ADC_ACPMEAN 寄存器的 MEAN_DATA 大于等于此阈值，则中断标志 ACPMAXIF 置 1。 ADC 应用例程 2：启动一次 A/D 自动转换。 LDR R0, = ADC_VREFCON LDR R1, =0X07 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 ;使能 VREF_EN 与 IREF_EN，选择 2.6V 221/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C STR R1, [R0] LDR R0, =ADC_CON1 ; A/D 时钟源选择 PCLK 的 32 分频,选择内部 参考电压 VREF 2.6V 为正向参考电压，VREF BUF 使能，选择硬件控制采样，VCM BUF 使能且为 高速模式，AD 转换高速使能 LDR R1, =0X03005905 STR R1, [R0] LDR R0, =ADC_CHS ;选择 AIN3 LDR R1, =0X03 STR R1, [R0] LDR ADC_IE, =0X07 LDR ADC_ACPCMP, =0X00010001 ;设置自动比较的高/低阈值 LDR ADC_ACPC, =0x0013001F ;ACP 模块工作时钟为 LRC，每次溢 出时间内自动转换 8 次，溢出时间为 32x Tacp LDR R0, =ADC_CON0 ;使能 ADC 与自动转换比较功能 LDR R1, =0X05 STR R1, [R0] LDR R0, =ADC_CON0 ;启动 A/D 转换 LDR R1, =0X07 STR R1, [R0] …… 特殊功能寄存器 5. 6. 7 ADC 参考控制寄存器（ADC_VREFCON） 偏移地址：40H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 6 5 4 19 18 17 16 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 7 3 保留 — IREF_EN VREF_SEL VREF_EN V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 bit31-3 bit2 bit1 bit0 — 2 1 0 IREF_EN VREF_SEL VREF_EN — R/W IREF 使能控制位 0：禁止 1：使能 R/W 内部 VREFP 电压选择控制位 0：1.8V 1：2.6V R/W 内部 VREFP 使能控制位 0：禁止 1：使能 222/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 注 1：A/D 正常工作时必须开启 VREF_EN 与 IREF_EN。 ADC 转换值寄存器（ADC_DR） 偏移地址：00H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 7 保留 DR — bit31-12 — — DR bit11-0 R A/D 转换结果 ADC 控制寄存器 0（ADC_CON0） 偏移地址：04H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 6 5 4 3 18 17 16 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 7 保留 — bit31-3 ACP_EN TRIG EN bit2 bit1 bit0 — 2 1 0 ACP_EN TRIG EN — R/W A/D 自动转换比较功能使能位 0：关闭 1：启动 R/W A/D 转换状态位 0：A/D 未进行转换，或 A/D 转换已完成 （硬件清 0，且硬件清 0 优先） 1：A/D 转换正在进行，该位置 1 启动 A/D 转换 SMPS 为 0 时，TRIG 的写操作失效（由硬件根据 SMPON 软件采样和 ADC 转换过程进行控制） ，且 不能将其读出作为 ADC 转换完成的标志 R/W A/D 转换使能位（ACP_EN 为 1 时，该位无效） 0：禁止 1：使能 注 1：TRIG 软件只能写 1，且写 1 后硬件自动清零。 注 2：关闭 SMPON 时， TRIG 与 ADC_IF 寄存器的 IF 位均可作为转换完成标志。而开启 SMPON 时，仅 ADC_IF 寄存器的 IF 位可作为转换完成标志。建议无论 SMPON 是否开启，均通过 ADC_IF 寄存器的 IF 位 来判断 ADC 是否转换完成。 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 223/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C ADC 控制寄存器 1（ADC_CON1） 偏移地址：08H 复位值：00000000_00000100_00010000_00000000B 31 30 29 28 27 26 保留 15 14 保 HSE 留 N 13 12 11 10 SMPON SMPS VRBUF_EN VREFN — VCMBUF_HS bit31-26 bit25 25 24 VCMBUF_HS VCMBUF_EN 9 8 — bit23-21 — ST bit20-16 R/W — bit15 — SMPS VRBUF_EN VREFN VREFP bit13 bit12 bit11 bit10 bit9-8 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 19 7 6 18 17 16 1 0 ST 5 4 3 CLKS 2 CLKDIV — ADC 共模电压 VCM BUF 使能控制位 0：禁止 1：使能 R/W SMPON 20 R/W bit24 bit14 21 ADC 共模电压 VCM BUF 高速模式使能控 制位 0：保留，仅作测试使用 1：使能 VCMBUF_EN HSEN 22 保留 保留 VREFP — 23 — A/D 采样时间选择位（硬件控制有效） 采样时间：ST*2+1 个 Tadclk — R/W AD 转换速度控制位 0：保留，仅作测试使用 1：高速 R/W A/D 采样软件控制位（ACP_EN 为 1 时， 该位无效） 0：关闭 AD 采样 1：启动 AD 采样 R/W A/D 采样模式选择位（ACP_EN 为 1 时， 固定为 1） 0：软件控制 1：硬件控制 R/W VREF BUF 使能位 0：禁止 1：使能 R/W A/D 负向参考电压选择位 0：内部地电压 VSS 1：外部参考电压 AVREFN R/W A/D 正向参考电压选择位 00：选择芯片工作电压 VDD 01：选择内部参考电压 VREFP（ 2.6V 或 1.8V） ，AVREFP 端口复用作普通 I/O 224/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 端口 10：选择内部参考电压 VREFP（ 2.6V 或 1.8V） ，AVREFP 端口输出内部参考 电压 VREF 11：外部参考电压 AVREFP，该电压不能 高于 VDD — — bit7-4 CLKS bit3 CLKDIV bit2-0 — R/W A/D 时钟源选择位 0：PCLK 1：LRC（32KHz） R/W A/D 时钟源预分频选择位 000 = 1:1 001 = 1:2 010 = 1:4 011 = 1:8 100 = 1:16 101 = 1:32 110 = 1:64 111 = 1:256 注 1：选择内部参考电压 VREF 2.6V 或 1.8V 作为 ADC 正向参考电压时， VRBUF_EN 必须置 1； 注 2：ADC 工作时 VCMBUF_HS ，VCMBUF_EN，HSEN 均必须置 1； 注 3：ADC 使用 VDD（VREFP=2’b00） ，或外部参考电压（VREFP=2’b11） ，作为参考电压时，最大转换时钟频率 为 2MHz，使用内部参考电压作为参考电压时（VREFP=2’b01 或 2’b10） ，最大转换时钟频率为 1MHz。 ADC 通道选择寄存器（ADC_CHS） 偏移地址：0CH 复位值：00000000_00000000_00000001_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 6 5 4 3 18 17 16 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 保留 — 8 7 保留 VDD5_FLAG_EN bit31-9 — VDD5_FLAG_EN bit8 R/W — bit7-5 — V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 CHS — VDD 检测控制 1：使能（如果应用系统中 VDD 电压会小 于 3.7V，则需使能该位，ADC 硬件电 路根据 VDD 电压进行自调整，以保证 ADC 的可靠性） 0：禁止 — 225/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C CHS bit4-0 R/W A/D 模拟通道选择位 00000：通道 0（AIN0） 00001：通道 1（AIN1） 00010：通道 2（AIN2） 00011：通道 3（AIN3） 00100：通道 4（AIN4） 00101：通道 5（AIN5） 00110：通道 6（AIN6） 00111：通道 7（AIN7） 01000：通道 8（AIN8） 01001：通道 9（AIN9） 01010：通道 10（AIN10） 01011：通道 11（AIN11） 01100：通道 12（AIN12） 01101：通道 13（AIN13） 01110：通道 14（AIN14） 01111：通道 15（AIN15） 其它：通道关闭 ADC 中断使能寄存器（ADC_IE） 偏移地址：10H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 5 4 19 18 17 16 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 保留 — ACPOVIE ACPMAXIE ACPMINIE IE bit31-4 — 3 2 1 0 ACPOVIE ACPMAXIE ACPMINIE IE — bit3 ADC 自动转换溢出中断使能位 0：禁止 1：使能 bit2 R/W ADC 自动转换高阈值超出中断使能位 0：禁止 1：使能 R/W ADC 自动转换低阈值超出中断使能位 0：禁止 1：使能 R/W ADC 中断使能位 0：禁止 1：使能 bit1 bit0 ADC 中断标志寄存器（ADC_IF） V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 226/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 偏移地址：14H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 5 4 19 18 17 16 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 保留 — — bit31-4 ACPOVIF bit3 ACPMAXIF bit2 ACPMINIF bit1 IF bit0 3 2 1 0 ACPOVIF ACPMAXIF ACPMINIF IF — R/W ADC 自动转换溢出中断标志位 0：自动转换的溢出时间未到 1：自动转换的溢出时间已到（由硬件置 1，软 件清除） 软件写 1 清除标志位，写 0 无效 R/W ADC 自动转换高阈值超出中断标志位 0：均值结果到达高阈值 1：均值结果大于或等于高阈值（由硬件置 1， 软件清除） 软件写 1 清除标志位，写 0 无效 R/W ADC 自动转换低阈值超出中断标志位 0：均值结果没有到达最低阈值 1：均值结果小于或等于低阈值（由硬件置 1， 软件清除） 软件写 1 清除标志位，写 0 无效 R/W ADC 中断标志位 0：正在进行转换 1：A/D 转换完成（由硬件置 1，软件清除） 软件写 1 清除标志位，写 0 无效 注 1：ADC 中断禁止时，如果满足条件仍会置起对应的中断标志位，只是不会产生中断请求。 注 2：对 ADC_IF 寄存器中的各中断标志位，写 0 无效，写 1 才能清除标志位；读操作时，读取的值为 1 表示有中 断发生。 ADC 自动转换比较控制寄存器（ADC_ACPC） 偏移地址：28H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 7 保留 — 20 19 18 CLKS 6 5 4 17 16 TIMES 3 2 1 0 OVFL_TIME bit31-21 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 — — 227/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C CLKS bit20 R/W — bit19-18 — TIMES bit17-16 R/W — bit15-12 — OVFL_TIME bit11-0 ACP 溢出计数的时钟源选择位 0：FPCLK/256（PCLK 的 256 分频） 1：FLRC/256（LRC 时钟的 256 分频） — 自动转换比较次数选择位（基于由 OVFL_TIME 设定的时间段内） 00：1 次 01：2 次 10：4 次 11：8 次 — 每次自动转换比较的溢出时间，可配置范 围为 0~9C3H，计数时钟周期为 Tacp，分 别对应如下溢出时间： 0：1 xTacp 1：2 x Tacp 2：3 x Tacp … 9C3H：2500 x Tacp Tacp 为由 CLKS 选择的 ACP 溢出计数的 时钟源周期 R/W 注 1：配置 OVFL_TIME 的值必须大于一次 A/D 采样与转换时间。 ADC 自动转换比较阈值寄存器（ADC_ACPCMP） 偏移地址：30H 复位值：00001111_11111111_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 保留 15 14 22 21 20 19 18 17 16 4 3 2 1 0 18 17 16 CMP_MAX 13 12 11 10 9 8 7 保留 6 5 CMP_MIN — bit31-28 — CMP_MAX bit 27-16 R/W — bit15-12 — CMP_MIN bit 11-0 R/W — 自动比较高阈值 — 自动比较低阈值 ADC 自动转换数据寄存器（ADC_ACPMEAN） 偏移地址：34H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 25 24 23 22 21 20 19 228/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 保留 7 6 5 4 3 2 1 0 MEAN_DATA — bit31-12 — — MEAN_DATA bit 11-0 R 自动转换结果的均值 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 229/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 5. 7 实时时钟（RTC） 5. 7. 1 概述   仅 POR 上电复位有效，支持程序写保护，有效避免系统干扰对时钟造成的影响 采用外部 32.768KHz 晶体振荡器作为 RTC 精确计时的时钟源；如果应用系统对 RTC 计时精度要求不高，还可选用内部 LRC 作为时钟源；如果应用系统将 RTC 作为普通计数器使用，还可选用 PCLK 或 PCLK 的 256 分频作为时钟源  可进行高精度数字校正，提供高精度计时  时钟调校提供两种时间精度，调校范围为±384ppm（或±128ppm） ，可实现最大时 间精度为±1.5 ppm（或±0.5ppm）  时间计数（实现小时﹑分钟和秒）和日历计数（实现年﹑月﹑日和星期） ，BCD 格 式  提供 5 个可编程定时中断  提供 2 个可编程日历闹钟  提供一路可配置时钟输出  自动闰年识别，有效期到 2099 年  12 小时和 24 小时模式设置可选  低功耗设计：工作电压 VDD=5.0V 时模块工作电流典型值为 0.5μA 5. 7. 2 RTC写保护 为避免程序的异常运行对 RTC 模块的误操作，RTC 写保护寄存器 RTC_WP 用于阻止程 序对 RTC 模块其它寄存器的误写（不包括 RTC_WP 寄存器本身） 。 RTC_WP 寄存器为虚拟寄存器。要对 RTC 模块其它寄存器进行写操作时，需先对 RTC_WP 寄存器写 0x55AAAA55，之后可对 RTC 模块其它寄存器进行连续写操作。对 RTC_WP 寄存器写入其他值重新进入写保护状态，写保护状态下对其他寄存器进行的写 操作将被忽略。 可通过读 RTC_WP 寄存器确认 RTC 模块是否处于写保护状态，读出值为 0x55AAAA55， 表示当前可对 RTC 模块其它寄存器进行一次写操作；读出值为 0x00000000 表示 RTC 模 块处于写保护状态。RTC_WP 寄存器无其它读出值。 5. 7. 3 时间日期设置 由于 APB 总线时钟与 RTC 时间计数器时钟异步，因此 RTC 时间计数器不能直接读写， 只能通过缓冲器进行读写。RTC 时分秒寄存器 RTC_HMS 和 RTC 年月日周寄存器 RTC_YMDW 用于 RTC 时间计数器的写入和读取。这两个寄存器只是读写缓冲器，而不 是时间计数器本身。读时间计数器的操作步骤如下： 1）配置读写选择位 TMWR=0，选择时间计数器读操作； 2）配置读写触发位 TMUP=1，触发读操作； 3）读操作完成后，时间计数器的值被分别读出到 RTC_HMS 和 RTC_YMDW，并且 TMUP 位自动清零。 写时间计数器的操作步骤如下（复位或上一次时间计数器读/写操作完成后） ： V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 230/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 1）配置 12/24 小时模式选择位 HSWI； 2）写入设置值到 RTC_HMS 和/或 RTC_YMDW 寄存器； 3）配置读写选择位 TMWR=1，选择时间计数器写操作； 4）配置读写触发位 TMUP=1，触发写操作； 5）写操作完成后，RTC_HMS 和 RTC_YMDW 寄存器更新过的设置值被写入时间计数器， 并且 TMUP 位自动清零。 注 1：写时间计数器操作是将从复位或上一次读操作完成后，更新过的 RTC_HMS 和/或 RTC_YMDW 寄存器的内 容写入相应时间计数器，而对应于未更新字段的时间计数器不受写入影响。 注 2：当 TMUP 位为 1 时，可通过将 TMWR 清零提前中止当前的写操作。被中止的写操作结果不确定。 时间和日期寄存器数据格式采用 BCD 编码。秒计数范围从 00 到 59，进位到分钟后从 59 变为 00。分钟计数范围从 00 到 59，进位到小时后从 59 变为 00。小时计数范围根据控制 位 RTCHSWI 的设置选择 12/24 小时模式，进位后从 PM11 到 AM12 或 AM11 到 PM12， 或 23 到 00。 星期计数器为循环移位寄存器，设置时对相应星期位写 1，其它位均写 0。 日计数按照每月最后一天加 1 进位到下月，日计数范围按月分为： 一、三、五、七、八、十、十二月从 1 到 31； 四、六、九、十一月从 1 到 30； 二月（普通年份）从 1 到 28；二月（闰年）从 1 到 29； 月计数范围从 1 到 12，进位到年后从 12 变为 1。 年计数范围从 00 到 99（00，04，08，…，92，96 为闰年），99 后不再进位到 00。 12/24 小时模式对照表如下： 24 小时模式 12 小时模式 24 小时模式 12 小时模式 00 12（AM12） 12 32（PM12） 01 01（AM1） 13 21（PM1） 02 02（AM2） 14 22（PM2） 03 03（AM3） 15 23（PM3） 04 04（AM4） 16 24（PM4） 05 05（AM5） 17 25（PM5） 06 06（AM6） 18 26（PM6） 07 07（AM7） 19 27（PM7） 08 08（AM8） 20 28（PM8） 09 09（AM9） 21 29（PM9） 10 10（AM10） 22 30（PM10） 11 11（AM11） 23 31（PM11） 表 5-2 12/24 小时模式对照表 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 231/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 5. 7. 4 RTC中断源 RTC 模块共有 7 个中断源，即：  周闹钟中断 WAFG  日闹钟中断 DAFG  5 个周期中断月、日、时、分、秒中断 每个中断源都有独立的使能位，使能位影响该中断是否产生 IRQ 中断请求，而不影响中断 功能。即关闭相应中断使能，标志位仍可用于相应功能查询。当有多个中断使能时，各中 断经过“或”逻辑产生 IRQ 中断请求。即任何一个被使能的中断产生中断事件时，均产生 IRQ 中断请求，且只有将所有的产生中断事件的中断标志清零后，IRQ 中断请求才解除。 5. 7. 5 RTC计时功能 如果应用系统要求 RTC 精确计时，则需要采用外部 32.768KHz 晶体振荡器作为 RTC 计 时的时钟源。此时外部时钟管脚（OSCxI，OSCxO）外接 32.768KHz 晶体振荡器，并对 配置字和控制寄存器进行如下设置： 1）通过配置字 CFG_OSCMD 设置 XTAL 振荡器为低速振荡器； 2）通过软件由寄存器 SCU_SCLKEN0 的 CLK_SEL位来选择系统时钟源； 3）设置寄存器 SCU_SCLKEN1 的控制位 XTAL_EN=1，使能外部时钟振荡器。 4）设置寄存器 RTC_CON 的 CLKS=00，将 RTC 时钟源选择为外部 32.768KHz 振 荡器时钟源。 在芯片深度睡眠模式下，如果需要 RTC 仍使用外部 32.768KHz 晶体振荡器计时工作，则 需要设置寄存器 SCU_WAKEUPTIME 的 MOSC_EN=1，使 XTAL 时钟在芯片深度睡眠模 式下保持工作。 如果应用系统对 RTC 计时精度要求不高，则还可选用内部 LRC（频率接近 32KHz）作为 时钟源。 5. 7. 6 特殊功能寄存器 RTC 写保护寄存器（RTC_WP） 偏移地址：20H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 WP 15 14 13 12 11 10 9 8 7 WP WP bit31-0 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 R/W 0x0000_0000：RTC 模块写保护 0x55AA_AA55：RTC 模块可进行一次写操作（写操 232/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 作完成后自动恢复到写保护状态） 注 1：RTC_WP 保护的寄存器为 RTC_CON，RTC_CAL，RTC_WA，RTC_DA，RTC_HMS，RTC_YMDW， RTC_IE，RTC_IF。 RTC 控制寄存器（RTC_CON） 偏移地址：00H 复位值：00000000_00000000_00001000_10000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 5 4 19 18 17 16 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 保留 － PON XST bit31-8 bit7 bit6 － R/W R CLKS bit5-4 R/W － bit3 － HSWI TMWR TMUP bit2 bit1 bit0 7 6 PON XST CLKS 3 2 1 0 保留 HSWI TMWR TMUP － RTC 上电复位标志位（软件只能将该位清 0） 0：实时时钟正常工作 1：监测到 RTC 上电复位（必须软件清 0 后，RTC 才能开始工作） 振荡器停振监测标志位 0：振荡器持续工作正常 1：振荡器有停振现象发生 RTC 时钟源选择位（必须在写时间数据前设置） 00：32.768 KHz 振荡器时钟源（RTC 精确计时） 01：LRC 时钟源（RTC 非精确计时） 10：PCLK/256（RTC 用作普通计数器） 11：PCLK（RTC 用作普通计数器） － R/W 12/24 小时模式选择位（必须在写时间数据前设 置） 0：12 小时模式 1：24 小时模式 R/W 时间计数器读写选择位 0：时间计数器读出操作 1：时间计数器写入操作 R/W 时间计数器读写触发位（程序只能写 1，读写完 成后自动清零） 0：时间计数器读写操作已完成 1：时间计数器正在进行读写操作 注 1：RTC 模块上电复位后一直处于复位状态，只有将 PON 位清零后，RTC 才进入工作状态。 注 2：为保证精度，建议 RTCCLKS 值设置为 00，即选用外部 32.768KHz 晶振；对于低精度要求的运用，可选用 LRC 时钟源。只有在 RTC 用作普通的 Timer 时，可将 RTCCLKS 设置为 10 或 11。 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 233/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C RTC 调校寄存器（RTC_CAL） 偏移地址：04H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 7 6 5 20 19 18 17 16 4 3 2 1 0 保留 15 14 13 保留 12 11 CLKC 10 9 8 COCR DEV CALF － bit31-13 － CLKC bit12 R/W RTC 输出脉冲端口使能位 0：禁止 1：使能（端口需复用为 RTCO，输出脉冲） R/W RTC 输出脉冲频率选择位 000：32KHz 001：1024Hz 010：32Hz 011：1Hz 100：校正后 1Hz 时钟输出 111~101：保留 COCR bit11-9 － DEV bit8 R/W 调校模式选择位 0：每 20 秒调校一次（秒数字分别为 00、20、 40 时） 1：每 60 秒调校一次（秒数字为 00 时） CALF bit7-0 R/W RTC 调校值 注 1：如果 CALF=000000, 则调校增/减量为 0； 如果 CALF=0，则递增调校，增量为((CALF) - 1) x 2； 如果 CALF=1，则递减调校，减量为((~CALF) + 1) x 2。 注 2：如果 RTCDEV=0，则调校时间步长为 3.051ppm，调校范围为-384ppm~384ppm，最高时间精度为±1.5ppm； 如果 RTCDEV=1，则调校时间步长为 1.017ppm，调校范围为-128ppm~128ppm，最高时间精度为±0.5ppm。 RTC 周闹钟寄存器（RTC_WA） 偏移地址：08H 复位值：xxxxxxxx_xxxxxxxx_xxxxxxxx _xxxxxxxxB 31 30 29 28 27 26 25 24 23 保留 15 14 保留 22 21 20 19 18 17 16 WW6 WW5 WW4 WW3 WW2 WW1 WW0 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 WH20 WH10 WH08 WH04 WH02 WH01 保留 WM40 WM20 WM10 WM08 WM04 WM02 WM01 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 234/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C — bit31-23 — — WW6 bit22 R/W 周六闹钟位 WW5 bit21 R/W 周五闹钟位 WW4 bit20 R/W 周四闹钟位 WW3 bit19 R/W 周三闹钟位 WW2 bit18 R/W 周二闹钟位 WW1 bit17 R/W 周一闹钟位 WW0 bit16 R/W 周日闹钟位 — bit15-14 — WH20 bit13 R/W 24 小时模式：20 小时位 12 小时模式：1 代表 pm；0 代表 am WH10 bit12 R/W 10 小时位 WH08 bit11 R/W 8 小时位 WH04 bit10 R/W 4 小时位 WH02 bit9 R/W 2 小时位 WH01 bit8 R/W 1 小时位 — bit7 — WM40 bit6 R/W 40 分钟位 WM20 bit5 R/W 20 分钟位 WM10 bit4 R/W 10 分钟位 WM08 bit3 R/W 8 分钟位 WM04 bit2 R/W 4 分钟位 WM02 bit1 R/W 2 分钟位 WM01 bit0 R/W 1 分钟位 — — RTC 日闹钟寄存器（RTC_DA） 偏移地址：0CH 复位值：xxxxxxxx_xxxxxxxx_xxxxxxxx _xxxxxxxxB 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 保留 15 14 保留 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 DH20 DH10 DH08 DH04 DH02 DH01 保留 DM40 DM20 DM10 DM08 DM04 DM02 DM01 — bit31-14 — DH20 bit13 R/W 24 小时模式：20 小时位 12 小时模式：1 代表 pm；0 代表 am DH10 bit12 R/W 10 小时位 DH08 bit11 R/W 8 小时位 DH04 bit10 R/W 4 小时位 DH02 bit9 R/W 2 小时位 DH01 bit8 R/W 1 小时位 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 — 235/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C — bit7 — — DM40 bit6 R/W 40 分钟位 DM20 bit5 R/W 20 分钟位 DM10 bit4 R/W 10 分钟位 DM08 bit3 R/W 8 分钟位 DM04 bit2 R/W 4 分钟位 DM02 bit1 R/W 2 分钟位 DM01 bit0 R/W 1 分钟位 RTC 时分秒寄存器（RTC_HMS） 偏移地址：10H 复位值：00000000_xxxxxxxx_xxxxxxxx _xxxxxxxx B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 保留 15 14 保留 13 M20 12 M10 11 10 M08 M04 9 M02 21 20 19 18 17 16 H20 H10 H08 H04 H02 H01 8 7 6 5 4 3 2 1 0 M01 保留 S40 S20 S10 S08 S04 S02 S01 － bit31-22 － H20 bit21 R/W 24 小时模式：20 小时位 12 小时模式：1 代表 pm；0 代表 am H10 bit20 R/W 10 小时位 H08 bit19 R/W 8 小时位 H04 bit18 R/W 4 小时位 H02 bit17 R/W 2 小时位 H01 bit16 R/W 1 小时位 － bit15 － M40 bit14 R/W 40 分钟位 M20 bit13 R/W 20 分钟位 M10 bit12 R/W 10 分钟位 M08 bit11 R/W 8 分钟位 M04 bit10 R/W 4 分钟位 M02 bit9 R/W 2 分钟位 M01 bit8 R/W 1 分钟位 － bit7 － S40 bit6 R/W 40 秒位 S20 bit5 R/W 20 秒位 S10 bit4 R/W 10 秒位 S08 bit3 R/W 8 秒位 S04 bit2 R/W 4 秒位 S02 bit1 R/W 2 秒位 S01 bit0 R/W 1 秒位 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 － － － 236/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C RTC 年月日周寄存器（RTC_YMDW） 偏移地址：14H 复位值：xxxxxxxx_xxxxxxxx_xxxxxxxx _xxxxxxxxB 31 30 29 Y80 Y40 15 14 保留 Y20 28 Y10 27 26 Y08 Y04 25 Y02 24 23 22 21 保留 Y01 20 MN10 19 18 17 16 MN08 MN04 MN02 MN01 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 D20 D10 D08 D04 D02 D01 保留 W06 W05 W04 W03 W02 W01 W00 Y80 bit31 R/W 80 年位 Y40 bit30 R/W 40 年位 Y20 bit29 R/W 20 年位 Y10 bit28 R/W 10 年位 Y08 bit27 R/W 8 年位 Y04 bit26 R/W 4 年位 Y02 bit25 R/W 2 年位 Y01 bit24 R/W 1 年位 － bit23-21 － MN10 bit20 R/W 10 月位 MN08 bit19 R/W 8 月位 MN04 bit18 R/W 4 月位 MN02 bit17 R/W 2 月位 MN01 bit16 R/W 1 月位 － bit15-14 － D20 bit13 R/W 20 日位 D10 bit12 R/W 10 日位 D08 bit11 R/W 8 日位 D04 bit10 R/W 4 日位 D02 bit9 R/W 2 日位 D01 bit8 R/W 1 日位 － bit7 － W06 bit6 R/W 星期六位 W05 bit5 R/W 星期五位 W04 bit4 R/W 星期四位 W03 bit3 R/W 星期三位 W02 bit2 R/W 星期二位 W01 bit1 R/W 星期一位 W00 bit0 R/W 星期日位 － － － RTC 中断使能寄存器（RTC_IE） 偏移地址：18H V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 237/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 复位值：00000000_00000000_00000000_10000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 保留 15 14 13 12 11 10 保留 — 9 8 WALE DALE 7 — bit31-10 WALE bit9 — bit7-5 — bit3 HORIE bit2 3 2 1 0 DAYIE HORIE MINIE SCDIE 19 18 17 16 — 日闹钟使能位 0：禁止 1：使能 R/W DAYIE 4 MONIE R/W bit8 bit4 5 周闹钟使能位 0：禁止 1：使能 DALE MONIE 6 保留 — R/W 月中断使能位 0：禁止 1：使能 R/W 日中断使能位 0：禁止 1：使能 R/W 时中断使能位 0：禁止 1：使能 MINIE bit1 R/W 分中断使能位 0：禁止 1：使能 SCDIE bit0 R/W 秒中断使能位 0：禁止 1：使能 RTC 中断标志寄存器（RTC_IF） 偏移地址：1CH 复位值：00000000_00000000_00000000_10000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 保留 15 14 13 12 保留 11 10 9 8 WAFG DAFG 7 — bit31-10 — WAFG bit9 R/W V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 6 保留 5 4 3 2 1 0 MONIF DAYIF HORIF MINIF SCDIF — 周闹钟标志位 0：闹钟事件不匹配 238/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 1：闹钟事件匹配 软件写 1 清除标志位，写 0 无效 DAFG bit8 R/W — bit7-5 — MONIF bit4 DAYIF bit3 HORIF bit2 MINIF bit1 SCDIF bit0 日闹钟标志位 0：闹钟事件不匹配 1：闹钟事件匹配 软件写 1 清除标志位，写 0 无效 — R/W 月中断标志位（中断周期为每月第一天 00 小时 00 分钟 00 秒） 0：未产生月中断 1：产生月中断 软件写 1 清除标志位，写 0 无效 R/W 日中断标志位（中断周期为每天） 0：未产生日中断 1：产生日中断 软件写 1 清除标志位，写 0 无效 R/W 时中断标志位（中断周期为每小时） 0：未产生小时中断 1：产生小时中断 软件写 1 清除标志位，写 0 无效 R/W 分中断标志位（中断周期为每分钟） 0：未产生分钟中断 1：产生分钟中断 软件写 1 清除标志位，写 0 无效 R/W 秒中断标志位（中断周期为每秒） 0：未产生秒中断 1：产生秒中断 软件写 1 清除标志位，写 0 无效 注：对 RTC_IF 寄存器中的各中断标志位，写 0 无效，写 1 才能清除标志位；读操作时，读取的值为 1 表示有中断 发生。 5. 7. 7 RTC应用说明 暂无特别说明。 5. 8 液晶显示控制器（LCDC） 5. 8. 1    概述 支持 8COM x 28SEG 支持灰度调节功能 支持显示闪烁功能，闪烁频率可调 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 239/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C   5. 8. 2 支持内部偏压电阻可调功能 支持 3 种时钟源选择 结构框图 APB_LCDC LCD_D1 …… LCD_D6 MUX LCD_D0 L C D 接 口 SEG COM LCD控制器 LCD预分频器 LCD时钟源 图 5-51 LCD 驱动模块框图 5. 8. 3 LCD基本设置 配置 LCD 驱动模块的操作步骤如下： 1. 设置 LCD_CON1 寄存器的 SEL，选择 LCD 驱动器。 2. 设置 LCD 工作时钟。 3. 设置 LCD 驱动端口：配置 LCD_CON0 寄存器的 COMS和 LCD_SEL 寄存器的 SEG使能端口的公共端和段功能，及选择偏置模式。设置 GPIO_PxINEB 寄存器， 关闭相应端口的数字输入；设置 GPIO_PxDIR 寄存器，关闭相应端口的数字输出。 4. 初始化 LCD 像素数据寄存器 LCD_Dx。 5. 使能 LCD 驱动模块。 5. 8. 4 LCD偏置电压选择 LCD 支持内部偏置电压和外部偏置电压可选。 LCD_CON0 寄存器的 VLCDEN=0 时，LCD 使用内部偏置电压，内部偏置电压参考源为电 源电压 VDD，可进行如下选择：  1/2 偏置（3 种电压等级：VSS、1/2VBIAS 和 VBIAS）  1/3 偏置（4 种电压等级：VSS、1/3 VBIAS、2/3 VBIAS 和 VBIAS）  1/4 偏置（5 种电压等级：VSS、1/4 VBIAS、2/4 VBIAS、3/4 VBIAS 和 VBIAS） 用户只需设置所需的偏置类型，无需进行各个偏置电压的设置，偏置电压由内部电路自动产 生。 LCD_CON0 寄存器的 VLCDEN=1 时，LCD 使用外部偏置电压，外部偏置电压从管脚 PA2~PA5 输入，这 4 个管脚需配置为模拟管脚。外部偏置电压电阻网络必须与 LCD_CON0 控制寄存器的 BIAS位的偏压类型相匹配。对应于各种偏置电压，PA2~PA5 上的 VLCD1~4 偏置电压输入如下表所示。 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 240/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 1/2 bias 1/3 bias 1/4 bias VLCD1(PA2) 1/2 VDD 1/3 VDD 1/4 VDD VLCD2(PA3) 1/2 VDD 2/3 VDD 2/4 VDD VLCD3(PA4) VDD VDD 3/4 VDD VLCD4(PA5) — — VDD 表 5-3 LCD 外部偏置电压输入配置表 VDD VLCD4 VLCD3 VLCD2 VLCD1 图 5-52 1/4 VDD 外部偏置电压参考电路 5. 8. 5 LCD像素对照表 LCD 像素寄存器的各个数值位，与公共端-段的像素点对应关系如下表所示： COM7 COM6 COM5 COM4 COM3 COM2 COM1 COM0 D6[31] D6[30] D6[29] D6[28] D6[27] D6[26] D6[25] D6[24] SEG27 D6[23] D6[22] D6[21] D6[20] D6[19] D6[18] D6[17] D6[16] SEG26 D6[15] D6[14] D6[13] D6[12] D6[11] D6[10] D6[9] D6[8] SEG25 D6[7] D6[6] D6[5] D6[4] D6[3] D6[2] D6[1] D6[0] SEG24 D5[31] D5[30] D5[29] D5[28] D5[27] D5[26] D5[25] D5[24] SEG23 D5[23] D5[22] D5[21] D5[20] D5[19] D5[18] D5[17] D5[16] SEG22 D5[15] D5[14] D5[13] D5[12] D5[11] D5[10] D5[9] D5[8] SEG21 D5[7] D5[6] D5[5] D5[4] D5[3] D5[2] D5[1] D5[0] SEG20 D4[31] D4[30] D4[29] D4[28] D4[27] D4[26] D4[25] D4[24] SEG19 D4[23] D4[22] D4[21] D4[20] D4[19] D4[18] D4[17] D4[16] SEG18 D4[15] D4[14] D4[13] D4[12] D4[11] D4[10] D4[9] D4[8] SEG17 D4[7] D4[6] D4[5] D4[4] D4[3] D4[2] D4[1] D4[0] SEG16 D3[31] D3[30] D3[29] D3[28] D3[27] D3[26] D3[25] D3[24] SEG15 D3[23] D3[22] D3[21] D3[20] D3[19] D3[18] D3[17] D3[16] SEG14 D3[15] D3[14] D3[13] D3[12] D3[11] D3[10] D3[9] D3[8] SEG13 D3[7] D3[6] D3[5] D3[4] D3[3] D3[2] D3[1] D3[0] SEG12 D2[31] D2[30] D2[29] D2[28] D2[27] D2[26] D2[25] D2[24] SEG11 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 241/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C D2[23] D2[22] D2[21] D2[20] D2[19] D2[18] D2[17] D2[16] SEG10 D2[15] D2[14] D2[13] D2[12] D2[11] D2[10] D2[9] D2[8] SEG9 D2[7] D2[6] D2[5] D2[4] D2[3] D2[2] D2[1] D2[0] SEG8 D1[31] D1[30] D1[29] D1[28] D1[27] D1[26] D1[25] D1[24] SEG7 D1[23] D1[22] D1[21] D1[20] D1[19] D1[18] D1[17] D1[16] SEG6 D1[15] D1[14] D1[13] D1[12] D1[11] D1[10] D1[9] D1[8] SEG5 D1[7] D1[6] D1[5] D1[4] D1[3] D1[2] D1[1] D1[0] SEG4 D0[31] D0[30] D0[29] D0[28] D0[27] D0[26] D0[25] D0[24] SEG3 D0[23] D0[22] D0[21] D0[20] D0[19] D0[18] D0[17] D0[16] SEG2 D0[15] D0[14] D0[13] D0[12] D0[11] D0[10] D0[9] D0[8] SEG1 D0[7] D0[6] D0[5] D0[4] D0[3] D0[2] D0[1] D0[0] SEG0 表 5-4 LCD 像素对照列表 5. 8. 6 LCD工作时钟源 LCD 模块有 3 种工作时钟源可选择： 1. LRC 时钟的 4 分频：支持睡眠模式下工作。 2. LOSC 时钟的 4 分频：支持睡眠模式下工作。 3. PCLK 时钟的 4096 分频：不支持睡眠模式下工作。 通过配置 LCD_CON0 寄存器的 PRS，设置 LCD 工作时钟的预分频比。 5. 8. 7 LCD显示帧频率 LCD 的显示帧频率，与 COM 端口复用模式，工作时钟源频率及其预分频比有关，描述如下： COMS = 001：帧频率 = 时钟源频率 /（1 × 4 ×（PRS+1） ） COMS = 010：帧频率 = 时钟源频率 /（1 × 6 ×（PRS+1） ） COMS = 011：帧频率 = 时钟源频率 /（1 × 8 ×（PRS+1） ） COMS = 10x：帧频率 = 时钟源频率 /（2 × 2 ×（PRS+1） ） COMS = 11x：帧频率 = 时钟源频率 /（1 × 3 ×（PRS+1） ） 5. 8. 8 LCD闪烁功能 配置 LCD_CON0 寄存器的 FLIK 位，可使能 LCD 显示闪烁功能。配置闪烁时间寄存器 LCD_TWI，可设置 LCD 闪烁时的点亮时间和熄灭时间。在使能闪烁功能之前，应先设置 LCD_TWI 寄存器。 5. 8. 9 LCD低功耗模式 配置 LCD_CON0 寄存器的 RS，可控制 LCD 内部偏压电阻。偏压电阻越小，显示效 果越好但功耗越大。为了降低功耗同时保证显示效果，提供了 LCD 内部偏压电阻自动切换 功能，用户可以根据实际 LCD 显示效果选择合适的偏压电阻。配置 LCD_CON0 寄存器的 RT，控制电阻切换时间。只当 LCD 配置为偏压电阻自动切换模式时，RT 控制位才有 效。 配置 LCD_CON0 寄存器的 BVS，可控制 LCD 显示灰度，灰度电压越高，显示效果越 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 242/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 好，但功耗越大。用户可根据实际的 LCD 显示效果和功耗需求，设置合适的显示灰度。 LCD时钟源 32KHZ LCD工作频率 8KHZ 1帧 sel_com COM0 COM1 COM2 COM... COM0 COM1 COM2 COM... A WAVE com0 com1 …… comx fc_en B WAVE com0 com1 …… comx fc_en 注：理论上fc_en正脉宽=占空比*Tlcd工作时钟。(占空比由RT决定，LCD工作时钟为时钟源分 频后时钟）。但由于fc_en正脉宽=T时钟源*N (N=1,2,3...)，所以当N不满足整数时，舍去小数取整， N最小值为1。 图 5-53 快速充放电示意图 5. 8. 10 特殊功能寄存器 LCD 控制寄存器 0（LCD_CON0） 偏移地址：00H 复位值：11110000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 15 14 RT 13 24 23 22 21 20 保留 BVS 12 11 RS 10 9 8 BIAS V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 19 18 17 16 1 0 PRS 7 6 CLK_SEL 5 4 3 WFS FLIK VLCDEN 2 COMS 243/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C BVS bit31-28 R/W — bit27-22 — PRS RT bit21-16 bit15-13 LCD 显示灰度控制位（基于 VDD） 0000：VBIAS = VDD/2 0001：VBIAS = VDD× (16/30) 0010：VBIAS = VDD× (17/30) 0011：VBIAS = VDD× (18/30) 0100：VBIAS = VDD× (19/30) 1110：VBIAS = VDD× (20/30) 1101：VBIAS = VDD× (21/30) 1100：VBIAS = VDD× (22/30) 1011：VBIAS = VDD× (23/30) 1010：VBIAS = VDD× (24/30) 1001：VBIAS = VDD× (25/30) 1000：VBIAS = VDD× (26/30) 0111：VBIAS = VDD× (27/30) 0110：VBIAS = VDD× (28/30) 0101：VBIAS = VDD× (29/30) 1111：VBIAS = VDD — R/W LCD 时钟源预分频比选择位 000000 = 1:1 000001 = 1:2 000010 = 1:3 …… 111111 = 1:64 R/W LCD 60k 电阻保持时间选择位 000：1/4 COM 周期 001：1/8 COM 周期 010：1/16 COM 周期 011：1/32 COM 周期 100：1/64 COM 周期 其它：保留 RS bit12-10 R/W LCD 内部偏压电阻总和选择位 000：225K 欧姆（1/3 和 1/4 BIAS） ，150K 欧姆（1/2 BIAS） 001：900K 欧姆（1/3 和 1/4 BIAS） ，600K 欧姆（1/2 BIAS） 01X：60K 欧姆（1/3 和 1/4 BIAS） ，40K 欧姆（1/2 BIAS） 100：60K 与 225K 欧姆自动切换（1/3 和 1/4 BIAS） ， 40K 与 150K 欧姆自动切换（1/2 BIAS） 101：60K 与 900K 欧姆自动切换（1/3 和 1/4 BIAS） ， 40K 与 600K 欧姆自动切换（1/2 BIAS） 其它：保留 BIAS bit9-8 R/W LCD 偏置选择位 00：1/2 BIAS V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 244/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 01：1/3 BIAS 10：保留 11：1/4 BIAS CLK_SEL WFS bit7-6 bit5 FLIK bit4 R/W LCD 时钟源选择位 00：LRC 时钟的 4 分频（内部时钟 32KHz） 01：LOSC 时钟的 4 分频（外部时钟 32KHz) 10：PCLK 时钟的 4096 分频 11：保留 R/W LCD 驱动波形类型选择位 0：A 型波形（在每一公共端类型内改变相位） 1：B 型波形（在每一帧边界改变相位） R/W LCD 显示闪烁使能位 0：禁止 1：使能 VLCDEN bit3 R/W 外部偏置电压使能位 0：禁止 1：使能 COMS bit2-0 R/W 公共端选择位（参考下表） COMS COM 端口复用 最大像素数 11X 1/3 （COM2~COM0） 84 10X 1/2 （COM1~COM0） 56 011 1/8 （COM7~COM0） 224 010 1/6 （COM5~COM0） 168 001 1/4 （COM3~COM0） 112 000 — — 表 5-5 LCD 复用类型列表 LCD 闪烁时间寄存器（LCD_TWI） 偏移地址：04H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 7 6 5 20 19 18 17 16 4 3 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 TOFF 9 8 TON — bit31-16 — — TOFF bit15-8 R/W LCD 熄灭时间 LCD 闪烁熄灭时间=（TOFF+1）x 0.25 秒 TON bit7-0 R/W LCD 点亮时间 LCD 闪烁点亮时间=（TON+1）x 0.25 秒； V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 245/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C LCD 段使能寄存器（LCD_SEL） 偏移地址：08H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 保留 15 14 21 20 19 18 17 16 4 3 2 1 0 SEG 13 12 11 10 9 8 7 6 5 SEG — bit31-28 — — SEG bit27-0 R/W LCD 段驱动端口使能位 0：禁止 1：使能 LCD 控制寄存器 1（LCD_CON1） 偏移地址：10H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 4 3 18 17 16 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 保留 — bit31-5 RST — — RST bit4 W LCD 驱动模块软件复位 0：读取时始终为 0 1：软件复位 — bit3-2 — — 2 保留 SEL bit1 R/W LCD，LED 驱动器选择控制位 0: 选择 LCD 驱动器（禁止 LED 驱动器） 1: 禁止 LCD 驱动器（选择 LED 驱动器） EN bit0 R/W LCD 驱动模块使能位 0：禁止 1：使能 1 0 SEL EN 注 1：LCD 驱动模块软件复位后， LCDC 模块禁止，LCD_CON1 寄存器的 EN=0； LCD 像素寄存器 0（LCD_D0） 偏移地址：20H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 246/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 D0 15 14 13 12 11 10 9 8 7 D0 D0 bit31-0 R/W 像素点亮位 0：不点亮象素（透明） 1：点亮像素（不透明） LCD 像素寄存器 1（LCD_D1） 偏移地址：24H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 D1 15 14 13 12 11 10 9 8 7 D1 D1 bit31-0 R/W 像素点亮位 0：不点亮象素（透明） 1：点亮像素（不透明） LCD 像素寄存器 2（LCD_D2） 偏移地址：28H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 D2 15 14 13 12 11 10 9 8 7 D2 D2 bit31-0 R/W 像素点亮位 0：不点亮象素（透明） 1：点亮像素（不透明） LCD 像素寄存器 3（LCD_D3） 偏移地址：2CH 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 D3 15 14 13 12 11 10 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 9 8 7 247/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C D3 D3 bit31-0 R/W 像素点亮位 0：不点亮象素（透明） 1：点亮像素（不透明） LCD 像素寄存器 4（LCD_D4） 偏移地址：30H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 D4 15 14 13 12 11 10 9 8 7 D4 D4 bit31-0 R/W 像素点亮位 0：不点亮象素（透明） 1：点亮像素（不透明） LCD 像素寄存器 5（LCD_D5） 偏移地址：34H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 D5 15 14 13 12 11 10 9 8 7 D5 D5 bit31-0 R/W 像素点亮位 0：不点亮象素（透明） 1：点亮像素（不透明） LCD 像素寄存器 6（LCD_D6） 偏移地址：38H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 D6 15 14 13 12 11 10 9 8 7 D6 D6 bit31-0 R/W 像素点亮位 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 248/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 0：不点亮象素（透明） 1：点亮像素（不透明） 5. 9 数码管显示控制器（LEDC） 5. 9. 1 概述  支持 1~8 个 8 段式共阴极数码管  支持 3 种时钟源选择 5. 9. 2 结构框图 APB_LEDC LED_D1 MUX LED_D0 L E D 接 口 SEG COM LED控制器 LED时钟源 LED预分频器 图 5-54 LED 驱动模块框图 5. 9. 3 LED基本设置 配置 LED 驱动模块的操作步骤如下： 1. 设置 LED_CON1 寄存器的 SEL，选择 LED 驱动器。 2. 设置 LED 工作时钟。 3. 配置 LED_CON0 寄存器的 MUX，选择 LED 一帧刷新的 COM 数。 4. 配置 GPIO_PxFUNCy 为普通 IO，设置 LED 端口为输出端口；设置 COM 端口为大 电流驱动；配置 LED_SEL 寄存器的 COM和 SEG，使能端口的公共端和 段功能。 5. 初始化 LED 像素数据寄存器 LED_Dx。 6. 使能 LED 驱动模块。 5. 9. 4 LED像素对照表 LED 像素寄存器的各个数值位，与公共端-段的像素点对应关系如下表所示： SEG7 SEG6 SEG5 SEG4 D1 [31] D1 [30] D1 [29] D1 [28] D1 [23] D1 [22] D1 [21] D1 [15] D1 [14] D1 [7] D1 [6] SEG2 SEG1 SEG0 D1 [27] D1 [26] D1 [25] D1 [24] COM7 D1 [20] D1 [19] D1 [18] D1 [17] D1 [16] COM6 D1 [13] D1 [12] D1 [11] D1 [10] D1 [9] D1 [8] COM5 D1 [5] D1 [4] D1 [3] D1 [2] D1 [1] D1 [0] COM4 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 SEG3 249/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C D0 [31] D0 [30] D0 [29] D0 [28] D0 [27] D0 [26] D0 [25] D0 [24] COM3 D0 [23] D0 [22] D0 [21] D0 [20] D0 [19] D0 [18] D0 [17] D0 [16] COM2 D0 [15] D0 [14] D0 [13] D0 [12] D0 [11] D0 [10] D0 [9] D0 [8] COM1 D0 [7] D0 [6] D0 [5] D0 [4] D0 [3] D0 [2] D0[1] D0[0] COM0 表 5-6 LED 像素对照列表 5. 9. 5 LED工作时钟源 LED 模块有 3 种模式工作时钟源 1. LRC 时钟的 4 分频：支持睡眠模式下工作。 2. LOSC 时钟的 4 分频：支持睡眠模式下工作。 3. PCLK 时钟的 4096 分频：不支持睡眠模式下工作。 通过配置 LED_CON0 寄存器的 PRS，设置 LED 工作时钟的预分频比。 5. 9. 6 LED工作示意图 LED时 钟源 32KHZ LED工作频率 8KHZ 1帧 seg 0 COM0 0 COM1 0 COM2 0 COM3 0 COM0 0 COM1 0 COM2 0 COM3 T1 com0 com1 … … comx 注 ： T1为一个 32kHZ时 钟周期 图 5-55 LED 工作示意图 5. 9. 7 特殊功能寄存器 LED 控制寄存器 0（LED_CON0） V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 250/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 偏移地址：00H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 — PRS bit21-16 R/W — bit15-8 — CLK_SEL bit7-6 R/W — bit5-3 — MUX 7 6 5 bit2-0 4 3 16 1 0 2 保留 CLK_SEL bit31-22 17 PRS 保留 — 18 MUX — LED 时钟源预分频比选择位 000000 = 1:1 000001 = 1:2 000010 = 1:3 …… 111111 = 1:64 — LED 时钟源选择位 00：LRC 时钟的 4 分频（内部时钟 32KHz） 01：LOSC 时钟的 4 分频（外部时钟 32KHz) 10：PCLK 时钟的 4096 分频 11：保留 — COM 复用选择位 000: COM0 复用 001: COM0~COM1 复用 010: COM0~COM2 复用 011: COM0~COM3 复用 100: COM0~COM4 复用 101: COM0~COM5 复用 110: COM0~COM6 复用 111: COM0~COM7 复用 R/W LED 段使能寄存器（LED_SEL） 偏移地址：08H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 7 6 5 20 19 18 17 16 4 3 2 1 0 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 SEG — SEG bit31-16 — bit15-8 R/W COM — LED SEG 段驱动端口使能位 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 251/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 0：禁止 1：使能 COM bit7-0 LED COM 端驱动端口使能位 0：禁止 1：使能 R/W LED 控制寄存器 1（LED_CON1） 偏移地址：10H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 4 3 18 17 16 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 保留 — bit31-5 — — RST bit4 W LED 驱动模块软件复位 0：读取时始终为 0 1：软件复位 — bit3-2 — — SEL bit1 EN bit0 2 保留 RST R/W LED，LCD 驱动器选择控制位 0: 禁止 LED 驱动器（选择 LCD 驱动器） 1: 选择 LED 驱动器（禁止 LCD 驱动器） R/W LED 驱动模块使能位 0：禁止 1：使能 1 0 SEL EN LED 像素寄存器 0（LED_D0） 偏移地址：20H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 5 4 3 2 1 0 D0 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 D0 D0 bit31-0 R/W 像素点亮位 0：不点亮象素（透明） 1：点亮像素（不透明） LED 像素寄存器 1（LED_D1） V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 252/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 偏移地址：24H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 5 4 3 2 1 0 D1 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 D1 D1 bit31-0 R/W 像素点亮位 0：不点亮象素（透明） 1：点亮像素（不透明） 5. 10 看门狗定时器（WDT） 5. 10. 1 概述 当配置字 CFG_WORD1 配置为“硬件看门狗使能”时，即 CFG_WDTEN 位配置为 1，软 件不可配置 WDT_LOAD 寄存器。上电复位后看门狗立即启动（WDT 使用 32KHz LRC 时钟 计数） ，WDT 载入 CFG_WORD1 配置字中 WDTRL 参数对应的计数初值的 1/4，并进行递 减计数，计数到 0 时，窗口计数器加“1”，并在下一计数时钟到来时，计数器再次载入 WDTRL 参数对应的计数初值的 1/4，并继续递减计数。当窗口计数器计数到 2 时（WDT 累计计数为 WDTRL 的一半） ， WDT 产生中断标志。当窗口计数器计数到 4（WDT 累计计数等于 WDTRL） 之前，没有在相应的喂狗窗口期进行喂狗动作，WDT 模块将产生复位信号。软件只能读写 WDT_LOCK 、写 WDT_INTCLR，其它 WDT 相关特殊功能寄存器不再可写，只能读取， 读 WDT_LOAD 得到的值为“WDTRL 参数对应的计数初值” ，读 WDT_CON 将返回 “0x0000_000F”。 当配置字 CFG_WORD1 配置为“硬件看门狗禁止”时，即 CFG_WDTEN 位配置为 0，上 电看门狗不启动，但软件可配置看门狗使能，且软件可配置 WDT_LOAD 寄存器。当配置为 “软件看门狗使能”时，即软件配置 WDT_CON 寄存器的 WDTEN 为 1，WDT 计数器载入 WDT_LOAD 寄存器值的 1/4，开始递减计数，当计数到 0 时，窗口计数器加“1” ，并在下 一个计数时钟到来时，计数器再次载入 WDT_LOAD 寄存器值的 1/4，并继续递减计数。当 窗口计数器计数到 2 时（WDT 累计计数为 WDT_LOAD 的一半） ，WDT 产生中断标志。当 窗口计数器计数到 4（WDT 累计计数等于 WDT_LOAD）之前，没有在相应的喂狗窗口期进 行喂狗动作，则 WDT 模块将产生复位信号。配置 WDTCLKS，可以选择计数时钟源；配置 WDT_LOAD 寄存器，可设置计数初值；读取 WDT_VALUE，可得到 WDT 当前计数值。写 入装载值寄存器 WDT_LOAD 时，计数器当前值寄存器被清 0。 WDT 模块支持寄存器写保护，配置寄存器 WDT_LOCK=0x1ACCE551，可去除 WDT 寄存 器的写保护状态，进行被保护寄存器的写操作，否则无法对被保护寄存器写入。 注 1：在 SWD 调试模式下，需要禁止 WDT，否则在调试过程中，WDT 会始终保持工作，可能会产生计数溢出复 位，导致芯片调试异常。 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 253/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 5. 10. 2 特殊功能寄存器 WDT 计数器装载值寄存器（WDT_LOAD） 偏移地址：00H 复位值：11111111_11111111_11111111_11111111B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 LOAD 15 14 13 12 11 10 9 8 7 LOAD LOAD bit31-0 WDT 计数器重载值 计数范围 0x0000_0001~0xFFFF_FFFF。如果为 0，WDT 不计 数。 W WDT 计数器当前值寄存器（WDT_VALUE） 偏移地址：04H 复位值：11111111_11111111_11111111_11111111B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 VALUE 15 14 13 12 11 10 9 8 7 VALUE VALUE bit31-0 WDT 计数器当前值 读取时返回 WDT 计数器的当前计数值 R WDT 控制寄存器（WDT_CON） 偏移地址：08H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 CLKS RSTEN IE EN 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 7 保留 — bit31-4 — — CLKS bit3 R/W WDT 计数时钟选择位 0：PCLK 1：LRC 时钟（约 32KHz） RSTEN bit2 R/W WDT 复位使能位 0：禁止 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 254/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 1：使能，WDT 计数到 0 时，产生复位信号，将芯片复位 IE bit1 EN bit0 R/W WDT 中断使能位 0：禁止 1：使能，WDT 计数到 0 时，产生中断标志 R/W WDT 模块使能位 0：禁止 1：使能 注 1：WDT_CON 寄存器中的各个控制位，仅在配置字 CFG_WORD1 的配置位 CFG_WDTEN=0 时才有效。 WDT 中断标志清除寄存器（WDT_INTCLR） 偏移地址：0CH 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 6 5 4 3 2 1 0 INTCLR 15 14 13 12 11 10 9 8 7 INTCLR INTCLR bit31-0 WDT 中断标志清 0 位 对 WDT_INTCLR 寄存器进行任意写操作，WDT 中断标志位 均被清零，计数器重载 WDT_LOAD 寄存器值，继续递减计数 W WDT 中断标志寄存器（WDT_RIS） 偏移地址：10H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 6 5 4 3 2 1 16 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 7 保留 — bit31-1 WDTIF — — R WDT 中断标志位 0：未产生中断 1：WDT 计数器计数到 0，产生中断 写寄存器 WDT_INTCLR，可清除 WDT 中断标志位 bit0 0 WDTIF WDT 访问使能寄存器（WDT_LOCK） 偏移地址：00H 复位值：00000000_00000000_00000000_00000000B 31 30 29 28 27 26 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 255/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 保留 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 保留 — LOCK bit31-1 bit0 W R/W 3 2 1 0 LOCK 对 WDT_LOCK写 0x1ACCE551 时，位 LOCK 为 0； 写其它值时位 LOCK 为 1 WDT 寄存器保护状态位 0：WDT 寄存器处于未保护状态 1：WDT 寄存器处于保护状态 对 WDT_LOCK 寄存器写入 0x1ACCE551，被保护的寄存器处于 未保护状态；写入其它值，处于保护状态 注 1：WDT_LOCK 寄存器为只写 32 位寄存器，其中仅 LOCK 位可读，该寄存器必须使用字操作访问方式。 注 2：WDT_LOCK 保护的寄存器为 WDT_LOAD，WDT_CON，WDT_INTCLR。 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 256/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 第 6 章 芯片封装图 6. 1 LQFP 48-pin封装图 标号 公制（mm） 英制（inch） MIN NOM MAX MIN NOM MAX A - - 1.60 - - 0.063 A1 0.05 - 0.15 0.002 - 0.006 A2 1.35 1.40 1.45 0.053 0.055 0.057 c 0.09 - 0.20 0.003 - 0.008 D 8.80 9.00 9.20 0.346 0.354 0.362 D1 6.90 7.00 7.10 0.271 0.275 0.279 E 8.80 9.00 9.20 0.346 0.354 0.362 E1 6.90 7.00 7.10 0.271 0.275 0.279 b 0.17 0.22 0.27 0.006 0.008 0.011 e 0.40 0.50 0.60 0.016 0.02 0.024 L 0.45 0.60 0.75 0.018 0.024 0.029 L1 0.85 0.95 1.05 0.033 0.037 0.041 θ1 0° 3.5° 7° 0° 3.5° 7° ccc - - 0.0813 - - 0.0032 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 257/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 6. 2 LQFP 44-pin封装图 标号 公制（mm） 英制（inch） MIN NOM MAX MIN NOM MAX A 1.45 1.55 1.65 0.057 0.061 0.065 A1 0.015 - 0.21 0.0005 - 0.0083 A2 1.30 1.40 1.50 0.050 0.055 0.060 c1 - 0.127 - - 0.005 - D 11.75 12.52 13.30 0.462 0.493 0.524 D1 9.85 9.95 10.05 0.388 0.392 0.396 E 11.75 12.52 13.30 0.462 0.493 0.524 E1 9.85 9.95 10.05 0.388 0.392 0.396 b 0.25 0.30 0.35 0.009 0.012 0.014 e - 0.8 - - 0.032 - L 0.42 - 0.72 0.016 - 0.029 L1 0.95 1.32 1.70 0.037 0.052 0.067 θ 0 - 10° 0 - 10° V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 258/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 6. 3 QFN 32-pin封装图 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 259/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 6. 4 SOP 28-pin封装图 标号 公制（mm） 英制（inch） MIN NOM MAX MIN NOM MAX A 2.30 2.50 2.70 0.090 0.098 0.107 A1 0.10 0.20 0.30 0.003 0.007 0.012 A2 2.10 2.30 2.50 0.082 0.090 0.099 D 17.89 18.09 18.29 0.704 0.712 0.721 E 10.10 10.30 10.50 0.397 0.405 0.414 E1 7.30 7.50 7.70 0.287 0.295 0.304 b - 0.40 - - 0.016 - e - 1.27 - - 0.05 - L 0.75 0.85 0.95 0.029 0.033 0.038 θ 0º - 8º 0º - 8º V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 260/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 附录1 Cortex-M0 内核描述 附录 1.1 Cortex-M0 指令集 Cortex-M0 指令集，基本指令共 56 条，其中 50 条指令为 16 位，6 条指令为 32 位，并有多条 指令可以进行助记符扩展，完成不同功能，如指令运行结果是否影响条件标志位等。 32 位指令是：BL，DSB，DMB，ISB，MRS 和 MSR。 指令中的符号说明： 1）方括号< >，表示括号内的任一种格式的操作数，均可作为指令操作数。 如表示操作数可以是寄存器 Rm，或者立即数#imm。 2）大括号{ }，表示括号内的操作数或符号可选。 如：MOV{S}，表示指令助记符可以是 MOV 或 MOVS，区分该指令是否影响条件标志位。 {Rd,}，表示指令中的目标操作数 Rd 可有可没有，没有时根据不同指令直接确定。 助记符 操作数 描述 影响标志位 ADR Rd,Label 取 Label 地址到寄存器 - LDR Rt,Label 按字读 memory 到 Rt，立即数寻址 - LDR Rt,[Rn,] 按字读 memory 到 Rt，带地址偏移寻址 - LDRB Rt,[Rn,] 按字节读 memory 到 Rt，0 扩展为 32 位 - LDRH Rt,[Rn,] 按半字读 memory 到 Rt，0 扩展为 32 位 - LDRSB Rt,[Rn,Rm] 按字节读 memory 到 Rt，符号位扩展 - LDRSH Rt,[Rn,Rm] 按半字读 memory 到 Rt，符号位扩展 - LDM Rn{!},reglist 批量读 memory 到 reglist，Rn 递增 - STR Rt,[Rn,] 按字写 memory，带地址偏移寻址 - STRB Rt,[Rn,] 按字节写 memory，0 扩展为 32 位 - STRH Rt,[Rn,] 按半字写 memory，0 扩展为 32 位 - STM Rn!,reglist 批量写 memory，Rn 递增 - PUSH Reglist 寄存器压栈 - POP Reglist 寄存器出栈 - MOV{S} Rd, 数据传送 Rd= N,Z 或- MVNS Rd,Rm Rm 按位求反之后传送到 Rd N,Z MRS Rd,spec_reg 读特殊功能寄存器，Rd=spec_reg - MSR Spec_reg,Rm 写特殊功能寄存器，spec_reg=Rm N,Z,C,V 或- ADCS {Rd,}Rn,Rm 带进位加法 N,Z,C,V ADD{S} {Rd,}Rn, 加法 N,Z,C,V 或- RSBS {Rd,}Rn,#0 算术取反，Rd = 0–Rn N,Z,C,V SBCS {Rd,}Rn,Rm 带借位减法，Rd = Rn–Rm–C N,Z,C,V SUB{S} {Rt,}Rn, 不带借位减法 N,Z,C,V 或- ANDS {Rd,}Rn,Rm 按位逻辑与，Rd = Rn&Rm N,Z V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 261/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 指令集续 助记符 操作数 描述 影响标志位 ORRS {Rd,}Rn,Rm 按位逻辑或，Rd = Rn|Rm N,Z EORS {Rd,}Rn,Rm 按位逻辑异或，Rd = Rn^Rm N,Z BICS {Rd,}Rn,Rm 位清除，Rm 为掩码 N,Z ASRS {Rd,}Rn, 算术右移 N,Z,C LSLS {Rd,}Rn, 逻辑左移 N,Z,C LSRS {Rd,}Rn, 逻辑右移 N,Z,C RORS {Rd,}Rn,Rm 循环右移 N,Z,C CMP {Rn,} 比较 N,Z,C,V CMN Rn,Rm 负比较，先将 Rm 取反，再比较 N,Z,C,V MULS Rd,Rn,Rm 乘法，结果为 32 位 N,Z REV Rd,Rm 按字节反转（32 位大小端数据转换） - REV16 Rd,Rm 按半字反转（2 个 16 位大小端数据转换） - REVSH Rd,Rm 低半字反转，按有符号数扩展为 32 位 - SXTB Rd,Rm 低字节，按有符号数扩展到 32 位 - SXTH Rd,Rm 低半字，按有符号数扩展到 32 位 - UXTB Rd,Rm 低字节，零扩展到 32 位 - UXTH Rd,Rm 低半字，零扩展到 32 位 - TST Rd,Rm 位测试 N,Z B{cond} Label （条件）分支短跳转到 Label 所指处 - BL Label 带链接的分支跳转，跳转到 Label 所指处 - BX Rm 分支长跳转 - BLX Rm 带链接分支长跳转，跳转到 Rm 所指处 - CPSID i 屏蔽中断响应，PRIMASK.PM=1 - CPSIE i 允许中断响应，PRIMASK.PM=0 - SVC #imm 管理调用，产生 SVC 异常 - DMB - 数据存储器访问隔离 - DSB - 数据同步隔离 - ISB - 指令同步隔离 - SEV - 触发事件 - WFE - 等待事件 - WFI - 等待中断 - BKPT #imm 断点 - NOP - 空操作 - 注 1：指令 CPSID 和 CPSIE，分别用于禁止和允许中断请求，指令操作码相同，只是操作数不同，实际为一条指令。 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 262/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 附录 1.2 Cortex-M0 内核寄存器 Cortex-M0 内核寄存器如下图所示： 图 6-1 内核寄存器 附录 1.2.1 通用寄存器R0~R12 R0~R12 为 32 位通用寄存器，用于数据操作。 附录 1.2.2 堆栈指针寄存器SP（R13） Cortex-M0 内核有两个堆栈指针 MSP 和 PSP，但两者不能同时使用，具体使用的堆栈指针与 进程模式有关。在线程模式下，配置 CONTROL 寄存器的 SPSEL 位，可选择当前使用的堆栈 指针。编写指令时，两个堆栈指针均可通过 R13 或 SP 调用，访问当前正在使用的堆栈指针， 也可通过 MRS/MSR 指令访问指定的堆栈指针。 主堆栈指针（MSP） ：或写作 SP_main，主要由操作系统内核，异常/中断服务程序，以及其它 被授权访问的应用程序来使用，芯片复位后缺省使用主堆栈指针。 进程堆栈指针（PSP） ：或写作 SP_process，在线程模式下，用户可选用进程堆栈指针；但在 异常/中断服务程序中不能选用进程堆栈指针。 堆栈指针的最低两位始终是 0，即堆栈总是字（4 个字节）对齐的。 对应用程序，通常只需使用主堆栈指针 MSP，并且 PUSH 和 POP 指令也默认使用 MSP。 堆栈由一块地址连续的存储器空间，和一个栈顶指针组成，实现“先进后出”操作的缓冲区， 常用于在异常/中断处理前后，保存和恢复一些关键寄存器的值。堆栈操作示意图如下： V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 263/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 压栈保护操作 退栈恢复操作 PUSH POP 寄存器当前值 寄存器的值被恢复 数据处理 （寄存器的值被破坏） SP 堆栈存储器 堆栈存储器 图 6-2 堆栈操作示意图 附录 1.2.3 链接寄存器LR（R14） 链接寄存器 LR，也称为寄存器 R14，用于在调用子程序时存储返回地址。例如，当执行 BL 指 令时，硬件电路会自动将下一条指令的地址保存到寄存器 LR。 附录 1.2.4 程序计数器PC（R15） 程序计数器 PC，也称为寄存器 R15。Cortex-M0 内核使用了指令流水线，所以读 PC 时，得 到的值是当前指令的地址加 4。 如果对 PC 进行写操作，会产生程序跳转（但不更新 LR 寄存器） ，新写入的值即为程序跳转目 的地址。Cortex-M0 中的指令至少是半字对齐的，所以 PC 的 LSB 位始终读取为 0。但无论是 直接写 PC 还是使用跳转指令， 都必须保证加载到 PC 的值 LSB 位为 1， 用于表示这是在 Thumb 模式下执行指令，否则会被视为企图转入 ARM 模式，Cortex-M0 内核将产生一个 Fault 异常。 附录 1.2.5 程序状态寄存器xPSR 程序状态寄存器 xPSR，根据其各个状态位的功能，又划分为三个子状态寄存器：应用程序状 态寄存器 APSR，中断服务程序状态寄存器 IPSR，执行程序状态寄存器 EPSR。 通过 MRS/MSR 指令，可对 3 个子状态寄存器进行单独访问，也可以同时访问其中 2 个或 3 个子状态寄存器。寄存器名称 IAP_STAR 表示同时访问 IPSR 和 APSR；寄存器名称 EAPSR 表示同时访问 EPSR 和 APSR；寄存器名称 IEPSR 表示同时访问 IPSR 和 EPSR；寄存器名 称 XPSR 表示同时访问 3 个子状态寄存器。 程序状态寄存器 xPSR 及其 3 个子状态寄存器的状态位划分如下表所示： 31 30 29 28 27:25 24 23:6 5:0 xPSR N Z C V Reserved T Reserved Exception Number APSR N Z C V IPSR EPSR Reserved Exception Number Reserved Reserved T Reserved 应用程序状态寄存器 APSR 中的各个状态位，用于说明指令执行结果，各状态位描述如下： V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 264/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C N：负数标志。指令执行结果为负数时，标志位 N=1，否则 N=0。 Z：零标志。指令执行结果为零时，标志位 Z=1，否则 Z=0。对比较指令，如果被比较的 两个数相等，则 Z=1。 C：进位或借位标志。 对加法指令，如果执行结果有进位（结果≥232） ，则 C=1，否则 C=0； 对减法指令，如果执行结果无借位（结果≥0） ，则 C=1，否则 C=0； 对移位循环指令，取决于移位到 C 标志的数据位。 V：溢出标志。 两个负数相加，结果为正数（bit=0）时溢出，则 V=1，否则 V=0； 两个正数相加，结果为负数（bit=1）时溢出，则 V=1，否则 V=0； 负数减去正数，结果为正数（bit=0）时溢出，则 V=1，否则 V=0； 正数减去负数，结果为负数（bit=1）时溢出，则 V=1，否则 V=0。 中断服务程序状态寄存器 IPSR 中的状态位，用于表示正在处理的异常/中断号，目前正在执行 异常/中断服务程序；如果 IPSR=0，则表示目前是线程模式，未进行异常/中断处理。 执行程序状态寄存器 ESPR 中的 T 状态位，用于表示处理器是否处于 Thumb 模式。由于 Cortex-M0 处理器只支持 Thumb 模式，T 状态位应该始终为 1，如果将 T 位写为 0，会产生 HardFault 异常。使用 MRS 指令读取寄存器 EPSR 时，返回值为 0；如果使用 MSR 指令向 EPSR 写数据，写操作会被忽略。 附录 1.2.6 异常/中断屏蔽寄存器PRIMASK 异常/中断屏蔽寄存器 PRIMASK，可用于处理器屏蔽所有的异常/中断处理。 PRIMASK 31:1 0 Reserved PM 当屏蔽位 PM=1 时，禁止处理器响应所有可屏蔽异常/中断，不可屏蔽中断 NMI 除外。当 PM=0 时，不影响处理器对异常/中断的正常响应。 可以使用 MRS 和 MSR 指令访问 PRIMASK 寄存器，还可以使用专用的 CPSID 和 CPSIE 指 令来设置寄存器中的 PM 位。 附录 1.2.7 控制寄存器CONTROL 控制寄存器 CONTROL，可用于在线程模式下，选择所使用的堆栈指针。 CONTROL 31:2 1 0 Reserved SPSEL Reserved 当堆栈指针选择位 SPSEL=0 时，选择 MSP（SP_main）作为当前堆栈指针；当 SPSEL=1 时， 选择 PSP（SP_process）作为当前堆栈指针。 在异常/中断处理模式下，总是使用 MSP 作为堆栈指针，SPSEL=0，且只读，不可写；处理器 硬件电路会在异常/中断处理程序入口和返回时，对 SPSEL 位进行更新，确保进入异常/中断处 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 265/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 理程序后，使用 MSP 作为堆栈指针，并在返回时恢复线程模式下的选择。在线程模式下，可 配置 SPSEL，选择当前使用的堆栈指针。 通过 MRS/MSR 指令可访问两个的堆栈指针。在修改 SPSEL 位的指令后，需立即执行 ISB（指 令同步隔离）指令，确保在 SPSEL 位修改完成，新的堆栈指针生效后，才会执行后续其它指 令。 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 266/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 附录2 电气特性 附录 2.1 参数特性表 附录 2.1.1 芯片工作条件  最大标称值 参数 符号 条件 VDD VSS=0V -0.3 ~ 7.5 V 管脚输入电压 VIN VSS=0V -0.3 ~ VDD + 0.3 V 管脚输出电压 VOUT VSS=0V -0.3 ~ VDD + 0.3 V VDD 管脚最大输入电流 IMAXVDD VDD=5.0V，25℃ 100 mA VSS 管脚最大输出电流 IMAXVSS VDD=5.0V，25℃ 120 mA TSTG － -55 ~ 125 ℃ 电源电压 芯片存储温度 标称值 单位 注 1：上述最大标称值参数为芯片工作条件的极限参数范围，超出该范围，可能会导致芯片永久性物理损坏； 注 2：芯片需在正常工作条件下，才能保证持续稳定运行，对芯片的正常工作条件，参见下面的表格所述。  芯片工作条件表 参数 符号 工作条件 最小值 最大值 单位 芯片工作温度 TOPR － -40 85 ℃ 芯片工作电压 VDD － 2.2 5.5 V AHB 总线频率 FHCLK － 0 48 MHz APB 总线频率 FPCLK － 0 48 MHz  芯片功能模块工作电压范围表 参数 ADC 工作电压 LCD 工作电压 符号 VADC VLCD V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 工作温度 VDD 电压 备注 2.2~5.5V 正向参考电压为 VDD 或内部 VREFP 1.8V 2.8~5.5V 正向参考电压为内部 VREFP 2.6V 2.2~5.5V - -40 ~ 85℃ -40 ~ 85℃ 267/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 附录 2.1.2 芯片特性参数测量方法  芯片功耗参数测量方法 VDD A VDD + V - HR8P506 VSS DC电源 图 6-3 芯片功耗测量连接示意图  芯片 IO 端口参数测量方法 I I + A IO端口（输出低电平） - - IO端口（输出高电平） + + + V DC电源 A - V DC电源 HR8P506 - HR8P506 测量VOH/IOH 测量VOL/IOL 图 6-4 芯片 IO 端口输出特性参数测量连接示意图 附录 2.1.3 芯片功耗特性  芯片功耗特性参数表 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 芯片供电电压 VDD 2.2 － 5.5 V -40℃ ~ 85℃ μA 25℃，上电复位，VDD = 5V，所有的 I/O 端口输入 低电平，MRSTN=0。 μA 25℃，VDD = 5V， BOR 不使能，WDT 不使能， RTC 不使能，ADC buffer 被 bypass，所有 I/O 端口 输出固定电平，无负载。 mA 25℃，VDD = 5V， BOR 不使能，WDT 不使能， RTC 不使能，ADC buffer 被 bypass，所有 I/O 端口 输出固定电平，无负载； 芯片静态电流 深度睡眠模式 下芯片电流 浅睡眠模式下 芯片电流 IDD IPD1 IPD2 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 － － － 300 5 1.2 － － － 工作条件 268/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 系统主时钟为内部 16MHz RC 时钟。 － IPD3 1.4 － IOP1 3.5 － － mA 25℃，VDD = 5V， BOR 不使能，WDT 不使能， RTC 不使能，ADC buffer 被 bypass，所有 I/O 端口 输出固定电平，无负载； 系统主时钟为外部 20MHz HS 时钟。 mA 25℃，VDD = 5V，BOR 使能，WDT 使能，外设模 块均工作，所有 I/O 端口 输出固定电平，无负载， 7816 通讯时钟管脚，作为 普通 I/O，无时钟输出， ADC 使用内部 VREFP 作 为参考电压；系统主时钟 为内部 16MHz RC 时钟。 正常运行模式 芯片电流 － IOP2  4.3 － mA 25℃，VDD = 5V，BOR 使能，WDT 使能，外设模 块均工作，所有 I/O 端口 输出固定电平，无负载， 7816 通讯时钟管脚，作为 普通 I/O，无时钟输出， ADC 使用内部 VREFP 作 为参考电压；系统主时钟 为外部 16MHz HS 时钟。 芯片功能模块功耗特性参数表 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 工作条件 外部振荡器 XTAL 16MHz 电流 IXTAL － 1.0 － mA 25℃，VDD = 5V 内部高速时钟 HRC 电流 IHRC － 0.2 － mA 25℃，VDD = 5V BOR 模块电流 IBOR － 0.3 － μA 25℃，VDD = 5V LVD 模块电流 ILVD － 0.3 － μA 25℃，VDD = 5V WDT 模块电流 IWDT － 0.2 － μA 25℃，VDD = 5V ADC 模块电流 IADC1 － 850 － μA 25℃，VDD = 5V，ADC 转 换时钟频率为 500KHz，内 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 269/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 部 VREFP 作为正向参考电 压 VREFP 模块电流 IADC2 － 350 － μA 25℃，VDD = 5V，ADC 转 换时钟频率为 500KHz， VDD 作为正向参考电压 IVREFP － 500 － μA 25℃，VDD = 5V LCDC 模块电流 ILCDC － 25 － μA 25℃，VDD = 5V，1/4 偏 置，帧频率 64Hz，内部偏 压电阻为 60K 与 900K 欧姆 自动切换，60K 欧姆电阻保 持时间为 1/4COM 周期， 无外接 LCD 屏 RTC 模块电流 IRTC － 0.5 － μA 25℃，VDD = 5V，RTC 时 钟源为外部 32.768KHz 振 荡器，精确计时模式 T16N 模块电流 IT16N － 80 － μA 25℃，VDD = 5V，定时器 模式，计数时钟为 16MHz T32N 模块电流 IT32N － 80 － μA 25℃，VDD = 5V，定时器 模式，计数时钟为 16MHz UART 模块电流 IUART － 100 － μA 25℃，VDD = 5V，通讯波 特率为 9600bps EUART 模块电流 IEUART － 100 － μA 25℃，VDD = 5V，通讯波 特率为 9600bps μA 25℃，VDD = 5V，主控模 式，通讯速率为 1MHz，数 据帧发送间隔为 32 个通讯 时钟周期 25℃，VDD = 5V，主控模 式，通讯速率为 400KHz， 数据帧传输间隔为 15 个通 讯时钟周期 SPI 模块电流 ISPI － 50 － II2C － 50 － μA FLASH 编程电流 IPROG － － 4 mA FLASH 擦除电流 IERAS － － 4 mA I2C 模块电流 -40~85℃，VDD = 5V 附录 2.1.4 芯片IO端口特性  芯片输入端口特性表 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 270/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 芯片工作温度范围：-40℃ ~ 85℃ 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 I/O 端口输入高电平 VIH1 0.8VDD － VDD V I/O 端口输入低电平 VIL1 VSS － 0.2VDD V 主复位信号，输入高电平 VIH 0.8VDD － VDD V 主复位信号，输入低电平 VIL VSS － 0.2VDD V IO 端口施密特迟滞窗口 VHYST － 0.8 － V VDD = 5.0V I/O 端口输入漏电流 IIL － － 1 μA VDD = 5.0V （端口高阻状态） IO 端口弱上拉电阻 RWPU 35 45 60 kΩ VDD = 5.0V Vpin = VSS IO 端口弱下拉电阻 RWPD 25 35 50 kΩ VDD = 5.0V Vpin = VDD  测试条件 2.2V≤VDD≤5.5V 芯片输出端口（PA0~PA5，PA14~PA31，PB0~PB13）特性表 芯片工作温度范围：-40℃ ~ 85℃ 参数 符号 最小值 典型值 最大值 I/O 端口（普通驱动）输出 高电平 IOH1 -5.0 － － I/O 端口（大电流驱动）输 出高电平 IOH2 -8.0 － － I/O 端口（普通驱动）输出 低电平 IOL1 6 － － I/O 端口（大电流驱动）输 出低电平 IOL2  10 － 单位 测试条件 mA VDD = 5.0V VOH = 4.6V mA VDD = 5.0V VOL = 0.4V 单位 测试条件 mA VDD = 5.0V VOH = 4.6V mA VDD = 5.0V VOL = 0.4V － 芯片输出端口（PA6~PA13）特性表 芯片工作温度范围：-40℃ ~ 85℃ 参数 符号 最小值 典型值 最大值 I/O 端口（普通驱动）输出 高电平 IOH1 -3.5 － － I/O 端口（大电流驱动）输 出高电平 IOH2 -4.5 － － I/O 端口（普通驱动）输出 低电平 IOL1 10 － － I/O 端口（大电流驱动）输 出低电平 IOL2 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 40 － － 271/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 附录 2.1.5 芯片系统时钟特性  系统时钟规格表 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 系统时钟频率 FOSC － － 48M Hz 系统时钟周期 TOSC 20.8 － － ns 机器周期 Tinst 41.6 － － ns 外部时钟高电平和 低电平时间 TOSL，TOSH 20 － － ns 外部时钟边沿上升 和下降时间 TOSR，TOSF － － 8 ns 测试条件 -40℃ ~ 85℃ 2.2V≤VDD≤5.5V 附录 2.1.6 芯片功能模块特性  ADC 模块特性表 参数名称 符号 最小值 典型值 最大值 单位 RES － － 12 bit VADVREF 1.8 － VDD V 模拟电压输入范围 VIN VSS － VADVREF V 输入电容 CIN － 40 － pF 模拟通道推荐输入电阻 RIN － － 10k Ω TAD1 1 － － μs TAD2 0.5 － － μs AD 转换时间（不包括采 样时间） TCONV － 14 － TAD 差分线性度 DNL － ±1 ±2 LSB VOFFSET － 2 4 LSB 分辨率 参考电压范围 AD 转换时钟周期 失调误差 测试条件 见备注 -40℃~85℃ 注 1：该参数均为设计规格，未经过实际芯片测试；设计条件为-40℃~85℃。 注 2：TAD1 为 ADC 使用内部 VREFP 作为参考电压时的 AD 转换时钟周期； TAD2 为 ADC 使用其工作电压或外部 AVREFP 作为参考电压时的 AD 转换时钟周期。  ADC 转换时钟源选择表 A/D 时钟源 选择 系统时钟工作频率（Hz） （VREFP=2’b01 或 V2’b10，使用内部 VREFP 作为正向参考电压） 48M 32M 16M 4M FPCLK 不推荐使用 不推荐使用 不推荐使用 不推荐使用 FPCLK /2 不推荐使用 不推荐使用 不推荐使用 不推荐使用 FPCLK /4 不推荐使用 不推荐使用 不推荐使用 TADCLK = 1us V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 272/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C A/D 时钟源 选择 系统时钟工作频率（Hz） （VREFP=2’b01 或 V2’b10，使用内部 VREFP 作为正向参考电压） 48M 32M 16M 4M FPCLK /8 不推荐使用 不推荐使用 不推荐使用 TADCLK = 2us FPCLK /16 不推荐使用 不推荐使用 TADCLK = 1us TADCLK = 4us FPCLK /32 不推荐使用 TADCLK = 1us TADCLK = 2us TADCLK = 8us FPCLK /64 TADCLK = 1.3us TADCLK = 2us TADCLK = 4us TADCLK = 16us FPCLK /256 TADCLK = 5.3us TADCLK = 8us TADCLK = 16us TADCLK = 64us FLRC TADCLK = 31us TADCLK = 31us TADCLK = 31us TADCLK = 31us A/D 时钟源 选择 系统时钟工作频率（Hz） （VREFP=2’b00 或 V2’b11，使用 VDD，或外部 AVREFP 作为正向参考电压） 48M 32M 16M 4M FPCLK 不推荐使用 不推荐使用 不推荐使用 不推荐使用 FPCLK /2 不推荐使用 不推荐使用 不推荐使用 TADCLK = 0.5us FPCLK /4 不推荐使用 不推荐使用 不推荐使用 TADCLK = 1us FPCLK /8 不推荐使用 不推荐使用 TADCLK = 0.5us TADCLK = 2us FPCLK /16 不推荐使用 TADCLK = 0.5us TADCLK = 1us TADCLK = 4us FPCLK /32 TADCLK = 0.67us TADCLK = 1us TADCLK = 2us TADCLK = 8us FPCLK /64 TADCLK = 1.3us TADCLK = 2us TADCLK = 4us TADCLK = 16us FPCLK /256 TADCLK = 5.3us TADCLK = 8us TADCLK = 16us TADCLK = 64us FLRC TADCLK = 31us TADCLK = 31us TADCLK = 31us TADCLK = 31us  ADC 内部参考电压特性表 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件 ADC 内部参考电压 VREF VREF － 1.8/2.6 － V 25℃，VDD=5V  内部时钟源特性表 参数 HRC 时钟频率 HRC 起振时间 LRC 时钟频率 符号 最小值 典型值 最大值 单位 15.84 16 16.16 MHz 25℃， VDD=2.2V~5.5V 15.52 16 16.48 MHz -40℃~85℃， VDD=2.2V~5.5V － 30 － us 见备注 28.8 32 35.2 KHz 25℃， VDD=2.2V~5.5V 12.8 32 51.2 KHz -40℃~85℃， VDD=2.2V~5.5V FHRC THRC FLRC V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 测试条件 273/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C LRC 起振时间 － TLRC － 800 us 见备注 注：THRC 和 TLRC 均为设计规格，未经过实际芯片测试；设计条件为-40℃~85℃。  PLL 锁相环特性表 参数 时钟源 选择为 32KHz 时钟源 选择为 4MHz 符号 最小值 典型值 最大值 单位 FPLLI1 25 32 38 KHz FPLLO1 25.6 32.768 38.912 FPLLO2 38.4 49.152 58.368 PLL 锁频时间 TLOCK1 － － 120 us PLL 输入时钟频率 FPLLI2 3.2 4 4.8 MHz FPLLO3 25.6 32 38.4 FPLLO4 38.4 48 57.6 TLOCK2 － － 2.4 PLL 输入时钟频率 PLL 倍频输出时钟频率 PLL 倍频输出时钟频率 PLL 锁频时间 MHz MHz ms 测试条件 -40~85℃ 见备注 -40~85℃ 见备注 注：PLL 的锁频时间 TLOCK1 和 TLOCK2 均为设计规格，未经过实际芯片测试；设计条件为-40~85℃。  BOR 模块特性表 CFG_BORV 最小值 典型值 最大值 单位 00 － 3.7 － V 01 － 2.5 － V 10 － 2.1 － V 11 － － － V 测试条件 -40~85℃ 注：当 CFG_BORV=11 时，BOR 电压点由寄存器 SCU_SOFTCFG 的 BORV进行设置，具体见 该寄存器的描述，由软件选择的各 BOR 电压点为设计规格，未经过批量芯片测试，设计条件为-40~85℃。  LVD 模块特性表 最小值 典型值 最大值 单位 0000 － 2.0 － V 0001 － 2.1 － V 0010 － 2.2 － V 0011 － 2.4 － V 0100 － 2.6 － V 0101 － 2.8 － V 0110 － 3.0 － V 0111 － 3.6 － V LVD_VS VDD 下降， LVDO 低电压 状态标志置 1 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 测试条件 -40~85℃ 274/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 1000 － 4.0 － V 1001 － 4.6 － V 1010 － 2.3 － V LVD 电压检测迟滞窗口 － 40 － mV -40~85℃ 附录 2.2 参数特性图 本节中所列图示未经过量产测试，仅作为设计参考之用。其中部分图示中所列的数据已超出指 定的操作范围，此类信息也仅供参考，芯片只保证在指定的范围内正常工作。 附录 2.2.1 芯片功耗特性  芯片深度睡眠模式电流随电压-温度变化特性图（WDT，BOR 不使能，RTC 不使能， ADC buffer 被 bypass，所有 I/O 端口输出固定电平，无负载） 20 18 16 14 12 -40℃ 25℃ 85℃ 10 8 6 4 2 0 2.5  3.3 5.0 5.5 芯片浅睡眠模式电流随电压-温度变化特性图（WDT，BOR 不使能，RTC 不使能，ADC buffer 被 bypass，所有 I/O 端口输出固定电平，无负载；系统主时钟为内部 HRC 16MHz 时钟） V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 275/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 1.6 1.4 Ipd2(mA) 1.2 1.0 -40℃ 25℃ 85℃ 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 2.5 3.3 5.0 5.5 VDD(V)  芯片运行模式电流随电压-温度变化特性图（WDT，BOR 使能，外设模块均工作，所有 I/O 端口输出固定电平，无负载，7816 通讯时钟管脚作为普通 I/O，无时钟输出，ADC 使用内部 VREFP 作为正向参考电压；系统主时钟为内部 HRC 16MHz 时钟） 4.0 3.5 Iop1(mA) 3.0 2.5 -40℃ 25℃ 85℃ 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 2.5V 3.5V 5.0V 5.5V VDD(V)  芯片运行模式电流随电压-系统时钟频率变化特性图（WDT，BOR 使能，外设模块均工 作，所有 I/O 端口输出固定电平，无负载，7816 通讯时钟管脚作为普通 I/O，无时钟输 出，ADC 使用内部 VREFP 作为正向参考电压；室温 25℃） V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 276/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 8.0 7.0 Iop2(mA) 6.0 PLL HRC HRC HRC HRC HRC HRC LRC 5.0 4.0 3.0 2.0 48MHz 16MHz 8MHz 4MHz 2MHz 1MHz 125KHz 32KHz 1.0 0.0 2.5V 3.5V 5.0V 5.5V VDD(V) 注 1：系统时钟为 PLL 48MHz 时，PLL 的输入时钟源为内部 HRC 时钟； 附录 2.2.2 芯片IO端口输入特性  I/O 端口信号输入特性图（室温 25℃） IO端口输入施密特窗口特性 Vi(V) 4.0 3.5 3.0 输入高电平 2.5 2.0 1.5 施密特窗口 VIHth VILth 输入低电平 1.0 0.5 0.0 2.5 3.5 5.0 5.5 VDD(V) 注 1：VIHth 为施密特窗口的上阈值电平，大于该阈值的输入电平为高； 注 2：VILth 为施密特窗口的下阈值电平，小于该阈值的输入电平为低； 注 3：VIHth 和 VILth 之间为施密特窗口，在窗口内的输入电平不确定，可能为高或低；  I/O 端口最大输入低电平随电压-温度变化特性图 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 277/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 3.5 VILmax(V) 3 2.5 -40℃ 25℃ 85℃ 2 1.5 1 0.5 2.5 3.5 5.0 5.5 VDD(V)  I/O 端口最小输入高电平随电压-温度变化特性图 2.5 VIHmin(V) 2.1 -40℃ 25℃ 85℃ 1.7 1.3 0.9 0.5 2.5 3.5 5.0 5.5 VDD(V)  I/O 端口弱上拉电阻随电压-温度变化特性图 120.00 Rwpu(kΩ) 100.00 80.00 -40℃ 25℃ 85℃ 60.00 40.00 20.00 0.00 2.5 3.5 5.0 5.5 VDD(V)  I/O 端口弱下拉电阻随电压-温度变化特性图 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 278/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 120.00 100.00 Rwpd(kΩ) 80.00 -40℃ 25℃ 85℃ 60.00 40.00 20.00 0.00 2.5 3.5 5.0 5.5 VDD(V) 附录 2.2.3 芯片IO端口输出特性（普通驱动，PA6~PA13 端口除外）  VOH vs IOH@VDD=2.5V（普通驱动端口） VDD=2.5V IOH(mA) -40℃ 25℃ 85℃ 7 6 5 4 3 2 1 0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 VOH(V)  VOL vs IOL@VDD=2.5V（普通驱动端口） V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 279/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C VDD=2.5V -40℃ 25℃ 85℃ 8 7 IOL(mA) 6 5 4 3 2 1 0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 VOL(V)  VOH vs IOH@VDD=3.5V（普通驱动端口） VDD=3.5V -40℃ 25℃ 85℃ 25 IOH(mA) 20 15 10 5 0 0 1 2 3 4 VOH(V)  VOL vs IOL@VDD=3.5V（普通驱动端口） V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 280/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C VDD=3.5V 25℃ -40℃ 85℃ 25 IOL(mA) 20 15 10 5 0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 VOL(V)  VOH vs IOH@VDD=5.0V（普通驱动端口） VDD=5.0V -40℃ 25℃ 85℃ IOH(mA) 40 30 20 10 0 0 1 2 3 4 5 6 VOH(V)  VOL vs IOL@VDD=5.0V（普通驱动端口） V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 281/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C VDD=5.0V -40℃ 25℃ 85℃ 35 30 IOL(mA) 25 20 15 10 5 0 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 VOL(V)  VOH vs IOH@VDD=5.5V（普通驱动端口） VDD=5.5V IOH(mA) -40℃ 25℃ 85℃ 50 45 40 35 30 25 20 15 10 5 0 0 1 2 3 4 5 6 VOH(V)  VOL vs IOL@VDD=5.5V（普通驱动端口） V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 282/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C VDD=5.5V -40℃ 25℃ 85℃ IOL(mA) 40 35 30 25 20 15 10 5 0 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 VOL(V) 附录 2.2.4 芯片IO端口输出特性（大电流驱动，PA6~PA13 端口除外）  VOH vs IOH@VDD=2.5V（大电流驱动端口） VDD=2.5V -40℃ 25℃ 85℃ 10 IOH(mA) 8 6 4 2 0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 VOH(V)  VOL vs IOL@VDD=2.5V（大电流驱动端口） V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 283/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C VDD=2.5V -40℃ 25℃ 85℃ 14 12 IOL(mA) 10 8 6 4 2 0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 VOL(V)  VOH vs IOH@VDD=3.5V（大电流驱动端口） VDD=3.5V -40℃ 25℃ 85℃ 35 30 IOH(mA) 25 20 15 10 5 0 0 1 2 3 4 VOH(V)  VOL vs IOL@VDD=3.5V（大电流驱动端口） V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 284/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C VDD=3.5V -40℃ 25℃ 85℃ 40 IOL(mA) 35 30 25 20 15 10 5 0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 VOL(V)  VOH vs IOH@VDD=5.0V（大电流驱动端口） VDD=5.0V -40℃ 25℃ 85℃ 60 IOH(mA) 50 40 30 20 10 0 0 1 2 3 4 5 6 VOH(V)  VOL vs IOL@VDD=5.0V（大电流驱动端口） V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 285/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C VDD=5.0V -40℃ 25℃ 85℃ 70 60 IOL(mA) 50 40 30 20 10 0 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 5 6 VOL(V)  VOH vs IOH@VDD=5.5V（大电流驱动端口） VDD=5.5V -40℃ 25℃ 85℃ 70 60 IOH(mA) 50 40 30 20 10 0 0 1 2 3 4 VOH(V)  VOL vs IOL@VDD=5.5V（大电流驱动端口） V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 286/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C VDD=5.5V -40℃ 25℃ 85℃ 70 60 IOL(mA) 50 40 30 20 10 0 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 VOL(V) 附录 2.2.5 芯片IO端口输出特性（普通驱动，PA6~PA13 端口）  VOH vs IOH@VDD=2.5V（普通驱动端口） VDD=2.5V -40℃ 25℃ 85℃ 7 6 IOH(mA) 5 4 3 2 1 0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 VOH(V)  VOL vs IOL@VDD=2.5V（普通驱动端口） V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 287/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C VDD=2.5V -40℃ 25℃ 85℃ 1.0 1.5 2.0 12 IOL(mA) 10 8 6 4 2 0 0.0 0.5 2.5 VOL(V)  VOH vs IOH@VDD=3.5V（普通驱动端口） VDD=3.5V -40℃ 25℃ 85℃ 25 IOH(mA) 20 15 10 5 0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 VOH(V)  VOL vs IOL@VDD=3.5V（普通驱动端口） V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 288/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C VDD=3.5V -40℃ 25℃ 85℃ 30 IOL(mA) 25 20 15 10 5 0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 VOL(V)  VOH vs IOH@VDD=5.0V（普通驱动端口） VDD=5.0V -40℃ 25℃ 85℃ 40 35 IOH(mA) 30 25 20 15 10 5 0 0 1 2 3 4 5 6 VOH(V)  VOL vs IOL@VDD=5.0V（普通驱动端口） V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 289/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C VDD=5.0V -40℃ 25℃ 85℃ 50 IOL(mA) 40 30 20 10 0 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 VOL(V)  VOH vs IOH@VDD=5.5V（普通驱动端口） VDD=5.5V -40℃ 25℃ 85℃ 50 IOH(mA) 40 30 20 10 0 0 1 2 3 4 5 6 VOH(V)  VOL vs IOL@VDD=5.5V（普通驱动端口） V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 290/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C VDD=5.5V 25℃ -40℃ 85℃ 60 IOL(mA) 50 40 30 20 10 0 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 VOL(V) 附录 2.2.6 芯片IO端口输出特性（大电流驱动，PA6~PA13 端口）  VOH vs IOH@VDD=2.5V（大电流驱动端口） VDD=2.5V -40℃ 25℃ 85℃ 10 IOH(mA) 8 6 4 2 0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 VOH(V)  VOL vs IOL@VDD=2.5V（大电流驱动端口） V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 291/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C VDD=2.5V -40℃ 25℃ 85℃ 70 60 IOL(mA) 50 40 30 20 10 0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 VOL(V)  VOH vs IOH@VDD=3.5V（大电流驱动端口） VDD=3.5V -40℃ 25℃ 85℃ 35 30 IOH(mA) 25 20 15 10 5 0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 VOH(V)  VOL vs IOL@VDD=3.5V（大电流驱动端口） V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 292/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C VDD=3.5V -40℃ 85℃ 25℃ 180 IOL(mA) 150 120 90 60 30 0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 VOL(V)  VOH vs IOH@VDD=5.0V（大电流驱动端口） VDD=5.0V -40℃ 25℃ 85℃ 60 IOH(mA) 50 40 30 20 10 0 0 1 2 3 4 5 6 VOH(V)  VOL vs IOL@VDD=5.0V（大电流驱动端口） V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 293/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C VDD=5.0V -40℃ 25℃ 85℃ 3.0 4.0 300 250 IOL(mA) 200 150 100 50 0 0.0 1.0 2.0 5.0 VOL(V)  VOH vs IOH@VDD=5.5V（大电流驱动端口） VDD=5.5V -40℃ 25℃ 85℃ 70 60 IOH(mA) 50 40 30 20 10 0 0 1 2 3 4 5 6 VOH(V)  VOL vs IOL@VDD=5.5V（大电流驱动端口） V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 294/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C VDD=5.5V -40℃ 25℃ 85℃ 300 IOL(mA) 250 200 150 100 50 0 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 VOL(V) V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 295/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 附录3 编程调试接口 附录 3.1 概述 为方便应用程序及实际系统调试，芯片内部集成 ISP 在线编程接口和 SWD 串行调试接口，通 过上海东软载波微电子有限公司授权的 ISP 编程器、SWD 调试器可实现芯片在线编程、仿真 调试功能。 芯片 ISP 和 SWD 功能模块共用 5 线接口配置，即电源线 VDD、地线 VSS、复位线 MRSTN、 时钟线 ISCK 和数据线 ISDA。 附录 3.2 ISP 编程接口 附录 3.2.1 通信协议 ISP 接口协议采用两线制半双工通信协议，每个信息块包含 n 个数据信息位，以及起始位和 停止位。烧录器为主控设备，ISCK 时钟由烧录器发送；芯片为受控设备。如下图示： Thds Tck Tstud Tstup Thdd ISCK Bitn-1 ISDA Bitn-2 bit1 bit0 S 注：ISCK为高电平时ISDA的下降沿为起始位 ISCK为高电平时ISDA的上升沿为停止位 parameter Thds：起始位SCK保持时间 Thds Tck：串行时钟周期 Tck Tstud：串行数据建立时间 Tstud Thdd Thdd：串行数据保持时间 Tstup Tstup：停止位SCK建立时间 P max type min 20ns 100ns 20ns 20ns 20ns ISP 在线编程接口有两组端口可用，即 PA0/PA1 和 PA14/PA15，通过其中一组进入 ISP 模式后， 另一组 ISP 端口被自动关闭。 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 296/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 附录 3.2.2 操作流程 开始 上电复位 解锁校验 ISP模式 查空 非空 擦除 空 程序存储器编程 程序存储器校验 配置字编程 配置字校验 加密？ 是 加密字编程 否 结束 附录 3.3 SWD 调试接口 附录 3.3.1 概述 SWD 是 Cortex-M0 内核自带的串行调试接口，与 ARM 的 CoreSight 调试技术兼容。 芯片通过 SWD 调试器完成调试程序（需通过配置字控制位 CFG_DEBUG，使能调试模式） 下载，然后重新上电，芯片的 SWDIO（复用为 ISDA）和 SWCLK（复用为 ISCK）端口功能 可用。 SWCLK：串行时钟输入端口，提供 SWD 串行通讯时钟。 SWDIO：串行数据输入/输出端口。 两个 SWD 端口，PA0/PA1 和 PA14/PA15，可通过芯片配置字 CFG_WORD0 的 DEBUG_S 和 CFG_DEBUG 控制位来设定。 当 CFG_DEBUG 控制位设定为 10，使能调试模式时， PA0/PA1 和 PA14/PA15 被强制为 SWD 调试端口，其他外设资源无法使用该端口。若 DEBUG_S 控制位为 0，选择 PA14/PA15 调试 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 297/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 口；若 DEBUG_S 控制位为 1，选择 PA0/PA1 调试口。 附录 3.3.2 SWD特性 SWD 调试功能可分为侵入式调试和非侵入式调试两部分。 侵入式调试  停机  单步执行  硬件断点（支持 4 个硬件断点）  软件断点（支持 BKPT 指令）  修改程序指针 PC 值  数据观察点 DWT （Data Watchpoint and Trace，只支持 Watchpoint 功能，不支持 Trace 功能）  内部寄存器和 RAM 存储器的读写访问操作  矢量捕捉（包括 Reset 和 HardFault 异常的捕捉） 非侵入式调试  程序指针 PC 值采样 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 298/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 附录4 LCD 驱动波形 附录 4.1 概述 因为要产生 LCD 波形，所以不透明像素上的净 AC 电压应该是最大值，而透明像素上的净 AC 电压应该是最小值。任何像素上的净 DC 电压应该为零。COM 信号表示每个公共端的时间片， 而 SEG 中包含像素数据。 像素信号（COM-SEG）中不包含 DC 分量，并且只可取两个 rms 值中的一个。高 rms 值会产 生不透明像素，而低 rms 值会产生透明像素。随着公共端数量的增加，两个 rms 值间的差值逐 渐减小。这个差值表示 LCD 显示器可具有的最大对比度。 可以用两种波形驱动 LCD：A 型和 B 型。在 A 型波形中，相位在每个公共端类型中改变，在 B 型波形中，相位在每个帧边界上改变。这样，A 型波形在单帧中即可维持 0V DC 分量，而 B 型波形则需要两个帧维持 0V DC 分量。 附录 4.2 驱动波形图 1/2 复用、1/3 偏置驱动时的 A 型波形图 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 299/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C vlcd3 com0 vlcd2 vlcd1 vss vlcd3 vlcd2 com1 vlcd1 vss vlcd3 vlcd2 seg0 vlcd1 vss seg1 vlcd3 vlcd2 vlcd1 vss vlcd3 vlcd2 vlcd1 vss com0-seg0 -vlcd1 -vlcd2 -vlcd3 vlcd1 com0-seg1 vss -vlcd1 1帧 注：com0-seg0为亮，com0-seg1为暗 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 300/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 1/2 复用、1/3 偏置驱动时的 B 型波形图 vlcd3 vlcd2 com0 vlcd1 vss vlcd3 vlcd2 com1 vlcd1 vss vlcd3 seg0 vss vlcd3 seg1 vlcd2 vlcd1 vss vlcd3 vlcd2 vlcd1 vss com0-seg0 -vlcd1 -vlcd2 -vlcd3 vlcd1 vss com0-seg1 -vlcd1 2帧 注：com0-seg0为亮，com0-seg1为暗 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 301/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 1/3 复用、1/3 偏置驱动时的 A 型波形图 vlcd3 vlcd2 com0 vlcd1 vss vlcd3 com1 vlcd2 vlcd1 vss vlcd3 vlcd2 com2 vlcd1 vss vlcd3 vlcd2 seg0 vlcd1 vss vlcd3 seg1 vss vlcd1 vss com0-seg0 -vlcd1 vlcd3 vlcd2 vlcd1 com0-seg1 vss -vlcd1 -vlcd2 -vlcd3 1帧 注：com0-seg0为暗，com0-seg1为亮 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 302/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 1/3 复用、1/3 偏置驱动时的 B 型波形图 vlcd3 com0 vlcd2 vlcd1 vss vlcd3 vlcd2 com1 vlcd1 vss vlcd3 vlcd2 com2 vlcd1 vss vlcd3 vlcd2 seg0 vlcd1 vss vlcd3 seg1 vss vlcd1 com0-seg0 vss -vlcd1 vlcd3 vlcd2 vlcd1 com0-seg1 vss -vlcd1 -vlcd2 -vlcd3 2帧 注：com0-seg0为暗，com0-seg1为亮 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 303/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 1/4 复用、1/3 偏置驱动时的 A 型波形图 vlcd3 vlcd2 com0 vlcd1 vss vlcd3 vlcd2 com1 vlcd1 vss vlcd3 vlcd2 com2 vlcd1 vss vlcd3 vlcd2 com3 vlcd1 vss vlcd3 vlcd2 seg0 vlcd1 vss vlcd3 vlcd2 seg1 vlcd1 vss vlcd3 vlcd2 vlcd1 com0-seg0 vss -vlcd1 -vlcd2 -vlcd3 vlcd1 com0-seg1 vss -vlcd1 1帧 注：com0-seg0为亮，com0-seg1为暗 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 304/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 1/4 复用、1/3 偏置驱动时的 B 型波形图 vlcd3 vlcd2 com0 vlcd1 vss vlcd3 vlcd2 com1 vlcd1 vss vlcd3 vlcd2 com2 vlcd1 vss vlcd3 vlcd2 com3 vlcd1 vss vlcd3 seg0 vlcd2 vlcd1 vss vlcd3 vlcd2 seg1 vlcd1 vss vlcd3 vlcd2 vlcd1 com0-seg0 vss -vlcd1 -vlcd2 -vlcd3 vlcd1 com0-seg1 vss -vlcd1 2帧 注：com0-seg0为亮，com0-seg1为暗 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 305/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 1/6 复用、1/3 偏置驱动时的 A 型波形图 com0 vlcd3 vlcd2 vlcd1 vss com1 vlcd3 vlcd2 vlcd1 vss …… com5 vlcd3 vlcd2 vlcd1 vss seg0 vlcd3 vlcd2 vlcd1 vss seg1 vlcd3 vlcd2 vlcd1 vss com0-seg0 vlcd3 vlcd2 vlcd1 vss -vlcd1 -vlcd2 -vlcd3 com0-seg1 vlcd3 vlcd2 vlcd1 vss -vlcd1 -vlcd2 -vlcd3 1帧 注：com0-seg0 为亮，com0-seg1 为暗 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 306/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 1/6 复用、1/4 偏置驱动时的 A 型波形图 vlcd4 vlcd3 com0 vlcd2 vlcd1 vss vlcd4 vlcd3 seg0 vlcd2 vlcd1 vss vlcd4 vlcd3 seg1 vlcd2 vlcd1 vss vlcd4 vlcd3 vlcd2 vlcd1 com0-seg0 vss -vlcd1 -vlcd2 -vlcd3 -vlcd4 vlcd4 vlcd3 vlcd2 vlcd1 vss com0-seg1 -vlcd1 -vlcd2 -vlcd3 -vlcd4 1帧 注：com0-seg0为亮，com0-seg1为暗 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 307/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C 1/8 复用、1/4 偏置驱动时的 B 型波形图 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 308/309 http://www.essemi.com HR8P506_Datasheet_C vlcd4 vlcd3 vlcd2 com0 vlcd1 vss vlcd4 vlcd3 vlcd2 com1 vlcd1 vss vlcd4 vlcd3 vlcd2 com2 vlcd1 vss vlcd4 vlcd3 vlcd2 com7 vlcd1 vss vlcd4 vlcd2 seg0 vss vlcd4 vlcd2 seg1 vss vlcd4 vlcd3 vlcd2 vlcd1 vss com0-seg0 -vlcd1 -vlcd2 -vlcd3 -vlcd4 vlcd4 vlcd3 vlcd2 vlcd1 vss -vlcd1 com1-seg1 -vlcd2 -vlcd3 2帧 -vlcd4 注：com0-seg0为亮，com1-seg1为亮 V1.0 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 309/309 http://www.essemi.com