SD8000W
带 RTC、UART 和 LCD 驱动
20 位 ADC 的 SoC
特点
高精度 ADC,ENOB=18.5bits@8sps,单个差
分通道或者 3 个单端通道
低噪声高输入阻抗前置放大器,1、12.5、50、
100、200 倍增益可选
8 位 RISC 超低功耗 MCU,49 条指令,6 级
堆栈,在 2MHz 工作时钟,3V 工作电压下电
流典型值为 600uA; 32kHz 时钟待机模式下
工作电流 1.8uA,
休眠模式电流典型值为 1uA
16k Bytes OTP 程序存储器,
256 Bytes SRAM
数据存储器
具有 OTP 低压烧录功能。烧录电压范围:
2.4V~ 3.6V,可以用于替代外部 EEPROM
内置高频 4MHz 和低频 32kHz 的 RC 振荡,
无需外部时钟
内置 RTC 模块,可与外接的 32.768kHz 晶体
配合提供秒、分、小时信息
8 位 TIMER,用于定时中断,支持 PFD 输出
内置硅温度传感器,可以单点校正
内置 1 路 UART 通信接口
20SEG×4COM 液晶驱动电路,超低功耗和大
驱动能力设计;内含程控升压模块,可以在
低压条件下维持高亮显示
输出四种可选择稳压源:
2.4V/2.6V/2.9V/3.3V,提供外部传感器激励
信号
灵活的电池检测功能,检测范围 2.3V~ 3.0V
所有 I/O 带施密特触发输入,可以选择是否
使用上拉电阻
Watch Dog Timer
掉电检测电路和上电复位电路
工作电压范围:2.4V ~ 3.6V
工作温度范围:-40℃~ 85℃
描述
本芯片是带 20 位 ADC 的 SoC 产品,程序
存储器为 16k Bytes OTP,可以低压自烧录,烧
录电压范围:2.4V ~ 3.6V,用于替代外部
EEPROM。外围只需要 5 个电容,器件很少,
非常适合人体秤等家用秤应用。
超低功耗设计,使用内部 RC 振荡器的 2
分频工作,3V 工作电压下,典型应用时的工作
电流只有 1.1mA(不包括传感器功耗)
,非常
适合电池供电的应用。
MCU 提供三种工作模式让用户可以在工
作效率和能量消耗方面得到最佳选择,三种模
式是:正常工作模式、待机模式、休眠模式。
应用领域
人体秤、厨房秤、手掌秤、手提秤等
订购信息
提供裸片
PAD 排列图和 PAD 描述
1
37 36 35 34 33 32 31
30
29
28
27
26
2
25
3
4
SD8000W
5
6
24
23
22
21
7
20
19
18
8
9
10 11 12 13 14 15 16 17
图 1. PAD 图
晶华微电子
版本 v0
http://www.SDICmicro.cn
2018/8
SD8000W
表 1. PAD 描述
序号
PAD 名称
属性
PAD 描述
1
VLCD
模拟
LCD driver 的供电电源,可通过寄存器选择内部与 VDD 连接或与升压电路的输
出连接,外部只需接一个 1uF 滤波电容到 VDD
2
ACM
模拟
1.2V 基准输出,当 ACM 模块被关闭时,此引脚为悬空状态,外接 0.1uF 电容到
VSS
3
AIP
模拟
4
AIN
模拟
5
AVDDR
模拟
内部 LDO 的输出,供内部模拟模块使用,也可以对外部传感器提供电源激励,
外接 0.1uF 滤波电容到 VSS
6
VDD
电源
电源,在 VDD 与 VSS 之间外接 0.1uF 电容
7
VSS
地
8
P14/AIR/LBTIN
9
P13/INT0
I/O
数字 I/O P13,可以作为外部中断 0 使用
10
P12/INT1
I/O
数字 I/O P12,可以作为外部中断 1 使用
11
P11/INT2/PFD
I/O
数字 I/O P11,可以作为外部中断 2 使用,也可以作为 PFD 输出
12
P10/BUZ
I/O
数字 I/O P10,可以作为蜂鸣器输出
13
VPP
14
P27/SEG19/TXD
I/O
数字 I/O P27,可以作为液晶 SEG19,也可以作为 UART 的 TXD
15
P26/SEG18/RXD
I/O
数字 I/O P26,可以作为液晶 SEG18,也可以作为 UART 的 RXD
16
P25/ SEG17/XIN
I/O
数字 I/O P25,可以作为液晶 SEG17,也可以作为低频晶振引脚 XIN
17
P24/SEG16/XOUT
I/O
数字 I/O P24,可以作为液晶 SEG16,也可以作为低频晶振引脚 XOUT
18
P23/SEG15/PFD
I/O
数字 I/O P23,可以作为液晶 SEG15,也可以作为 PFD 输出
19
P22/SEG14/BUZ
I/O
数字 I/O P22,可以作为液晶 SEG14,也可以作为蜂鸣器输出
I/O
数字 I/O P21-20,可以作为液晶 SEG13-12 使用
I/O
数字 I/O P37-30,可以作为液晶 SEG11-4 使用
I/O
数字 I/O P47-44,可以作为液晶 SEG3-0 使用
I/O
数字 I/O P43-40,可以作为液晶 COM3-0 使用
ADC 差分输入,不使用的时候可以选择内部下拉
20-21
22-29
30-33
34-37
I/O
模拟
I
P21/SEG13
-- P20/ SEG12
P37/SEG11
-- P30/ SEG4
P47/SEG3
-- P44/ SEG0
P43/COM3
-- P40/ COM0
地
数字 I/O P14,可以与 VSS 组合作为 ADC 的模拟信号输入或参考电压输入,也
可以作为外部电压检测输入用
OTP 烧录的高压引脚,外接 1uF 电容到 VDD 或 VSS
注:
所有数字端口 Pnn 皆有上拉选择(默认关闭),并有输入迟滞功能,转换点分别为 0.3VDD 与 0.7VDD。
晶华微电子
版本 v0
http://www.SDICmicro.cn
2018/8
第 2 页 共 8 页
SD8000W
RC振荡
(32kHz)
RC振荡
(4MHz)
晶体振荡器
VPP
RTC
WDT
OTP
16k Bytes
AIP
Sigma
Delta
ADC
8Bits
RISC MCU
SRAM
256 Bytes
特殊寄存器
AIR
PGIA
∑
DC偏移
修调
DAC
VSS
Timer/Counter
T0/T2
VLCD
SEG19-0
AVDDR
基准电路
电源管理系统
charge pump
POR/LVD
时序产生电路
VSS
VDD
XIN
XOUT
功能框图
M
U
X
AIN
VSS
AIR
基准电压
ACM
电池检测
LBTIN
LCD
Driver
PFD
BUZZER
外部中断
BUZ
INT2-0
TXD
P14-10
P27-20
P37-30
P47-40
RXD
UART
IO控制
PFD
COM3-0
图 2. 功能框图
晶华微电子
版本 v0
http://www.SDICmicro.cn
2018/8
第 3 页 共 8 页
SD8000W
典型应用图
LCD 显示屏
VDD
C1
1uF
1
P42/COM2
ACM
P43/COM3
2
P41/COM1
VLCD
P40/COM0
37 36 35 34
P44/SEG0
P45/SEG1
P46/SEG2
AVDDR
P47/SEG3
3
VIN+
P30/SEG4
AIP
C2
VIN-
0.1uF
P31/SEG5
4
P32/SEG6
AIN
SD8000W
AVDDR
5
P33/SEG7
P34/SEG8
P35/SEG9
AVDDR
P36/SEG10
VDD
VDD
C4
0.1uF
VPP
单位切换
C5
1uF
13
P24/SEG16/XOUT
P25/SEG17/XIN
P26/SEG18/RXD
P27/SEG19/TXD
VPP
P10/BUZ
9 10 11 12
UNIT
8
P11/INT2/PFD
VSS
P12/INT1
7
P37/SEG11
VDD
P13/INT0
6
P14/AIR/LBTIN
C3
0.1uF
P20/SEG12
P21/SEG13
P22/SEG14/BUZ
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
P23/SEG15/PFD 18
14 15 16 17
VPP
R1
47Ω
32768Hz
15pF
15pF
晶体可以选择
使用或不使用
图 3. 带时钟的 LCD 显示人体秤典型应用图
晶华微电子
版本 v0
http://www.SDICmicro.cn
2018/8
第 4 页 共 8 页
SD8000W
ADC 性能
表 2. ADC 的 ENOB 和噪声电压 Vnrms (AVDDR=2.4V,VREF=1.2V,SINC3,Buffer 开启)
128
OSR
16.0
16.6
17.0
17.5
17.9
18.5
Vn rms (nV)
366.7
252.3
180.1
124.4
91.3
64.5
46.4
32.3
ENOB
15.8
16.4
16.9
17.4
17.9
18.5
18.9
19.5
Vn rms (nV)
398.3
275.8
195.4
141.1
94.9
66.3
47.8
32.5
ENOB
16.8
17.7
18.1
18.5
19.1
19.9
20.6
21.0
Vn rms (nV)
19857.5
11112.6
8191.6
6352.7
4239.0
2393.0
1529.1
1143.4
4096
17.5
62.8
18.5
67.1
19.9
2372.9
8192
18.0
46.3
18.9
48.8
20.5
1591.9
16384
18.5
32.4
19.3
36.5
21.0
1138.2
4096
17.2
8192
17.7
16384
18.1
ADC 工作频率 = 128kHz DC Offset Adjust=1.5mV
128
256
512
1024
2048
15.0
15.5
16.0
16.5
17.0
362.7
251.9
187.1
127.6
86.8
15.9
16.4
17.0
17.4
18.0
405.5
267.6
180.8
135.7
95.0
16.8
17.7
18.2
18.5
19.1
20406.0
10925.4
8173.4
6379.2
4398.6
OSR
ENOB
Vn rms (nV)
ENOB
Vn rms (nV)
ENOB
Vn rms (nV)
200
100
1
100
1
ENOB
Vn rms (nV)
ENOB
434.7
15.6
312.3
16.1
207.8
16.6
161.2
16.9
112.9
17.3
77.5
18.1
57.6
18.6
42.3
19.1
Vn rms (nV)
ENOB
466.5
339.1
242.3
200.4
140.5
84.4
60.1
40.3
16.5
17.1
17.4
17.7
18.1
19.5
20.4
20.8
Vn rms (nV)
25606.6
16383.8
13654.3
11401.8
8443.9
3113.3
1721.9
1294.5
ADC 工作频率 = 256kHz DC Offset Adjust=1.5mV
128
256
512
1024
2048
14.8
15.4
15.8
16.3
16.8
4096
17.4
8192
17.8
16384
18.2
Vn rms (nV)
ENOB
419.6
15.7
286.4
16.3
204.1
16.8
149.6
17.3
106.6
17.7
72.1
18.2
51.1
18.7
41.1
19.2
Vn rms (nV)
ENOB
464.9
16.7
298.9
17.4
214.6
17.5
147.9
17.7
110.2
18.2
77.6
19.6
58.1
20.5
38.5
21.0
Vn rms (nV)
22906.6
14134.1
13080.9
11398.5
7734.9
3085.2
1592.1
1144.7
OSR
200
增
益
100
1
ADC 工作频率 = 256kHz DC Offset Off
256
512
1024
2048
15.2
15.8
16.2
16.7
128
14.7
OSR
增
益
16384
15.5
100
200
8192
15.0
1
增
益
4096
ENOB
200
增
益
ADC 工作频率 = 128kHz DC Offset Off
256
512
1024
2048
ENOB
注:
1.以上数据是多颗芯片测试的平均值,单颗芯片采样 1024 个数据。
2.ENOB 的计算公式为log2 �
FSR
Vnrms
晶华微电子
版本 v0
http://www.SDICmicro.cn
�,其中 FSR 为满量程输入电压(2 * Vref / Gain),Vn rms 为 rms Noise。
2018/8
第 5 页 共 8 页
SD8000W
振荡器特性
图 4 与图 5 为五片 SD8000W 典型振荡频率跟随电压变化的特性曲线。
图 4. IHRC 电压特性曲线
图 5. ILRC 电压特性曲线
图 6 与图 7 为五片 SD8000W 典型振荡频率跟随温度变化的特性曲线。
ILRC vs Temperature(VDD=3.3V)
40
35
(
kHz)
ILRC
30
25
20
-60
图 6. IHRC 温度特性曲线
晶华微电子
版本 v0
http://www.SDICmicro.cn
2018/8
-40
-20
0
20
40
Temperature( ℃ )
60
80
100
图 7. ILRC 温度特性曲
第 6 页 共 8 页
SD8000W
电气特性
表 3. 最大极限值
标识
参数
最小值
最大值
单位
TA
环境温度
-40
+85
°C
TS
储存温度
-55
+150
°C
V DD
供电电压
-0.2
+4.0
V
Vpp
烧录电压
-0.2
+7.0
V
V IN , V OUT
数字输入、输出
-0.2
V DD +0.3
V
TL
回流焊温度曲线
Per IPC/JEDECJ-STD-020C
°C
注:
1. CMOS 器件易被高能静电损坏,设备必须储存在导电泡沫中,注意避免工作电压超出范围。
2. 在插拔电路前请关闭电源。
表 4. 电气参数(电源电压 3V,工作温度 25℃)
标识
参数名称
最小值
典型值
最大值
单位
条件/备注
2.4
3
3.6
V
模拟模块工作电压
2
3
3.6
V
数字模块和 MCU 工作电压
0.016
2
4
MHz
在运行写表指令时只能工作在 2MHz
VDD
工作电压
FOSC
工作时钟
IHRC
内部高频 RC 振荡频率
--
4
--
MHz
经过校准后的频率
ILRC
内部低频 RC 振荡频率
28
--
36
kHz
经过校准后的频率
LXT
外部低频晶振
--
32.768
--
kHz
IDD1
工作电流 1
--
1.1
--
mA
IDD2
工作电流 2
--
1.8
--
uA
IDD3
工作电流 3
--
1
--
uA
Fsam
ADC 采样频率
--
--
256
kHz
OSR
过采样率
128
--
16384
NFbit
Noise free bits 1
--
16
--
-Vref
--
Vref
-Vref/12.5
--
Vref/12.5
-Vref/50
--
Vref/50
-Vref/100
--
Vref/100
-Vref/200
--
Vref/200
--
2.4
--
--
2.6
--
VINpga
PGIA 差分信号输入
范围 2
Vavddr
AVDDR 输出电压
Iavddr
AVDDR 电流能力
晶华微电子
版本 v0
http://www.SDICmicro.cn
2018/8
--
2.9
--
--
3.3
--
--
10
--
bits
MCU 采用内部 4MHz RC 振荡器的二
分频工作,ADC 等模拟模块工作
MCU 采用内部 32kHz RC 振荡工作,
MCU 进待机模式,模拟模块不工作
MCU 进休眠模式,模拟模块不工作
Gain=200,input FSR=±4mV
1 倍增益
12.5 倍增益
mV
50 倍增益
100 倍增益
200 倍增益
AVDDRX [1:0]=00
AVDDRX [1:0]=01
V
AVDDRX [1:0]=10
AVDDRX [1:0]=11
mA
第 7 页 共 8 页
SD8000W
表 4. (续)
标识
参数名称
最小值
典型值
最大值
单位
POR
上电复位电压
--
2
--
V
LVD
低压检测复位电压
--
1.9
--
V
THlbt
低压检测迟滞
--
200
--
mV
--
--
--
LBTX[3:0]=0000~0110 : Vlbt off
--
LBTIN
--
LBTX[3:0]=1000
--
3.0
--
LBTX[3:0]=1001
--
2.9
--
LBTX[3:0]=1010
--
2.8
--
--
2.7
--
LBTX[3:0]=1100
--
2.6
--
LBTX[3:0]=1101
--
2.5
--
LBTX[3:0]=1110
2.4
--
LBTX[3:0]=1111
--
2.3
--
LBTX[3:0]=0111
--
2.5
--
VLCDX [1:0]=01
--
2.7
--
--
2.9
--
VLCDX [1:0]=11
--
3.1
--
VLCDX [1:0]=00
--
--
500
uA
外接 1uF 电容
Vlbt
Vlcd
Ilcd
电池电压检测
LCD 输出
电压
LCD 电荷泵驱动能力
3
V
V
条件/备注
LBTX[3:0]=1011
VLCDX [1:0]=10
管脚电气参数
IOH
高电平 Source 电流
--
12
--
mA
VOH= VDD-0.3V
IOL
低电平 Sink 电流
--
12
--
mA
VOL= 0.3V
VIH
输入高电平
0.7VDD
--
--
V
VIL
输入低电平
--
--
0.3VDD
V
VOH
输出高电平
VDD-0.3
--
--
V
VOL
输出低电平
--
--
VSS+0.3
V
注:
1.Noise free bits,有效位数都与信号的满量程范围有关系,真正起决定性作用的是 Vpp noise 或 rms noise,上表中的位数主要针对电子秤的典型
应用范围给出。
2.对于 ADC 或 PGIA,输入信号的范围要区分差分信号输入范围和输入端的绝对电压范围,前者是真正的信号输入范围,是两个输入
绝对电压之差,其不仅受到单个输入端的电压范围影响,还受增益和基准选择的影响;后者为包含了差分信号和共模输入范围的影响,主
要受电路的限制。
3.电荷泵的驱动能力与选择的电容和工作频率有关。
晶华微电子
版本 v0
http://www.SDICmicro.cn
2018/8
第 8 页 共 8 页
很抱歉,暂时无法提供与“SD8000W”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货
免费人工找货