MB6F

厂商：
MDD(辰达半导体)
封装：
DBS-4P_4.725X3.85MM_SM
描述：
桥式整流器/整流桥 VRM=600V，IO=1A，VF=1.1V，IR=5uA

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MB2F THRU MB10F Voltage Range - 200 to 1000 Volts Current - 1.0 Ampere SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS Features MBF  Glass passivated die construction  Low forward voltage drop  High current capability  High surge current capability  Designed for surface mount application  Plastic material-UL flammability 94V-0 Mechanical Data MAX Case : JEDEC MBF Molded plastic body Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026 Polarity : Polarity symbol marking on body Mounting Position : Any Weight : 0.0026 ounce, 0.075 grams （1）（2） - + ~ ~ （3） Maximum Ratings And Electrical Characteristics Ratings at 25 °C ambient temperature unle ss otherwise specified. （4） Dimensions in inches and (millimeters) Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%. Parameter SYMBOLS MDD MB2F MDD MB4F MDD MB6F Maximum repetitive peak reverse voltage Maximum RMS voltage Maximum DC blocking voltage VRRM VRMS VDC 200 140 200 400 280 400 600 420 600 Maximum average forward rectified current at TC=125°C IF(AV) 1.0 A IFSM 35 A VF 1.1 V IR 5 40 uA mA CJ 13 PF Marking Code Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method) Maximum instantaneous forward voltage drop per leg at 0.5A Maximum DC reverse current TA=25 at rated DC blocking voltage TA=100 Typical junction capacitance (NOTE1) Typical thermal resistance(NOTE2) Operating temperature range storage temperature range R JA 80 R JC 25 TJ TSTG MDD MB8F -55 to +150 -55 to +150 800 560 800 MDD MB10F UNITS 1000 700 1000 V V V °C/W °C °C Note: 1. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4 V D.C. 2. Mounted on glass epoxy PC board with 4×1.5"×1.5"（3.81×3.81 cm）copper pad. http://www.microdiode.com Rev:2024A2 Page :1 MB2F THRU MB10F Voltage Range - 200 to 1000 Volts Current - 1.0 Ampere Ratings And Characteristic Curves Fig.2 Typical Reverse Characteristics Fig.1 Average Rectified Output Current Derating Curve 1.2 Instaneous Reverse Current（μ A） 100 Average Rectified Output Current (A) 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 Resistive or Inductive Load 0.0 25 50 75 100 125 150 TJ=125°C 10 1.0 TJ=25°C 0.1 175 00 Case Temperature (°C) 20 40 60 80 100 120 140 percent of Rated Peak Reverse Voltage (%) Fig.3 Typical Instaneous Forward Fig.4 Typical Junction Capacitance Characteristics TJ=25°C 100 Junction Capacitance (pF) Instaneous Forward Current (A) 10 1.0 0.1 pulse with 300μ s 1% duty cycle 0.01 00.. 00 0.5 1.0 1.5 TJ=25°C 10 1 2.0 0.1 1.0 10 100 Reverse Voltage (V) Instaneous Forward Voltage (V) Fig.5 Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surage Current Peak Forward Surage Current (A) 40 30 20 10 8.3 ms Single Half Sine Wave (JEDEC Method) 00 1 10 100 Number of Cycles The curve above is for reference only. http://www.microdiode.com Rev:2024A2 Page :2 MB2F THRU MB10F Voltage Range - 200 to 1000 Volts Current - 1.0 Ampere Suggested Pad Layout P2 P1 Dim Min P1 6.00 P2 2.40 Q1 1.84 Q2 1.20 Q1 Q2 Dimensions in millimeters http://www.microdiode.com Rev:2024A2 Page :3

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MB6F

1. 物料型号：MB05F、MB1F、MB2F、MB4F、MB6F、MB8F、MB10F。

2. 器件简介：这些是小型玻璃钝化单相表面贴装桥式整流器。具有以下特性： - 反向电压：50至1000伏特 - 正向电流：0.5安培 - 浪涌过载额定值：30安培峰值 - 适用于印刷电路板 - 塑料材料具有UL 94V-0级阻燃等级 - 低漏电 - 成本低廉且可靠性高的模压构造

3. 引脚分配：文档中未明确提供引脚分配图，但通常桥式整流器有四个引脚，分别为输入交流的两个端子和输出直流的两个端子。

4. 参数特性： - 最大重复峰值反向电压：不同型号从50至1000伏特不等。 - 最大RMS电压：与反向电压相同。 - 最大直流阻断电压：与反向电压相同。 - 最大平均正向整流电流：0.5安培。 - 峰值正向浪涌电流：根据JEDEC方法计算。 - 最大正向电压：在0.4安培直流和25摄氏度条件下测量。 - 最大反向电流：在额定直流阻断电压下测量。 - 典型结电容：在1MHz和4.0V直流反向电压下测量。 - 典型热阻：在不同条件下测量。

5. 功能详解： - 这些整流器适用于单相、半波、60Hz、电阻性或感性负载。 - 特性曲线图包括输出整流电流的降额曲线、每腿的最大非重复峰值正向浪涌电流、每腿的典型正向电压特性、每腿的典型反向漏电特性和每腿的典型结电容。

6. 应用信息： - 这些整流器适用于需要将交流电转换为直流电的场合，如电源供应器、电机驱动等。

7. 封装信息： - 封装类型：模压塑料，MBF。 - 环氧树脂：UL 94V-0级阻燃。 - 引脚：符合MIL-STD-202标准的可焊接引脚。 - 安装位置：任意。

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