MMBT9018H

厂商：
ST(先科)
封装：
SOT-23
描述：
NPN Ic=50mA Vceo=15V hfe=105~190 P=200mW

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MMBT9018G / MMBT9018H NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for AM/FM amplifier and local oscillator of FM/VHF tuner applications. SOT-23 Plastic Package Absolute Maximum Ratings (T a = 25 OC) Parameter Symbol Value Unit C o ll e c t o r B a s e V o lt a g e VCBO 30 V Collector Emitter Voltage VCEO 15 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC 50 mA Power Dissipation Ptot 200 mW Junction Temperature Tj 150 O Storage Temperature Range TS -55 to +150 O Characteristics at T a= C C 25 OC Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit MMBT9018G hFE 75 - 105 - MMBT9018H hFE 105 - 190 - V(BR)CBO 30 - - V V(BR)CEO 15 - - V V(BR)EBO 5 - - V ICBO - - 50 nA VCE(sat) - - 0.5 V CCBO - 1.3 1.7 pF fT 700 1100 - MHz DC Current Gain at VCE = 5 V, IC = 1 mA Collector Base Breakdown Voltage at IC = 100 µA Collector Emitter Breakdown Voltage at IC = 1 mA Emitter Base Breakdown Voltage at IE = 100 µA Collector Cutoff Current at VCB = 12 V Collector Emitter Saturation Voltage at IC = 10 mA, IB = 1 mA Collector Base Capacitance at VCB = 10 V, f = 1 MHz Gain Bandwidth Product at VCE = 5 V, IC = 5 mA РАДИОТЕХ ® Тел.: (495) 795-0805 Факс: (495) 234-1603 Эл. почта: info@rct.ru Веб: www.rct.ru

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MMBT9018H

- 物料型号：MMBT9018G / MMBT9018H - 器件简介：NPN硅外延平面晶体管，用于AM/FM放大器和FM/VHF调谐器的本地振荡器。 - 引脚分配：1. 基极，2. 发射极，3. 集电极；封装为SOT-23塑料封装。 - 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：30V - 集电极-发射极电压（VCEO）：15V - 发射极-基极电压（VEBO）：5V - 集电极电流（Ic）：50mA - 总功耗（Ptot）：200mW - 结温（T）：150℃ - 存储温度范围（Ts）：-55℃至+150℃ - 功能详解： - DC电流增益（hFE）：最小75，典型值105，最大190。 - 集电极-基极击穿电压（V(BR)CBO）：30V。 - 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：15V。 - 发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO）：5V。 - 集电极截止电流（IcBO）：50nA。 - 集电极-发射极饱和电压（VcE(sat)）：0.5V。 - 集电极-基极电容（CcBO）：1.3至1.7pF。 - 增益带宽积（fT）：700至1100MHz。 - 应用信息：适用于AM/FM放大器和FM/VHF调谐器的本地振荡器。 - 封装信息：SOT-23塑料封装。

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