SGD5020

规格说明书 SGD5020 无线充电发射芯片 版本 1.4 安浩芯保 留不 预 先通 知而 修 改此 文件 的 权利 。 SGD5020 无线充电发射芯片 目 录 1. 概述 ............................................................................................................................... 3 2. 特性 ............................................................................................................................... 3 3. 应用 ............................................................................................................................... 3 4. 引脚说明 ........................................................................................................................ 4 5. 功能模块框图 ................................................................................................................. 5 6. 封装尺寸图 .................................................................................................................... 5 7. 应用电路图 .................................................................................................................... 6 8. 电气参数 ........................................................................................................................ 7 9. 修改记录 ........................................................................................................................ 7 安 浩 芯 保 留 不 预 先 通 知 而 修 改 此 文 件 的 权 利 Page 2 of 7 SGD5020 无线充电发射芯片 1. 概述 目前此款无线充电发射芯片，集成功率驱动，频率控制，外围器件非常精简，采用 COMS 宽电压制程 工艺，具有精度高稳定性好特点。在无线感应充电、供电管理系统应用中可靠性能高和灵活。内部集成 高电压低内阻的功率 NMOS FET，产品上应用更加有优势和效率更高。 2. 特性  内置的 PWM 发生器和功率级技术  宽工作电压：3V 至 15V  集成 60V 85 mΩ NMOS FET，确保高效率与低功耗  单片式无线功率发送器  外围器件非常简单，只需几个普通外围器件  PWM 频率精度高稳定性好 3. 应用  电隔离设备  防水产品  美容美肤产品  电动剃须刀  成人用品  鱼缸  手持式仪器  数码产品 安 浩 芯 保 留 不 预 先 通 知 而 修 改 此 文 件 的 权 利 Page 3 of 7 SGD5020 无线充电发射芯片 4. 引脚说明 管脚序号 管脚名称 功能描述 1 VDD 芯片的电源 2 INR1 偏置电路设置端口，外接电阻，电阻越小偏置电 流越大 谐振频率控制端口，与 INC 端口电容决定谐振频 3 INR2 率 谐振频率控制端口，与 INR2 端口电阻决定谐振 4 INC 频率，计算公式为： F=1/(2.7*R*C) 内置功率管的漏端，外部连接并联 LC 谐振发射 5/6 SW 线圈 FF= 7/8 GND 芯片的地 安 浩 芯 保 留 不 预 先 通 知 而 修 改 此 文 件 的 权 利 Page 4 of 7 SGD5020 无线充电发射芯片 5. 功能模块框图 VDD INR1 BandGap Bias SW INR2 OSC DRIVER INC GND 6. 封装尺寸图 SOP8 安 浩 芯 保 留 不 预 先 通 知 而 修 改 此 文 件 的 权 利 Page 5 of 7 SGD5020 无线充电发射芯片 7. 应用电路图 1、 C3 电容采用耐压 100V 以上的 NPO 电容或者涤纶电容，薄膜电容。 2、 L1 是发射线圈，尽量采用多股线绕制以便减小谐振内阻，根据接收端线圈尺寸去绕制对应尺寸 和形状 3、 C1 电容尽量靠近芯片，到芯片 VIN 和 AGND 的走线尽量短和粗 4、 C3 电容两个焊盘和 L1 线圈两焊盘尽量靠近，走线尽量短和粗 5、 C3 电容焊盘跟 L1 线圈相连那端，尽量靠近 L1 焊盘，走线尽量短和粗，C3 另外一个焊盘尽量靠 近电源进入接地那个焊盘，走线也尽量短和粗 6、 R1,R2,C4，这三个器件尽量靠近芯片 7、 R2 和 C4 是调整 SW 端口的频率用，公式是：F=1/(2.7*R2*C4)，电阻使用 1%精度的，电容使用 高精度的 NPO 电容。使用较大容值的电容，会降低寄生电容的影响，减小频率离散度，建议电 容取值 500P~1000P 较好,频率可控范围 +/- 5% 。如使用 100P 电容，由于 PCBA 上有寄生电容 影响，频率可控范围 +/- 8% 8、 芯片的 SW 输出最高频率约 200K，如果 C4=1000P，那么电阻 R2 的阻值不能小于 1.8K 9、 R3 的左右是防止在芯片启动时把电源电压拉的太低，起限流作用。 安 浩 芯 保 留 不 预 先 通 知 而 修 改 此 文 件 的 权 利 Page 6 of 7 SGD5020 无线充电发射芯片 8. 电气参数 符号 参数 VIN 输入电压 IQ 静态电流 SW_Rdson 开关管的导通电阻 SW_ VDS 开关管耐压 SW_PWM 开关管频率 PD 功率散耗 测试条件 最小值 典型值 3.0 最大值 单位 15.0 V SW端口悬空 200 uA VDD 电压 4.5V 95 125 mΩ VDD 电压 10V 85 105 mΩ 60 V 200 SOP8 500 KHZ mW 温度范围 工作温度 -20 85 ℃ 存储温度 -40 150 ℃ 240 ℃ 回流焊温度 注：回流焊温度不可高于 240 度，否则会损伤芯片 9. 修改记录 版本 更新日期 更新内容 修改人 V1.0 2017-2-13 原始版本 WBC V1.1 2017-4-18 更新应用电路图 WBC V1.2 2017-11-2 增加应用电路的说明 WBC V1.3 2017-12-28 修正频率匹配参数 MYH V1.4 2018-07-17 增加回流焊温度参数 MYH 安 浩 芯 保 留 不 预 先 通 知 而 修 改 此 文 件 的 权 利 Page 7 of 7