YTLF-10

GaAs MMIC 芯片 1.1 单片集成功分器 插损 型 号 工作频率 隔离度 回波损耗 功能描述 尺寸 （dB） （dB） （dB） 页 码 YTGF-0P5/1P5 0.5~1.5 0o 2 路 0.9 -20 -15 1.5*1.3mm 1 YTGF-01/03 1.0~3.0 0o 2 路 0.8 -20 -15 1.5*1.2mm 3 YTGF-02/06 2.0~6.0 0o 2 路 0.8 -20 -15 1.3*1.0mm 5 YTGF-02/18 2.0~18.0 0o 2 路 1.4 -20 -15 2.25*2.0mm 7 YTGF-03/09 3.0~9.0 0o 2 路 0.7 -20 -20 1.2*1.0mm 9 YTGF-06/18 6.0~18.0 0o 2 路 0.8 -20 -20 1.0*0.85mm 11 YTGF-08/12 8.0~12.0 0o 3 路 0.7 -20 -15 1.5*1.5mm 13 YTGF-12/26P5 12.0~26.5 0o 2 路 0.7 -20 -20 1.5*2.0mm 17 1.2 单片集成低通滤波器 插损 型 号 通带频率 功能描述 （dB） YTLF-1T DC~1.0 低通滤波器 YTLF-1P5T DC~1.5 低通滤波器 YTLF-2T DC~2.0 低通滤波器 YTLF-2P5T DC~2.5 低通滤波器 YTLF-3T DC~3.0 低通滤波器 0.9@0.5GHz； 1.9@1.0GHz 0.87@1.0GHz； 1.5@1.5GHz 0.85@1.5GHz； 1.4@2.0GHz 0.9@2GHz； 1.4@2.5GHz 1.0@2.5GHz； 1.2@3GHz 回波 损耗 （dB） -20 -20 -20 -20 -20 带外衰减 尺寸 （dB） 22@1.6GHz； 40@2.0~16 GHz 22@2.3GHz； 40@2.6~11 GHz 22@2.3GHz； 40@2.6~11 GHz 20@3.9GHz； 40@4.8~20 GHz 22@4.6GHz； 40@5.2~17 GHz 页 码 1.5*0.75mm 21 1.5*0.75mm 22 1.5*0.75mm 23 1.5*0.75mm 24 1.5*0.75mm 25 YTLF-3P5T DC~3.5 低通滤波器 YTLF-4 DC~4.0 低通滤波器 YTLF-4T DC~4.0 低通滤波器 YTLF-5T DC~5.0 低通滤波器 YTLF-6 DC~6.0 低通滤波器 YTLF-6T DC~6.0 低通滤波器 YTLF-7 DC~7.0 低通滤波器 YTLF-8 DC~8.0 低通滤波器 YTLF-9 DC~9.0 低通滤波器 YTLF-10 DC~10 低通滤波器 YTLF-12 DC~12 低通滤波器 YTLF-14 DC~14 低通滤波器 YTLF-16 DC~16 低通滤波器 YTLF-19 DC~19 低通滤波器 通带频率 功能描述 1.0@3GHz； 1.3@3.5GHz 1.2@3GHz； 1.8@4GHz 1.0@3GHz； 1.7@4GHz 0.8@4GHz； 1.2@5GHz 1.0@5GHz； 1.4@6GHz 1.0@5GHz； 1.7@6GHz 1.1@6GHz； 1.6@7GHz 1.3@7GHz； 1.8@8GHz 1.2@8GHz； 1.6@9GHz 1.2@9GHz； 2.1@10GHz 1.3@11GHz； 2.5@12GHz 1.5@13GHz； 2.1@14GHz 1.6@15GHz； 2.5@16GHz 1.4@18GHz； 2.5@19GHz -25 -21 -23 -22 23@5.2GHz； 40@6.2~30 GHz 23@5.6GHz； 40@6.8~30GHz 23@5.2GHz； 40@6.2~19GHz 23@6.9GHz； 40@7.5~20 GHz 1.5*0.7mm 26 1.5*0.7mm 27 1.5*0.7mm 28 1.3*0.7mm 29 1.5*0.7mm 30 1.3*0.75mm 31 1.5*0.7mm 32 1.5*0.7mm 33 1.2*0.7mm 34 1.3*0.7mm 35 1.3*0.75mm 36 1.2*0.75mm 37 1.0*0.5mm 38 1.2*0.7mm 39 尺寸 页 23@8.4GHz； -20 40@10.0~40 GHz -22 -20 -20 -20 -20 -20 -20 -21 -20 23@7.7GHz； 40@8.3~23 GHz 23@9.5GHz； 40@11.4GHz 23@10.3GHz； 40@12.3 GHz 20@12.3GHz； 40@14.6 GHz 20@12.5GHz； 40@14.8 GHz 20@14.7GHz； 40@17.2GHz 20@17.3GHz； 40@20.2GHz 20@19.5GHz； 40@22.7GHz 20@22.7GHz； 40@26.5GHz 1.3 单片集成高通滤波器 型 号 插损 回波损耗 带外衰减 （dB） YTHF-2T 2~18 高通滤波器 YTHF-3T 3~18 高通滤波器 YTHF-4T 4~20 高通滤波器 YTHF-5T 5~30 高通滤波器 YTHF-6T 6~30 高通滤波器 YTHF-7T 7~30 高通滤波器 YTHF-8T 8~30 高通滤波器 YTHF-9 9~30 高通滤波器 YTHF-10 10~30 高通滤波器 工作频率 均衡类型 2.4@2.0GHz； 0.9@3.0GHz 1.5@3.0GHz； 0.8@4.0GHz 2.1@4.0GHz； 1.1@5.0GHz 1.8@5.0GHz； 1.1@6.0GHz 1.8@6.0GHz； 1.1@7.0GHz 1.4@7.0GHz； 1.0@8.0GHz 1.8@8.0GHz； 1.3@9.0GHz 1.35@9.0GHz； 1.35@10.0GHz 1.4@10.0GHz； 1.2@11.0GHz （dB） -20 -20 -20 -20 -20 -20 -20 -20 -20 码 （dB） 20dB@1.5GHz； 40@1.45 GHz 25dB@1.9GHz； 48@1.7 GHz 20dB@3.1GHz； 40@2.8 GHz 22@3.6GHz； 43@3.2 GHz 22@3.6GHz； 43@3.2 GHz 22@5.0GHz； 41@4.4 GHz 21@6.5GHz； 40@6.2 GHz 21@6.0GHz； 40@4.8 GHz 21@6.8GHz； 40@5.4 GHz 1.5*0.75mm 40 1.5*0.75mm 41 1.5*0.75mm 42 1.5*0.75mm 43 1.2*0.75mm 44 1.2*0.75mm 45 1.5*0.75mm 46 1.2*0.75mm 47 1.5*0.75mm 48 1.4 单片集成幅度均衡器 均衡量 型 号 插损 回波损耗 尺寸 （dB） （dB） （dB） 页 码 YTJH-1/2-2 1~2 负斜率型 2* 0.30 -22 0.75*1.0mm 54 YTJH-1/2-3 1~2 负斜率型 3* 0.45 -22 0.75*1.0mm 55 YTJH-1/6-3P5 1~6 负斜率型 3.5 0.43 -20 0.8*0.85mm 56 YTJH-1/8-4 1~8 负斜率型 4 0.47 -22 0.8*0.85mm 57 YTJH-2/4-3 2~4 负斜率型 3 0.6 -21 0.8*0.85mm 58 YTJH-2/4-4 2~4 负斜率型 4 0.6 -20 0.8*0.85mm 59 YTJH-2/18-8 2~18 负斜率型 8.4 1.2 -18 0.75*0.85mm 60 YTJH-6/12-3 6~12 负斜率型 3.4 0.9 -20 0.8*0.85mm 61 YTJH-6/18-3 6~18 负斜率型 3 1 -25 0.75*0.85mm 62 YTJH-6/18-4 6~18 负斜率型 4 0.9 -22 0.75*0.85mm 63 YTJH-6/18-5 6~18 负斜率型 5 1 -25 0.75*0.85mm 64 YTJH-6/18-6 6~18 负斜率型 6 1.2 -22 0.75*0.85mm 65 YTJH-8/12-2 8~12 负斜率型 2 0.7 -22 0.75*1.0mm 66 YTJH-8/12-3 8~12 负斜率型 3 1 -22 0.75*1.0mm 67 YTJH-8/12-4 8~12 负斜率型 4 1 -16 0.75*0.85mm 68 衰减精度 回波损耗 衰减精度 回波损耗 1.5 单片集成宽带固定/可选衰减器 型 号 衰减量 DC-20Ghz DC-20Ghz 20-40 GHz 尺寸 （dB） 页 码 YTGS-0 0 ±0.2- 20 ±0.8 20 0.5*0.5mm 69 YTGS-0P5 0.5 ±0.2 20 ±0.5 20 0.5*0.5mm 70 YTGS-1 1 ±0.2 20 ±0.6 20 0.5*0.5mm 71 YTGS-2 2 ±0.3 25 ±0.6 23 0.5*0.5mm 72 YTGS-3 3 ±0.2 23 ±0.5 22 0.5*0.5mm 73 YTGS-4 4 ±0.3 20 ±0.5 19 0.5*0.5mm 74 YTGS-5 5 ±0.4 20 ±0.5 18 0.5*0.5mm 75 YTGS-6 6 ±0.2 20 ±0.5 17 0.5*0.5mm 76 YTGS-8 8 ±0.4 20 ±0.4 17 0.5*0.5mm 77 YTGS-10 10 ±0.3 20 ±0.3 18 0.8*0.5mm 78 YTGS-15 15 ±0.7 20 ±0.7 17 0.8*0.5mm 79 YTGS-20 YTGS-0P5/0/1 YTGS-1/0/2 YTGS-1P5/0/3 YTGS-2/0/4 YTGS-3/0/5 20 0/0.5/1 可选 0/1/2 可 选 0/1.5/3 可选 0/2/4 可 选 0/3/5 可 选 ±0.8 18 ±0.8 15 0.8*0.5mm 80 ±0.1 25 ±0.15 20 1.0*0.5mm 81 ±0.2 25 ±0.3 20 1.0*0.5mm 83 ±0.2 25 ±0.4 20 1.0*0.5mm 85 ±0.2 25 ±0.5 20 1.0*0.5mm 87 ±0.2 22 ±0.6 19 1.0*0.5mm 89 输出回波损耗 插损 输入回波损耗 1.6 GaAs MMIC 驱动放大器芯片 型 号 YT451 工作频率 5~20 输入功率 dBm +10 尺寸 （dB） （dB） （dB） 11 0.30 18 1.5*1.4mm 页 码 YTGF-0P5/1P5 GaAs 单片二功分器，0.5~1.5GHz 性能特点 -2.0 通带频段：0.5～1.5 GHz 通带损耗：0.9 dB 隔离度：20dB 回波损耗：-15dB 芯片尺寸：1.5mmx1.3mm x 0.1mm 接口：50Ω共面波导线 -2.5 S21 S31 插入损耗(dB) -3.0 -3.5 -4.0 产品简介 YTGF-0P5/1P5是一款砷化镓单片二功分器芯片。该功 -4.5 分器芯片具有插损小、隔离度高、体积小、重量轻、易集成、 -5.0 等特点，广泛应用于功率分配及合成。该芯片采用了片上通 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 插入损耗 合共晶烧结和导电胶粘接工艺。 典型曲线（TA=+25℃） 0 -2.0 S11 S22 S33 -5 O -3.0 回波 损耗 (dB) +25 C O -55 C O +125 C -2.5 插入损耗(dB) 1.0 频率(GHz) 孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了金属化处理，适 -3.5 -10 -15 -20 -4.0 -25 -4.5 -30 0.5 -5.0 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.2 1.3 1.4 1.5 频率(GHz) 1.5 频率(GHz) 回波损耗 三温插入损耗 2.0 0 1.5 1.0 相位(deg) 隔离度(dB) -5 -10 -15 0.5 0.0 -0.5 -1.0 -20 -1.5 -25 -2.0 -30 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 频率(GHz) 1.5 频率(GHz) 相位一致性 隔离度 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 1 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGF-0P5/1P5 GaAs 单片二功分器，0.5~1.5GHz 极限参数 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ 50ohm 传输线 外形尺寸 2 1 MIL 金丝 1.3 D0P5-1P5 2 0.65 D0P5-1P5 1 1 3 3 0 1.2 1.5 0 说明： 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型的 2. 芯片背面镀金、接地 装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.10mm*0.10mm 2. 操作注意事项 4. 不能在通孔上进行键合 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在氮 键合压点定义 气环境下保存。 压点 功能 编号 符号 1 RFin RF 输入端口，阻抗 50ohm 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 2、3 RFout RF 输出端口，阻抗 50ohm 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操作 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用液 功能描述 态清洁剂对芯片进行清洁处理。 GND 过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 应用信息 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘 1. 装配示意图 接工艺。安装面必须清洁平整。 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔形 键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。键合 时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 2 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGF-01/03 GaAs 单片二功分器，1~3GHz 性能特点 -2.0 通带频段：1～3 GHz 通带损耗：0.8 dB 隔离度：20dB 回波损耗：-15dB 芯片尺寸：1.5mmx1.2mm x 0.1mm 接口：50Ω共面波导线 -2.5 S21 S31 插入损耗(dB) -3.0 -3.5 -4.0 产品简介 YTGF-01/03是一款砷化镓单片二功分器芯片。该功 -4.5 分器芯片具有插损小、隔离度高、体积小、重量轻、易 -5.0 集成、等特点，广泛应用于功率分配及合成。该芯片采 1.0 1.5 2.5 3.0 插入损耗 金属化处理，适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。 典型曲线（TA=+25℃） 0 -2.0 S11 S22 S33 -5 O -3.0 回波 损耗 (dB) +25 C O -55 C O +125 C -2.5 插入损耗(dB) 2.0 频率(GHz) 用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了 -3.5 -10 -15 -20 -4.0 -25 -4.5 -30 1.0 -5.0 1.0 1.5 2.0 2.5 1.5 2.0 2.5 3.0 2.5 3.0 频率(GHz) 3.0 频率(GHz) 回波损耗 三温插入损耗 2.0 0 1.5 1.0 相位(deg) 隔离度(dB) -5 -10 -15 0.5 0.0 -0.5 -1.0 -20 -1.5 -25 -2.0 -30 1.0 1.5 2.0 2.5 1.0 1.5 2.0 频率(GHz) 3.0 频率(GHz) 相位一致性 隔离度 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 3 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGF-01/03 GaAs 单片二功分器，1~3GHz 极限参数 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ 2. 操作注意事项 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 外形尺寸 氮气环境下保存。 1.2 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 1.06 2 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 0.6 D1-3 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 1 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 0.13 3 0 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 1.1 0 1.5 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 说明： 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 2. 芯片背面镀金、接地 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.10mm*0.10mm 4. 不能在通孔上进行键合 键合压点定义 压点 功能 编号 符号 1 RFin RF 输入端口，阻抗 50ohm 2、3、4 RFout RF 输出端口，阻抗 50ohm 功能描述 GND 应用信息 1. 装配示意图 50ohm 传输线 1 MIL 金丝 D1-3 2 1 3 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 4 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGF-02/06 GaAs 单片二功分器，2~6GHz 性能特点 -2.0 通带频段：2～6 GHz 通带损耗：0.8 dB 隔离度：20dB 回波损耗：-15dB 芯片尺寸：1.3mmx1.0mm x 0.1mm 接口：50Ω共面波导线 -2.5 S21 S31 插入损耗(dB) -3.0 -3.5 -4.0 产品简介 YTGF-02/06是一款砷化镓单片二功分器芯片。该功 -4.5 分器芯片具有插损小、隔离度高、体积小、重量轻、易 -5.0 集成、等特点，广泛应用于功率分配及合成。该芯片采 2.0 2.5 3.0 3.5 4.5 5.0 5.5 6.0 插入损耗 金属化处理，适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。 典型曲线（TA=+25℃） 0 S11 S22 S33 -2.0 -5 O -3.0 回波 损耗 (dB) +25 C O -55 C O +125 C -2.5 插入损耗(dB) 4.0 频率(GHz) 用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了 -3.5 -10 -15 -20 -4.0 -25 -4.5 -30 2.0 -5.0 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 频率(GHz) 6.0 频率(GHz) 回波损耗 三温插入损耗 2.0 0 1.5 1.0 相位(deg) 隔离度(dB) -5 -10 -15 0.5 0.0 -0.5 -1.0 -20 -1.5 -25 -2.0 -30 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 频率(GHz) 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 频率(GHz) 相位一致性 隔离度 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 5 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 5.5 6.0 YTGF-02/06 GaAs 单片二功分器，2~6GHz 极限参数 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ 2. 操作注意事项 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 外形尺寸 氮气环境下保存。 1.0 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 0.9 2 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 0.5 D2-6 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 1 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 0 0 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 0.1 3 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 0.95 1.3 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 说明： 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 2. 芯片背面镀金、接地 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.10mm*0.10mm 4. 不能在通孔上进行键合 键合压点定义 压点 功能 编号 符号 1 RFin RF 输入端口，阻抗 50ohm 2、3、4 RFout RF 输出端口，阻抗 50ohm 功能描述 GND 应用信息 1. 装配示意图 50ohm 传输线 1 MIL 金丝 D2-6 2 1 3 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 6 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGF-02/18 GaAs 单片二功分器，2~18GHz 性能特点 -2.0 通带频段：2～18 GHz 通带损耗：1.4 dB 隔离度：20dB 回波损耗：-15dB 芯片尺寸：2.25mmx2.0mm x 0.1mm 接口：50Ω共面波导线 -2.5 S21 S31 插入损耗(dB) -3.0 -3.5 -4.0 产品简介 YTGF-02/18是一款砷化镓单片二功分器芯片。该功 -4.5 分器芯片具有插损小、隔离度高、体积小、重量轻、易 -5.0 集成、等特点，广泛应用于功率分配及合成。该芯片采 2 4 6 8 12 14 16 18 插入损耗 金属化处理，适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。 典型曲线（TA=+25℃） 0 S11 S22 S33 -2.0 -5 O -3.0 回波 损耗 (dB) +25 C O -55 C O +125 C -2.5 插入损耗(dB) 10 频率(GHz) 用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了 -3.5 -10 -15 -20 -4.0 -25 -4.5 -30 2 -5.0 2 4 6 8 10 12 14 16 4 6 8 10 12 14 16 18 频率(GHz) 18 频率(GHz) 回波损耗 三温插入损耗 2.0 0 1.5 1.0 相位(deg) 隔离度(dB) -5 -10 -15 0.5 0.0 -0.5 -1.0 -20 -1.5 -25 -2.0 -30 2 4 6 8 10 12 14 16 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 频率(GHz) 18 频率(GHz) 相位一致性 隔离度 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 7 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 5.5 6.0 YTGF-02/18 GaAs 单片二功分器，2~18GHz 极限参数 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ 50ohm 传输线 2 外形尺寸 2.0 1 1.84 2 D2-18 1 MIL 金丝 1.0 D2-18 3 1 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 0.16 3 0 0 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 2. 操作注意事项 1.86 2.25 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 说明： 氮气环境下保存。 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 2. 芯片背面镀金、接地 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.10mm*0.10mm 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 4. 不能在通孔上进行键合 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 键合压点定义 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 压点 功能 编号 符号 1 RFin RF 输入端口，阻抗 50ohm 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 2、3 RFout RF 输出端口，阻抗 50ohm 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 功能描述 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 GND 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 应用信息 1. 装配示意图 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 8 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGF-03/09 GaAs 单片二功分器，3~9GHz 性能特点 -2.0 通带频段：3～9 GHz 通带损耗：0.7 dB 隔离度：20dB 回波损耗：-20dB 芯片尺寸：1.2mmx1.0mm x 0.1mm 接口：50Ω共面波导线 -2.5 S21 S31 插入损耗(dB) -3.0 -3.5 -4.0 产品简介 YTGF-03/09是一款砷化镓单片二功分器芯片。该功 -4.5 分器芯片具有插损小、隔离度高、体积小、重量轻、易 -5.0 集成、等特点，广泛应用于功率分配及合成。该芯片采 3 4 5 6 8 9 插入损耗 金属化处理，适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。 典型曲线（TA=+25℃） 0 S11 S22 S33 -2.0 -5 O -3.0 回波 损耗 (dB) +25 C O -55 C O +125 C -2.5 插入损耗(dB) 7 频率(GHz) 用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了 -3.5 -10 -15 -20 -4.0 -25 -4.5 -30 3 -5.0 3 4 5 6 7 8 4 5 6 7 8 9 频率(GHz) 9 频率(GHz) 回波损耗 三温插入损耗 2.0 0 1.5 1.0 相位(deg) 隔离度(dB) -5 -10 -15 0.5 0.0 -0.5 -1.0 -20 -1.5 -25 -2.0 -30 3 4 5 6 7 8 3 4 5 6 7 频率(GHz) 9 频率(GHz) 相位一致性 隔离度 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 9 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 8 9 YTGF-03/09 GaAs 单片二功分器，3~9GHz 极限参数 50ohm 传输线 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ 1 MIL 金丝 外形尺寸 2 0.86 2 1 D3-9 1.0 3 0.5 D3-9 1 0.14 3 0 0 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 0.83 1.2 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 说明： 2. 操作注意事项 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 2. 芯片背面镀金、接地 氮气环境下保存。 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.10mm*0.10mm 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 4. 不能在通孔上进行键合 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 键合压点定义 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 压点 功能 编号 符号 1 RFin RF 输入端口，阻抗 50ohm 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 2、3 RFout RF 输出端口，阻抗 50ohm 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 功能描述 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 GND 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 应用信息 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 1. 装配示意图 ◎联系方式：028-65571258 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 www.iravic.com 10 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGF-06/18 GaAs 单片二功分器，6~18GHz 性能特点 -2 通带频段：6～18 GHz 通带损耗：0.8 dB 隔离度：20dB 回波损耗：-20dB 芯片尺寸：1.0mmx0.85mm x 0.1mm 接口：50Ω共面波导线 S21 S31 插入损耗(dB) -3 -4 产品简介 -5 YTGF-06/18是一款砷化镓单片功分器芯片。该功分 器芯片具有插损小、隔离度高、体积小、重量轻、易集 -6 成、等特点，广泛应用于功率分配及合成。该芯片采用 4 6 8 10 12 了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了金 典型曲线（TA=+25℃） 20 16 18 20 S11 S22 S33 -2 -4 -6 O +25 C O -55 C O +125 C -8 回波损耗(dB) 插入损耗(dB) 18 0 0 -2 16 插入损耗 属化处理，适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。 -1 14 频率(GHz) -3 -4 -10 -12 -14 -16 -18 -20 -22 -24 -26 -5 -28 -30 -6 4 6 8 10 12 14 16 18 4 20 6 8 10 12 14 频率(GHz) 频率(GHz) 三温插入损耗 回波损耗 2.0 0 1.5 -5 相位（ 度） 隔离度(dB) 1.0 -10 -15 -20 0.5 0.0 -0.5 -1.0 -25 -1.5 -30 4 6 8 10 12 14 16 18 -2.0 20 频率(GHz) 6 8 10 12 14 16 频率(GHz) 隔离度 ◎联系方式：028-65571258 4 相位一致性 www.iravic.com 11 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 18 20 YTGF-06/18 GaAs 单片二功分器，6~18GHz 2. 操作注意事项 极限参数 最高输入功率 +30dBm 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 存储温度 -65℃～+150℃ 氮气环境下保存。 使用温度 -55℃～+125℃ 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 外形尺寸 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 0.85 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 D6-18 1 0.4 0.75 2 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 3 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 0 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 0.65 1.0 0 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 说明： 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 2. 芯片背面镀金、接地 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.10mm*0.10mm 4. 不能在通孔上进行键合 键合压点定义 压点 功能 编号 符号 1 RFin RF 输入端口，阻抗 50ohm 2、3 RFout RF 输出端口，阻抗 50ohm 功能描述 GND 应用信息 1. 装配示意图 50ohm 传输线 1 MIL 金丝 2 D6-18 1 3 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 12 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGF-08/12 GaAs 单片三功分器，8~12GHz 性能特点 -4.0 通带频段：8～12 GHz 通带损耗：0.7 dB 隔离度：20dB 回波损耗：-15dB 芯片尺寸：1.5mmx1.5mm x 0.1mm 接口：50Ω共面波导线 -4.5 S21 S31 S41 插入损耗(dB) -5.0 -5.5 -6.0 产品简介 YTGF-08/12是一款砷化镓单片三功分器芯片。该功 -6.5 分器芯片具有插损小、隔离度高、体积小、重量轻、易 -7.0 集成、等特点，广泛应用于功率分配及合成。该芯片采 8 10 插入损耗 金属化处理，适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。 典型曲线（TA=+25℃） 0 S11 S22 S33 S44 -4 -5 回波 损耗 (dB) 插入损耗(dB) O +25 C O -55 C O +125 C -5 12 频率(GHz) 用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了 -10 -15 -20 -6 -25 -30 8 -7 8 9 10 11 9 10 11 12 频率(GHz) 12 频率(GHz) 回波损耗 三温插入损耗 2.0 0 1.0 相位(deg) -5 隔离度(dB) 1.5 S23 S24 S34 -10 -15 0.5 0.0 -0.5 phase(2,1)-phase(3,1) phase(2,1)-phase(4,1) phase(3,1)-phase(4,1) -1.0 -20 -1.5 -25 -2.0 -30 8 9 10 11 12 频率(GHz) 8 9 10 11 频率(GHz) 相位一致性 隔离度 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 13 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 12 YTGF-08/12 GaAs 单片三功分器，8~12GHz 极限参数 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ 1.5 2 1 1 D8-12-3 1.5 0.75 2 1 MIL 金丝 外形尺寸 D8-12-3 50ohm 传输线 最高输入功率 3 4 0.75 3 0.19 4 0 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 0 1.5 0.95 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 说明： 2. 操作注意事项 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 2. 芯片背面镀金、接地 氮气环境下保存。 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.10mm*0.10mm 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 4. 不能在通孔上进行键合 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 键合压点定义 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 压点 功能 编号 符号 1 RFin RF 输入端口，阻抗 50ohm 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 2、3、4 RFout RF 输出端口，阻抗 50ohm 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 功能描述 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 GND 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 应用信息 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 1. 装配示意图 ◎联系方式：028-65571258 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 www.iravic.com 14 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGF-12/18 GaAs 单片二功分器，12~18GHz 性能特点 -2.0 通带频段：12～18 GHz 通带损耗：0.5 dB 隔离度：20dB 回波损耗：-20dB 芯片尺寸：1.5mmx1.5mm x 0.1mm 接口：50Ω共面波导线 -2.5 S21 S31 插入损耗(dB) -3.0 -3.5 -4.0 产品简介 YTGF-12/18是一款砷化镓单片二功分器芯片。该功 -4.5 分器芯片具有插损小、隔离度高、体积小、重量轻、易 -5.0 集成、等特点，广泛应用于功率分配及合成。该芯片采 12 13 14 16 17 18 插入损耗 金属化处理，适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。 典型曲线（TA=+25℃） 0 S11 S22 S33 -2.0 -5 O -3.0 回波 损耗 (dB) +25 C O -55 C O +125 C -2.5 插入损耗(dB) 15 频率(GHz) 用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了 -3.5 -10 -15 -20 -4.0 -25 -4.5 -30 12 -5.0 12 13 14 15 16 17 13 14 15 16 17 18 频率(GHz) 18 频率(GHz) 回波损耗 三温插入损耗 2.0 0 1.5 1.0 相位(deg) 隔离度(dB) -5 -10 -15 0.5 0.0 -0.5 -1.0 -20 -1.5 -25 -2.0 -30 12 13 14 15 16 17 18 频率(GHz) 12 13 14 15 16 频率(GHz) 相位一致性 隔离度 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 15 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 17 18 YTGF-12/18 GaAs 单片二功分器，12~18GHz 极限参数 50ohm 传输线 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ 2 1 MIL 金丝 外形尺寸 1.5 1 1.31 2 D12-18 最高输入功率 0.75 D12-18 3 1 0.19 3 0 0 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 2. 操作注意事项 1.2 1.5 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 说明： 氮气环境下保存。 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 2. 芯片背面镀金、接地 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.10mm*0.10mm 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 4. 不能在通孔上进行键合 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 键合压点定义 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 压点 功能 编号 符号 1 RFin RF 输入端口，阻抗 50ohm 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 2、3 RFout RF 输出端口，阻抗 50ohm 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 功能描述 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 GND 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 应用信息 1. 装配示意图 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 16 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGF-12/26P5 GaAs 单片二功分器，12~26.5GHz 性能特点 -2.0 通带频段：12～26.5 GHz 通带损耗：0.7 dB 隔离度：20dB 回波损耗：-20dB 芯片尺寸：1.5mmx2.0mm x 0.1mm 接口：50Ω共面波导线 -2.5 S21 S31 插入损耗(dB) -3.0 -3.5 -4.0 产品简介 YTGF-12/26P5是一款砷化镓单片功分器芯片。该功 -4.5 分器芯片具有插损小、隔离度高、体积小、重量轻、易 -5.0 集成、等特点，广泛应用于功率分配及合成。该芯片采 10 12 14 16 18 20 22 24 26 频率(GHz) 用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了 插入损耗 金属化处理，适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。 典型曲线（TA=+25℃） 0 0 回波损耗(dB) -10 -3 -4 -15 -20 -25 -30 -5 -35 -40 -6 10 12 14 16 18 20 22 24 10 26 12 14 16 18 20 22 24 26 频率(GHz) 频率(GHz) 插入损耗 回波损耗 -10 2.0 -15 1.5 -20 1.0 -25 0.5 相位（ 度） 隔离度(dB) 插入损耗(dB) -2 S11 S22 S33 -5 O +25 C O -55 C O +125 C -1 -30 0.0 -0.5 -35 -1.0 -40 10 12 14 16 18 20 22 24 26 -1.5 频率(GHz) -2.0 隔离度 10 12 14 16 18 20 22 频率(GHz) 相位一致性 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 17 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 24 26 YTGF-12/26P5 GaAs 单片二功分器，12~26.5GHz 极限参数 50ohm 传输线 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ 2 外形尺寸 1 MIL 金丝 2.0 2 1.9 1 3 1.0 1 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 3 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 0 0 2. 操作注意事项 1.26 1.5 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 说明： 氮气环境下保存。 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 2. 芯片背面镀金、接地 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.15mm*0.10mm 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 4. 不能在通孔上进行键合 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 键合压点定义 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 压点 功能 编号 符号 1 RFin RF 输入端口，阻抗 50ohm 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 2、3 RFout RF 输出端口，阻抗 50ohm 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 功能描述 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 GND 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 应用信息 1. 装配示意图 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 18 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTLF-1T GaAs 单片低通滤波器，DC~1GHz 性能特点 0.75 通带频段：DC～1GHz 通带损耗：≤1.9dB 阻带衰减：≥22dB@1.6GHz 0.25 ≥40dB@2.0-16.0GHz 回波损耗：-20dB 1 RF1 LF-1T 0 接口：50Ω共面波导线 产品简介 RF2 2 1.5 0 YTLF-1T是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤 波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点， 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采 说明： 用集总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 便。芯片尺寸1.5mmx0.75mm x 0.1mm。 2. 芯片背面镀金、接地 典型曲线（TA=+25℃） 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 0 4. 不能在通孔上进行键合 应用信息 回波损耗(dB) -5 1. 装配示意图 S11 S22 -10 1 MIL 金丝 50ohm传输线 -15 -20 -25 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 频率(GHz) 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 输入输出回波损耗 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 0 -5 2. 操作注意事项 -10 -15 插入损耗(dB) -20 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -25 -30 氮气环境下保存。 -35 o S21 (+25 C) -40 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -45 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 -50 -55 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -60 -65 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -70 -75 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -80 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 频率(GHz) 插入损耗 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 极限参数 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 最高输入功率 +30dBm 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 存储温度 -65℃～+150℃ 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 使用温度 -55℃～+125℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 外形尺寸 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 19 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTLF-1P5T GaAs 单片低通滤波器，DC~1.5GHz 0.75 性能特点 通带频段：DC～1.5GHz 通带损耗：≤1.5dB 阻带衰减：≥22dB@2.3GHz 0.31 ≥40dB@2.6-11.0GHz 回波损耗：-20dB 1 RF1 LF-1P5T 0 接口：50Ω共面波导线 RF2 2 1.5 0 产品简介 YTLF-1P5T是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该 说明： 滤波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 点，广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯 2. 芯片背面镀金、接地 片采用集总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 单方便。芯片尺寸1.5mmx0.75mm x 0.1mm。 4. 不能在通孔上进行键合 典型曲线（TA=+25℃） 应用信息 0 1. 装配示意图 回波损耗(dB) -5 1 MIL 金丝 S11 S22 -10 50ohm传输线 -15 -20 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 -25 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 10 频率(GHz) 2. 操作注意事项 输入输出回波损耗 0 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -5 -10 氮气环境下保存。 -15 插入损耗(dB) -20 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 o S21 (+25 C) -25 -30 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 -35 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -40 -45 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -50 -55 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -60 -65 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 -70 -75 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 -80 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 频率(GHz) 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 插入损耗 极限参数 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 外形尺寸 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 20 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTLF-2T GaAs 单片低通滤波器，DC~2GHz 0.75 性能特点 通带频段：DC～2.0GHz 通带损耗：≤1.4dB 阻带衰减：≥22dB@2.3GHz 0.30 ≥40dB@2.6-11.0GHz 回波损耗：-20dB 1 RF1 LF-2T 0 接口：50Ω共面波导线 1.5 0 产品简介 YTLF-2T是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤 RF2 2 说明： 波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点， 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采 2. 芯片背面镀金、接地 用集总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 便。芯片尺寸1.5mmx0.75mm x 0.1mm。 4. 不能在通孔上进行键合 典型曲线（TA=+25℃） 应用信息 0 1. 装配示意图 -5 1 MIL 金丝 回波损耗(dB) -10 50ohm传输线 -15 S11 S22 -20 -25 -30 -35 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 -40 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 15 频率(GHz) 2. 操作注意事项 输入输出回波损耗 0 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -5 氮气环境下保存。 -10 -15 插入损耗(dB) 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 o -20 S21 (+25 C) -25 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 -30 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -35 -40 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -45 -50 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -55 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 -60 -65 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 -70 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 频率(GHz) 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 插入损耗 极限参数 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 外形尺寸 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 21 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTLF-2P5T GaAs 单片低通滤波器，DC~2.5GHz 0.75 性能特点 通带频段：DC～2.5GHz 通带损耗：≤1.4dB 阻带衰减：≥22dB@3.9GHz 0.31 ≥40dB@4.8-20.0GHz 1 RF1 回波损耗：-20dB LF-2P5T 0 接口：50Ω共面波导线 产品简介 RF2 2 1.5 0 YTLF-2P5T是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该 滤波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特 点，广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯 说明： 片采用集总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 单方便。芯片尺寸1.5mmx0.75mm x 0.1mm。 2. 芯片背面镀金、接地 典型曲线（TA=+25℃） 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 0 4. 不能在通孔上进行键合 应用信息 回波损耗(dB) -5 1. 装配示意图 -10 1 MIL 金丝 S11 S22 -15 50ohm传输线 -20 -25 -30 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 频率(GHz) 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 输入输出回波损耗 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 0 -5 2. 操作注意事项 -10 -15 -20 插入损耗(dB) 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 o S21 (+25 C) -25 氮气环境下保存。 -30 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -35 -40 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 -45 -50 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -55 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -60 -65 -70 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 频率(GHz) 插入损耗 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 极限参数 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 最高输入功率 +30dBm 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 存储温度 -65℃～+150℃ 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 使用温度 -55℃～+125℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 外形尺寸 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 22 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTLF-3T GaAs 单片低通滤波器，DC~3GHz 性能特点 0.75 通带频段：DC～3.0GHz 通带损耗：≤1.2dB 阻带衰减：≥22dB@4.6GHz 0.33 ≥40dB@5.2-17.0GHz 回波损耗：-20dB 1 RF1 LF-3T 0 接口：50Ω共面波导线 产品简介 YTLF-3T是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤 说明： RF2 2 1.5 0 波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点， 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采 2. 芯片背面镀金、接地 用集总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 便。芯片尺寸1.5mmx0.75mm x 0.1mm。 4. 不能在通孔上进行键合 典型曲线（TA=+25℃） 应用信息 0 1. 装配示意图 回波损耗(dB) -5 1 MIL 金丝 50ohm传输线 -10 S11 S22 -15 -20 -25 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 -30 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 20 频率(GHz) 2. 操作注意事项 输入输出回波损耗 0 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -5 氮气环境下保存。 -10 -15 插入损耗(dB) 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 o -20 S21 (+25 C) -25 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 -30 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -35 -40 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -45 -50 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -55 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 -60 -65 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 -70 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 频率(GHz) 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 插入损耗 极限参数 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 外形尺寸 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 23 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTLF-3P5T GaAs 单片低通滤波器，DC~3.5GHz 0.7 性能特点 通带频段：DC～3.50GHz 通带损耗：≤1.3dB 0.33 阻带衰减：≥23dB@5.2GHz ≥40dB@6.2-30.0GHz 回波损耗：-25dB LF-3P5T 0 接口：50Ω共面波导线 产品简介 YTLF-3P5T是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该 说明： RF2 2 1 RF1 1.5 0 滤波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 点，广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯 2. 芯片背面镀金、接地 片采用集总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 单方便。芯片尺寸1.5mmx0.70mm x 0.1mm。 4. 不能在通孔上进行键合 典型曲线（TA=+25℃） 应用信息 0 1. 装配示意图 -5 回波损耗(dB) 1 MIL 金丝 50ohm传输线 -10 S11 S22 -15 -20 -25 -30 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 30 频率(GHz) 2. 操作注意事项 输入输出回波损耗 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 0 -5 氮气环境下保存。 -10 -15 插入损耗(dB) 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 o -20 S21 (+25 C) -25 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 -30 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -35 -40 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -45 -50 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -55 -60 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 -65 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 -70 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 频率(GHz) 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 插入损耗 极限参数 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 外形尺寸 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 24 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTLF-4 GaAs 单片低通滤波器，DC~4GHz 性能特点 0.7 通带频段：DC～4.0GHz 通带损耗：≤1.8dB 阻带衰减：≥23dB@5.6GHz 0.37 ≥40dB@6.8-30.0GHz 回波损耗：-21dB LF-4 0 接口：50Ω共面波导线 产品简介 RF2 2 1 RF1 1.5 0 YTLF-4是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤波 器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点， 说明： 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 用集总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方 2. 芯片背面镀金、接地 便。芯片尺寸1.5mmx0.70mm x 0.1mm。 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 典型曲线（TA=+25℃） 4. 不能在通孔上进行键合 0 应用信息 1. 装配示意图 回波损耗(dB) -5 1 MIL 金丝 -10 50ohm传输线 S11 S22 -15 -20 -25 -30 0 2 4 6 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 频率(GHz) 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 输入输出回波损耗 2. 操作注意事项 0 -5 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -10 -15 插入损耗(dB) 氮气环境下保存。 o -20 S21 (+25 C) -25 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -30 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 -35 -40 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -45 -50 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -55 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -60 -65 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 -70 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 频率(GHz) 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 插入损耗 极限参数 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 最高输入功率 +30dBm 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 存储温度 -65℃～+150℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 使用温度 -55℃～+125℃ 外形尺寸 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 25 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTLF-4T GaAs 单片低通滤波器，DC~4GHz 性能特点 0.7 通带频段：DC～4.0GHz 通带损耗：≤1.7dB 0.35 阻带衰减：≥23dB@5.2GHz 1 RF1 ≥40dB@6.2-19.0GHz 回波损耗：-23dB LF-4T 0 接口：50Ω共面波导线 RF2 2 1.5 0 产品简介 YTLF-4T是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤 说明： 波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点， 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采 2. 芯片背面镀金、接地 用集总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 便。芯片尺寸1.5mmx0.70mm x 0.1mm。 4. 不能在通孔上进行键合 典型曲线（TA=+25℃） 应用信息 0 1. 装配示意图 回波损耗(dB) -5 1 MIL 金丝 50ohm传输线 -10 S11 S22 -15 -20 -25 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 -30 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 20 频率(GHz) 2. 操作注意事项 输入输出回波损耗 0 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -5 -10 氮气环境下保存。 -15 -20 插入损耗(dB) 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 o S21 (+25 C) -25 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 -30 -35 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -40 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -45 -50 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -55 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 -60 -65 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 -70 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 频率(GHz) 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 插入损耗 极限参数 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 外形尺寸 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 26 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTLF-5T GaAs 单片低通滤波器，DC~5GHz 0.7 性能特点 通带频段：DC～5.0GHz 通带损耗：≤1.2dB 0.36 阻带衰减：≥23dB@6.9GHz 1 RF1 ≥40dB@7.5-20.0GHz LF-5T 0 回波损耗：-22dB 接口：50Ω共面波导线 RF2 2 1.3 0 产品简介 YTLF-5T是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤 说明： 波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点， 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采 2. 芯片背面镀金、接地 用集总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 便。芯片尺寸1.5mmx0.70mm x 0.1mm。 4. 不能在通孔上进行键合 典型曲线（TA=+25℃） 应用信息 0 1. 装配示意图 回波损耗(dB) -5 1 MIL 金丝 50ohm传输线 -10 S11 S22 -15 -20 -25 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 -30 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 20 频率(GHz) 2. 操作注意事项 输入输出回波损耗 0 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -5 氮气环境下保存。 -10 -15 插入损耗(dB) 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 o -20 S21 (+25 C) -25 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 -30 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -35 -40 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -45 -50 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -55 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 -60 -65 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 -70 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 频率(GHz) 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 插入损耗 极限参数 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 外形尺寸 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 27 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTLF-6 GaAs 单片低通滤波器，DC~6GHz 0.7 性能特点 通带频段：DC～6.0GHz 通带损耗：≤1.4dB 0.36 阻带衰减：≥23dB@8.4GHz ≥40dB@10-40.0GHz LF-6 0 回波损耗：-20dB 接口：50Ω共面波导线 RF2 2 1 RF1 1.5 0 产品简介 说明： YTLF-6是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤波 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点， 2. 芯片背面镀金、接地 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 用集总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方 4. 不能在通孔上进行键合 便。芯片尺寸1.5mmx0.70mm x 0.1mm。 应用信息 典型曲线（TA=+25℃） 1. 装配示意图 0 1 MIL 金丝 -5 50ohm传输线 回波损耗(dB) -10 -15 S11 S22 -20 -25 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 -30 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 -35 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 2. 操作注意事项 频率(GHz) 输入输出回波损耗 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 氮气环境下保存。 0 -5 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -10 -15 插入损耗(dB) 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 o -20 S21 (+25 C) -25 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -30 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -35 -40 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -45 -50 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 -55 -60 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 -65 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 -70 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 频率(GHz) 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 插入损耗 极限参数 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ 外形尺寸 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 28 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTLF-6T GaAs 单片低通滤波器，DC~6GHz 性能特点 外形尺寸 0.75 通带频段：DC～6.0GHz 通带损耗：≤1.7dB 阻带衰减：≥23dB@7.7GHz 0.37 ≥40dB@8.3-23.0GHz 回波损耗：-22dB 1 RF1 接口：50Ω共面波导线 LF-6T 0 产品简介 YTLF-6T是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤 RF2 2 1.3 0 波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点， 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采 说明： 用集总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 便。芯片尺寸1.3mmx0.75mm x 0.1mm。 2. 芯片背面镀金、接地 典型曲线（TA=+25℃） 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 0 4. 不能在通孔上进行键合 应用信息 -5 1. 装配示意图 回波损耗(dB) -10 -15 1 MIL 金丝 S11 S22 -20 50ohm传输线 -25 -30 -35 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 频率(GHz) 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 输入输出回波损耗 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 0 -5 2. 操作注意事项 -10 -15 插入损耗(dB) 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 o -20 S21 (+25 C) -25 氮气环境下保存。 -30 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -35 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 -40 -45 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -50 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -55 -60 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -65 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 -70 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 频率(GHz) 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 插入损耗 极限参数 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 最高输入功率 +30dBm 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 存储温度 -65℃～+150℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 29 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTLF-7 GaAs 单片低通滤波器，DC~7GHz 性能特点 外形尺寸 0.7 通带频段：DC～7.0GHz 通带损耗：≤1.6dB 阻带衰减：≥23dB@9.5GHz 0.39 ≥40dB@11.4GHz 1 RF1 回波损耗：-22dB 接口：50Ω共面波导线 LF-7 0 产品简介 RF2 2 1.5 0 YTLF-7是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤波 器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点， 说明： 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 用集总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方 2. 芯片背面镀金、接地 便。芯片尺寸1.5mmx0.70mm x 0.1mm。 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 典型曲线（TA=+25℃） 4. 不能在通孔上进行键合 0 应用信息 -5 1. 装配示意图 回波损耗(dB) -10 1 MIL 金丝 -15 50ohm传输线 S11 S22 -20 -25 -30 -35 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 30 频率(GHz) 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 输入输出回波损耗 2. 操作注意事项 0 -5 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -10 -15 插入损耗(dB) 氮气环境下保存。 o -20 S21 (+25 C) -25 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -30 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 -35 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -40 -45 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -50 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -55 -60 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 -65 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 -70 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 频率(GHz) 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 插入损耗 极限参数 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 www.iravic.com 30 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTLF-8 GaAs 单片低通滤波器，DC~8GHz 性能特点 外形尺寸 通带频段：DC～8.0GHz 0.7 通带损耗：≤1.8dB 0.37 阻带衰减：≥23dB@10.3GHz 1 RF1 ≥40dB@12.3GHz LF-8 0 回波损耗：-20dB 接口：50Ω共面波导线 RF2 2 1.5 0 产品简介 说明： YTLF-8是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤波 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点， 2. 芯片背面镀金、接地 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 用集总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方 4. 不能在通孔上进行键合 便。芯片尺寸1.5mmx0.70mm x 0.1mm。 应用信息 典型曲线（TA=+25℃） 1. 装配示意图 0 1 MIL 金丝 -5 50ohm传输线 回波损耗(dB) -10 -15 S11 S22 -20 -25 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 -30 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 -35 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 2. 操作注意事项 频率(GHz) 输入输出回波损耗 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 0 氮气环境下保存。 -5 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -10 -15 插入损耗(dB) 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 o -20 S21 (+25 C) 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -25 -30 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -35 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -40 -45 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 -50 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 -55 -60 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 -65 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 -70 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 频率(GHz) 插入损耗 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 极限参数 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 31 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTLF-9 GaAs 单片低通滤波器，DC~9GHz 性能特点 外形尺寸 0.7 通带频段：DC～9.0GHz 通带损耗：≤1.6dB 阻带衰减：≥20dB@12.3GHz 0.39 ≥40dB@14.6GHz 1 RF1 回波损耗：-20dB 接口：50Ω共面波导线 LF-9 0 产品简介 YTLF-9是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤波 RF2 2 1.2 0 器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点， 说明： 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 用集总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方 2. 芯片背面镀金、接地 便。芯片尺寸1.2mmx0.70mm x 0.1mm。 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 典型曲线（TA=+25℃） 4. 不能在通孔上进行键合 0 应用信息 -5 1. 装配示意图 回波损耗(dB) -10 1 MIL 金丝 -15 50ohm传输线 S11 S22 -20 -25 -30 -35 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 频率(GHz) 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 输入输出回波损耗 2. 操作注意事项 0 -5 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -10 氮气环境下保存。 插入损耗(dB) -15 o S21 (+25 C) -20 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -25 -30 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 -35 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -40 -45 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -50 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -55 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 -60 -65 0 2 4 6 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 频率(GHz) 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 插入损耗 极限参数 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 www.iravic.com 32 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTLF-10 GaAs 单片低通滤波器，DC~10GHz 性能特点 外形尺寸 通带频段：DC～10.0GHz 0.7 通带损耗：≤2.1dB 阻带衰减：≥20dB@12.5GHz 0.37 ≥40dB@14.8GHz 1 RF1 回波损耗：-20dB 接口：50Ω共面波导线 LF-10 0 产品简介 RF2 2 1.3 YTLF-10是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤波 0 器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点， 说明： 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 用集总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方 2. 芯片背面镀金、接地 便。芯片尺寸1.3mmx0.70mm x 0.1mm。 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 典型曲线（TA=+25℃） 4. 不能在通孔上进行键合 0 应用信息 -5 1. 装配示意图 回波损耗(dB) -10 1 MIL 金丝 S11 S22 -15 50ohm传输线 -20 -25 -30 -35 -40 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 频率(GHz) 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 输入输出回波损耗 2. 操作注意事项 0 -5 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -10 氮气环境下保存。 插入损耗(dB) -15 -20 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -25 o S21 (+25 C) -30 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 -35 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -40 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -45 -50 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -55 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 -60 -65 0 2 4 6 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 频率(GHz) 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 插入损耗 极限参数 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 www.iravic.com 33 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTLF-12 GaAs 单片低通滤波器，DC~12GHz 性能特点 外形尺寸 0.75 通带频段：DC～12.0GHz 通带损耗：≤2.5dB 阻带衰减：≥20dB@14.7GHz 0.42 ≥40dB@17.2GHz RF2 2 1 RF1 回波损耗：-20dB 接口：50Ω共面波导线 LF-12 0 产品简介 1.3 0 YTLF-12是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤波 器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点， 说明： 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 用集总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方 2. 芯片背面镀金、接地 便。芯片尺寸1.3mmx0.75mm x 0.1mm。 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 典型曲线（TA=+25℃） 4. 不能在通孔上进行键合 0 应用信息 -5 1. 装配示意图 回波损耗(dB) -10 1 MIL 金丝 -15 50ohm传输线 -20 S11 S22 -25 -30 -35 -40 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 频率(GHz) 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 输入输出回波损耗 2. 操作注意事项 0 -5 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -10 氮气环境下保存。 插入损耗(dB) -15 -20 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -25 o S21 (+25 C) -30 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 -35 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -40 -45 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -50 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -55 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 -60 -65 0 2 4 6 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 频率(GHz) 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 插入损耗 极限参数 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 www.iravic.com 34 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTLF-14 GaAs 单片低通滤波器，DC~14GHz 性能特点 外形尺寸 0.75 通带频段：DC～14.0GHz 通带损耗：≤2.1dB 阻带衰减：≥20dB@17.3GHz 0.42 ≥40dB@20.2GHz 1 RF1 RF2 2 回波损耗：-20dB 接口：50Ω共面波导线 LF-14 0 产品简介 1.2 0 YTLF-14是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤波 器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点， 说明： 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 用集总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方 2. 芯片背面镀金、接地 便。芯片尺寸1.2mmx0.75mm x 0.1mm。 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 典型曲线（TA=+25℃） 4. 不能在通孔上进行键合 0 应用信息 -5 1. 装配示意图 回波损耗(dB) -10 1 MIL 金丝 -15 50ohm传输线 -20 S11 S22 -25 -30 -35 -40 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 30 频率(GHz) 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 输入输出回波损耗 2. 操作注意事项 0 -5 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -10 氮气环境下保存。 插入损耗(dB) -15 -20 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -25 o S21 (+25 C) -30 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 -35 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -40 -45 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -50 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -55 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 -60 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 -65 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 频率(GHz) 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 插入损耗 极限参数 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 www.iravic.com 35 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTLF-16 GaAs 单片低通滤波器，DC~16GHz 性能特点 外形尺寸 0.5 通带频段：DC～16.0GHz 通带损耗：≤2.5dB 阻带衰减：≥20dB@19.5GHz LF-17 0.26 ≥40dB@22.7GHz 1 RF1 RF2 2 回波损耗：-21dB 0 接口：50Ω共面波导线 产品简介 YTLF-16是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤波 1.0 0 器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点， 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采 说明： 用集总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 便。芯片尺寸1.0mmx0.5mm x 0.1mm。 2. 芯片背面镀金、接地 典型曲线（TA=+25℃） 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 0 4. 不能在通孔上进行键合 -5 应用信息 回波损耗(dB) -10 1. 装配示意图 -15 1 MIL 金丝 -20 50ohm传输线 S11 S22 -25 -30 -35 -40 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 频率(GHz) 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 输入输出回波损耗 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 0 -5 2. 操作注意事项 -10 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 插入损耗(dB) -15 -20 氮气环境下保存。 o S21 (+25 C) -25 -30 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -35 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 -40 -45 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -50 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -55 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -60 -65 0 2 4 6 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 频率(GHz) 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 插入损耗 极限参数 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 最高输入功率 +30dBm 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 存储温度 -65℃～+150℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 36 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTLF-19 GaAs 单片低通滤波器，DC~19GHz 性能特点 外形尺寸 通带频段：DC～19.0GHz 0.7 通带损耗：≤2.5dB 阻带衰减：≥20dB@22.7GHz 0.36 ≥40dB@26.5GHz 回波损耗：-20dB 接口：50Ω共面波导线 1 RF1 LF-19 0 产品简介 YTLF-19是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤波 RF2 2 1.2 0 器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点， 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采 说明： 用集总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 便。芯片尺寸1.2mmx0.7mm x 0.1mm。 2. 芯片背面镀金、接地 典型曲线（TA=+25℃） 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 0 4. 不能在通孔上进行键合 -5 应用信息 回波损耗(dB) -10 1. 装配示意图 S11 S22 -15 1 MIL 金丝 -20 50ohm传输线 -25 -30 -35 -40 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 频率(GHz) 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 输入输出回波损耗 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 0 插入损耗(dB) -5 -10 2. 操作注意事项 -15 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -20 氮气环境下保存。 -25 -30 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 o S21 (+25 C) -35 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 -40 -45 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -50 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -55 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -60 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 -65 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 频率(GHz) 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 插入损耗 极限参数 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 最高输入功率 +30dBm 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 存储温度 -65℃～+150℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 37 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTHF-2T GaAs 单片高通滤波器，2~18GHz 性能特点 外形尺寸 0.75 通带频段：2～18 GHz 通带损耗：≤2.4 dB 阻带衰减：≥20dB@1.5 GHz 0.38 ≥40dB@1.45 GHz 1 RF1 RF2 2 HF-2T 回波损耗：-20 dB 0 接口：50Ω共面波导线 0 说明： 产品简介 YTHF-2T是一款砷化镓单片高通滤波器芯片。该滤 1.5 波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点， 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采 2. 芯片背面镀金、接地 用集总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 便。芯片尺寸1.5mmx0.75mm x 0.1mm。 4. 不能在通孔上进行键合 回波损耗(dB) 典型曲线（TA=+25℃） 0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 -14 -16 -18 -20 -22 -24 -26 -28 -30 -32 -34 -36 -38 -40 应用信息 1. 装配示意图 S11 S22 1 MIL 金丝 50ohm 传输线 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 22 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 频率(GHz) 输入输出回波损耗 2. 操作注意事项 0 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -5 -10 氮气环境下保存。 插入损耗(dB) -15 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -20 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 -25 o S21 (+25 C) -30 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -35 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -40 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -45 -50 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 -55 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 -60 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 22 频率(GHz) 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 插入损耗 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 极限参数 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 38 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTHF-3T GaAs 单片高通滤波器，3~18GHz 性能特点 外形尺寸 通带频段：3～18 GHz 0.75 通带损耗：≤1.5 dB 阻带衰减：≥25dB@1.9 GHz 0.37 ≥48dB@1.7 GHz 回波损耗：-20 dB 1 RF1 RF2 2 HF-3T 0 接口：50Ω共面波导线 1.5 0 产品简介 YTHF-3T是一款砷化镓单片高通滤波器芯片。该滤 说明： 波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点， 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采 2. 芯片背面镀金、接地 用集总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 便。芯片尺寸1.5mmx0.75mm x 0.1mm。 4. 不能在通孔上进行键合 回波损耗(dB) 典型曲线（TA=+25℃） 0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 -14 -16 -18 -20 -22 -24 -26 -28 -30 -32 -34 -36 -38 -40 应用信息 1. 装配示意图 S11 S22 1 MIL 金丝 50ohm 传输线 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 22 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 频率(GHz) 输入输出回波损耗 2. 操作注意事项 0 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -5 -10 氮气环境下保存。 -15 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 插入损耗(dB) -20 -25 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 -30 -35 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 o S21 (+25 C) -40 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -45 -50 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -55 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 -60 -65 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 -70 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 22 频率(GHz) 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 插入损耗 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 极限参数 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 39 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTHF-4T GaAs 单片高通滤波器，4~20GHz 性能特点 外形尺寸 通带频段：4～20 GHz 0.75 通带损耗：≤2.1 dB 阻带衰减：≥20dB@3.1 GHz 0.38 ≥40dB@2.8 GHz 回波损耗：-20dB 接口：50Ω共面波导线 HF-4T 0 产品简介 RF2 2 1 RF1 1.5 0 YTHF-4T是一款砷化镓单片高通滤波器芯片。该滤 波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点， 说明： 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 用集总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方 2. 芯片背面镀金、接地 便。芯片尺寸1.5mmx0.75mm x 0.1mm。 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 典型曲线（TA=+25℃） 4. 不能在通孔上进行键合 0 回波损耗(dB) -5 应用信息 s11 s11 -10 1. 装配示意图 1 MIL 金丝 -15 50ohm 传输线 -20 -25 -30 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 频率(GHz) 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 输入输出回波损耗 0 2. 操作注意事项 -5 -10 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -15 插入损耗(dB) -20 氮气环境下保存。 -25 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -30 -35 o 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 S21 (+25 C) -40 -45 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -50 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -55 -60 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -65 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 -70 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 22 频率(GHz) 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 插入损耗 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 极限参数 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 www.iravic.com 40 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTHF-5 GaAs 单片高通滤波器，5~30GHz 性能特点 外形尺寸 通带频段：5～30 GHz 0.75 通带损耗：≤1.8 dB 阻带衰减：≥22dB@3.6 GHz 0.38 ≥43dB@3.2 GHz RF2 2 1 RF1 回波损耗：-20dB HF-5 接口：50Ω共面波导线 0 产品简介 1.5 0 YTHF-5是一款砷化镓单片高通滤波器芯片。该滤波 器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点， 说明： 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 用集总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方 2. 芯片背面镀金、接地 便。芯片尺寸1.5mmx0.75mm x 0.1mm。 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 典型曲线（TA=+25℃） 4. 不能在通孔上进行键合 0 回波损耗(dB) -5 应用信息 S11 S22 -10 1. 装配示意图 1 MIL 金丝 -15 50ohm 传输线 -20 -25 -30 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 频率(GHz) 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 输入输出回波损耗 0 2. 操作注意事项 -5 -10 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -15 插入损耗(dB) -20 氮气环境下保存。 -25 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -30 -35 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 o S21 (+25 C) -40 -45 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -50 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -55 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -60 -65 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 -70 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 22 频率(GHz) 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 插入损耗 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 极限参数 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 www.iravic.com 41 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTHF-6T GaAs 单片高通滤波器，6~30GHz 性能特点 外形尺寸 通带频段：6～30 GHz 0.75 通带损耗：≤1.8 dB 阻带衰减：≥22dB@3.6 GHz 0.40 ≥43dB@3.2 GHz 1 RF1 RF2 2 回波损耗：-20dB 接口：50Ω共面波导线 HF-6T 0 产品简介 1.2 0 YTHF-6T是一款砷化镓单片高通滤波器芯片。该滤 波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点， 说明： 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 用集总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方 2. 芯片背面镀金、接地 便。芯片尺寸1.2mmx0.75mm x 0.1mm。 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 典型曲线（TA=+25℃） 4. 不能在通孔上进行键合 0 回波损耗(dB) -5 应用信息 S11 S22 -10 1. 装配示意图 1 MIL 金丝 -15 50ohm 传输线 -20 -25 -30 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 频率(GHz) 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 输入输出回波损耗 0 2. 操作注意事项 -5 -10 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 插入损耗(dB) -15 氮气环境下保存。 -20 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -25 -30 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 o S21 (+25 C) -35 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -40 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -45 -50 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -55 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 -60 0 2 4 6 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 频率(GHz) 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 插入损耗 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 极限参数 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 www.iravic.com 42 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTHF-7T GaAs 单片高通滤波器，7~30GHz 性能特点 外形尺寸 通带频段：7～30 GHz 0.75 通带损耗：≤1.4 dB 阻带衰减：≥22dB@5.0 GHz 0.43 ≥41dB@4.4 GHz 1 RF1 RF2 2 回波损耗：-20dB 接口：50Ω共面波导线 HF-7T 0 产品简介 1.2 0 YTHF-7T是一款砷化镓单片高通滤波器芯片。该滤 波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点， 说明： 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 用集总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方 2. 芯片背面镀金、接地 便。芯片尺寸1.2mmx0.75mm x 0.1mm。 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 典型曲线（TA=+25℃） 4. 不能在通孔上进行键合 0 -2 -4 -6 应用信息 回波损耗(dB) -8 S11 S22 -10 -12 1. 装配示意图 -14 1 MIL 金丝 -16 50ohm 传输线 -18 -20 -22 -24 -26 -28 -30 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 频率(GHz) 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 输入输出回波损耗 0 2. 操作注意事项 -5 -10 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 插入损耗(dB) -15 氮气环境下保存。 -20 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -25 -30 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 o S21 (+25 C) -35 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -40 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -45 -50 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -55 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 -60 0 2 4 6 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 频率(GHz) 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 插入损耗 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 极限参数 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 www.iravic.com 43 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTHF-8T GaAs 单片高通滤波器，8~30GHz 性能特点 外形尺寸 通带频段：8～30 GHz 0.75 通带损耗：≤1.8 dB 阻带衰减：≥21dB@6.5 GHz 0.39 ≥40dB@6.2 GHz 1 RF1 回波损耗：-20dB 接口：50Ω共面波导线 HF-8T 0 产品简介 RF2 2 1.5 0 YTHF-8T是一款砷化镓单片高通滤波器芯片。该滤 波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点， 说明： 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 用集总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方 2. 芯片背面镀金、接地 便。芯片尺寸1.5mmx0.75mm x 0.1mm。 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 典型曲线（TA=+25℃） 4. 不能在通孔上进行键合 0 -2 -4 应用信息 -6 回波损耗(dB) -8 1. 装配示意图 S11 S22 -10 -12 -14 1 MIL 金丝 -16 50ohm 传输线 -18 -20 -22 -24 -26 -28 -30 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 频率(GHz) 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 输入输出回波损耗 0 2. 操作注意事项 -5 -10 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -15 插入损耗(dB) -20 氮气环境下保存。 -25 -30 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -35 -40 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 o S21 (+25 C) -45 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -50 -55 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -60 -65 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -70 -75 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 -80 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 频率(GHz) 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 插入损耗 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 极限参数 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 www.iravic.com 44 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTHF-9 GaAs 单片高通滤波器，9~30GHz 性能特点 外形尺寸 0.75 通带频段：9～30 GHz 通带损耗：≤1.35 dB 阻带衰减：≥21dB@6.0 GHz 0.43 ≥40dB@4.8 GHz RF2 2 1 RF1 回波损耗：-20dB HF-9 接口：50Ω共面波导线 0 产品简介 1.2 0 YTHF-9是一款砷化镓单片高通滤波器芯片。该滤波 器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点， 说明： 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 用集总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方 2. 芯片背面镀金、接地 便。芯片尺寸1.5mmx0.75mm x 0.1mm。 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 典型曲线（TA=+25℃） 4. 不能在通孔上进行键合 0 -5 应用信息 -10 回波损耗(dB) -15 S11 S22 -20 1. 装配示意图 1 MIL 金丝 -25 50ohm 传输线 -30 -35 -40 -45 -50 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 频率(GHz) 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 插入损耗(dB) 输入输出回波损耗 0 -5 -10 -15 -20 -25 -30 -35 -40 -45 -50 -55 -60 -65 -70 -75 -80 -85 -90 2. 操作注意事项 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 氮气环境下保存。 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 o S21 (+25 C) 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 0 2 4 6 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 频率(GHz) 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 插入损耗 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 极限参数 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 www.iravic.com 45 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTHF-10 GaAs 单片高通滤波器，10~30GHz 性能特点 外形尺寸 0.75 通带频段：10～30 GHz 通带损耗：≤1.4 dB 阻带衰减：≥21dB@6.8 GHz 0.40 ≥40dB@5.4 GHz 1 RF1 RF2 2 HF-10 回波损耗：-20dB 0 接口：50Ω共面波导线 1.5 0 说明： 产品简介 YTHF-10是一款砷化镓单片高通滤波器芯片。该滤 波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点， 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采 2. 芯片背面镀金、接地 用集总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 便。芯片尺寸1.5mmx0.75mm x 0.1mm。 4. 不能在通孔上进行键合 典型曲线（TA=+25℃） 0 应用信息 -5 -10 回波损耗(dB) -15 1. 装配示意图 S11 S22 -20 1 MIL 金丝 50ohm 传输线 -25 -30 -35 -40 -45 -50 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 30 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 频率(GHz) 插入损耗(dB) 输入输出回波损耗 0 -5 -10 -15 -20 -25 -30 -35 -40 -45 -50 -55 -60 -65 -70 -75 -80 -85 -90 2. 操作注意事项 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 氮气环境下保存。 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 o 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 S21 (+25 C) 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 0 2 4 6 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 频率(GHz) 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 插入损耗 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 极限参数 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 46 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTJH-1/2-2 GaAs 单片均衡器，1~2GHz 性能特点 外形尺寸 1.0 通带频段：1.0～2.0GHz 1-2-2 通带损耗：≤0.3 dB 均衡量：2.0dB 0.62 回波损耗：-22dB 1 RF1 RF2 2 接口：50Ω共面波导线 产品简介 YTJH-1/2-2是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均衡 0 器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点， 0 广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集 0.75 总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方便。 说明： 芯片尺寸1.00mmx0.75mm x 0.1mm。 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 典型曲线（TA=+25℃） 2. 芯片背面镀金、接地 0 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm -5 4. 不能在通孔上进行键合 S11 S22 -10 回波损耗(dB) -15 应用信息 1. 装配示意图 -20 -25 1 MIL 金丝 -30 50ohm 传输线 -35 -40 -45 -50 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 频率(GHz) 输入输出回波损耗 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 0.0 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 -0.5 -1.0 -1.5 2. 操作注意事项 插入损耗(dB) -2.0 -2.5 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -3.0 -3.5 氮气环境下保存。 -4.0 -4.5 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 o S21 (+25 C) -5.0 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 -5.5 -6.0 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -6.5 -7.0 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -7.5 -8.0 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 频率(GHz) 插入损耗 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 极限参数 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 最高输入功率 +30dBm 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 存储温度 -65℃～+150℃ 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 使用温度 -55℃～+125℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 47 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTJH-1/2-3 GaAs 单片均衡器，1~2GHz 性能特点 外形尺寸 1.0 通带频段：1.0～2.0GHz 1-2-3 通带损耗：≤0.45 dB 均衡量：3.0dB 0.65 回波损耗：-22dB 1 RF1 RF2 2 接口：50Ω共面波导线 产品简介 YTJH-1/2-3是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均衡 0 器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点， 0 广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集 0.75 总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方便。 说明： 芯片尺寸1.00mmx0.75mm x 0.1mm。 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 典型曲线（TA=+25℃） 2. 芯片背面镀金、接地 0 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm -5 4. 不能在通孔上进行键合 S11 S22 -10 回波损耗(dB) -15 应用信息 1. 装配示意图 -20 -25 1 MIL 金丝 -30 50ohm 传输线 -35 -40 -45 -50 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 频率(GHz) 输入输出回波损耗 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 0.0 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 -0.5 -1.0 -1.5 2. 操作注意事项 插入损耗(dB) -2.0 -2.5 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -3.0 -3.5 氮气环境下保存。 -4.0 -4.5 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 o S21 (+25 C) -5.0 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 -5.5 -6.0 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -6.5 -7.0 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -7.5 -8.0 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 频率(GHz) 插入损耗 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 极限参数 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 最高输入功率 +30dBm 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 存储温度 -65℃～+150℃ 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 使用温度 -55℃～+125℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 48 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTJH-1/6-3P5 GaAs 单片均衡器，1~6GHz 性能特点 外形尺寸 0.85 通带频段：1.0～6.0GHz 1-6-3 通带损耗：≤0.43 dB 均衡量：3.5dB 0.44 回波损耗：-20dB 1 RF1 RF2 2 接口：50Ω共面波导线 产品简介 0 YTJH-1/6-3P5是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均 0 衡器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点， 0.8 广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集 说明： 总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方便。 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 芯片尺寸0.85mmx0.80mm x 0.1mm。 2. 芯片背面镀金、接地 典型曲线（TA=+25℃） 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 0 应用信息 -5 回波损耗(dB) -10 1. 装配示意图 S11 S22 -15 1 MIL 金丝 50ohm 传输线 -20 -25 -30 -35 -40 0 2 4 6 8 10 频率(GHz) 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 输入输出回波损耗 0.0 2. 操作注意事项 -0.5 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -1.0 氮气环境下保存。 -1.5 插入损耗(dB) 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -2.0 -2.5 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 o S21 (+25 C) 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -3.0 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -3.5 -4.0 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -4.5 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 -5.0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 频率(GHz) 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 插入损耗 极限参数 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 www.iravic.com 49 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTJH-1/8-4 GaAs 单片均衡器，1~8GHz 性能特点 外形尺寸 通带频段：1.0～8.0GHz 0.85 通带损耗：≤0.47 dB 1-8-3P5 均衡量：4.0dB 0.47 回波损耗：-22dB 1 RF1 RF2 2 接口：50Ω共面波导线 产品简介 YTJH-1/8-4是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均衡 0 器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点， 0 广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集 0.8 总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方便。 说明： 芯片尺寸0.85mmx0.80mm x 0.1mm。 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 典型曲线（TA=+25℃） 2. 芯片背面镀金、接地 0 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm -5 4. 不能在通孔上进行键合 回波损耗(dB) -10 应用信息 S11 S22 -15 1. 装配示意图 -20 1 MIL 金丝 -25 50ohm 传输线 -30 -35 -40 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 频率(GHz) 输入输出回波损耗 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 0.0 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 -0.5 -1.0 2. 操作注意事项 插入损耗(dB) -1.5 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -2.0 -2.5 氮气环境下保存。 o S21 (+25 C) 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -3.0 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 -3.5 -4.0 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -4.5 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -5.0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 频率(GHz) 插入损耗 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 极限参数 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 最高输入功率 +30dBm 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 存储温度 -65℃～+150℃ 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 使用温度 -55℃～+125℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 50 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTJH-2/4-3 GaAs 单片均衡器，2~4GHz 性能特点 外形尺寸 通带频段：2.0～4.0GHz 0.85 通带损耗：≤0.6 dB 均衡量：3.0dB 2-4-3 0.49 回波损耗：-21dB 1 RF1 RF2 2 接口：50Ω共面波导线 产品简介 0 YTJH-2/4-3是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均衡 器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点， 0 广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集 0.8 总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方便。 说明： 芯片尺寸0.85mmx0.80mm x 0.1mm。 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 典型曲线（TA=+25℃） 2. 芯片背面镀金、接地 0 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 -5 回波损耗(dB) -10 应用信息 S11 S22 -15 1. 装配示意图 -20 1 MIL 金丝 -25 50ohm 传输线 -30 -35 -40 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 频率(GHz) 输入输出回波损耗 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 0.0 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 -0.5 -1.0 2. 操作注意事项 插入损耗(dB) -1.5 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -2.0 氮气环境下保存。 -2.5 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -3.0 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 o S21 (+25 C) -3.5 -4.0 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -4.5 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -5.0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 频率(GHz) 插入损耗 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 极限参数 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 最高输入功率 +30dBm 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 存储温度 -65℃～+150℃ 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 使用温度 -55℃～+125℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 51 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTJH-2/4-4 GaAs 单片均衡器，2~4GHz 性能特点 外形尺寸 通带频段：2.0～4.0GHz 0.85 通带损耗：≤0.6 dB 2-4-4 均衡量：4.0dB 0.48 回波损耗：-20dB 1 RF1 RF2 2 接口：50Ω共面波导线 产品简介 YTJH-2/4-4是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均衡 0 器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点， 0 广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集 0.8 总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方便。 说明： 芯片尺寸0.85mmx0.80mm x 0.1mm。 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 典型曲线（TA=+25℃） 2. 芯片背面镀金、接地 0 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm -5 4. 不能在通孔上进行键合 回波损耗(dB) -10 应用信息 S11 S22 -15 1. 装配示意图 -20 1 MIL 金丝 -25 50ohm 传输线 -30 -35 -40 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 频率(GHz) 输入输出回波损耗 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 0.0 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 -0.5 插入损耗(dB) -1.0 -1.5 2. 操作注意事项 -2.0 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -2.5 氮气环境下保存。 -3.0 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -3.5 -4.0 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 o S21 (+25 C) -4.5 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -5.0 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -5.5 -6.0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 6.0 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 频率(GHz) 插入损耗 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 极限参数 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 最高输入功率 +30dBm 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 存储温度 -65℃～+150℃ 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 使用温度 -55℃～+125℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 52 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTJH-2/18-8 GaAs 单片均衡器，2~18GHz 性能特点 外形尺寸 通带频段：2.0～18.0GHz 0.85 通带损耗：≤1.2 dB 2-18-8 均衡量：8.4dB 回波损耗：-18dB 0.44 接口：50Ω共面波导线 1 RF1 RF2 2 产品简介 YTJH-2/18-8是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均衡 0 器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点， 0 广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集 0.75 总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方便。 说明： 芯片尺寸0.85mmx0.80mm x 0.1mm。 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 典型曲线（TA=+25℃） 2. 芯片背面镀金、接地 0 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 -5 回波损耗(dB) -10 应用信息 S11 S22 -15 1. 装配示意图 -20 1 MIL 金丝 -25 50ohm 传输线 -30 -35 -40 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 频率(GHz) 输入输出回波损耗 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 0 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 -1 -2 2. 操作注意事项 插入损耗(dB) -3 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -4 氮气环境下保存。 -5 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -6 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 o S21 (+25 C) -7 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -8 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -9 -10 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 频率(GHz) 插入损耗 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 极限参数 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 最高输入功率 +30dBm 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 存储温度 -65℃～+150℃ 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 使用温度 -55℃～+125℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 53 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTJH-6/12-3 GaAs 单片均衡器，6~12GHz 性能特点 外形尺寸 0 .8 5 通带频段：6.0～12.0GHz 通带损耗：≤0.9 dB 6 -1 2 -3 均衡量：3.4dB 0 .4 4 回波损耗：-20dB 1 RF1 RF2 2 接口：50Ω共面波导线 产品简介 0 YTJH-6/12-3是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均衡 器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点， 0 广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集 总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方便。 说明： 芯片尺寸0.85mmx0.80mm x 0.1mm。 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 典型曲线（TA=+25℃） 2. 芯片背面镀金、接地 0 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm -5 4. 不能在通孔上进行键合 -10 回波损耗(dB) 0 .8 应用信息 S11 S22 -15 1. 装配示意图 -20 1 MIL 金丝 -25 50ohm 传输线 -30 -35 -40 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 频率(GHz) 输入输出回波损耗 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 0.0 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 -0.5 -1.0 2. 操作注意事项 插入损耗(dB) -1.5 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -2.0 氮气环境下保存。 -2.5 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -3.0 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 o S21 (+25 C) -3.5 -4.0 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -4.5 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -5.0 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 频率(GHz) 插入损耗 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 极限参数 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 最高输入功率 +30dBm 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 存储温度 -65℃～+150℃ 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 使用温度 -55℃～+125℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 54 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTJH-6/18-3 GaAs 单片均衡器，6~18GHz 性能特点 外形尺寸 0.85 通带频段：6.0～18.0GHz 6-18-3 通带损耗：≤1.0 dB 0.50 均衡量：3.0dB 1 R F1 R F2 2 回波损耗：-25dB 接口：50Ω共面波导线 0 产品简介 YTJH-6/18-3是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均衡 0.75 器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点， 0 说明： 广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方便。 2. 芯片背面镀金、接地 芯片尺寸0.85mmx0.75mm x 0.1mm。 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 典型曲线（TA=+25℃） 4. 不能在通孔上进行键合 0 应用信息 -5 1. 装配示意图 回波损耗(dB) -10 S11 S22 -15 1 MIL 金丝 50ohm 传输线 -20 -25 -30 -35 -40 -45 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 20 频率(GHz) 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 输入输出回波损耗 2. 操作注意事项 0.0 -0.5 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -1.0 氮气环境下保存。 插入损耗(dB) -1.5 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -2.0 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 -2.5 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -3.0 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 o S21 (+25 C) -3.5 -4.0 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -4.5 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 -5.0 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 30 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 频率(GHz) 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 插入损耗 极限参数 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 最高输入功率 +30dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 www.iravic.com 55 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTJH-6/18-4 GaAs 单片均衡器，6~18GHz 性能特点 外形尺寸 0.85 通带频段：6.0～18.0GHz 6-18-4 通带损耗：≤0.9 dB 均衡量：4.0dB 0.50 回波损耗：-22dB 1 RF1 RF2 2 接口：50Ω共面波导线 产品简介 YTJH-6/18-4是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均衡 0 器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点， 0 广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集 总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方便。 说明： 芯片尺寸0.85mmx0.75mm x 0.1mm。 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 典型曲线（TA=+25℃） 2. 芯片背面镀金、接地 0 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm -5 4. 不能在通孔上进行键合 -10 应用信息 S11 S22 -15 回波损耗(dB) 0.75 -20 1. 装配示意图 -25 1 MIL 金丝 -30 50ohm 传输线 -35 -40 -45 -50 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 频率(GHz) 输入输出回波损耗 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 0.0 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 -0.5 插入损耗(dB) -1.0 -1.5 2. 操作注意事项 -2.0 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -2.5 氮气环境下保存。 -3.0 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -3.5 -4.0 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 o S21 (+25 C) -4.5 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -5.0 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -5.5 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -6.0 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 频率(GHz) 插入损耗 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 极限参数 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 最高输入功率 +30dBm 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 存储温度 -65℃～+150℃ 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 使用温度 -55℃～+125℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 56 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTJH-6/18-5 GaAs 单片均衡器，6~18GHz 性能特点 外形尺寸 通带频段：6.0～18.0GHz 0.85 通带损耗：≤1.0 dB 均衡量：5.0dB 6-18-5 0.50 回波损耗：-25dB 1 RF1 RF2 2 接口：50Ω共面波导线 产品简介 YTJH-6/18-5是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均衡 0 器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点， 0 广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集 0.75 总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方便。 说明： 芯片尺寸0.85mmx0.75mm x 0.1mm。 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 典型曲线（TA=+25℃） 2. 芯片背面镀金、接地 0 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm -5 4. 不能在通孔上进行键合 -10 回波损耗(dB) 应用信息 S11 S22 -15 -20 1. 装配示意图 -25 1 MIL 金丝 -30 50ohm 传输线 -35 -40 -45 -50 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 频率(GHz) 输入输出回波损耗 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 0.0 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 -0.5 -1.0 插入损耗(dB) -1.5 -2.0 2. 操作注意事项 -2.5 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -3.0 氮气环境下保存。 -3.5 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -4.0 -4.5 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 o S21 (+25 C) -5.0 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -5.5 -6.0 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -6.5 -7.0 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 频率(GHz) 插入损耗 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 极限参数 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 最高输入功率 +30dBm 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 存储温度 -65℃～+150℃ 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 使用温度 -55℃～+125℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 57 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTJH-6/18-6 GaAs 单片均衡器，6~18GHz 性能特点 外形尺寸 0.85 通带频段：6.0～18.0GHz 6-18-6 通带损耗：≤1.2 dB 均衡量：6.0dB 0.50 回波损耗：-22dB 1 RF1 RF2 2 接口：50Ω共面波导线 产品简介 YTJH-6/18-6是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均衡 0 器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点， 广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集 0 0.75 总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方便。 说明： 芯片尺寸0.85mmx0.75mm x 0.1mm。 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 典型曲线（TA=+25℃） 2. 芯片背面镀金、接地 0 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm -5 4. 不能在通孔上进行键合 -10 回波损耗(dB) 应用信息 S11 S22 -15 -20 1. 装配示意图 -25 1 MIL 金丝 -30 50ohm 传输线 -35 -40 -45 -50 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 频率(GHz) 输入输出回波损耗 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 0.0 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 -0.5 -1.0 -1.5 2. 操作注意事项 插入损耗(dB) -2.0 -2.5 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -3.0 -3.5 氮气环境下保存。 -4.0 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -4.5 -5.0 -5.5 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 o S21 (+25 C) -6.0 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -6.5 -7.0 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -7.5 -8.0 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 频率(GHz) 插入损耗 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 极限参数 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 最高输入功率 +30dBm 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 存储温度 -65℃～+150℃ 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 使用温度 -55℃～+125℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 58 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTJH-8/12-2 GaAs 单片均衡器，8~12GHz 性能特点 外形尺寸 通带频段：8.0～12.0GHz 1 .0 通带损耗：≤0.7 dB 8 -1 2 -2 均衡量：2.0dB 回波损耗：-22dB 0 .4 7 接口：50Ω共面波导线 1 RF1 RF2 2 产品简介 YTJH-8/12-2是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均衡 0 器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点， 0 广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集 0 .7 5 总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方便。 说明： 芯片尺寸1.00mmx0.75mm x 0.1mm。 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 典型曲线（TA=+25℃） 2. 芯片背面镀金、接地 0 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm -5 4. 不能在通孔上进行键合 -10 回波损耗(dB) 应用信息 S11 S22 -15 -20 1. 装配示意图 -25 1 MIL 金丝 -30 50ohm 传输线 -35 -40 -45 -50 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 频率(GHz) 输入输出回波损耗 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 0.0 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 -0.5 2. 操作注意事项 插入损耗(dB) -1.0 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -1.5 氮气环境下保存。 -2.0 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -2.5 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 o S21 (+25 C) -3.0 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -3.5 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -4.0 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 频率(GHz) 插入损耗 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 极限参数 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 最高输入功率 +30dBm 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 存储温度 -65℃～+150℃ 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 使用温度 -55℃～+125℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 59 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTJH-8/12-3 GaAs 单片均衡器，8~12GHz 性能特点 外形尺寸 1.0 通带频段：8.0～12.0GHz 通带损耗：≤1.0 dB 8-12-3 均衡量：3.0dB 回波损耗：-22dB 0.49 接口：50Ω共面波导线 1 RF1 RF2 2 产品简介 YTJH-8/12-3是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均衡 0 器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点， 0 广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集 0.75 总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方便。 说明： 芯片尺寸1.00mmx0.75mm x 0.1mm。 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 典型曲线（TA=+25℃） 2. 芯片背面镀金、接地 0 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm -5 4. 不能在通孔上进行键合 -10 回波损耗(dB) 应用信息 S11 S22 -15 -20 1. 装配示意图 -25 1 MIL 金丝 -30 50ohm 传输线 -35 -40 -45 -50 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 频率(GHz) 输入输出回波损耗 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 0.0 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 -0.5 -1.0 2. 操作注意事项 插入损耗(dB) -1.5 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -2.0 氮气环境下保存。 -2.5 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -3.0 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 o S21 (+25 C) -3.5 -4.0 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -4.5 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -5.0 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 频率(GHz) 插入损耗 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 极限参数 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 最高输入功率 +30dBm 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 存储温度 -65℃～+150℃ 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 使用温度 -55℃～+125℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 60 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTJH-8/12-4 GaAs 单片均衡器，8~12GHz 性能特点 外形尺寸 0.85 通带频段：8.0～12.0GHz 8-12-4 通带损耗：≤1.0 dB 均衡量：4.0dB 0.43 回波损耗：-16dB 1 RF1 RF2 2 接口：50Ω共面波导线 产品简介 0 YTJH-8/12-4是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均衡 0.75 器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点， 0 广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集 说明： 总单元实现，性能不受外部盒体影响，使用简单方便。 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 芯片尺寸1.00mmx0.75mm x 0.1mm。 2. 芯片背面镀金、接地 典型曲线（TA=+25℃） 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 0 4. 不能在通孔上进行键合 -5 -15 回波损耗(dB) 应用信息 S11 S22 -10 1. 装配示意图 -20 1 MIL 金丝 -25 50ohm 传输线 -30 -35 -40 -45 -50 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 频率(GHz) 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 输入输出回波损耗 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 0.0 -0.5 2. 操作注意事项 -1.0 -1.5 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 插入损耗(dB) -2.0 -2.5 氮气环境下保存。 -3.0 -3.5 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -4.0 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 -4.5 -5.0 -5.5 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 o S21 (+25 C) -6.0 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -6.5 -7.0 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -7.5 -8.0 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 18 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 频率(GHz) 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 插入损耗 极限参数 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 最高输入功率 +30dBm 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 存储温度 -65℃～+150℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 61 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGS-0 GaAs 单片固定衰减器，DC~40GHz 性能特点 外形尺寸 通带频段：DC～40 GHz 衰减量：0 dB 衰减精度：±0.2dB 回波损耗：＞20dB 芯片尺寸：0.5mmx0.5mm x 0.1mm 接口：50Ω共面波导线 0 .5 0 .2 5 1 0D B 2 0 产品简介 0 .5 0 YTGS-0是一款砷化镓单片固定衰减器芯片。该衰减 器器芯片具有衰减精度高、体积小、重量轻、易集成等 说明： 特点，广泛应用于改善阻抗匹配和信号衰减。该芯片采 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了 2. 芯片背面镀金、接地 金属化处理，适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 典型曲线（TA=+25℃） 4. 不能在通孔上进行键合 应用信息 0 -5 1. 装配示意图 -10 回波 损耗(dB) -15 3 MIL 装配间隙 -20 1 MIL 金丝 -25 -30 -35 S11 S22 -40 0DB -45 -50 -55 -60 0 5 10 15 20 25 30 35 40 50ohm 传输线 频率(GHz) 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 输入输出回波损耗 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 0.0 2. 操作注意事项 插入损耗(dB) -0.5 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 氮气环境下保存。 -1.0 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -1.5 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 o S21 (+25 C) -2.0 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -2.5 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -3.0 0 5 10 15 20 25 30 35 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 40 频率(GHz) 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 衰减量 极限参数 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 最高输入功率 +27dBm 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 存储温度 -65℃～+150℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 62 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGS-0P5 GaAs 单片固定衰减器，DC~40GHz 性能特点 外形尺寸 通带频段：DC～40 GHz 衰减量：0.5 dB 衰减精度：±0.2dB 回波损耗：＞20dB 芯片尺寸：0.5mmx0.5mm x 0.1mm 接口：50Ω共面波导线 0 .5 0 .2 5 1 0 .5 D B 2 0 产品简介 0 .5 0 YTGS-0P5是一款砷化镓单片固定衰减器芯片。该衰 减器器芯片具有衰减精度高、体积小、重量轻、易集成 说明： 等特点，广泛应用于改善阻抗匹配和信号衰减。该芯片 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 采用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行 2. 芯片背面镀金、接地 了金属化处理，适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 典型曲线（TA=+25℃） 4. 不能在通孔上进行键合 0 应用信息 -2 -4 1. 装配示意图 -6 回波 损耗(dB) -8 3 MIL 装配间隙 -10 -12 1 MIL 金丝 -14 -16 -18 S11 S22 -20 -22 0.5DB -24 -26 -28 -30 0 5 10 15 20 25 30 35 40 50ohm 传输线 频率(GHz) 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 输入输出回波损耗 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 0.0 2. 操作注意事项 插入损耗(dB) -0.5 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 氮气环境下保存。 -1.0 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -1.5 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 o S21 (+25 C) 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -2.0 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -2.5 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 -3.0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 频率(GHz) 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 衰减量 极限参数 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 最高输入功率 +27dBm 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 存储温度 -65℃～+150℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 63 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGS-1 GaAs 单片固定衰减器，DC~40GHz 性能特点 外形尺寸 0 .5 通带频段：DC～40 GHz 衰减量：1dB 衰减精度：±0.2dB 回波损耗：＞20dB 芯片尺寸：0.5mmx0.5mm x 0.1mm 接口：50Ω共面波导线 0 .2 5 1 1D B 2 0 0 .5 0 产品简介 YTGS-1是一款砷化镓单片固定衰减器芯片。该衰减 说明： 器器芯片具有衰减精度高、体积小、重量轻、易集成等 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 特点，广泛应用于改善阻抗匹配和信号衰减。该芯片采 2. 芯片背面镀金、接地 用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 金属化处理，适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。 4. 不能在通孔上进行键合 典型曲线（TA=+25℃） 应用信息 0 1. 装配示意图 -5 3 MIL 装配间隙 回波 损耗(dB) -10 1 MIL 金丝 -15 -20 1DB S11 S22 -25 -30 -35 -40 0 5 10 15 20 25 30 35 40 50ohm 传输线 频率(GHz) 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 输入输出回波损耗 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 0.0 2. 操作注意事项 插入损耗(dB) -0.5 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 氮气环境下保存。 -1.0 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -1.5 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 o S21 (+25 C) 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -2.0 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -2.5 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -3.0 0 5 10 15 20 25 30 35 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 40 频率(GHz) 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 衰减量 极限参数 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 最高输入功率 +27dBm 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 存储温度 -65℃～+150℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 64 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGS-2 GaAs 单片固定衰减器，DC~40GHz 性能特点 外形尺寸 0.5 通带频段：DC～40 GHz 衰减量：2dB 衰减精度：±0.3dB 回波损耗：＞20dB 芯片尺寸：0.5mmx0.5mm x 0.1mm 接口：50Ω共面波导线 0.25 2DB 1 2 0 产品简介 YTGS-2是一款砷化镓单片固定衰减器芯片。该衰减 0.5 0 器器芯片具有衰减精度高、体积小、重量轻、易集成等 说明： 特点，广泛应用于改善阻抗匹配和信号衰减。该芯片采 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了 2. 芯片背面镀金、接地 金属化处理，适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 典型曲线（TA=+25℃） 4. 不能在通孔上进行键合 应用信息 0 1. 装配示意图 -5 3 MIL 装配间隙 回波 损耗(dB) -10 -15 1 MIL 金丝 S11 S22 -20 2DB -25 -30 -35 -40 0 5 10 15 20 25 30 35 40 50ohm 传输线 频率(GHz) 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 输入输出回波损耗 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 0.0 2. 操作注意事项 插入损耗(dB) -0.5 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 氮气环境下保存。 -1.0 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -1.5 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 o S21 (+25 C) 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -2.0 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -2.5 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -3.0 0 5 10 15 20 25 30 35 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 40 频率(GHz) 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 衰减量 极限参数 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 最高输入功率 +27dBm 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 存储温度 -65℃～+150℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 65 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGS-3 GaAs 单片固定衰减器，DC~40GHz 性能特点 外形尺寸 0.5 通带频段：DC～40 GHz 衰减量：3dB 衰减精度：±0.3dB 回波损耗：＞20dB 芯片尺寸：0.5mmx0.5mm x 0.1mm 接口：50Ω共面波导线 0.25 1 3DB 2 0 产品简介 0.5 0 YTGS-3是一款砷化镓单片固定衰减器芯片。该衰减 器器芯片具有衰减精度高、体积小、重量轻、易集成等 说明： 特点，广泛应用于改善阻抗匹配和信号衰减。该芯片采 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了 2. 芯片背面镀金、接地 金属化处理，适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 典型曲线（TA=+25℃） 4. 不能在通孔上进行键合 0 应用信息 -5 1. 装配示意图 回波 损耗(dB) -10 3 MIL 装配间隙 S11 S22 -15 1 MIL 金丝 -20 3DB -25 -30 -35 -40 0 5 10 15 20 25 30 35 40 50ohm 传输线 频率(GHz) 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 输入输出回波损耗 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 0.0 -0.5 2. 操作注意事项 -1.0 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 插入损耗(dB) -1.5 氮气环境下保存。 -2.0 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 o S21 (+25 C) -2.5 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 -3.0 -3.5 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -4.0 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -4.5 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -5.0 0 5 10 15 20 25 30 35 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 40 频率(GHz) 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 衰减量 极限参数 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 最高输入功率 +27dBm 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 存储温度 -65℃～+150℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 66 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGS-4 GaAs 单片固定衰减器，DC~40GHz 性能特点 外形尺寸 0.5 0.5 通带频段：DC～40 GHz 衰减量：4dB 衰减精度：±0.3dB 回波损耗：＞20dB 芯片尺寸：0.5mmx0.5mm x 0.1mm 接口：50Ω共面波导线 0.25 1 4DB 0.25 2 0 0.5 0 产品简介 YTGS-4是一款砷化镓单片固定衰减器芯片。该衰减 说明： 器器芯片具有衰减精度高、体积小、重量轻、易集成等 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 特点，广泛应用于改善阻抗匹配和信号衰减。该芯片采 2. 芯片背面镀金、接地 用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 金属化处理，适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。 4. 不能在通孔上进行键合 典型曲线（TA=+25℃） 应用信息 0 1. 装配示意图 -5 3 MIL 装配间隙 回波 损耗(dB) -10 1 MIL 金丝 -15 -20 4DB S11 S22 -25 -30 -35 -40 0 5 10 15 20 25 30 35 50ohm 传输线 40 频率(GHz) 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 输入输出回波损耗 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 0.0 -0.5 2. 操作注意事项 -1.0 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 插入损耗(dB) -1.5 氮气环境下保存。 -2.0 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -2.5 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 o S21 (+25 C) -3.0 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -3.5 -4.0 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -4.5 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -5.0 0 5 10 15 20 25 30 35 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 40 频率(GHz) 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 衰减量 极限参数 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 最高输入功率 +27dBm 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 存储温度 -65℃～+150℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 67 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGS-5 GaAs 单片固定衰减器，DC~40GHz 性能特点 外形尺寸 通带频段：DC～40 GHz 衰减量：5dB 衰减精度：±0.4dB 回波损耗：＞20dB 芯片尺寸：0.5mmx0.5mm x 0.1mm 接口：50Ω共面波导线 0.5 0.25 1 5D B 2 0 产品简介 0.5 0 YTGS-5是一款砷化镓单片固定衰减器芯片。该衰减 器器芯片具有衰减精度高、体积小、重量轻、易集成等 说明： 特点，广泛应用于改善阻抗匹配和信号衰减。该芯片采 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了 2. 芯片背面镀金、接地 金属化处理，适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 典型曲线（TA=+25℃） 4. 不能在通孔上进行键合 0 应用信息 -5 1. 装配示意图 回波 损耗(dB) -10 3 MIL 装配间隙 -15 1 MIL 金丝 -20 5DB S11 S22 -25 -30 -35 -40 0 5 10 15 20 25 30 35 40 50ohm 传输线 频率(GHz) 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 输入输出回波损耗 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 -3.0 2. 操作注意事项 -3.5 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 插入损耗(dB) -4.0 氮气环境下保存。 o S21 (+25 C) -4.5 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -5.0 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 -5.5 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -6.0 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -6.5 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -7.0 0 5 10 15 20 25 30 35 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 40 频率(GHz) 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 衰减量 极限参数 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 最高输入功率 +27dBm 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 存储温度 -65℃～+150℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 68 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGS-6 GaAs 单片固定衰减器，DC~40GHz 性能特点 外形尺寸 通带频段：DC～40 GHz 衰减量：6dB 衰减精度：±0.4dB 回波损耗：＞18dB 芯片尺寸：0.5mmx0.5mm x 0.1mm 接口：50Ω共面波导线 0.5 0.25 1 6D B 2 0 产品简介 YTGS-6是一款砷化镓单片固定衰减器芯片。该衰减 说明： 0.5 0 器器芯片具有衰减精度高、体积小、重量轻、易集成等 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 特点，广泛应用于改善阻抗匹配和信号衰减。该芯片采 2. 芯片背面镀金、接地 用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 金属化处理，适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。 4. 不能在通孔上进行键合 典型曲线（TA=+25℃） 应用信息 0 1. 装配示意图 -5 3 MIL 装配间隙 回波 损耗(dB) -10 1 MIL 金丝 -15 -20 6DB S11 S22 -25 -30 -35 -40 0 5 10 15 20 25 30 35 40 50ohm 传输线 频率(GHz) 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 输入输出回波损耗 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 -4.0 2. 操作注意事项 -4.5 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 插入损耗(dB) -5.0 氮气环境下保存。 o S21 (+25 C) -5.5 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -6.0 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 -6.5 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -7.0 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -7.5 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -8.0 0 5 10 15 20 25 30 35 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 40 频率(GHz) 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 衰减量 极限参数 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 最高输入功率 +27dBm 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 存储温度 -65℃～+150℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 69 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGS-8 GaAs 单片固定衰减器，DC~40GHz 性能特点 外形尺寸 通带频段：DC～40 GHz 衰减量：8dB 衰减精度：±0.4dB 回波损耗：＞18dB 芯片尺寸：0.5mmx0.5mm x 0.1mm 接口：50Ω共面波导线 0 .5 0 .2 5 1 8D B 2 0 0 .5 0 产品简介 YTGS-8是一款砷化镓单片固定衰减器芯片。该衰减 说明： 器器芯片具有衰减精度高、体积小、重量轻、易集成等 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 特点，广泛应用于改善阻抗匹配和信号衰减。该芯片采 2. 芯片背面镀金、接地 用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 金属化处理，适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。 4. 不能在通孔上进行键合 典型曲线（TA=+25℃） 应用信息 0 1. 装配示意图 -5 回波损耗（dB） 3 MIL 装配间隙 S11 S22 -10 1 MIL 金丝 -15 -20 8DB -25 -30 -35 -40 0 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 50ohm 传输线 频率（GHz） 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 输入输出回波损耗 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 0 2. 操作注意事项 -2 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 衰减量（dB） -4 氮气环境下保存。 -6 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -8 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 o S21 (+25 C) -10 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -12 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -14 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -16 0 4 8 12 16 20 24 28 32 36 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 40 频率（GHz） 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 衰减量 极限参数 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 最高输入功率 +27dBm 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 存储温度 -65℃～+150℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 70 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGS-10 GaAs 单片固定衰减器，DC~40GHz 性能特点 外形尺寸 0.5 通带频段：DC～40 GHz 衰减量：10 dB 衰减精度：±0.3dB 回波损耗：-20dB 芯片尺寸：0.8mmx0.5mm x 0.1mm 接口：50Ω共面波导线 0.25 1 10DB 2 0 0.8 0 产品简介 YTGS-10是一款砷化镓单片固定衰减器芯片。该衰 说明： 减器器芯片具有衰减精度高、体积小、重量轻、易集成 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 等特点，广泛应用于改善阻抗匹配和信号衰减。该芯片 2. 芯片背面镀金、接地 采用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 了金属化处理，适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。 4. 不能在通孔上进行键合 典型曲线（TA=+25℃） 应用信息 0 1. 装配示意图 回波损耗(dB) -5 3 MIL 装配间隙 -10 1 MIL 金丝 S11 S22 -15 10DB -20 -25 -30 0 5 10 15 20 25 30 35 50ohm 传输线 40 频率(GHz) 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 输入输出回波损耗 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 -5 -6 2. 操作注意事项 -7 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 插入损耗(dB) -8 氮气环境下保存。 -9 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -10 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 o S21 (+25 C) -11 -12 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -13 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -14 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -15 0 5 10 15 20 25 30 35 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 40 频率(GHz) 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 衰减量 极限参数 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 最高输入功率 +27dBm 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 存储温度 -65℃～+150℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 71 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGS-15 GaAs 单片固定衰减器，DC~40GHz 性能特点 外形尺寸 0.5 通带频段：DC～40 GHz 衰减量：15 dB 衰减精度：±0.7dB 回波损耗：-20dB 芯片尺寸：0.8mmx0.5mm x 0.1mm 接口：50Ω共面波导线 0.25 1 15DB 2 0 0.8 0 产品简介 YTGS-15是一款砷化镓单片固定衰减器芯片。该衰 说明： 减器器芯片具有衰减精度高、体积小、重量轻、易集成 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 等特点，广泛应用于改善阻抗匹配和信号衰减。该芯片 2. 芯片背面镀金、接地 采用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 了金属化处理，适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。 4. 不能在通孔上进行键合 典型曲线（TA=+25℃） 应用信息 0 1. 装配示意图 3 MIL 装配间隙 回波损耗(dB) -5 S11 S22 -10 -15 1 MIL 金丝 15DB -20 -25 -30 0 5 10 15 20 25 30 35 40 50ohm 传输线 频率(GHz) 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 输入输出回波损耗 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 -10 -11 2. 操作注意事项 -12 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 插入损耗(dB) -13 氮气环境下保存。 -14 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -15 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 o S21 (+25 C) -16 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -17 -18 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -19 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -20 0 5 10 15 20 25 30 35 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 40 频率(GHz) 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 衰减量 极限参数 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 最高输入功率 +27dBm 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 存储温度 -65℃～+150℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 72 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGS-20 GaAs 单片固定衰减器，DC~40GHz 性能特点 外形尺寸 0.5 通带频段：DC～40 GHz 衰减量：20 dB 衰减精度：±0.8dB 回波损耗：-20dB 芯片尺寸：0.8mmx0.5mm x 0.1mm 接口：50Ω共面波导线 0.25 1 20DB 2 0 0.8 0 产品简介 YTGS-20是一款砷化镓单片固定衰减器芯片。该衰 说明： 减器器芯片具有衰减精度高、体积小、重量轻、易集成 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 等特点，广泛应用于改善阻抗匹配和信号衰减。该芯片 2. 芯片背面镀金、接地 采用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 了金属化处理，适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。 4. 不能在通孔上进行键合 典型曲线（TA=+25℃） 应用信息 0 1. 装配示意图 回波损耗(dB) -5 3 MIL 装配间隙 -10 1 MIL 金丝 S11 S22 -15 20DB -20 -25 -30 0 5 10 15 20 25 30 35 50ohm 传输线 40 频率(GHz) 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 输入输出回波损耗 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 插入损耗(dB) -15 -16 2. 操作注意事项 -17 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 -18 氮气环境下保存。 -19 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 -20 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 o S21 (+25 C) -21 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 -22 -23 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 -24 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 -25 0 5 10 15 20 25 30 35 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 40 频率(GHz) 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 衰减量 极限参数 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 最高输入功率 +27dBm 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 存储温度 -65℃～+150℃ 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 使用温度 -55℃～+125℃ ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 73 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGS-0P5/0/1 GaAs 单片可选固定衰减器，DC~40GHz 性能特点 0 通带频段：DC～40 GHz 衰减量：0/0.5dB/1dB 衰减精度：±0.2dB 回波损耗：＞20dB 芯片尺寸：1.0mmx0.5mm x 0.1mm 接口：50Ω共面波导线 -5 0dB 1.5dB 3dB 回波损耗（dB） -10 -15 -20 -25 -30 产品简介 YTGS-0P5/0/1是一款砷化镓单片可选固定衰减器 -35 芯片。该衰减器器芯片具有衰减精度高、衰减量可选、 -40 0 4 8 12 体积小、重量轻、易集成等特点，广泛应用于改善阻抗 20 24 28 32 36 40 28 32 36 40 频率（GHz） 输入回波损耗 匹配和通道幅度改善。该芯片采用了片上通孔金属化工 艺保证良好的接地。背面进行了金属化处理，适合共晶 0 烧结和导电胶粘接工艺。 -5 典型曲线（TA=+25℃） 0dB 1.5dB 3dB 回波损耗（dB） -10 0.0 -0.5 衰减量（dB） 16 -15 -20 -25 -30 -35 -1.0 -40 S11 S22 -1.5 0 4 8 12 16 20 24 频率（GHz） 输出回波损耗 -2.0 0 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 频率（GHz） 衰减量 极限参数 0 相位一致性（deg） -2 最高输入功率 +27dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ -4 1.5dB 3dB -6 -8 -10 0 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 频率（GHz） 相位一致性 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 74 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGS-0P5/0/1 GaAs 单片可选固定衰减器，DC~40GHz 外形尺寸 3 MIL 装配间隙 0 .8 0 0 .7 8 1 0 .5 0 3 0 2 0 - 0 .5 - 1 1 4 5 0 .2 2 1 MIL 金丝 3 6 5 0 0.5dB 0-0.5-1 2 0dB 4 1dB 6 50ohm 传输线 0 .5 0 说明： 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 2. 芯片背面镀金、接地 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 2. 操作注意事项 4. 不能在通孔上进行键合 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 氮气环境下保存。 键合压点定义 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 压点 功能 编号 符号 1，2 0.5dB,RFin，RFout 3、4 0dB,RFin，RFout 0dB 射频输入、输出，阻抗 50ohm 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 5，6 1dB,RFin，RFout 1dB 射频输入、输出，阻抗 50ohm 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 其他 GND 功能描述 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 0.5dB 射频输入、输出，阻抗 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 50ohm 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 应用信息 1. 装配示意图 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 75 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGS-1/0/2 GaAs 单片可选固定衰减器，DC~40GHz 性能特点 0 通带频段：DC～40 GHz 衰减量：0/1dB/2dB 衰减精度：±0.2dB 回波损耗：＞20dB 芯片尺寸：1.0mmx0.5mm x 0.1mm 接口：50Ω共面波导线 -5 0dB 1dB 2dB 回波损耗（dB） -10 -15 -20 -25 -30 产品简介 -35 YTGS-1/0/2是一款砷化镓单片可选固定衰减器芯片。 -40 该衰减器器芯片具有衰减精度高、衰减量可选、体积小、 0 4 8 12 重量轻、易集成等特点，广泛应用于改善阻抗匹配和通 24 28 32 36 40 28 32 36 40 输入回波损耗 好的接地。背面进行了金属化处理，适合共晶烧结和导 0 电胶粘接工艺。 -5 典型曲线（TA=+25℃） 0dB 1dB 2dB 回波损耗（dB） -10 0.0 -0.5 （dB） 20 频率（GHz） 道幅度改善。该芯片采用了片上通孔金属化工艺保证良 衰 减 量 16 -1.0 -15 -20 -25 -1.5 -30 -2.0 -35 -2.5 -40 1dB 2dB -3.0 0 4 8 12 16 20 24 频率（GHz） 输出回波损耗 -3.5 极限参数 -4.0 0 4 8 12 16 频 20 24 28 32 36 40 率 （GHz） 衰减量 最高输入功率 +27dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ 0 相位一致性（deg） -2 -4 1dB 2dB -6 -8 -10 0 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 频率（GHz） 相位一致性 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 76 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGS-1/0/2 GaAs 单片可选固定衰减器，DC~40GHz 外形尺寸 3 M IL 装配间隙 0 .8 0 1 0 .7 8 3 0 .5 0 2 0 -1 -2 5 0 .2 2 1 3 4 5 2dB 0-1-2 2 0dB 4 1dB 6 50ohm 传 输 线 6 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 0 0 2. 操作注意事项 0 .5 0 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 氮气环境下保存。 说明： 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 2. 芯片背面镀金、接地 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 4. 不能在通孔上进行键合 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 键合压点定义 压点 功能 编号 符号 1，2 1 M IL 金丝 1dB,RFin，RFout 3、4 0dB,RFin，RFout 5，6 2dB,RFin，RFout 其他 GND 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 功能描述 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 1dB 射频输入、输出，阻抗 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 50ohm 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 0dB 射频输入、输出，阻抗 50ohm 2dB 射频输入、输出，阻抗 50ohm 应用信息 1. 装配示意图 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 77 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGS-1P5/0/3 GaAs 单片可选固定衰减器，DC~40GHz 性能特点 0 通带频段：DC～40 GHz 衰减量：0/1.5dB/3dB 衰减精度：±0.2dB 回波损耗：＞20dB 芯片尺寸：1.0mmx0.5mm x 0.1mm 接口：50Ω共面波导线 -5 0dB 1.5dB 3dB 回波损耗（dB） -10 -15 -20 -25 -30 产品简介 YTGS-1.5/0/3是一款砷化镓单片可选衰减器芯片。 -35 该衰减器器芯片具有衰减精度高、体积小、重量轻、易 -40 0 4 8 12 集成等特点，广泛应用于改善阻抗匹配和信号衰减。该 20 24 28 32 36 40 28 32 36 40 频率（GHz） 输入回波损耗 芯片采用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面 进行了金属化处理，适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。 0 典型曲线（TA=+25℃） -5 0 0dB 1.5dB 3dB 回波损耗（dB） -10 -1 衰减量（dB） 16 -2 -15 -20 -25 -30 -35 -3 1.5dB 3dB -40 -4 -5 0 4 8 12 16 20 24 频率（GHz） 输出回波损耗 0 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 频率（GHz） 衰减量 0 极限参数 相位一致性（deg） -1 -2 最高输入功率 +27dBm -3 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ -4 1.5dB 3dB -5 -6 -7 -8 -9 -10 0 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 频率（GHz） 相位一致性 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 78 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGS-1P5/0/3 GaAs 单片可选固定衰减器，DC~40GHz 3 M IL 装配间隙 外形尺寸 0 .8 0 1 0 .7 8 3 0 .5 0 2 0 -1 .5 -3 1 M IL 金丝 1 3 4 5 1 .5 d B 0 -1 .5 -3 0dB 3dB 2 4 6 50ohm 传 输 线 5 0 .2 2 0 6 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 0 2. 操作注意事项 0 .5 0 说明： 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 氮气环境下保存。 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 2. 芯片背面镀金、接地 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 4. 不能在通孔上进行键合 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 键合压点定义 压点 功能 编号 符号 1，2 1.5dB,RFin，RFout 3、4 0dB,RFin，RFout 5，6 3dB,RFin，RFout 其他 GND 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 功能描述 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 1.5dB 射频输入、输出，阻抗 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 50ohm 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 0dB 射频输入、输出，阻抗 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 50ohm 3dB 射频输入、输出，阻抗 50ohm 应用信息 1. 装配示意图 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 79 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGS-2/0/4 GaAs 单片可选固定衰减器，DC~40GHz 性能特点 0 通带频段：DC～40 GHz 衰减量：0/2dB/4dB 衰减精度：±0.2dB 回波损耗：＞20dB 芯片尺寸：1.0mmx0.5mm x 0.1mm 接口：50Ω共面波导线 -5 0dB 2dB 4dB 回波损耗（dB） -10 -15 -20 -25 -30 产品简介 -35 YTGS-2/0/4是一款砷化镓单片可选固定衰减器芯片。 -40 该衰减器器芯片具有衰减精度高、衰减量可选、体积小、 0 4 8 12 重量轻、易集成等特点，广泛应用于改善阻抗匹配和通 24 28 32 36 40 28 32 36 40 输入回波损耗 好的接地。背面进行了金属化处理，适合共晶烧结和导 0 电胶粘接工艺。 -5 典型曲线（TA=+25℃） 回波损耗（dB） -1 -2 -15 -20 -25 -3 -30 -4 -35 -5 -40 2dB 4dB -6 0dB 1dB 2dB -10 0 衰减量（dB） 20 频率（GHz） 道幅度改善。该芯片采用了片上通孔金属化工艺保证良 0 4 8 12 16 20 24 频率（GHz） 输出回波损耗 -7 -8 16 0 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 频率（GHz） 衰减量 极限参数 5 4 相位一致性（deg） 3 2dB 4dB 2 最高输入功率 +27dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ 1 0 -1 -2 -3 -4 -5 0 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 频率（GHz） 相位一致性 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 80 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGS-2/0/4 GaAs 单片可选固定衰减器，DC~40GHz 外形尺寸 0 .8 0 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 1 0 .7 8 3 0 .5 0 2. 操作注意事项 2 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 氮气环境下保存。 0 -2 -4 4 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 5 0 .2 2 0 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 6 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 0 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 0 .5 0 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 说明： 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 2. 芯片背面镀金、接地 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 4. 不能在通孔上进行键合 键合压点定义 压点 功能 编号 符号 1，2 2dB,RFin，RFout 3、4 0dB,RFin，RFout 5，6 4dB,RFin，RFout 其他 GND 功能描述 2dB 射频输入、输出，阻抗 50ohm 0dB 射频输入、输出，阻抗 50ohm 4dB 射频输入、输出，阻抗 50ohm 应用信息 1. 装配示意图 3 MIL 装配间隙 1 MIL 金丝 1 3 5 2dB 0-2-4 0dB 4dB 2 4 6 50ohm 传输线 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 81 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGS-3/0/5 GaAs 单片可选固定衰减器，DC~40GHz 性能特点 0 通带频段：DC～40 GHz 衰减量：0/3dB/5dB 衰减精度：±0.2dB 回波损耗：＞20dB 芯片尺寸：1.0mmx0.5mm x 0.1mm 接口：50Ω共面波导线 -5 0dB 3dB 5dB 回波损耗（dB） -10 -15 -20 -25 -30 产品简介 -35 YTGS-3/0/5是一款砷化镓单片可选固定衰减器芯片。 -40 该衰减器器芯片具有衰减精度高、衰减量可选、体积小、 0 4 8 12 重量轻、易集成等特点，广泛应用于改善阻抗匹配和通 24 28 32 36 40 28 32 36 40 输入回波损耗 好的接地。背面进行了金属化处理，适合共晶烧结和导 0 电胶粘接工艺。 -5 典型曲线（TA=+25℃） 回波损耗（dB） -1 -2 -15 -20 -25 -3 -30 -4 -35 -5 -40 3dB 5dB -6 0dB 3dB 5dB -10 0 衰减量（dB） 20 频率（GHz） 道幅度改善。该芯片采用了片上通孔金属化工艺保证良 0 4 8 12 16 20 24 频率（GHz） 输出回波损耗 -7 -8 16 极限参数 0 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 频率（GHz） 衰减量 最高输入功率 +27dBm 存储温度 -65℃～+150℃ 使用温度 -55℃～+125℃ 5 4 相位一致性（deg） 3 3dB 5dB 2 1 0 -1 -2 -3 -4 -5 0 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 频率（GHz） 相位一致性 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 82 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807 YTGS-3/0/5 GaAs 单片可选固定衰减器，DC~40GHz 外形尺寸 3 MIL 装配间隙 0 .8 0 1 0 .7 8 1 MIL 金丝 2 1 3 0 .5 0 0 -3 -5 5 0 .2 2 0 4 3 6 5 3dB 0-3-5 0dB 5dB 2 4 6 50ohm 传输线 0 0 .5 0 说明： 注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型 1. 单位：毫米，公差：±0.05mm 的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。 2. 芯片背面镀金、接地 2. 操作注意事项 3. 键合压点镀金，压点尺寸：0.1mm*0.1mm 存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在 4. 不能在通孔上进行键合 氮气环境下保存。 清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用 键合压点定义 压点 功能 编号 符号 1，2 3、4 3dB,RFin，RFout 0dB,RFin，RFout 5，6 5dB,RFin，RFout 其他 GND 液态清洁剂对芯片进行清洁处理。 静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。 功能描述 常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操 3dB 射频输入、输出，阻抗 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。 50ohm 装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 0dB 射频输入、输出，阻抗 粘接工艺。安装面必须清洁平整。 50ohm 键合操作：球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。 5dB 射频输入、输出，阻抗 热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf，楔 50ohm 形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。 键合时起始于芯片上的压点，终止于封装（或基板） 。 应用信息 1. 装配示意图 ◎联系方式：028-65571258 www.iravic.com 83 ◎联系地址：成都市天府一街中环岛广场 A 座 807