GaAs MMIC 芯片
1.1 单片集成功分器
插损
型 号
工作频率
隔离度
回波损耗
功能描述
尺寸
(dB)
(dB)
(dB)
页
码
YTGF-0P5/1P5
0.5~1.5
0o 2 路
0.9
-20
-15
1.5*1.3mm
1
YTGF-01/03
1.0~3.0
0o 2 路
0.8
-20
-15
1.5*1.2mm
3
YTGF-02/06
2.0~6.0
0o 2 路
0.8
-20
-15
1.3*1.0mm
5
YTGF-02/18
2.0~18.0
0o 2 路
1.4
-20
-15
2.25*2.0mm
7
YTGF-03/09
3.0~9.0
0o 2 路
0.7
-20
-20
1.2*1.0mm
9
YTGF-06/18
6.0~18.0
0o 2 路
0.8
-20
-20
1.0*0.85mm
11
YTGF-08/12
8.0~12.0
0o 3 路
0.7
-20
-15
1.5*1.5mm
13
YTGF-12/26P5
12.0~26.5
0o 2 路
0.7
-20
-20
1.5*2.0mm
17
1.2 单片集成低通滤波器
插损
型 号
通带频率
功能描述
(dB)
YTLF-1T
DC~1.0
低通滤波器
YTLF-1P5T
DC~1.5
低通滤波器
YTLF-2T
DC~2.0
低通滤波器
YTLF-2P5T
DC~2.5
低通滤波器
YTLF-3T
DC~3.0
低通滤波器
0.9@0.5GHz;
1.9@1.0GHz
0.87@1.0GHz;
1.5@1.5GHz
0.85@1.5GHz;
1.4@2.0GHz
0.9@2GHz;
1.4@2.5GHz
1.0@2.5GHz;
1.2@3GHz
回波
损耗
(dB)
-20
-20
-20
-20
-20
带外衰减
尺寸
(dB)
22@1.6GHz;
40@2.0~16 GHz
22@2.3GHz;
40@2.6~11 GHz
22@2.3GHz;
40@2.6~11 GHz
20@3.9GHz;
40@4.8~20 GHz
22@4.6GHz;
40@5.2~17 GHz
页
码
1.5*0.75mm
21
1.5*0.75mm
22
1.5*0.75mm
23
1.5*0.75mm
24
1.5*0.75mm
25
YTLF-3P5T
DC~3.5
低通滤波器
YTLF-4
DC~4.0
低通滤波器
YTLF-4T
DC~4.0
低通滤波器
YTLF-5T
DC~5.0
低通滤波器
YTLF-6
DC~6.0
低通滤波器
YTLF-6T
DC~6.0
低通滤波器
YTLF-7
DC~7.0
低通滤波器
YTLF-8
DC~8.0
低通滤波器
YTLF-9
DC~9.0
低通滤波器
YTLF-10
DC~10
低通滤波器
YTLF-12
DC~12
低通滤波器
YTLF-14
DC~14
低通滤波器
YTLF-16
DC~16
低通滤波器
YTLF-19
DC~19
低通滤波器
通带频率
功能描述
1.0@3GHz;
1.3@3.5GHz
1.2@3GHz;
1.8@4GHz
1.0@3GHz;
1.7@4GHz
0.8@4GHz;
1.2@5GHz
1.0@5GHz;
1.4@6GHz
1.0@5GHz;
1.7@6GHz
1.1@6GHz;
1.6@7GHz
1.3@7GHz;
1.8@8GHz
1.2@8GHz;
1.6@9GHz
1.2@9GHz;
2.1@10GHz
1.3@11GHz;
2.5@12GHz
1.5@13GHz;
2.1@14GHz
1.6@15GHz;
2.5@16GHz
1.4@18GHz;
2.5@19GHz
-25
-21
-23
-22
23@5.2GHz;
40@6.2~30 GHz
23@5.6GHz;
40@6.8~30GHz
23@5.2GHz;
40@6.2~19GHz
23@6.9GHz;
40@7.5~20 GHz
1.5*0.7mm
26
1.5*0.7mm
27
1.5*0.7mm
28
1.3*0.7mm
29
1.5*0.7mm
30
1.3*0.75mm
31
1.5*0.7mm
32
1.5*0.7mm
33
1.2*0.7mm
34
1.3*0.7mm
35
1.3*0.75mm
36
1.2*0.75mm
37
1.0*0.5mm
38
1.2*0.7mm
39
尺寸
页
23@8.4GHz;
-20
40@10.0~40
GHz
-22
-20
-20
-20
-20
-20
-20
-21
-20
23@7.7GHz;
40@8.3~23 GHz
23@9.5GHz;
40@11.4GHz
23@10.3GHz;
40@12.3 GHz
20@12.3GHz;
40@14.6 GHz
20@12.5GHz;
40@14.8 GHz
20@14.7GHz;
40@17.2GHz
20@17.3GHz;
40@20.2GHz
20@19.5GHz;
40@22.7GHz
20@22.7GHz;
40@26.5GHz
1.3 单片集成高通滤波器
型 号
插损
回波损耗
带外衰减
(dB)
YTHF-2T
2~18
高通滤波器
YTHF-3T
3~18
高通滤波器
YTHF-4T
4~20
高通滤波器
YTHF-5T
5~30
高通滤波器
YTHF-6T
6~30
高通滤波器
YTHF-7T
7~30
高通滤波器
YTHF-8T
8~30
高通滤波器
YTHF-9
9~30
高通滤波器
YTHF-10
10~30
高通滤波器
工作频率
均衡类型
2.4@2.0GHz;
0.9@3.0GHz
1.5@3.0GHz;
0.8@4.0GHz
2.1@4.0GHz;
1.1@5.0GHz
1.8@5.0GHz;
1.1@6.0GHz
1.8@6.0GHz;
1.1@7.0GHz
1.4@7.0GHz;
1.0@8.0GHz
1.8@8.0GHz;
1.3@9.0GHz
1.35@9.0GHz;
1.35@10.0GHz
1.4@10.0GHz;
1.2@11.0GHz
(dB)
-20
-20
-20
-20
-20
-20
-20
-20
-20
码
(dB)
20dB@1.5GHz;
40@1.45 GHz
25dB@1.9GHz;
48@1.7 GHz
20dB@3.1GHz;
40@2.8 GHz
22@3.6GHz;
43@3.2 GHz
22@3.6GHz;
43@3.2 GHz
22@5.0GHz;
41@4.4 GHz
21@6.5GHz;
40@6.2 GHz
21@6.0GHz;
40@4.8 GHz
21@6.8GHz;
40@5.4 GHz
1.5*0.75mm
40
1.5*0.75mm
41
1.5*0.75mm
42
1.5*0.75mm
43
1.2*0.75mm
44
1.2*0.75mm
45
1.5*0.75mm
46
1.2*0.75mm
47
1.5*0.75mm
48
1.4 单片集成幅度均衡器
均衡量
型 号
插损
回波损耗
尺寸
(dB)
(dB)
(dB)
页
码
YTJH-1/2-2
1~2
负斜率型
2*
0.30
-22
0.75*1.0mm
54
YTJH-1/2-3
1~2
负斜率型
3*
0.45
-22
0.75*1.0mm
55
YTJH-1/6-3P5
1~6
负斜率型
3.5
0.43
-20
0.8*0.85mm
56
YTJH-1/8-4
1~8
负斜率型
4
0.47
-22
0.8*0.85mm
57
YTJH-2/4-3
2~4
负斜率型
3
0.6
-21
0.8*0.85mm
58
YTJH-2/4-4
2~4
负斜率型
4
0.6
-20
0.8*0.85mm
59
YTJH-2/18-8
2~18
负斜率型
8.4
1.2
-18
0.75*0.85mm
60
YTJH-6/12-3
6~12
负斜率型
3.4
0.9
-20
0.8*0.85mm
61
YTJH-6/18-3
6~18
负斜率型
3
1
-25
0.75*0.85mm
62
YTJH-6/18-4
6~18
负斜率型
4
0.9
-22
0.75*0.85mm
63
YTJH-6/18-5
6~18
负斜率型
5
1
-25
0.75*0.85mm
64
YTJH-6/18-6
6~18
负斜率型
6
1.2
-22
0.75*0.85mm
65
YTJH-8/12-2
8~12
负斜率型
2
0.7
-22
0.75*1.0mm
66
YTJH-8/12-3
8~12
负斜率型
3
1
-22
0.75*1.0mm
67
YTJH-8/12-4
8~12
负斜率型
4
1
-16
0.75*0.85mm
68
衰减精度
回波损耗
衰减精度
回波损耗
1.5 单片集成宽带固定/可选衰减器
型 号
衰减量
DC-20Ghz
DC-20Ghz
20-40
GHz
尺寸
(dB)
页
码
YTGS-0
0
±0.2-
20
±0.8
20
0.5*0.5mm
69
YTGS-0P5
0.5
±0.2
20
±0.5
20
0.5*0.5mm
70
YTGS-1
1
±0.2
20
±0.6
20
0.5*0.5mm
71
YTGS-2
2
±0.3
25
±0.6
23
0.5*0.5mm
72
YTGS-3
3
±0.2
23
±0.5
22
0.5*0.5mm
73
YTGS-4
4
±0.3
20
±0.5
19
0.5*0.5mm
74
YTGS-5
5
±0.4
20
±0.5
18
0.5*0.5mm
75
YTGS-6
6
±0.2
20
±0.5
17
0.5*0.5mm
76
YTGS-8
8
±0.4
20
±0.4
17
0.5*0.5mm
77
YTGS-10
10
±0.3
20
±0.3
18
0.8*0.5mm
78
YTGS-15
15
±0.7
20
±0.7
17
0.8*0.5mm
79
YTGS-20
YTGS-0P5/0/1
YTGS-1/0/2
YTGS-1P5/0/3
YTGS-2/0/4
YTGS-3/0/5
20
0/0.5/1
可选
0/1/2 可
选
0/1.5/3
可选
0/2/4 可
选
0/3/5 可
选
±0.8
18
±0.8
15
0.8*0.5mm
80
±0.1
25
±0.15
20
1.0*0.5mm
81
±0.2
25
±0.3
20
1.0*0.5mm
83
±0.2
25
±0.4
20
1.0*0.5mm
85
±0.2
25
±0.5
20
1.0*0.5mm
87
±0.2
22
±0.6
19
1.0*0.5mm
89
输出回波损耗
插损
输入回波损耗
1.6 GaAs MMIC 驱动放大器芯片
型 号
YT451
工作频率
5~20
输入功率
dBm
+10
尺寸
(dB)
(dB)
(dB)
11
0.30
18
1.5*1.4mm
页
码
YTGF-0P5/1P5
GaAs 单片二功分器,0.5~1.5GHz
性能特点
-2.0
通带频段:0.5~1.5 GHz
通带损耗:0.9 dB
隔离度:20dB
回波损耗:-15dB
芯片尺寸:1.5mmx1.3mm x 0.1mm
接口:50Ω共面波导线
-2.5
S21
S31
插入损耗(dB)
-3.0
-3.5
-4.0
产品简介
YTGF-0P5/1P5是一款砷化镓单片二功分器芯片。该功
-4.5
分器芯片具有插损小、隔离度高、体积小、重量轻、易集成、
-5.0
等特点,广泛应用于功率分配及合成。该芯片采用了片上通
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
插入损耗
合共晶烧结和导电胶粘接工艺。
典型曲线(TA=+25℃)
0
-2.0
S11
S22
S33
-5
O
-3.0
回波 损耗 (dB)
+25 C
O
-55 C
O
+125 C
-2.5
插入损耗(dB)
1.0
频率(GHz)
孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了金属化处理,适
-3.5
-10
-15
-20
-4.0
-25
-4.5
-30
0.5
-5.0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.2
1.3
1.4
1.5
频率(GHz)
1.5
频率(GHz)
回波损耗
三温插入损耗
2.0
0
1.5
1.0
相位(deg)
隔离度(dB)
-5
-10
-15
0.5
0.0
-0.5
-1.0
-20
-1.5
-25
-2.0
-30
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
频率(GHz)
1.5
频率(GHz)
相位一致性
隔离度
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
1
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGF-0P5/1P5
GaAs 单片二功分器,0.5~1.5GHz
极限参数
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
50ohm
传输线
外形尺寸
2
1 MIL 金丝
1.3
D0P5-1P5
2
0.65
D0P5-1P5
1
1
3
3
0
1.2 1.5
0
说明:
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型的
2. 芯片背面镀金、接地
装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.10mm*0.10mm
2. 操作注意事项
4. 不能在通孔上进行键合
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在氮
键合压点定义
气环境下保存。
压点
功能
编号
符号
1
RFin
RF 输入端口,阻抗 50ohm
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
2、3
RFout
RF 输出端口,阻抗 50ohm
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操作
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用液
功能描述
态清洁剂对芯片进行清洁处理。
GND
过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
应用信息
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘
1. 装配示意图
接工艺。安装面必须清洁平整。
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔形
键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。键合
时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
2
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGF-01/03
GaAs 单片二功分器,1~3GHz
性能特点
-2.0
通带频段:1~3 GHz
通带损耗:0.8 dB
隔离度:20dB
回波损耗:-15dB
芯片尺寸:1.5mmx1.2mm x 0.1mm
接口:50Ω共面波导线
-2.5
S21
S31
插入损耗(dB)
-3.0
-3.5
-4.0
产品简介
YTGF-01/03是一款砷化镓单片二功分器芯片。该功
-4.5
分器芯片具有插损小、隔离度高、体积小、重量轻、易
-5.0
集成、等特点,广泛应用于功率分配及合成。该芯片采
1.0
1.5
2.5
3.0
插入损耗
金属化处理,适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。
典型曲线(TA=+25℃)
0
-2.0
S11
S22
S33
-5
O
-3.0
回波 损耗 (dB)
+25 C
O
-55 C
O
+125 C
-2.5
插入损耗(dB)
2.0
频率(GHz)
用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了
-3.5
-10
-15
-20
-4.0
-25
-4.5
-30
1.0
-5.0
1.0
1.5
2.0
2.5
1.5
2.0
2.5
3.0
2.5
3.0
频率(GHz)
3.0
频率(GHz)
回波损耗
三温插入损耗
2.0
0
1.5
1.0
相位(deg)
隔离度(dB)
-5
-10
-15
0.5
0.0
-0.5
-1.0
-20
-1.5
-25
-2.0
-30
1.0
1.5
2.0
2.5
1.0
1.5
2.0
频率(GHz)
3.0
频率(GHz)
相位一致性
隔离度
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
3
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGF-01/03
GaAs 单片二功分器,1~3GHz
极限参数
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
2. 操作注意事项
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
外形尺寸
氮气环境下保存。
1.2
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
1.06
2
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
0.6
D1-3
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
1
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
0.13
3
0
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
1.1
0
1.5
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
说明:
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
2. 芯片背面镀金、接地
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.10mm*0.10mm
4. 不能在通孔上进行键合
键合压点定义
压点
功能
编号
符号
1
RFin
RF 输入端口,阻抗 50ohm
2、3、4
RFout
RF 输出端口,阻抗 50ohm
功能描述
GND
应用信息
1. 装配示意图
50ohm
传输线
1 MIL 金丝
D1-3
2
1
3
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
4
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGF-02/06
GaAs 单片二功分器,2~6GHz
性能特点
-2.0
通带频段:2~6 GHz
通带损耗:0.8 dB
隔离度:20dB
回波损耗:-15dB
芯片尺寸:1.3mmx1.0mm x 0.1mm
接口:50Ω共面波导线
-2.5
S21
S31
插入损耗(dB)
-3.0
-3.5
-4.0
产品简介
YTGF-02/06是一款砷化镓单片二功分器芯片。该功
-4.5
分器芯片具有插损小、隔离度高、体积小、重量轻、易
-5.0
集成、等特点,广泛应用于功率分配及合成。该芯片采
2.0
2.5
3.0
3.5
4.5
5.0
5.5
6.0
插入损耗
金属化处理,适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。
典型曲线(TA=+25℃)
0
S11
S22
S33
-2.0
-5
O
-3.0
回波 损耗 (dB)
+25 C
O
-55 C
O
+125 C
-2.5
插入损耗(dB)
4.0
频率(GHz)
用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了
-3.5
-10
-15
-20
-4.0
-25
-4.5
-30
2.0
-5.0
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
频率(GHz)
6.0
频率(GHz)
回波损耗
三温插入损耗
2.0
0
1.5
1.0
相位(deg)
隔离度(dB)
-5
-10
-15
0.5
0.0
-0.5
-1.0
-20
-1.5
-25
-2.0
-30
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
频率(GHz)
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
频率(GHz)
相位一致性
隔离度
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
5
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
5.5
6.0
YTGF-02/06
GaAs 单片二功分器,2~6GHz
极限参数
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
2. 操作注意事项
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
外形尺寸
氮气环境下保存。
1.0
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
0.9
2
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
0.5
D2-6
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
1
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
0
0
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
0.1
3
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
0.95 1.3
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
说明:
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
2. 芯片背面镀金、接地
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.10mm*0.10mm
4. 不能在通孔上进行键合
键合压点定义
压点
功能
编号
符号
1
RFin
RF 输入端口,阻抗 50ohm
2、3、4
RFout
RF 输出端口,阻抗 50ohm
功能描述
GND
应用信息
1. 装配示意图
50ohm
传输线
1 MIL 金丝
D2-6
2
1
3
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
6
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGF-02/18
GaAs 单片二功分器,2~18GHz
性能特点
-2.0
通带频段:2~18 GHz
通带损耗:1.4 dB
隔离度:20dB
回波损耗:-15dB
芯片尺寸:2.25mmx2.0mm x 0.1mm
接口:50Ω共面波导线
-2.5
S21
S31
插入损耗(dB)
-3.0
-3.5
-4.0
产品简介
YTGF-02/18是一款砷化镓单片二功分器芯片。该功
-4.5
分器芯片具有插损小、隔离度高、体积小、重量轻、易
-5.0
集成、等特点,广泛应用于功率分配及合成。该芯片采
2
4
6
8
12
14
16
18
插入损耗
金属化处理,适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。
典型曲线(TA=+25℃)
0
S11
S22
S33
-2.0
-5
O
-3.0
回波 损耗 (dB)
+25 C
O
-55 C
O
+125 C
-2.5
插入损耗(dB)
10
频率(GHz)
用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了
-3.5
-10
-15
-20
-4.0
-25
-4.5
-30
2
-5.0
2
4
6
8
10
12
14
16
4
6
8
10
12
14
16
18
频率(GHz)
18
频率(GHz)
回波损耗
三温插入损耗
2.0
0
1.5
1.0
相位(deg)
隔离度(dB)
-5
-10
-15
0.5
0.0
-0.5
-1.0
-20
-1.5
-25
-2.0
-30
2
4
6
8
10
12
14
16
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
频率(GHz)
18
频率(GHz)
相位一致性
隔离度
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
7
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
5.5
6.0
YTGF-02/18
GaAs 单片二功分器,2~18GHz
极限参数
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
50ohm
传输线
2
外形尺寸
2.0
1
1.84
2
D2-18
1 MIL 金丝
1.0
D2-18
3
1
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
0.16
3
0
0
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
2. 操作注意事项
1.86 2.25
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
说明:
氮气环境下保存。
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
2. 芯片背面镀金、接地
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.10mm*0.10mm
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
4. 不能在通孔上进行键合
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
键合压点定义
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
压点
功能
编号
符号
1
RFin
RF 输入端口,阻抗 50ohm
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
2、3
RFout
RF 输出端口,阻抗 50ohm
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
功能描述
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
GND
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
应用信息
1. 装配示意图
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
8
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGF-03/09
GaAs 单片二功分器,3~9GHz
性能特点
-2.0
通带频段:3~9 GHz
通带损耗:0.7 dB
隔离度:20dB
回波损耗:-20dB
芯片尺寸:1.2mmx1.0mm x 0.1mm
接口:50Ω共面波导线
-2.5
S21
S31
插入损耗(dB)
-3.0
-3.5
-4.0
产品简介
YTGF-03/09是一款砷化镓单片二功分器芯片。该功
-4.5
分器芯片具有插损小、隔离度高、体积小、重量轻、易
-5.0
集成、等特点,广泛应用于功率分配及合成。该芯片采
3
4
5
6
8
9
插入损耗
金属化处理,适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。
典型曲线(TA=+25℃)
0
S11
S22
S33
-2.0
-5
O
-3.0
回波 损耗 (dB)
+25 C
O
-55 C
O
+125 C
-2.5
插入损耗(dB)
7
频率(GHz)
用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了
-3.5
-10
-15
-20
-4.0
-25
-4.5
-30
3
-5.0
3
4
5
6
7
8
4
5
6
7
8
9
频率(GHz)
9
频率(GHz)
回波损耗
三温插入损耗
2.0
0
1.5
1.0
相位(deg)
隔离度(dB)
-5
-10
-15
0.5
0.0
-0.5
-1.0
-20
-1.5
-25
-2.0
-30
3
4
5
6
7
8
3
4
5
6
7
频率(GHz)
9
频率(GHz)
相位一致性
隔离度
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
9
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
8
9
YTGF-03/09
GaAs 单片二功分器,3~9GHz
极限参数
50ohm
传输线
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
1 MIL 金丝
外形尺寸
2
0.86
2
1
D3-9
1.0
3
0.5
D3-9
1
0.14
3
0
0
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
0.83 1.2
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
说明:
2. 操作注意事项
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
2. 芯片背面镀金、接地
氮气环境下保存。
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.10mm*0.10mm
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
4. 不能在通孔上进行键合
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
键合压点定义
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
压点
功能
编号
符号
1
RFin
RF 输入端口,阻抗 50ohm
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
2、3
RFout
RF 输出端口,阻抗 50ohm
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
功能描述
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
GND
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
应用信息
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
1. 装配示意图
◎联系方式:028-65571258
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
www.iravic.com
10
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGF-06/18
GaAs 单片二功分器,6~18GHz
性能特点
-2
通带频段:6~18 GHz
通带损耗:0.8 dB
隔离度:20dB
回波损耗:-20dB
芯片尺寸:1.0mmx0.85mm x 0.1mm
接口:50Ω共面波导线
S21
S31
插入损耗(dB)
-3
-4
产品简介
-5
YTGF-06/18是一款砷化镓单片功分器芯片。该功分
器芯片具有插损小、隔离度高、体积小、重量轻、易集
-6
成、等特点,广泛应用于功率分配及合成。该芯片采用
4
6
8
10
12
了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了金
典型曲线(TA=+25℃)
20
16
18
20
S11
S22
S33
-2
-4
-6
O
+25 C
O
-55 C
O
+125 C
-8
回波损耗(dB)
插入损耗(dB)
18
0
0
-2
16
插入损耗
属化处理,适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。
-1
14
频率(GHz)
-3
-4
-10
-12
-14
-16
-18
-20
-22
-24
-26
-5
-28
-30
-6
4
6
8
10
12
14
16
18
4
20
6
8
10
12
14
频率(GHz)
频率(GHz)
三温插入损耗
回波损耗
2.0
0
1.5
-5
相位( 度)
隔离度(dB)
1.0
-10
-15
-20
0.5
0.0
-0.5
-1.0
-25
-1.5
-30
4
6
8
10
12
14
16
18
-2.0
20
频率(GHz)
6
8
10
12
14
16
频率(GHz)
隔离度
◎联系方式:028-65571258
4
相位一致性
www.iravic.com
11
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
18
20
YTGF-06/18
GaAs 单片二功分器,6~18GHz
2. 操作注意事项
极限参数
最高输入功率
+30dBm
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
存储温度
-65℃~+150℃
氮气环境下保存。
使用温度
-55℃~+125℃
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
外形尺寸
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
0.85
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
D6-18
1
0.4
0.75
2
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
3
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
0
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
0.65 1.0
0
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
说明:
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
2. 芯片背面镀金、接地
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.10mm*0.10mm
4. 不能在通孔上进行键合
键合压点定义
压点
功能
编号
符号
1
RFin
RF 输入端口,阻抗 50ohm
2、3
RFout
RF 输出端口,阻抗 50ohm
功能描述
GND
应用信息
1. 装配示意图
50ohm
传输线
1 MIL 金丝
2
D6-18
1
3
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
12
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGF-08/12
GaAs 单片三功分器,8~12GHz
性能特点
-4.0
通带频段:8~12 GHz
通带损耗:0.7 dB
隔离度:20dB
回波损耗:-15dB
芯片尺寸:1.5mmx1.5mm x 0.1mm
接口:50Ω共面波导线
-4.5
S21
S31
S41
插入损耗(dB)
-5.0
-5.5
-6.0
产品简介
YTGF-08/12是一款砷化镓单片三功分器芯片。该功
-6.5
分器芯片具有插损小、隔离度高、体积小、重量轻、易
-7.0
集成、等特点,广泛应用于功率分配及合成。该芯片采
8
10
插入损耗
金属化处理,适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。
典型曲线(TA=+25℃)
0
S11
S22
S33
S44
-4
-5
回波 损耗 (dB)
插入损耗(dB)
O
+25 C
O
-55 C
O
+125 C
-5
12
频率(GHz)
用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了
-10
-15
-20
-6
-25
-30
8
-7
8
9
10
11
9
10
11
12
频率(GHz)
12
频率(GHz)
回波损耗
三温插入损耗
2.0
0
1.0
相位(deg)
-5
隔离度(dB)
1.5
S23
S24
S34
-10
-15
0.5
0.0
-0.5
phase(2,1)-phase(3,1)
phase(2,1)-phase(4,1)
phase(3,1)-phase(4,1)
-1.0
-20
-1.5
-25
-2.0
-30
8
9
10
11
12
频率(GHz)
8
9
10
11
频率(GHz)
相位一致性
隔离度
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
13
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
12
YTGF-08/12
GaAs 单片三功分器,8~12GHz
极限参数
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
1.5
2
1
1
D8-12-3
1.5
0.75
2
1 MIL 金丝
外形尺寸
D8-12-3
50ohm
传输线
最高输入功率
3
4
0.75
3
0.19
4
0
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
0
1.5
0.95
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
说明:
2. 操作注意事项
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
2. 芯片背面镀金、接地
氮气环境下保存。
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.10mm*0.10mm
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
4. 不能在通孔上进行键合
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
键合压点定义
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
压点
功能
编号
符号
1
RFin
RF 输入端口,阻抗 50ohm
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
2、3、4
RFout
RF 输出端口,阻抗 50ohm
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
功能描述
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
GND
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
应用信息
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
1. 装配示意图
◎联系方式:028-65571258
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
www.iravic.com
14
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGF-12/18
GaAs 单片二功分器,12~18GHz
性能特点
-2.0
通带频段:12~18 GHz
通带损耗:0.5 dB
隔离度:20dB
回波损耗:-20dB
芯片尺寸:1.5mmx1.5mm x 0.1mm
接口:50Ω共面波导线
-2.5
S21
S31
插入损耗(dB)
-3.0
-3.5
-4.0
产品简介
YTGF-12/18是一款砷化镓单片二功分器芯片。该功
-4.5
分器芯片具有插损小、隔离度高、体积小、重量轻、易
-5.0
集成、等特点,广泛应用于功率分配及合成。该芯片采
12
13
14
16
17
18
插入损耗
金属化处理,适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。
典型曲线(TA=+25℃)
0
S11
S22
S33
-2.0
-5
O
-3.0
回波 损耗 (dB)
+25 C
O
-55 C
O
+125 C
-2.5
插入损耗(dB)
15
频率(GHz)
用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了
-3.5
-10
-15
-20
-4.0
-25
-4.5
-30
12
-5.0
12
13
14
15
16
17
13
14
15
16
17
18
频率(GHz)
18
频率(GHz)
回波损耗
三温插入损耗
2.0
0
1.5
1.0
相位(deg)
隔离度(dB)
-5
-10
-15
0.5
0.0
-0.5
-1.0
-20
-1.5
-25
-2.0
-30
12
13
14
15
16
17
18
频率(GHz)
12
13
14
15
16
频率(GHz)
相位一致性
隔离度
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
15
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
17
18
YTGF-12/18
GaAs 单片二功分器,12~18GHz
极限参数
50ohm
传输线
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
2
1 MIL 金丝
外形尺寸
1.5
1
1.31
2
D12-18
最高输入功率
0.75
D12-18
3
1
0.19
3
0
0
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
2. 操作注意事项
1.2 1.5
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
说明:
氮气环境下保存。
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
2. 芯片背面镀金、接地
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.10mm*0.10mm
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
4. 不能在通孔上进行键合
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
键合压点定义
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
压点
功能
编号
符号
1
RFin
RF 输入端口,阻抗 50ohm
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
2、3
RFout
RF 输出端口,阻抗 50ohm
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
功能描述
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
GND
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
应用信息
1. 装配示意图
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
16
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGF-12/26P5
GaAs 单片二功分器,12~26.5GHz
性能特点
-2.0
通带频段:12~26.5 GHz
通带损耗:0.7 dB
隔离度:20dB
回波损耗:-20dB
芯片尺寸:1.5mmx2.0mm x 0.1mm
接口:50Ω共面波导线
-2.5
S21
S31
插入损耗(dB)
-3.0
-3.5
-4.0
产品简介
YTGF-12/26P5是一款砷化镓单片功分器芯片。该功
-4.5
分器芯片具有插损小、隔离度高、体积小、重量轻、易
-5.0
集成、等特点,广泛应用于功率分配及合成。该芯片采
10
12
14
16
18
20
22
24
26
频率(GHz)
用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了
插入损耗
金属化处理,适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。
典型曲线(TA=+25℃)
0
0
回波损耗(dB)
-10
-3
-4
-15
-20
-25
-30
-5
-35
-40
-6
10
12
14
16
18
20
22
24
10
26
12
14
16
18
20
22
24
26
频率(GHz)
频率(GHz)
插入损耗
回波损耗
-10
2.0
-15
1.5
-20
1.0
-25
0.5
相位( 度)
隔离度(dB)
插入损耗(dB)
-2
S11
S22
S33
-5
O
+25 C
O
-55 C
O
+125 C
-1
-30
0.0
-0.5
-35
-1.0
-40
10
12
14
16
18
20
22
24
26
-1.5
频率(GHz)
-2.0
隔离度
10
12
14
16
18
20
22
频率(GHz)
相位一致性
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
17
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
24
26
YTGF-12/26P5
GaAs 单片二功分器,12~26.5GHz
极限参数
50ohm
传输线
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
2
外形尺寸
1 MIL 金丝
2.0
2
1.9
1
3
1.0
1
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
3
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
0
0
2. 操作注意事项
1.26 1.5
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
说明:
氮气环境下保存。
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
2. 芯片背面镀金、接地
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.15mm*0.10mm
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
4. 不能在通孔上进行键合
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
键合压点定义
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
压点
功能
编号
符号
1
RFin
RF 输入端口,阻抗 50ohm
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
2、3
RFout
RF 输出端口,阻抗 50ohm
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
功能描述
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
GND
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
应用信息
1. 装配示意图
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
18
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTLF-1T
GaAs 单片低通滤波器,DC~1GHz
性能特点
0.75
通带频段:DC~1GHz
通带损耗:≤1.9dB
阻带衰减:≥22dB@1.6GHz
0.25
≥40dB@2.0-16.0GHz
回波损耗:-20dB
1 RF1
LF-1T
0
接口:50Ω共面波导线
产品简介
RF2 2
1.5
0
YTLF-1T是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤
波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点,
广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采
说明:
用集总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
便。芯片尺寸1.5mmx0.75mm x 0.1mm。
2. 芯片背面镀金、接地
典型曲线(TA=+25℃)
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
0
4. 不能在通孔上进行键合
应用信息
回波损耗(dB)
-5
1. 装配示意图
S11
S22
-10
1 MIL 金丝
50ohm传输线
-15
-20
-25
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
频率(GHz)
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
输入输出回波损耗
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
0
-5
2. 操作注意事项
-10
-15
插入损耗(dB)
-20
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-25
-30
氮气环境下保存。
-35
o
S21 (+25 C)
-40
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-45
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
-50
-55
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-60
-65
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-70
-75
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-80
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
频率(GHz)
插入损耗
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
极限参数
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
最高输入功率
+30dBm
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
存储温度
-65℃~+150℃
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
使用温度
-55℃~+125℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
外形尺寸
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
19
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTLF-1P5T
GaAs 单片低通滤波器,DC~1.5GHz
0.75
性能特点
通带频段:DC~1.5GHz
通带损耗:≤1.5dB
阻带衰减:≥22dB@2.3GHz
0.31
≥40dB@2.6-11.0GHz
回波损耗:-20dB
1 RF1
LF-1P5T
0
接口:50Ω共面波导线
RF2 2
1.5
0
产品简介
YTLF-1P5T是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该
说明:
滤波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
点,广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯
2. 芯片背面镀金、接地
片采用集总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
单方便。芯片尺寸1.5mmx0.75mm x 0.1mm。
4. 不能在通孔上进行键合
典型曲线(TA=+25℃)
应用信息
0
1. 装配示意图
回波损耗(dB)
-5
1 MIL 金丝
S11
S22
-10
50ohm传输线
-15
-20
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
-25
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
10
频率(GHz)
2. 操作注意事项
输入输出回波损耗
0
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-5
-10
氮气环境下保存。
-15
插入损耗(dB)
-20
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
o
S21 (+25 C)
-25
-30
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
-35
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-40
-45
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-50
-55
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-60
-65
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
-70
-75
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
-80
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
频率(GHz)
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
插入损耗
极限参数
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
外形尺寸
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
20
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTLF-2T
GaAs 单片低通滤波器,DC~2GHz
0.75
性能特点
通带频段:DC~2.0GHz
通带损耗:≤1.4dB
阻带衰减:≥22dB@2.3GHz
0.30
≥40dB@2.6-11.0GHz
回波损耗:-20dB
1 RF1
LF-2T
0
接口:50Ω共面波导线
1.5
0
产品简介
YTLF-2T是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤
RF2 2
说明:
波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点,
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采
2. 芯片背面镀金、接地
用集总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
便。芯片尺寸1.5mmx0.75mm x 0.1mm。
4. 不能在通孔上进行键合
典型曲线(TA=+25℃)
应用信息
0
1. 装配示意图
-5
1 MIL 金丝
回波损耗(dB)
-10
50ohm传输线
-15
S11
S22
-20
-25
-30
-35
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
-40
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
15
频率(GHz)
2. 操作注意事项
输入输出回波损耗
0
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-5
氮气环境下保存。
-10
-15
插入损耗(dB)
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
o
-20
S21 (+25 C)
-25
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
-30
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-35
-40
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-45
-50
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-55
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
-60
-65
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
-70
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
频率(GHz)
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
插入损耗
极限参数
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
外形尺寸
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
21
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTLF-2P5T
GaAs 单片低通滤波器,DC~2.5GHz
0.75
性能特点
通带频段:DC~2.5GHz
通带损耗:≤1.4dB
阻带衰减:≥22dB@3.9GHz
0.31
≥40dB@4.8-20.0GHz
1 RF1
回波损耗:-20dB
LF-2P5T
0
接口:50Ω共面波导线
产品简介
RF2 2
1.5
0
YTLF-2P5T是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该
滤波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特
点,广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯
说明:
片采用集总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
单方便。芯片尺寸1.5mmx0.75mm x 0.1mm。
2. 芯片背面镀金、接地
典型曲线(TA=+25℃)
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
0
4. 不能在通孔上进行键合
应用信息
回波损耗(dB)
-5
1. 装配示意图
-10
1 MIL 金丝
S11
S22
-15
50ohm传输线
-20
-25
-30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率(GHz)
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
输入输出回波损耗
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
0
-5
2. 操作注意事项
-10
-15
-20
插入损耗(dB)
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
o
S21 (+25 C)
-25
氮气环境下保存。
-30
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-35
-40
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
-45
-50
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-55
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-60
-65
-70
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
频率(GHz)
插入损耗
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
极限参数
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
最高输入功率
+30dBm
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
存储温度
-65℃~+150℃
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
使用温度
-55℃~+125℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
外形尺寸
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
22
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTLF-3T
GaAs 单片低通滤波器,DC~3GHz
性能特点
0.75
通带频段:DC~3.0GHz
通带损耗:≤1.2dB
阻带衰减:≥22dB@4.6GHz
0.33
≥40dB@5.2-17.0GHz
回波损耗:-20dB
1 RF1
LF-3T
0
接口:50Ω共面波导线
产品简介
YTLF-3T是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤
说明:
RF2 2
1.5
0
波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点,
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采
2. 芯片背面镀金、接地
用集总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
便。芯片尺寸1.5mmx0.75mm x 0.1mm。
4. 不能在通孔上进行键合
典型曲线(TA=+25℃)
应用信息
0
1. 装配示意图
回波损耗(dB)
-5
1 MIL 金丝
50ohm传输线
-10
S11
S22
-15
-20
-25
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
-30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
20
频率(GHz)
2. 操作注意事项
输入输出回波损耗
0
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-5
氮气环境下保存。
-10
-15
插入损耗(dB)
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
o
-20
S21 (+25 C)
-25
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
-30
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-35
-40
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-45
-50
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-55
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
-60
-65
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
-70
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
频率(GHz)
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
插入损耗
极限参数
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
外形尺寸
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
23
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTLF-3P5T
GaAs 单片低通滤波器,DC~3.5GHz
0.7
性能特点
通带频段:DC~3.50GHz
通带损耗:≤1.3dB
0.33
阻带衰减:≥23dB@5.2GHz
≥40dB@6.2-30.0GHz
回波损耗:-25dB
LF-3P5T
0
接口:50Ω共面波导线
产品简介
YTLF-3P5T是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该
说明:
RF2 2
1 RF1
1.5
0
滤波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
点,广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯
2. 芯片背面镀金、接地
片采用集总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
单方便。芯片尺寸1.5mmx0.70mm x 0.1mm。
4. 不能在通孔上进行键合
典型曲线(TA=+25℃)
应用信息
0
1. 装配示意图
-5
回波损耗(dB)
1 MIL 金丝
50ohm传输线
-10
S11
S22
-15
-20
-25
-30
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
30
频率(GHz)
2. 操作注意事项
输入输出回波损耗
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
0
-5
氮气环境下保存。
-10
-15
插入损耗(dB)
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
o
-20
S21 (+25 C)
-25
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
-30
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-35
-40
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-45
-50
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-55
-60
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
-65
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
-70
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
频率(GHz)
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
插入损耗
极限参数
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
外形尺寸
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
24
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTLF-4
GaAs 单片低通滤波器,DC~4GHz
性能特点
0.7
通带频段:DC~4.0GHz
通带损耗:≤1.8dB
阻带衰减:≥23dB@5.6GHz
0.37
≥40dB@6.8-30.0GHz
回波损耗:-21dB
LF-4
0
接口:50Ω共面波导线
产品简介
RF2 2
1 RF1
1.5
0
YTLF-4是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤波
器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点,
说明:
广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
用集总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方
2. 芯片背面镀金、接地
便。芯片尺寸1.5mmx0.70mm x 0.1mm。
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
典型曲线(TA=+25℃)
4. 不能在通孔上进行键合
0
应用信息
1. 装配示意图
回波损耗(dB)
-5
1 MIL 金丝
-10
50ohm传输线
S11
S22
-15
-20
-25
-30
0
2
4
6
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
频率(GHz)
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
输入输出回波损耗
2. 操作注意事项
0
-5
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-10
-15
插入损耗(dB)
氮气环境下保存。
o
-20
S21 (+25 C)
-25
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-30
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
-35
-40
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-45
-50
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-55
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-60
-65
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
-70
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
频率(GHz)
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
插入损耗
极限参数
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
最高输入功率
+30dBm
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
存储温度
-65℃~+150℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
使用温度
-55℃~+125℃
外形尺寸
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
25
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTLF-4T
GaAs 单片低通滤波器,DC~4GHz
性能特点
0.7
通带频段:DC~4.0GHz
通带损耗:≤1.7dB
0.35
阻带衰减:≥23dB@5.2GHz
1 RF1
≥40dB@6.2-19.0GHz
回波损耗:-23dB
LF-4T
0
接口:50Ω共面波导线
RF2 2
1.5
0
产品简介
YTLF-4T是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤
说明:
波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点,
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采
2. 芯片背面镀金、接地
用集总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
便。芯片尺寸1.5mmx0.70mm x 0.1mm。
4. 不能在通孔上进行键合
典型曲线(TA=+25℃)
应用信息
0
1. 装配示意图
回波损耗(dB)
-5
1 MIL 金丝
50ohm传输线
-10
S11
S22
-15
-20
-25
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
-30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
20
频率(GHz)
2. 操作注意事项
输入输出回波损耗
0
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-5
-10
氮气环境下保存。
-15
-20
插入损耗(dB)
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
o
S21 (+25 C)
-25
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
-30
-35
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-40
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-45
-50
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-55
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
-60
-65
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
-70
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
频率(GHz)
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
插入损耗
极限参数
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
外形尺寸
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
26
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTLF-5T
GaAs 单片低通滤波器,DC~5GHz
0.7
性能特点
通带频段:DC~5.0GHz
通带损耗:≤1.2dB
0.36
阻带衰减:≥23dB@6.9GHz
1 RF1
≥40dB@7.5-20.0GHz
LF-5T
0
回波损耗:-22dB
接口:50Ω共面波导线
RF2 2
1.3
0
产品简介
YTLF-5T是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤
说明:
波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点,
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采
2. 芯片背面镀金、接地
用集总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
便。芯片尺寸1.5mmx0.70mm x 0.1mm。
4. 不能在通孔上进行键合
典型曲线(TA=+25℃)
应用信息
0
1. 装配示意图
回波损耗(dB)
-5
1 MIL 金丝
50ohm传输线
-10
S11
S22
-15
-20
-25
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
-30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
20
频率(GHz)
2. 操作注意事项
输入输出回波损耗
0
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-5
氮气环境下保存。
-10
-15
插入损耗(dB)
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
o
-20
S21 (+25 C)
-25
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
-30
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-35
-40
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-45
-50
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-55
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
-60
-65
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
-70
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
频率(GHz)
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
插入损耗
极限参数
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
外形尺寸
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
27
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTLF-6
GaAs 单片低通滤波器,DC~6GHz
0.7
性能特点
通带频段:DC~6.0GHz
通带损耗:≤1.4dB
0.36
阻带衰减:≥23dB@8.4GHz
≥40dB@10-40.0GHz
LF-6
0
回波损耗:-20dB
接口:50Ω共面波导线
RF2 2
1 RF1
1.5
0
产品简介
说明:
YTLF-6是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤波
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点,
2. 芯片背面镀金、接地
广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
用集总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方
4. 不能在通孔上进行键合
便。芯片尺寸1.5mmx0.70mm x 0.1mm。
应用信息
典型曲线(TA=+25℃)
1. 装配示意图
0
1 MIL 金丝
-5
50ohm传输线
回波损耗(dB)
-10
-15
S11
S22
-20
-25
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
-30
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
-35
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
2. 操作注意事项
频率(GHz)
输入输出回波损耗
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
氮气环境下保存。
0
-5
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-10
-15
插入损耗(dB)
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
o
-20
S21 (+25 C)
-25
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-30
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-35
-40
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-45
-50
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
-55
-60
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
-65
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
-70
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
频率(GHz)
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
插入损耗
极限参数
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
外形尺寸
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
28
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTLF-6T
GaAs 单片低通滤波器,DC~6GHz
性能特点
外形尺寸
0.75
通带频段:DC~6.0GHz
通带损耗:≤1.7dB
阻带衰减:≥23dB@7.7GHz
0.37
≥40dB@8.3-23.0GHz
回波损耗:-22dB
1 RF1
接口:50Ω共面波导线
LF-6T
0
产品简介
YTLF-6T是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤
RF2 2
1.3
0
波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点,
广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采
说明:
用集总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
便。芯片尺寸1.3mmx0.75mm x 0.1mm。
2. 芯片背面镀金、接地
典型曲线(TA=+25℃)
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
0
4. 不能在通孔上进行键合
应用信息
-5
1. 装配示意图
回波损耗(dB)
-10
-15
1 MIL 金丝
S11
S22
-20
50ohm传输线
-25
-30
-35
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
频率(GHz)
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
输入输出回波损耗
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
0
-5
2. 操作注意事项
-10
-15
插入损耗(dB)
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
o
-20
S21 (+25 C)
-25
氮气环境下保存。
-30
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-35
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
-40
-45
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-50
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-55
-60
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-65
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
-70
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
频率(GHz)
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
插入损耗
极限参数
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
最高输入功率
+30dBm
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
存储温度
-65℃~+150℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
29
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTLF-7
GaAs 单片低通滤波器,DC~7GHz
性能特点
外形尺寸
0.7
通带频段:DC~7.0GHz
通带损耗:≤1.6dB
阻带衰减:≥23dB@9.5GHz
0.39
≥40dB@11.4GHz
1 RF1
回波损耗:-22dB
接口:50Ω共面波导线
LF-7
0
产品简介
RF2 2
1.5
0
YTLF-7是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤波
器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点,
说明:
广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
用集总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方
2. 芯片背面镀金、接地
便。芯片尺寸1.5mmx0.70mm x 0.1mm。
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
典型曲线(TA=+25℃)
4. 不能在通孔上进行键合
0
应用信息
-5
1. 装配示意图
回波损耗(dB)
-10
1 MIL 金丝
-15
50ohm传输线
S11
S22
-20
-25
-30
-35
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
30
频率(GHz)
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
输入输出回波损耗
2. 操作注意事项
0
-5
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-10
-15
插入损耗(dB)
氮气环境下保存。
o
-20
S21 (+25 C)
-25
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-30
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
-35
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-40
-45
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-50
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-55
-60
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
-65
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
-70
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
频率(GHz)
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
插入损耗
极限参数
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
www.iravic.com
30
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTLF-8
GaAs 单片低通滤波器,DC~8GHz
性能特点
外形尺寸
通带频段:DC~8.0GHz
0.7
通带损耗:≤1.8dB
0.37
阻带衰减:≥23dB@10.3GHz
1 RF1
≥40dB@12.3GHz
LF-8
0
回波损耗:-20dB
接口:50Ω共面波导线
RF2 2
1.5
0
产品简介
说明:
YTLF-8是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤波
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点,
2. 芯片背面镀金、接地
广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
用集总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方
4. 不能在通孔上进行键合
便。芯片尺寸1.5mmx0.70mm x 0.1mm。
应用信息
典型曲线(TA=+25℃)
1. 装配示意图
0
1 MIL 金丝
-5
50ohm传输线
回波损耗(dB)
-10
-15
S11
S22
-20
-25
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
-30
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
-35
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
2. 操作注意事项
频率(GHz)
输入输出回波损耗
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
0
氮气环境下保存。
-5
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-10
-15
插入损耗(dB)
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
o
-20
S21 (+25 C)
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-25
-30
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-35
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-40
-45
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
-50
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
-55
-60
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
-65
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
-70
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
频率(GHz)
插入损耗
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
极限参数
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
31
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTLF-9
GaAs 单片低通滤波器,DC~9GHz
性能特点
外形尺寸
0.7
通带频段:DC~9.0GHz
通带损耗:≤1.6dB
阻带衰减:≥20dB@12.3GHz
0.39
≥40dB@14.6GHz
1 RF1
回波损耗:-20dB
接口:50Ω共面波导线
LF-9
0
产品简介
YTLF-9是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤波
RF2 2
1.2
0
器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点,
说明:
广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
用集总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方
2. 芯片背面镀金、接地
便。芯片尺寸1.2mmx0.70mm x 0.1mm。
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
典型曲线(TA=+25℃)
4. 不能在通孔上进行键合
0
应用信息
-5
1. 装配示意图
回波损耗(dB)
-10
1 MIL 金丝
-15
50ohm传输线
S11
S22
-20
-25
-30
-35
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
频率(GHz)
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
输入输出回波损耗
2. 操作注意事项
0
-5
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-10
氮气环境下保存。
插入损耗(dB)
-15
o
S21 (+25 C)
-20
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-25
-30
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
-35
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-40
-45
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-50
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-55
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
-60
-65
0
2
4
6
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
频率(GHz)
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
插入损耗
极限参数
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
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◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTLF-10
GaAs 单片低通滤波器,DC~10GHz
性能特点
外形尺寸
通带频段:DC~10.0GHz
0.7
通带损耗:≤2.1dB
阻带衰减:≥20dB@12.5GHz
0.37
≥40dB@14.8GHz
1 RF1
回波损耗:-20dB
接口:50Ω共面波导线
LF-10
0
产品简介
RF2 2
1.3
YTLF-10是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤波
0
器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点,
说明:
广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
用集总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方
2. 芯片背面镀金、接地
便。芯片尺寸1.3mmx0.70mm x 0.1mm。
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
典型曲线(TA=+25℃)
4. 不能在通孔上进行键合
0
应用信息
-5
1. 装配示意图
回波损耗(dB)
-10
1 MIL 金丝
S11
S22
-15
50ohm传输线
-20
-25
-30
-35
-40
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
频率(GHz)
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
输入输出回波损耗
2. 操作注意事项
0
-5
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-10
氮气环境下保存。
插入损耗(dB)
-15
-20
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-25
o
S21 (+25 C)
-30
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
-35
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-40
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-45
-50
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-55
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
-60
-65
0
2
4
6
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
频率(GHz)
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
插入损耗
极限参数
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
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33
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTLF-12
GaAs 单片低通滤波器,DC~12GHz
性能特点
外形尺寸
0.75
通带频段:DC~12.0GHz
通带损耗:≤2.5dB
阻带衰减:≥20dB@14.7GHz
0.42
≥40dB@17.2GHz
RF2 2
1 RF1
回波损耗:-20dB
接口:50Ω共面波导线
LF-12
0
产品简介
1.3
0
YTLF-12是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤波
器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点,
说明:
广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
用集总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方
2. 芯片背面镀金、接地
便。芯片尺寸1.3mmx0.75mm x 0.1mm。
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
典型曲线(TA=+25℃)
4. 不能在通孔上进行键合
0
应用信息
-5
1. 装配示意图
回波损耗(dB)
-10
1 MIL 金丝
-15
50ohm传输线
-20
S11
S22
-25
-30
-35
-40
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
频率(GHz)
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
输入输出回波损耗
2. 操作注意事项
0
-5
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-10
氮气环境下保存。
插入损耗(dB)
-15
-20
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-25
o
S21 (+25 C)
-30
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
-35
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-40
-45
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-50
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-55
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
-60
-65
0
2
4
6
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
频率(GHz)
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
插入损耗
极限参数
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
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34
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTLF-14
GaAs 单片低通滤波器,DC~14GHz
性能特点
外形尺寸
0.75
通带频段:DC~14.0GHz
通带损耗:≤2.1dB
阻带衰减:≥20dB@17.3GHz
0.42
≥40dB@20.2GHz
1 RF1
RF2 2
回波损耗:-20dB
接口:50Ω共面波导线
LF-14
0
产品简介
1.2
0
YTLF-14是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤波
器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点,
说明:
广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
用集总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方
2. 芯片背面镀金、接地
便。芯片尺寸1.2mmx0.75mm x 0.1mm。
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
典型曲线(TA=+25℃)
4. 不能在通孔上进行键合
0
应用信息
-5
1. 装配示意图
回波损耗(dB)
-10
1 MIL 金丝
-15
50ohm传输线
-20
S11
S22
-25
-30
-35
-40
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
30
频率(GHz)
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
输入输出回波损耗
2. 操作注意事项
0
-5
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-10
氮气环境下保存。
插入损耗(dB)
-15
-20
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-25
o
S21 (+25 C)
-30
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
-35
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-40
-45
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-50
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-55
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
-60
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
-65
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
频率(GHz)
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
插入损耗
极限参数
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
www.iravic.com
35
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTLF-16
GaAs 单片低通滤波器,DC~16GHz
性能特点
外形尺寸
0.5
通带频段:DC~16.0GHz
通带损耗:≤2.5dB
阻带衰减:≥20dB@19.5GHz
LF-17
0.26
≥40dB@22.7GHz
1 RF1
RF2 2
回波损耗:-21dB
0
接口:50Ω共面波导线
产品简介
YTLF-16是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤波
1.0
0
器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点,
广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采
说明:
用集总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
便。芯片尺寸1.0mmx0.5mm x 0.1mm。
2. 芯片背面镀金、接地
典型曲线(TA=+25℃)
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
0
4. 不能在通孔上进行键合
-5
应用信息
回波损耗(dB)
-10
1. 装配示意图
-15
1 MIL 金丝
-20
50ohm传输线
S11
S22
-25
-30
-35
-40
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
频率(GHz)
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
输入输出回波损耗
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
0
-5
2. 操作注意事项
-10
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
插入损耗(dB)
-15
-20
氮气环境下保存。
o
S21 (+25 C)
-25
-30
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-35
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
-40
-45
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-50
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-55
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-60
-65
0
2
4
6
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
频率(GHz)
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
插入损耗
极限参数
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
最高输入功率
+30dBm
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
存储温度
-65℃~+150℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
36
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTLF-19
GaAs 单片低通滤波器,DC~19GHz
性能特点
外形尺寸
通带频段:DC~19.0GHz
0.7
通带损耗:≤2.5dB
阻带衰减:≥20dB@22.7GHz
0.36
≥40dB@26.5GHz
回波损耗:-20dB
接口:50Ω共面波导线
1 RF1
LF-19
0
产品简介
YTLF-19是一款砷化镓单片低通滤波器芯片。该滤波
RF2 2
1.2
0
器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点,
广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采
说明:
用集总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
便。芯片尺寸1.2mmx0.7mm x 0.1mm。
2. 芯片背面镀金、接地
典型曲线(TA=+25℃)
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
0
4. 不能在通孔上进行键合
-5
应用信息
回波损耗(dB)
-10
1. 装配示意图
S11
S22
-15
1 MIL 金丝
-20
50ohm传输线
-25
-30
-35
-40
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
频率(GHz)
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
输入输出回波损耗
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
0
插入损耗(dB)
-5
-10
2. 操作注意事项
-15
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-20
氮气环境下保存。
-25
-30
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
o
S21 (+25 C)
-35
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
-40
-45
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-50
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-55
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-60
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
-65
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
频率(GHz)
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
插入损耗
极限参数
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
最高输入功率
+30dBm
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
存储温度
-65℃~+150℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
37
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTHF-2T
GaAs 单片高通滤波器,2~18GHz
性能特点
外形尺寸
0.75
通带频段:2~18 GHz
通带损耗:≤2.4 dB
阻带衰减:≥20dB@1.5 GHz
0.38
≥40dB@1.45 GHz
1 RF1
RF2 2
HF-2T
回波损耗:-20 dB
0
接口:50Ω共面波导线
0
说明:
产品简介
YTHF-2T是一款砷化镓单片高通滤波器芯片。该滤
1.5
波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点,
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采
2. 芯片背面镀金、接地
用集总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
便。芯片尺寸1.5mmx0.75mm x 0.1mm。
4. 不能在通孔上进行键合
回波损耗(dB)
典型曲线(TA=+25℃)
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
-22
-24
-26
-28
-30
-32
-34
-36
-38
-40
应用信息
1. 装配示意图
S11
S22
1 MIL 金丝
50ohm 传输线
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
22
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
频率(GHz)
输入输出回波损耗
2. 操作注意事项
0
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-5
-10
氮气环境下保存。
插入损耗(dB)
-15
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-20
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
-25
o
S21 (+25 C)
-30
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-35
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-40
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-45
-50
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
-55
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
-60
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
22
频率(GHz)
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
插入损耗
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
极限参数
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
38
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTHF-3T
GaAs 单片高通滤波器,3~18GHz
性能特点
外形尺寸
通带频段:3~18 GHz
0.75
通带损耗:≤1.5 dB
阻带衰减:≥25dB@1.9 GHz
0.37
≥48dB@1.7 GHz
回波损耗:-20 dB
1 RF1
RF2 2
HF-3T
0
接口:50Ω共面波导线
1.5
0
产品简介
YTHF-3T是一款砷化镓单片高通滤波器芯片。该滤
说明:
波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点,
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采
2. 芯片背面镀金、接地
用集总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
便。芯片尺寸1.5mmx0.75mm x 0.1mm。
4. 不能在通孔上进行键合
回波损耗(dB)
典型曲线(TA=+25℃)
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
-22
-24
-26
-28
-30
-32
-34
-36
-38
-40
应用信息
1. 装配示意图
S11
S22
1 MIL 金丝
50ohm 传输线
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
22
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
频率(GHz)
输入输出回波损耗
2. 操作注意事项
0
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-5
-10
氮气环境下保存。
-15
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
插入损耗(dB)
-20
-25
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
-30
-35
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
o
S21 (+25 C)
-40
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-45
-50
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-55
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
-60
-65
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
-70
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
22
频率(GHz)
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
插入损耗
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
极限参数
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
39
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTHF-4T
GaAs 单片高通滤波器,4~20GHz
性能特点
外形尺寸
通带频段:4~20 GHz
0.75
通带损耗:≤2.1 dB
阻带衰减:≥20dB@3.1 GHz
0.38
≥40dB@2.8 GHz
回波损耗:-20dB
接口:50Ω共面波导线
HF-4T
0
产品简介
RF2 2
1 RF1
1.5
0
YTHF-4T是一款砷化镓单片高通滤波器芯片。该滤
波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点,
说明:
广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
用集总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方
2. 芯片背面镀金、接地
便。芯片尺寸1.5mmx0.75mm x 0.1mm。
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
典型曲线(TA=+25℃)
4. 不能在通孔上进行键合
0
回波损耗(dB)
-5
应用信息
s11
s11
-10
1. 装配示意图
1 MIL 金丝
-15
50ohm 传输线
-20
-25
-30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
频率(GHz)
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
输入输出回波损耗
0
2. 操作注意事项
-5
-10
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-15
插入损耗(dB)
-20
氮气环境下保存。
-25
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-30
-35
o
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
S21 (+25 C)
-40
-45
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-50
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-55
-60
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-65
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
-70
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
22
频率(GHz)
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
插入损耗
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
极限参数
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
www.iravic.com
40
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTHF-5
GaAs 单片高通滤波器,5~30GHz
性能特点
外形尺寸
通带频段:5~30 GHz
0.75
通带损耗:≤1.8 dB
阻带衰减:≥22dB@3.6 GHz
0.38
≥43dB@3.2 GHz
RF2 2
1 RF1
回波损耗:-20dB
HF-5
接口:50Ω共面波导线
0
产品简介
1.5
0
YTHF-5是一款砷化镓单片高通滤波器芯片。该滤波
器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点,
说明:
广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
用集总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方
2. 芯片背面镀金、接地
便。芯片尺寸1.5mmx0.75mm x 0.1mm。
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
典型曲线(TA=+25℃)
4. 不能在通孔上进行键合
0
回波损耗(dB)
-5
应用信息
S11
S22
-10
1. 装配示意图
1 MIL 金丝
-15
50ohm 传输线
-20
-25
-30
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
频率(GHz)
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
输入输出回波损耗
0
2. 操作注意事项
-5
-10
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-15
插入损耗(dB)
-20
氮气环境下保存。
-25
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-30
-35
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
o
S21 (+25 C)
-40
-45
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-50
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-55
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-60
-65
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
-70
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
22
频率(GHz)
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
插入损耗
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
极限参数
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
www.iravic.com
41
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTHF-6T
GaAs 单片高通滤波器,6~30GHz
性能特点
外形尺寸
通带频段:6~30 GHz
0.75
通带损耗:≤1.8 dB
阻带衰减:≥22dB@3.6 GHz
0.40
≥43dB@3.2 GHz
1 RF1
RF2 2
回波损耗:-20dB
接口:50Ω共面波导线
HF-6T
0
产品简介
1.2
0
YTHF-6T是一款砷化镓单片高通滤波器芯片。该滤
波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点,
说明:
广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
用集总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方
2. 芯片背面镀金、接地
便。芯片尺寸1.2mmx0.75mm x 0.1mm。
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
典型曲线(TA=+25℃)
4. 不能在通孔上进行键合
0
回波损耗(dB)
-5
应用信息
S11
S22
-10
1. 装配示意图
1 MIL 金丝
-15
50ohm 传输线
-20
-25
-30
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
频率(GHz)
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
输入输出回波损耗
0
2. 操作注意事项
-5
-10
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
插入损耗(dB)
-15
氮气环境下保存。
-20
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-25
-30
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
o
S21 (+25 C)
-35
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-40
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-45
-50
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-55
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
-60
0
2
4
6
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
频率(GHz)
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
插入损耗
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
极限参数
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
www.iravic.com
42
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTHF-7T
GaAs 单片高通滤波器,7~30GHz
性能特点
外形尺寸
通带频段:7~30 GHz
0.75
通带损耗:≤1.4 dB
阻带衰减:≥22dB@5.0 GHz
0.43
≥41dB@4.4 GHz
1 RF1
RF2 2
回波损耗:-20dB
接口:50Ω共面波导线
HF-7T
0
产品简介
1.2
0
YTHF-7T是一款砷化镓单片高通滤波器芯片。该滤
波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点,
说明:
广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
用集总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方
2. 芯片背面镀金、接地
便。芯片尺寸1.2mmx0.75mm x 0.1mm。
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
典型曲线(TA=+25℃)
4. 不能在通孔上进行键合
0
-2
-4
-6
应用信息
回波损耗(dB)
-8
S11
S22
-10
-12
1. 装配示意图
-14
1 MIL 金丝
-16
50ohm 传输线
-18
-20
-22
-24
-26
-28
-30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
频率(GHz)
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
输入输出回波损耗
0
2. 操作注意事项
-5
-10
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
插入损耗(dB)
-15
氮气环境下保存。
-20
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-25
-30
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
o
S21 (+25 C)
-35
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-40
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-45
-50
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-55
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
-60
0
2
4
6
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
频率(GHz)
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
插入损耗
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
极限参数
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
www.iravic.com
43
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTHF-8T
GaAs 单片高通滤波器,8~30GHz
性能特点
外形尺寸
通带频段:8~30 GHz
0.75
通带损耗:≤1.8 dB
阻带衰减:≥21dB@6.5 GHz
0.39
≥40dB@6.2 GHz
1 RF1
回波损耗:-20dB
接口:50Ω共面波导线
HF-8T
0
产品简介
RF2 2
1.5
0
YTHF-8T是一款砷化镓单片高通滤波器芯片。该滤
波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点,
说明:
广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
用集总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方
2. 芯片背面镀金、接地
便。芯片尺寸1.5mmx0.75mm x 0.1mm。
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
典型曲线(TA=+25℃)
4. 不能在通孔上进行键合
0
-2
-4
应用信息
-6
回波损耗(dB)
-8
1. 装配示意图
S11
S22
-10
-12
-14
1 MIL 金丝
-16
50ohm 传输线
-18
-20
-22
-24
-26
-28
-30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
频率(GHz)
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
输入输出回波损耗
0
2. 操作注意事项
-5
-10
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-15
插入损耗(dB)
-20
氮气环境下保存。
-25
-30
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-35
-40
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
o
S21 (+25 C)
-45
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-50
-55
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-60
-65
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-70
-75
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
-80
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
频率(GHz)
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
插入损耗
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
极限参数
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
www.iravic.com
44
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTHF-9
GaAs 单片高通滤波器,9~30GHz
性能特点
外形尺寸
0.75
通带频段:9~30 GHz
通带损耗:≤1.35 dB
阻带衰减:≥21dB@6.0 GHz
0.43
≥40dB@4.8 GHz
RF2 2
1 RF1
回波损耗:-20dB
HF-9
接口:50Ω共面波导线
0
产品简介
1.2
0
YTHF-9是一款砷化镓单片高通滤波器芯片。该滤波
器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点,
说明:
广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
用集总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方
2. 芯片背面镀金、接地
便。芯片尺寸1.5mmx0.75mm x 0.1mm。
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
典型曲线(TA=+25℃)
4. 不能在通孔上进行键合
0
-5
应用信息
-10
回波损耗(dB)
-15
S11
S22
-20
1. 装配示意图
1 MIL 金丝
-25
50ohm 传输线
-30
-35
-40
-45
-50
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
频率(GHz)
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
插入损耗(dB)
输入输出回波损耗
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
-70
-75
-80
-85
-90
2. 操作注意事项
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
氮气环境下保存。
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
o
S21 (+25 C)
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
0
2
4
6
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
频率(GHz)
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
插入损耗
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
极限参数
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
www.iravic.com
45
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTHF-10
GaAs 单片高通滤波器,10~30GHz
性能特点
外形尺寸
0.75
通带频段:10~30 GHz
通带损耗:≤1.4 dB
阻带衰减:≥21dB@6.8 GHz
0.40
≥40dB@5.4 GHz
1 RF1
RF2 2
HF-10
回波损耗:-20dB
0
接口:50Ω共面波导线
1.5
0
说明:
产品简介
YTHF-10是一款砷化镓单片高通滤波器芯片。该滤
波器芯片具有体积小、重量轻、易集成、远寄生等特点,
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善。该滤波器芯片采
2. 芯片背面镀金、接地
用集总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
便。芯片尺寸1.5mmx0.75mm x 0.1mm。
4. 不能在通孔上进行键合
典型曲线(TA=+25℃)
0
应用信息
-5
-10
回波损耗(dB)
-15
1. 装配示意图
S11
S22
-20
1 MIL 金丝
50ohm 传输线
-25
-30
-35
-40
-45
-50
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
30
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
频率(GHz)
插入损耗(dB)
输入输出回波损耗
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
-70
-75
-80
-85
-90
2. 操作注意事项
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
氮气环境下保存。
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
o
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
S21 (+25 C)
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
0
2
4
6
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
频率(GHz)
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
插入损耗
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
极限参数
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
46
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTJH-1/2-2
GaAs 单片均衡器,1~2GHz
性能特点
外形尺寸
1.0
通带频段:1.0~2.0GHz
1-2-2
通带损耗:≤0.3 dB
均衡量:2.0dB
0.62
回波损耗:-22dB
1 RF1
RF2 2
接口:50Ω共面波导线
产品简介
YTJH-1/2-2是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均衡
0
器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点,
0
广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集
0.75
总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方便。
说明:
芯片尺寸1.00mmx0.75mm x 0.1mm。
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
典型曲线(TA=+25℃)
2. 芯片背面镀金、接地
0
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
-5
4. 不能在通孔上进行键合
S11
S22
-10
回波损耗(dB)
-15
应用信息
1. 装配示意图
-20
-25
1 MIL 金丝
-30
50ohm 传输线
-35
-40
-45
-50
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
频率(GHz)
输入输出回波损耗
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
0.0
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
-0.5
-1.0
-1.5
2. 操作注意事项
插入损耗(dB)
-2.0
-2.5
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-3.0
-3.5
氮气环境下保存。
-4.0
-4.5
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
o
S21 (+25 C)
-5.0
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
-5.5
-6.0
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-6.5
-7.0
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-7.5
-8.0
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
频率(GHz)
插入损耗
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
极限参数
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
最高输入功率
+30dBm
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
存储温度
-65℃~+150℃
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
使用温度
-55℃~+125℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
◎联系方式:028-65571258
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◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTJH-1/2-3
GaAs 单片均衡器,1~2GHz
性能特点
外形尺寸
1.0
通带频段:1.0~2.0GHz
1-2-3
通带损耗:≤0.45 dB
均衡量:3.0dB
0.65
回波损耗:-22dB
1 RF1
RF2 2
接口:50Ω共面波导线
产品简介
YTJH-1/2-3是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均衡
0
器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点,
0
广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集
0.75
总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方便。
说明:
芯片尺寸1.00mmx0.75mm x 0.1mm。
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
典型曲线(TA=+25℃)
2. 芯片背面镀金、接地
0
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
-5
4. 不能在通孔上进行键合
S11
S22
-10
回波损耗(dB)
-15
应用信息
1. 装配示意图
-20
-25
1 MIL 金丝
-30
50ohm 传输线
-35
-40
-45
-50
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
频率(GHz)
输入输出回波损耗
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
0.0
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
-0.5
-1.0
-1.5
2. 操作注意事项
插入损耗(dB)
-2.0
-2.5
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-3.0
-3.5
氮气环境下保存。
-4.0
-4.5
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
o
S21 (+25 C)
-5.0
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
-5.5
-6.0
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-6.5
-7.0
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-7.5
-8.0
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
频率(GHz)
插入损耗
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
极限参数
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
最高输入功率
+30dBm
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
存储温度
-65℃~+150℃
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
使用温度
-55℃~+125℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
◎联系方式:028-65571258
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48
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTJH-1/6-3P5
GaAs 单片均衡器,1~6GHz
性能特点
外形尺寸
0.85
通带频段:1.0~6.0GHz
1-6-3
通带损耗:≤0.43 dB
均衡量:3.5dB
0.44
回波损耗:-20dB
1 RF1
RF2 2
接口:50Ω共面波导线
产品简介
0
YTJH-1/6-3P5是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均
0
衡器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点,
0.8
广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集
说明:
总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方便。
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
芯片尺寸0.85mmx0.80mm x 0.1mm。
2. 芯片背面镀金、接地
典型曲线(TA=+25℃)
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
4. 不能在通孔上进行键合
0
应用信息
-5
回波损耗(dB)
-10
1. 装配示意图
S11
S22
-15
1 MIL 金丝
50ohm 传输线
-20
-25
-30
-35
-40
0
2
4
6
8
10
频率(GHz)
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
输入输出回波损耗
0.0
2. 操作注意事项
-0.5
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-1.0
氮气环境下保存。
-1.5
插入损耗(dB)
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-2.0
-2.5
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
o
S21 (+25 C)
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-3.0
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-3.5
-4.0
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-4.5
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
-5.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
频率(GHz)
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
插入损耗
极限参数
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
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◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTJH-1/8-4
GaAs 单片均衡器,1~8GHz
性能特点
外形尺寸
通带频段:1.0~8.0GHz
0.85
通带损耗:≤0.47 dB
1-8-3P5
均衡量:4.0dB
0.47
回波损耗:-22dB
1 RF1 RF2 2
接口:50Ω共面波导线
产品简介
YTJH-1/8-4是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均衡
0
器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点,
0
广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集
0.8
总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方便。
说明:
芯片尺寸0.85mmx0.80mm x 0.1mm。
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
典型曲线(TA=+25℃)
2. 芯片背面镀金、接地
0
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
-5
4. 不能在通孔上进行键合
回波损耗(dB)
-10
应用信息
S11
S22
-15
1. 装配示意图
-20
1 MIL 金丝
-25
50ohm 传输线
-30
-35
-40
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
频率(GHz)
输入输出回波损耗
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
0.0
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
-0.5
-1.0
2. 操作注意事项
插入损耗(dB)
-1.5
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-2.0
-2.5
氮气环境下保存。
o
S21 (+25 C)
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-3.0
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
-3.5
-4.0
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-4.5
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-5.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
频率(GHz)
插入损耗
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
极限参数
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
最高输入功率
+30dBm
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
存储温度
-65℃~+150℃
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
使用温度
-55℃~+125℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
50
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTJH-2/4-3
GaAs 单片均衡器,2~4GHz
性能特点
外形尺寸
通带频段:2.0~4.0GHz
0.85
通带损耗:≤0.6 dB
均衡量:3.0dB
2-4-3
0.49
回波损耗:-21dB
1 RF1
RF2 2
接口:50Ω共面波导线
产品简介
0
YTJH-2/4-3是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均衡
器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点,
0
广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集
0.8
总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方便。
说明:
芯片尺寸0.85mmx0.80mm x 0.1mm。
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
典型曲线(TA=+25℃)
2. 芯片背面镀金、接地
0
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
4. 不能在通孔上进行键合
-5
回波损耗(dB)
-10
应用信息
S11
S22
-15
1. 装配示意图
-20
1 MIL 金丝
-25
50ohm 传输线
-30
-35
-40
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
频率(GHz)
输入输出回波损耗
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
0.0
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
-0.5
-1.0
2. 操作注意事项
插入损耗(dB)
-1.5
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-2.0
氮气环境下保存。
-2.5
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-3.0
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
o
S21 (+25 C)
-3.5
-4.0
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-4.5
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-5.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
频率(GHz)
插入损耗
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
极限参数
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
最高输入功率
+30dBm
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
存储温度
-65℃~+150℃
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
使用温度
-55℃~+125℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
51
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTJH-2/4-4
GaAs 单片均衡器,2~4GHz
性能特点
外形尺寸
通带频段:2.0~4.0GHz
0.85
通带损耗:≤0.6 dB
2-4-4
均衡量:4.0dB
0.48
回波损耗:-20dB
1 RF1
RF2 2
接口:50Ω共面波导线
产品简介
YTJH-2/4-4是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均衡
0
器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点,
0
广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集
0.8
总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方便。
说明:
芯片尺寸0.85mmx0.80mm x 0.1mm。
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
典型曲线(TA=+25℃)
2. 芯片背面镀金、接地
0
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
-5
4. 不能在通孔上进行键合
回波损耗(dB)
-10
应用信息
S11
S22
-15
1. 装配示意图
-20
1 MIL 金丝
-25
50ohm 传输线
-30
-35
-40
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
频率(GHz)
输入输出回波损耗
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
0.0
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
-0.5
插入损耗(dB)
-1.0
-1.5
2. 操作注意事项
-2.0
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-2.5
氮气环境下保存。
-3.0
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-3.5
-4.0
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
o
S21 (+25 C)
-4.5
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-5.0
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-5.5
-6.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
6.0
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
频率(GHz)
插入损耗
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
极限参数
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
最高输入功率
+30dBm
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
存储温度
-65℃~+150℃
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
使用温度
-55℃~+125℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
52
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTJH-2/18-8
GaAs 单片均衡器,2~18GHz
性能特点
外形尺寸
通带频段:2.0~18.0GHz
0.85
通带损耗:≤1.2 dB
2-18-8
均衡量:8.4dB
回波损耗:-18dB
0.44
接口:50Ω共面波导线
1 RF1 RF2 2
产品简介
YTJH-2/18-8是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均衡
0
器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点,
0
广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集
0.75
总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方便。
说明:
芯片尺寸0.85mmx0.80mm x 0.1mm。
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
典型曲线(TA=+25℃)
2. 芯片背面镀金、接地
0
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
4. 不能在通孔上进行键合
-5
回波损耗(dB)
-10
应用信息
S11
S22
-15
1. 装配示意图
-20
1 MIL 金丝
-25
50ohm 传输线
-30
-35
-40
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
频率(GHz)
输入输出回波损耗
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
0
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
-1
-2
2. 操作注意事项
插入损耗(dB)
-3
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-4
氮气环境下保存。
-5
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-6
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
o
S21 (+25 C)
-7
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-8
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-9
-10
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
频率(GHz)
插入损耗
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
极限参数
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
最高输入功率
+30dBm
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
存储温度
-65℃~+150℃
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
使用温度
-55℃~+125℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
53
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTJH-6/12-3
GaAs 单片均衡器,6~12GHz
性能特点
外形尺寸
0 .8 5
通带频段:6.0~12.0GHz
通带损耗:≤0.9 dB
6 -1 2 -3
均衡量:3.4dB
0 .4 4
回波损耗:-20dB
1 RF1
RF2 2
接口:50Ω共面波导线
产品简介
0
YTJH-6/12-3是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均衡
器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点,
0
广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集
总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方便。
说明:
芯片尺寸0.85mmx0.80mm x 0.1mm。
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
典型曲线(TA=+25℃)
2. 芯片背面镀金、接地
0
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
-5
4. 不能在通孔上进行键合
-10
回波损耗(dB)
0 .8
应用信息
S11
S22
-15
1. 装配示意图
-20
1 MIL 金丝
-25
50ohm 传输线
-30
-35
-40
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率(GHz)
输入输出回波损耗
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
0.0
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
-0.5
-1.0
2. 操作注意事项
插入损耗(dB)
-1.5
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-2.0
氮气环境下保存。
-2.5
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-3.0
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
o
S21 (+25 C)
-3.5
-4.0
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-4.5
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-5.0
4
5
6
7
8
9
10
11
12 13
14 15
16 17
18 19
20
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
频率(GHz)
插入损耗
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
极限参数
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
最高输入功率
+30dBm
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
存储温度
-65℃~+150℃
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
使用温度
-55℃~+125℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
◎联系方式:028-65571258
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◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTJH-6/18-3
GaAs 单片均衡器,6~18GHz
性能特点
外形尺寸
0.85
通带频段:6.0~18.0GHz
6-18-3
通带损耗:≤1.0 dB
0.50
均衡量:3.0dB
1 R F1
R F2 2
回波损耗:-25dB
接口:50Ω共面波导线
0
产品简介
YTJH-6/18-3是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均衡
0.75
器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点,
0
说明:
广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方便。
2. 芯片背面镀金、接地
芯片尺寸0.85mmx0.75mm x 0.1mm。
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
典型曲线(TA=+25℃)
4. 不能在通孔上进行键合
0
应用信息
-5
1. 装配示意图
回波损耗(dB)
-10
S11
S22
-15
1 MIL 金丝
50ohm 传输线
-20
-25
-30
-35
-40
-45
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
20
频率(GHz)
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
输入输出回波损耗
2. 操作注意事项
0.0
-0.5
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-1.0
氮气环境下保存。
插入损耗(dB)
-1.5
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-2.0
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
-2.5
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-3.0
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
o
S21 (+25 C)
-3.5
-4.0
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-4.5
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
-5.0
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
30
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
频率(GHz)
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
插入损耗
极限参数
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
最高输入功率
+30dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
www.iravic.com
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◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTJH-6/18-4
GaAs 单片均衡器,6~18GHz
性能特点
外形尺寸
0.85
通带频段:6.0~18.0GHz
6-18-4
通带损耗:≤0.9 dB
均衡量:4.0dB
0.50
回波损耗:-22dB
1 RF1
RF2 2
接口:50Ω共面波导线
产品简介
YTJH-6/18-4是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均衡
0
器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点,
0
广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集
总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方便。
说明:
芯片尺寸0.85mmx0.75mm x 0.1mm。
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
典型曲线(TA=+25℃)
2. 芯片背面镀金、接地
0
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
-5
4. 不能在通孔上进行键合
-10
应用信息
S11
S22
-15
回波损耗(dB)
0.75
-20
1. 装配示意图
-25
1 MIL 金丝
-30
50ohm 传输线
-35
-40
-45
-50
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率(GHz)
输入输出回波损耗
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
0.0
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
-0.5
插入损耗(dB)
-1.0
-1.5
2. 操作注意事项
-2.0
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-2.5
氮气环境下保存。
-3.0
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-3.5
-4.0
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
o
S21 (+25 C)
-4.5
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-5.0
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-5.5
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-6.0
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
频率(GHz)
插入损耗
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
极限参数
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
最高输入功率
+30dBm
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
存储温度
-65℃~+150℃
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
使用温度
-55℃~+125℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
56
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTJH-6/18-5
GaAs 单片均衡器,6~18GHz
性能特点
外形尺寸
通带频段:6.0~18.0GHz
0.85
通带损耗:≤1.0 dB
均衡量:5.0dB
6-18-5
0.50
回波损耗:-25dB
1 RF1
RF2 2
接口:50Ω共面波导线
产品简介
YTJH-6/18-5是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均衡
0
器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点,
0
广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集
0.75
总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方便。
说明:
芯片尺寸0.85mmx0.75mm x 0.1mm。
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
典型曲线(TA=+25℃)
2. 芯片背面镀金、接地
0
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
-5
4. 不能在通孔上进行键合
-10
回波损耗(dB)
应用信息
S11
S22
-15
-20
1. 装配示意图
-25
1 MIL 金丝
-30
50ohm 传输线
-35
-40
-45
-50
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率(GHz)
输入输出回波损耗
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
0.0
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
-0.5
-1.0
插入损耗(dB)
-1.5
-2.0
2. 操作注意事项
-2.5
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-3.0
氮气环境下保存。
-3.5
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-4.0
-4.5
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
o
S21 (+25 C)
-5.0
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-5.5
-6.0
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-6.5
-7.0
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
频率(GHz)
插入损耗
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
极限参数
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
最高输入功率
+30dBm
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
存储温度
-65℃~+150℃
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
使用温度
-55℃~+125℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
57
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTJH-6/18-6
GaAs 单片均衡器,6~18GHz
性能特点
外形尺寸
0.85
通带频段:6.0~18.0GHz
6-18-6
通带损耗:≤1.2 dB
均衡量:6.0dB
0.50
回波损耗:-22dB
1 RF1
RF2 2
接口:50Ω共面波导线
产品简介
YTJH-6/18-6是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均衡
0
器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点,
广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集
0
0.75
总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方便。
说明:
芯片尺寸0.85mmx0.75mm x 0.1mm。
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
典型曲线(TA=+25℃)
2. 芯片背面镀金、接地
0
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
-5
4. 不能在通孔上进行键合
-10
回波损耗(dB)
应用信息
S11
S22
-15
-20
1. 装配示意图
-25
1 MIL 金丝
-30
50ohm 传输线
-35
-40
-45
-50
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
频率(GHz)
输入输出回波损耗
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
0.0
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
-0.5
-1.0
-1.5
2. 操作注意事项
插入损耗(dB)
-2.0
-2.5
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-3.0
-3.5
氮气环境下保存。
-4.0
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-4.5
-5.0
-5.5
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
o
S21 (+25 C)
-6.0
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-6.5
-7.0
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-7.5
-8.0
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
频率(GHz)
插入损耗
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
极限参数
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
最高输入功率
+30dBm
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
存储温度
-65℃~+150℃
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
使用温度
-55℃~+125℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
58
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTJH-8/12-2
GaAs 单片均衡器,8~12GHz
性能特点
外形尺寸
通带频段:8.0~12.0GHz
1 .0
通带损耗:≤0.7 dB
8 -1 2 -2
均衡量:2.0dB
回波损耗:-22dB
0 .4 7
接口:50Ω共面波导线
1 RF1
RF2
2
产品简介
YTJH-8/12-2是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均衡
0
器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点,
0
广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集
0 .7 5
总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方便。
说明:
芯片尺寸1.00mmx0.75mm x 0.1mm。
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
典型曲线(TA=+25℃)
2. 芯片背面镀金、接地
0
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
-5
4. 不能在通孔上进行键合
-10
回波损耗(dB)
应用信息
S11
S22
-15
-20
1. 装配示意图
-25
1 MIL 金丝
-30
50ohm 传输线
-35
-40
-45
-50
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率(GHz)
输入输出回波损耗
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
0.0
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
-0.5
2. 操作注意事项
插入损耗(dB)
-1.0
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-1.5
氮气环境下保存。
-2.0
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-2.5
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
o
S21 (+25 C)
-3.0
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-3.5
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-4.0
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
频率(GHz)
插入损耗
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
极限参数
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
最高输入功率
+30dBm
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
存储温度
-65℃~+150℃
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
使用温度
-55℃~+125℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
59
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTJH-8/12-3
GaAs 单片均衡器,8~12GHz
性能特点
外形尺寸
1.0
通带频段:8.0~12.0GHz
通带损耗:≤1.0 dB
8-12-3
均衡量:3.0dB
回波损耗:-22dB
0.49
接口:50Ω共面波导线
1 RF1 RF2 2
产品简介
YTJH-8/12-3是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均衡
0
器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点,
0
广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集
0.75
总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方便。
说明:
芯片尺寸1.00mmx0.75mm x 0.1mm。
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
典型曲线(TA=+25℃)
2. 芯片背面镀金、接地
0
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
-5
4. 不能在通孔上进行键合
-10
回波损耗(dB)
应用信息
S11
S22
-15
-20
1. 装配示意图
-25
1 MIL 金丝
-30
50ohm 传输线
-35
-40
-45
-50
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率(GHz)
输入输出回波损耗
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
0.0
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
-0.5
-1.0
2. 操作注意事项
插入损耗(dB)
-1.5
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-2.0
氮气环境下保存。
-2.5
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-3.0
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
o
S21 (+25 C)
-3.5
-4.0
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-4.5
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-5.0
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
频率(GHz)
插入损耗
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
极限参数
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
最高输入功率
+30dBm
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
存储温度
-65℃~+150℃
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
使用温度
-55℃~+125℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
60
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTJH-8/12-4
GaAs 单片均衡器,8~12GHz
性能特点
外形尺寸
0.85
通带频段:8.0~12.0GHz
8-12-4
通带损耗:≤1.0 dB
均衡量:4.0dB
0.43
回波损耗:-16dB
1 RF1 RF2 2
接口:50Ω共面波导线
产品简介
0
YTJH-8/12-4是一款砷化镓单片均衡器芯片。该均衡
0.75
器芯片具有体积小、重量轻、易集成、高性能等特点,
0
广泛应用于通道幅度平坦度改善。该均衡器芯片采用集
说明:
总单元实现,性能不受外部盒体影响,使用简单方便。
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
芯片尺寸1.00mmx0.75mm x 0.1mm。
2. 芯片背面镀金、接地
典型曲线(TA=+25℃)
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
0
4. 不能在通孔上进行键合
-5
-15
回波损耗(dB)
应用信息
S11
S22
-10
1. 装配示意图
-20
1 MIL 金丝
-25
50ohm 传输线
-30
-35
-40
-45
-50
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率(GHz)
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
输入输出回波损耗
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
0.0
-0.5
2. 操作注意事项
-1.0
-1.5
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
插入损耗(dB)
-2.0
-2.5
氮气环境下保存。
-3.0
-3.5
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-4.0
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
-4.5
-5.0
-5.5
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
o
S21 (+25 C)
-6.0
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-6.5
-7.0
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-7.5
-8.0
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
18
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
频率(GHz)
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
插入损耗
极限参数
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
最高输入功率
+30dBm
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
存储温度
-65℃~+150℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
61
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGS-0
GaAs 单片固定衰减器,DC~40GHz
性能特点
外形尺寸
通带频段:DC~40 GHz
衰减量:0 dB
衰减精度:±0.2dB
回波损耗:>20dB
芯片尺寸:0.5mmx0.5mm x 0.1mm
接口:50Ω共面波导线
0 .5
0 .2 5
1
0D B
2
0
产品简介
0 .5
0
YTGS-0是一款砷化镓单片固定衰减器芯片。该衰减
器器芯片具有衰减精度高、体积小、重量轻、易集成等
说明:
特点,广泛应用于改善阻抗匹配和信号衰减。该芯片采
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了
2. 芯片背面镀金、接地
金属化处理,适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
典型曲线(TA=+25℃)
4. 不能在通孔上进行键合
应用信息
0
-5
1. 装配示意图
-10
回波 损耗(dB)
-15
3 MIL
装配间隙
-20
1 MIL
金丝
-25
-30
-35
S11
S22
-40
0DB
-45
-50
-55
-60
0
5
10
15
20
25
30
35
40
50ohm 传输线
频率(GHz)
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
输入输出回波损耗
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
0.0
2. 操作注意事项
插入损耗(dB)
-0.5
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
氮气环境下保存。
-1.0
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-1.5
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
o
S21 (+25 C)
-2.0
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-2.5
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-3.0
0
5
10
15
20
25
30
35
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
40
频率(GHz)
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
衰减量
极限参数
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
最高输入功率
+27dBm
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
存储温度
-65℃~+150℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
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62
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGS-0P5
GaAs 单片固定衰减器,DC~40GHz
性能特点
外形尺寸
通带频段:DC~40 GHz
衰减量:0.5 dB
衰减精度:±0.2dB
回波损耗:>20dB
芯片尺寸:0.5mmx0.5mm x 0.1mm
接口:50Ω共面波导线
0 .5
0 .2 5
1
0 .5 D B
2
0
产品简介
0 .5
0
YTGS-0P5是一款砷化镓单片固定衰减器芯片。该衰
减器器芯片具有衰减精度高、体积小、重量轻、易集成
说明:
等特点,广泛应用于改善阻抗匹配和信号衰减。该芯片
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
采用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行
2. 芯片背面镀金、接地
了金属化处理,适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
典型曲线(TA=+25℃)
4. 不能在通孔上进行键合
0
应用信息
-2
-4
1. 装配示意图
-6
回波 损耗(dB)
-8
3 MIL
装配间隙
-10
-12
1 MIL
金丝
-14
-16
-18
S11
S22
-20
-22
0.5DB
-24
-26
-28
-30
0
5
10
15
20
25
30
35
40
50ohm 传输线
频率(GHz)
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
输入输出回波损耗
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
0.0
2. 操作注意事项
插入损耗(dB)
-0.5
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
氮气环境下保存。
-1.0
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-1.5
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
o
S21 (+25 C)
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-2.0
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-2.5
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
-3.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
频率(GHz)
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
衰减量
极限参数
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
最高输入功率
+27dBm
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
存储温度
-65℃~+150℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
使用温度
-55℃~+125℃
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63
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGS-1
GaAs 单片固定衰减器,DC~40GHz
性能特点
外形尺寸
0 .5
通带频段:DC~40 GHz
衰减量:1dB
衰减精度:±0.2dB
回波损耗:>20dB
芯片尺寸:0.5mmx0.5mm x 0.1mm
接口:50Ω共面波导线
0 .2 5
1
1D B
2
0
0 .5
0
产品简介
YTGS-1是一款砷化镓单片固定衰减器芯片。该衰减
说明:
器器芯片具有衰减精度高、体积小、重量轻、易集成等
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
特点,广泛应用于改善阻抗匹配和信号衰减。该芯片采
2. 芯片背面镀金、接地
用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
金属化处理,适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。
4. 不能在通孔上进行键合
典型曲线(TA=+25℃)
应用信息
0
1. 装配示意图
-5
3 MIL
装配间隙
回波 损耗(dB)
-10
1 MIL
金丝
-15
-20
1DB
S11
S22
-25
-30
-35
-40
0
5
10
15
20
25
30
35
40
50ohm 传输线
频率(GHz)
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
输入输出回波损耗
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
0.0
2. 操作注意事项
插入损耗(dB)
-0.5
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
氮气环境下保存。
-1.0
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-1.5
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
o
S21 (+25 C)
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-2.0
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-2.5
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-3.0
0
5
10
15
20
25
30
35
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
40
频率(GHz)
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
衰减量
极限参数
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
最高输入功率
+27dBm
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
存储温度
-65℃~+150℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
使用温度
-55℃~+125℃
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◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGS-2
GaAs 单片固定衰减器,DC~40GHz
性能特点
外形尺寸
0.5
通带频段:DC~40 GHz
衰减量:2dB
衰减精度:±0.3dB
回波损耗:>20dB
芯片尺寸:0.5mmx0.5mm x 0.1mm
接口:50Ω共面波导线
0.25
2DB
1
2
0
产品简介
YTGS-2是一款砷化镓单片固定衰减器芯片。该衰减
0.5
0
器器芯片具有衰减精度高、体积小、重量轻、易集成等
说明:
特点,广泛应用于改善阻抗匹配和信号衰减。该芯片采
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了
2. 芯片背面镀金、接地
金属化处理,适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
典型曲线(TA=+25℃)
4. 不能在通孔上进行键合
应用信息
0
1. 装配示意图
-5
3 MIL
装配间隙
回波 损耗(dB)
-10
-15
1 MIL
金丝
S11
S22
-20
2DB
-25
-30
-35
-40
0
5
10
15
20
25
30
35
40
50ohm 传输线
频率(GHz)
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
输入输出回波损耗
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
0.0
2. 操作注意事项
插入损耗(dB)
-0.5
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
氮气环境下保存。
-1.0
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-1.5
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
o
S21 (+25 C)
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-2.0
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-2.5
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-3.0
0
5
10
15
20
25
30
35
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
40
频率(GHz)
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
衰减量
极限参数
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
最高输入功率
+27dBm
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
存储温度
-65℃~+150℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
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65
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGS-3
GaAs 单片固定衰减器,DC~40GHz
性能特点
外形尺寸
0.5
通带频段:DC~40 GHz
衰减量:3dB
衰减精度:±0.3dB
回波损耗:>20dB
芯片尺寸:0.5mmx0.5mm x 0.1mm
接口:50Ω共面波导线
0.25
1
3DB
2
0
产品简介
0.5
0
YTGS-3是一款砷化镓单片固定衰减器芯片。该衰减
器器芯片具有衰减精度高、体积小、重量轻、易集成等
说明:
特点,广泛应用于改善阻抗匹配和信号衰减。该芯片采
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了
2. 芯片背面镀金、接地
金属化处理,适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
典型曲线(TA=+25℃)
4. 不能在通孔上进行键合
0
应用信息
-5
1. 装配示意图
回波 损耗(dB)
-10
3 MIL
装配间隙
S11
S22
-15
1 MIL
金丝
-20
3DB
-25
-30
-35
-40
0
5
10
15
20
25
30
35
40
50ohm 传输线
频率(GHz)
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
输入输出回波损耗
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
0.0
-0.5
2. 操作注意事项
-1.0
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
插入损耗(dB)
-1.5
氮气环境下保存。
-2.0
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
o
S21 (+25 C)
-2.5
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
-3.0
-3.5
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-4.0
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-4.5
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-5.0
0
5
10
15
20
25
30
35
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
40
频率(GHz)
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
衰减量
极限参数
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
最高输入功率
+27dBm
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
存储温度
-65℃~+150℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
66
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGS-4
GaAs 单片固定衰减器,DC~40GHz
性能特点
外形尺寸
0.5
0.5
通带频段:DC~40 GHz
衰减量:4dB
衰减精度:±0.3dB
回波损耗:>20dB
芯片尺寸:0.5mmx0.5mm x 0.1mm
接口:50Ω共面波导线
0.25
1
4DB
0.25
2
0
0.5
0
产品简介
YTGS-4是一款砷化镓单片固定衰减器芯片。该衰减
说明:
器器芯片具有衰减精度高、体积小、重量轻、易集成等
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
特点,广泛应用于改善阻抗匹配和信号衰减。该芯片采
2. 芯片背面镀金、接地
用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
金属化处理,适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。
4. 不能在通孔上进行键合
典型曲线(TA=+25℃)
应用信息
0
1. 装配示意图
-5
3 MIL
装配间隙
回波 损耗(dB)
-10
1 MIL
金丝
-15
-20
4DB
S11
S22
-25
-30
-35
-40
0
5
10
15
20
25
30
35
50ohm 传输线
40
频率(GHz)
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
输入输出回波损耗
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
0.0
-0.5
2. 操作注意事项
-1.0
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
插入损耗(dB)
-1.5
氮气环境下保存。
-2.0
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-2.5
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
o
S21 (+25 C)
-3.0
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-3.5
-4.0
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-4.5
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-5.0
0
5
10
15
20
25
30
35
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
40
频率(GHz)
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
衰减量
极限参数
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
最高输入功率
+27dBm
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
存储温度
-65℃~+150℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
67
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGS-5
GaAs 单片固定衰减器,DC~40GHz
性能特点
外形尺寸
通带频段:DC~40 GHz
衰减量:5dB
衰减精度:±0.4dB
回波损耗:>20dB
芯片尺寸:0.5mmx0.5mm x 0.1mm
接口:50Ω共面波导线
0.5
0.25
1
5D B
2
0
产品简介
0.5
0
YTGS-5是一款砷化镓单片固定衰减器芯片。该衰减
器器芯片具有衰减精度高、体积小、重量轻、易集成等
说明:
特点,广泛应用于改善阻抗匹配和信号衰减。该芯片采
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了
2. 芯片背面镀金、接地
金属化处理,适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
典型曲线(TA=+25℃)
4. 不能在通孔上进行键合
0
应用信息
-5
1. 装配示意图
回波 损耗(dB)
-10
3 MIL
装配间隙
-15
1 MIL
金丝
-20
5DB
S11
S22
-25
-30
-35
-40
0
5
10
15
20
25
30
35
40
50ohm 传输线
频率(GHz)
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
输入输出回波损耗
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
-3.0
2. 操作注意事项
-3.5
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
插入损耗(dB)
-4.0
氮气环境下保存。
o
S21 (+25 C)
-4.5
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-5.0
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
-5.5
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-6.0
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-6.5
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-7.0
0
5
10
15
20
25
30
35
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
40
频率(GHz)
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
衰减量
极限参数
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
最高输入功率
+27dBm
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
存储温度
-65℃~+150℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
68
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGS-6
GaAs 单片固定衰减器,DC~40GHz
性能特点
外形尺寸
通带频段:DC~40 GHz
衰减量:6dB
衰减精度:±0.4dB
回波损耗:>18dB
芯片尺寸:0.5mmx0.5mm x 0.1mm
接口:50Ω共面波导线
0.5
0.25
1
6D B
2
0
产品简介
YTGS-6是一款砷化镓单片固定衰减器芯片。该衰减
说明:
0.5
0
器器芯片具有衰减精度高、体积小、重量轻、易集成等
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
特点,广泛应用于改善阻抗匹配和信号衰减。该芯片采
2. 芯片背面镀金、接地
用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
金属化处理,适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。
4. 不能在通孔上进行键合
典型曲线(TA=+25℃)
应用信息
0
1. 装配示意图
-5
3 MIL
装配间隙
回波 损耗(dB)
-10
1 MIL
金丝
-15
-20
6DB
S11
S22
-25
-30
-35
-40
0
5
10
15
20
25
30
35
40
50ohm 传输线
频率(GHz)
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
输入输出回波损耗
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
-4.0
2. 操作注意事项
-4.5
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
插入损耗(dB)
-5.0
氮气环境下保存。
o
S21 (+25 C)
-5.5
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-6.0
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
-6.5
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-7.0
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-7.5
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-8.0
0
5
10
15
20
25
30
35
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
40
频率(GHz)
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
衰减量
极限参数
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
最高输入功率
+27dBm
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
存储温度
-65℃~+150℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
69
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGS-8
GaAs 单片固定衰减器,DC~40GHz
性能特点
外形尺寸
通带频段:DC~40 GHz
衰减量:8dB
衰减精度:±0.4dB
回波损耗:>18dB
芯片尺寸:0.5mmx0.5mm x 0.1mm
接口:50Ω共面波导线
0 .5
0 .2 5
1
8D B
2
0
0 .5
0
产品简介
YTGS-8是一款砷化镓单片固定衰减器芯片。该衰减
说明:
器器芯片具有衰减精度高、体积小、重量轻、易集成等
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
特点,广泛应用于改善阻抗匹配和信号衰减。该芯片采
2. 芯片背面镀金、接地
用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行了
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
金属化处理,适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。
4. 不能在通孔上进行键合
典型曲线(TA=+25℃)
应用信息
0
1. 装配示意图
-5
回波损耗(dB)
3 MIL
装配间隙
S11
S22
-10
1 MIL
金丝
-15
-20
8DB
-25
-30
-35
-40
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
50ohm 传输线
频率(GHz)
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
输入输出回波损耗
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
0
2. 操作注意事项
-2
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
衰减量(dB)
-4
氮气环境下保存。
-6
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-8
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
o
S21 (+25 C)
-10
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-12
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-14
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-16
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
40
频率(GHz)
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
衰减量
极限参数
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
最高输入功率
+27dBm
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
存储温度
-65℃~+150℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
70
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGS-10
GaAs 单片固定衰减器,DC~40GHz
性能特点
外形尺寸
0.5
通带频段:DC~40 GHz
衰减量:10 dB
衰减精度:±0.3dB
回波损耗:-20dB
芯片尺寸:0.8mmx0.5mm x 0.1mm
接口:50Ω共面波导线
0.25
1
10DB
2
0
0.8
0
产品简介
YTGS-10是一款砷化镓单片固定衰减器芯片。该衰
说明:
减器器芯片具有衰减精度高、体积小、重量轻、易集成
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
等特点,广泛应用于改善阻抗匹配和信号衰减。该芯片
2. 芯片背面镀金、接地
采用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
了金属化处理,适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。
4. 不能在通孔上进行键合
典型曲线(TA=+25℃)
应用信息
0
1. 装配示意图
回波损耗(dB)
-5
3 MIL
装配间隙
-10
1 MIL
金丝
S11
S22
-15
10DB
-20
-25
-30
0
5
10
15
20
25
30
35
50ohm 传输线
40
频率(GHz)
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
输入输出回波损耗
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
-5
-6
2. 操作注意事项
-7
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
插入损耗(dB)
-8
氮气环境下保存。
-9
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-10
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
o
S21 (+25 C)
-11
-12
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-13
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-14
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-15
0
5
10
15
20
25
30
35
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
40
频率(GHz)
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
衰减量
极限参数
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
最高输入功率
+27dBm
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
存储温度
-65℃~+150℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
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71
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGS-15
GaAs 单片固定衰减器,DC~40GHz
性能特点
外形尺寸
0.5
通带频段:DC~40 GHz
衰减量:15 dB
衰减精度:±0.7dB
回波损耗:-20dB
芯片尺寸:0.8mmx0.5mm x 0.1mm
接口:50Ω共面波导线
0.25
1
15DB
2
0
0.8
0
产品简介
YTGS-15是一款砷化镓单片固定衰减器芯片。该衰
说明:
减器器芯片具有衰减精度高、体积小、重量轻、易集成
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
等特点,广泛应用于改善阻抗匹配和信号衰减。该芯片
2. 芯片背面镀金、接地
采用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
了金属化处理,适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。
4. 不能在通孔上进行键合
典型曲线(TA=+25℃)
应用信息
0
1. 装配示意图
3 MIL
装配间隙
回波损耗(dB)
-5
S11
S22
-10
-15
1 MIL
金丝
15DB
-20
-25
-30
0
5
10
15
20
25
30
35
40
50ohm 传输线
频率(GHz)
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
输入输出回波损耗
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
-10
-11
2. 操作注意事项
-12
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
插入损耗(dB)
-13
氮气环境下保存。
-14
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-15
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
o
S21 (+25 C)
-16
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-17
-18
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-19
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-20
0
5
10
15
20
25
30
35
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
40
频率(GHz)
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
衰减量
极限参数
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
最高输入功率
+27dBm
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
存储温度
-65℃~+150℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
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◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGS-20
GaAs 单片固定衰减器,DC~40GHz
性能特点
外形尺寸
0.5
通带频段:DC~40 GHz
衰减量:20 dB
衰减精度:±0.8dB
回波损耗:-20dB
芯片尺寸:0.8mmx0.5mm x 0.1mm
接口:50Ω共面波导线
0.25
1
20DB
2
0
0.8
0
产品简介
YTGS-20是一款砷化镓单片固定衰减器芯片。该衰
说明:
减器器芯片具有衰减精度高、体积小、重量轻、易集成
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
等特点,广泛应用于改善阻抗匹配和信号衰减。该芯片
2. 芯片背面镀金、接地
采用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面进行
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
了金属化处理,适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。
4. 不能在通孔上进行键合
典型曲线(TA=+25℃)
应用信息
0
1. 装配示意图
回波损耗(dB)
-5
3 MIL
装配间隙
-10
1 MIL
金丝
S11
S22
-15
20DB
-20
-25
-30
0
5
10
15
20
25
30
35
50ohm 传输线
40
频率(GHz)
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
输入输出回波损耗
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
插入损耗(dB)
-15
-16
2. 操作注意事项
-17
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
-18
氮气环境下保存。
-19
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
-20
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
o
S21 (+25 C)
-21
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
-22
-23
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
-24
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
-25
0
5
10
15
20
25
30
35
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
40
频率(GHz)
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
衰减量
极限参数
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
最高输入功率
+27dBm
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
存储温度
-65℃~+150℃
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
使用温度
-55℃~+125℃
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
73
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGS-0P5/0/1
GaAs 单片可选固定衰减器,DC~40GHz
性能特点
0
通带频段:DC~40 GHz
衰减量:0/0.5dB/1dB
衰减精度:±0.2dB
回波损耗:>20dB
芯片尺寸:1.0mmx0.5mm x 0.1mm
接口:50Ω共面波导线
-5
0dB
1.5dB
3dB
回波损耗(dB)
-10
-15
-20
-25
-30
产品简介
YTGS-0P5/0/1是一款砷化镓单片可选固定衰减器
-35
芯片。该衰减器器芯片具有衰减精度高、衰减量可选、
-40
0
4
8
12
体积小、重量轻、易集成等特点,广泛应用于改善阻抗
20
24
28
32
36
40
28
32
36
40
频率(GHz)
输入回波损耗
匹配和通道幅度改善。该芯片采用了片上通孔金属化工
艺保证良好的接地。背面进行了金属化处理,适合共晶
0
烧结和导电胶粘接工艺。
-5
典型曲线(TA=+25℃)
0dB
1.5dB
3dB
回波损耗(dB)
-10
0.0
-0.5
衰减量(dB)
16
-15
-20
-25
-30
-35
-1.0
-40
S11
S22
-1.5
0
4
8
12
16
20
24
频率(GHz)
输出回波损耗
-2.0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
频率(GHz)
衰减量
极限参数
0
相位一致性(deg)
-2
最高输入功率
+27dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
-4
1.5dB
3dB
-6
-8
-10
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
频率(GHz)
相位一致性
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
74
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGS-0P5/0/1
GaAs 单片可选固定衰减器,DC~40GHz
外形尺寸
3 MIL
装配间隙
0 .8 0
0 .7 8
1
0 .5 0
3
0
2
0 - 0 .5 - 1
1
4
5
0 .2 2
1 MIL
金丝
3
6
5
0
0.5dB
0-0.5-1
2
0dB
4
1dB
6
50ohm 传输线
0 .5 0
说明:
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
2. 芯片背面镀金、接地
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
2. 操作注意事项
4. 不能在通孔上进行键合
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
氮气环境下保存。
键合压点定义
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
压点
功能
编号
符号
1,2
0.5dB,RFin,RFout
3、4
0dB,RFin,RFout
0dB 射频输入、输出,阻抗 50ohm
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
5,6
1dB,RFin,RFout
1dB 射频输入、输出,阻抗 50ohm
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
其他
GND
功能描述
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
0.5dB 射频输入、输出,阻抗
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
50ohm
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
应用信息
1. 装配示意图
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
75
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGS-1/0/2
GaAs 单片可选固定衰减器,DC~40GHz
性能特点
0
通带频段:DC~40 GHz
衰减量:0/1dB/2dB
衰减精度:±0.2dB
回波损耗:>20dB
芯片尺寸:1.0mmx0.5mm x 0.1mm
接口:50Ω共面波导线
-5
0dB
1dB
2dB
回波损耗(dB)
-10
-15
-20
-25
-30
产品简介
-35
YTGS-1/0/2是一款砷化镓单片可选固定衰减器芯片。
-40
该衰减器器芯片具有衰减精度高、衰减量可选、体积小、
0
4
8
12
重量轻、易集成等特点,广泛应用于改善阻抗匹配和通
24
28
32
36
40
28
32
36
40
输入回波损耗
好的接地。背面进行了金属化处理,适合共晶烧结和导
0
电胶粘接工艺。
-5
典型曲线(TA=+25℃)
0dB
1dB
2dB
回波损耗(dB)
-10
0.0
-0.5
(dB)
20
频率(GHz)
道幅度改善。该芯片采用了片上通孔金属化工艺保证良
衰 减 量
16
-1.0
-15
-20
-25
-1.5
-30
-2.0
-35
-2.5
-40
1dB
2dB
-3.0
0
4
8
12
16
20
24
频率(GHz)
输出回波损耗
-3.5
极限参数
-4.0
0
4
8
12
16
频
20
24
28
32
36
40
率 (GHz)
衰减量
最高输入功率
+27dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
0
相位一致性(deg)
-2
-4
1dB
2dB
-6
-8
-10
0
4
8
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40
频率(GHz)
相位一致性
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◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGS-1/0/2
GaAs 单片可选固定衰减器,DC~40GHz
外形尺寸
3 M IL
装配间隙
0 .8 0
1
0 .7 8
3
0 .5 0
2
0 -1 -2
5
0 .2 2
1
3
4
5
2dB
0-1-2
2
0dB
4
1dB
6
50ohm 传 输 线
6
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
0
0
2. 操作注意事项
0 .5 0
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
氮气环境下保存。
说明:
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
2. 芯片背面镀金、接地
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
4. 不能在通孔上进行键合
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
键合压点定义
压点
功能
编号
符号
1,2
1 M IL
金丝
1dB,RFin,RFout
3、4
0dB,RFin,RFout
5,6
2dB,RFin,RFout
其他
GND
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
功能描述
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
1dB 射频输入、输出,阻抗
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
50ohm
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
0dB 射频输入、输出,阻抗
50ohm
2dB 射频输入、输出,阻抗
50ohm
应用信息
1. 装配示意图
◎联系方式:028-65571258
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◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGS-1P5/0/3
GaAs 单片可选固定衰减器,DC~40GHz
性能特点
0
通带频段:DC~40 GHz
衰减量:0/1.5dB/3dB
衰减精度:±0.2dB
回波损耗:>20dB
芯片尺寸:1.0mmx0.5mm x 0.1mm
接口:50Ω共面波导线
-5
0dB
1.5dB
3dB
回波损耗(dB)
-10
-15
-20
-25
-30
产品简介
YTGS-1.5/0/3是一款砷化镓单片可选衰减器芯片。
-35
该衰减器器芯片具有衰减精度高、体积小、重量轻、易
-40
0
4
8
12
集成等特点,广泛应用于改善阻抗匹配和信号衰减。该
20
24
28
32
36
40
28
32
36
40
频率(GHz)
输入回波损耗
芯片采用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地。背面
进行了金属化处理,适合共晶烧结和导电胶粘接工艺。
0
典型曲线(TA=+25℃)
-5
0
0dB
1.5dB
3dB
回波损耗(dB)
-10
-1
衰减量(dB)
16
-2
-15
-20
-25
-30
-35
-3
1.5dB
3dB
-40
-4
-5
0
4
8
12
16
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频率(GHz)
输出回波损耗
0
4
8
12
16
20
24
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40
频率(GHz)
衰减量
0
极限参数
相位一致性(deg)
-1
-2
最高输入功率
+27dBm
-3
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
-4
1.5dB
3dB
-5
-6
-7
-8
-9
-10
0
4
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12
16
20
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频率(GHz)
相位一致性
◎联系方式:028-65571258
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◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGS-1P5/0/3
GaAs 单片可选固定衰减器,DC~40GHz
3 M IL
装配间隙
外形尺寸
0 .8 0
1
0 .7 8
3
0 .5 0
2
0 -1 .5 -3
1 M IL
金丝
1
3
4
5
1 .5 d B
0 -1 .5 -3
0dB
3dB
2
4
6
50ohm 传 输 线
5
0 .2 2
0
6
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
0
2. 操作注意事项
0 .5 0
说明:
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
氮气环境下保存。
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
2. 芯片背面镀金、接地
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
4. 不能在通孔上进行键合
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
键合压点定义
压点
功能
编号
符号
1,2
1.5dB,RFin,RFout
3、4
0dB,RFin,RFout
5,6
3dB,RFin,RFout
其他
GND
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
功能描述
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
1.5dB 射频输入、输出,阻抗
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
50ohm
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
0dB 射频输入、输出,阻抗
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
50ohm
3dB 射频输入、输出,阻抗
50ohm
应用信息
1. 装配示意图
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◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGS-2/0/4
GaAs 单片可选固定衰减器,DC~40GHz
性能特点
0
通带频段:DC~40 GHz
衰减量:0/2dB/4dB
衰减精度:±0.2dB
回波损耗:>20dB
芯片尺寸:1.0mmx0.5mm x 0.1mm
接口:50Ω共面波导线
-5
0dB
2dB
4dB
回波损耗(dB)
-10
-15
-20
-25
-30
产品简介
-35
YTGS-2/0/4是一款砷化镓单片可选固定衰减器芯片。
-40
该衰减器器芯片具有衰减精度高、衰减量可选、体积小、
0
4
8
12
重量轻、易集成等特点,广泛应用于改善阻抗匹配和通
24
28
32
36
40
28
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输入回波损耗
好的接地。背面进行了金属化处理,适合共晶烧结和导
0
电胶粘接工艺。
-5
典型曲线(TA=+25℃)
回波损耗(dB)
-1
-2
-15
-20
-25
-3
-30
-4
-35
-5
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2dB
4dB
-6
0dB
1dB
2dB
-10
0
衰减量(dB)
20
频率(GHz)
道幅度改善。该芯片采用了片上通孔金属化工艺保证良
0
4
8
12
16
20
24
频率(GHz)
输出回波损耗
-7
-8
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0
4
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24
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40
频率(GHz)
衰减量
极限参数
5
4
相位一致性(deg)
3
2dB
4dB
2
最高输入功率
+27dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
1
0
-1
-2
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0
4
8
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16
20
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36
40
频率(GHz)
相位一致性
◎联系方式:028-65571258
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80
◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGS-2/0/4
GaAs 单片可选固定衰减器,DC~40GHz
外形尺寸
0 .8 0
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
1
0 .7 8
3
0 .5 0
2. 操作注意事项
2
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
氮气环境下保存。
0 -2 -4
4
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
5
0 .2 2
0
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
6
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
0
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
0 .5 0
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
说明:
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
2. 芯片背面镀金、接地
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
4. 不能在通孔上进行键合
键合压点定义
压点
功能
编号
符号
1,2
2dB,RFin,RFout
3、4
0dB,RFin,RFout
5,6
4dB,RFin,RFout
其他
GND
功能描述
2dB 射频输入、输出,阻抗
50ohm
0dB 射频输入、输出,阻抗
50ohm
4dB 射频输入、输出,阻抗
50ohm
应用信息
1. 装配示意图
3 MIL
装配间隙
1 MIL
金丝
1
3
5
2dB
0-2-4
0dB
4dB
2
4
6
50ohm 传输线
◎联系方式:028-65571258
www.iravic.com
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◎联系地址:成都市天府一街中环岛广场 A 座 807
YTGS-3/0/5
GaAs 单片可选固定衰减器,DC~40GHz
性能特点
0
通带频段:DC~40 GHz
衰减量:0/3dB/5dB
衰减精度:±0.2dB
回波损耗:>20dB
芯片尺寸:1.0mmx0.5mm x 0.1mm
接口:50Ω共面波导线
-5
0dB
3dB
5dB
回波损耗(dB)
-10
-15
-20
-25
-30
产品简介
-35
YTGS-3/0/5是一款砷化镓单片可选固定衰减器芯片。
-40
该衰减器器芯片具有衰减精度高、衰减量可选、体积小、
0
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重量轻、易集成等特点,广泛应用于改善阻抗匹配和通
24
28
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40
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40
输入回波损耗
好的接地。背面进行了金属化处理,适合共晶烧结和导
0
电胶粘接工艺。
-5
典型曲线(TA=+25℃)
回波损耗(dB)
-1
-2
-15
-20
-25
-3
-30
-4
-35
-5
-40
3dB
5dB
-6
0dB
3dB
5dB
-10
0
衰减量(dB)
20
频率(GHz)
道幅度改善。该芯片采用了片上通孔金属化工艺保证良
0
4
8
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16
20
24
频率(GHz)
输出回波损耗
-7
-8
16
极限参数
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
频率(GHz)
衰减量
最高输入功率
+27dBm
存储温度
-65℃~+150℃
使用温度
-55℃~+125℃
5
4
相位一致性(deg)
3
3dB
5dB
2
1
0
-1
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0
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8
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16
20
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频率(GHz)
相位一致性
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82
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YTGS-3/0/5
GaAs 单片可选固定衰减器,DC~40GHz
外形尺寸
3 MIL
装配间隙
0 .8 0
1
0 .7 8
1 MIL
金丝
2
1
3
0 .5 0
0 -3 -5
5
0 .2 2
0
4
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3dB
0-3-5
0dB
5dB
2
4
6
50ohm 传输线
0
0 .5 0
说明:
注: 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸。典型
1. 单位:毫米,公差:±0.05mm
的装配间隙是 0.076~0.152 mm (3 ~ 6 mils)。
2. 芯片背面镀金、接地
2. 操作注意事项
3. 键合压点镀金,压点尺寸:0.1mm*0.1mm
存储:芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中,并在
4. 不能在通孔上进行键合
氮气环境下保存。
清洁处理:裸芯片必须在净化环境中操作使用,禁止采用
键合压点定义
压点
功能
编号
符号
1,2
3、4
3dB,RFin,RFout
0dB,RFin,RFout
5,6
5dB,RFin,RFout
其他
GND
液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
静电防护:请严格遵守 ESD 防护要求,避免器件静电损伤。
功能描述
常规操作:拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。操
3dB 射频输入、输出,阻抗
作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
50ohm
装架操作:芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶
0dB 射频输入、输出,阻抗
粘接工艺。安装面必须清洁平整。
50ohm
键合操作:球形或楔型键合均采用Φ0.025mm (1mil)金丝。
5dB 射频输入、输出,阻抗
热超声键合温度 150°C。球形键合劈刀压力 40~50gf,楔
50ohm
形键合劈刀压力 18~22 gf。采用尽可能小的超声波能量。
键合时起始于芯片上的压点,终止于封装(或基板)
。
应用信息
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