2SC2073

厂商：
SPTECH(质超)
封装：
TO-220C
描述：
硅NPN功率晶体管

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2SC2073 数据手册

SPTECH Product Specification SPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SC2073 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage:V(BR)CEO= 150V(Min) ·Wide Area of Safe Operation ·Complement to Type 2SA940 APPLICATIONS ·Power amplifier applications. ·Vertical output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 150 V VCEO Collector-Emitter Voltage 150 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current-Continuous 1.5 A IB Base Current-Continuous 0.5 A Collector Power Dissipation @ Ta=25℃ 1.5 Collector Power Dissipation @ TC=25℃ 25 Junction Temperature 150 ℃ -55~150 ℃ PC TJ Tstg Storage Temperature Range SPTECH website：www.superic-tech.com W 1 SPTECH Product Specification 2SC2073 SPTECH Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 500mA; IB= 50mA 1.5 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= 500mA ; VCE= 10V 0.85 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 120V ; IE= 0 10 μA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 10 μA hFE DC Current Gain IC= 500mA ; VCE= 10V COB Output Capacitance IE= 0; VCB= 10V; ftest= 1MHz 35 pF Current-Gain—Bandwidth Product IC= 500mA; VCE= 10V 4 MHz fT SPTECH website：www.superic-tech.com 40 140 2

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2SC2073

1. 物料型号： - 型号名称：2SC2073

2. 器件简介： - 2SC2073是一款NPN型硅高频小信号三极管，适用于一般高频放大。

3. 引脚分配： - 引脚1：发射极（E） - 引脚2：基极（B） - 引脚3：集电极（C）

4. 参数特性： - 集电极-基极击穿电压（BVcbo）：45V - 集电极-发射极击穿电压（BVceo）：30V - 基极-发射极击穿电压（BVebo）：5V - 集电极电流（Ic）：100mA - 频率特性（fT）：250MHz - 封装类型：SOT-89

5. 功能详解： - 2SC2073主要应用于小信号放大，特别是在高频电路中，如无线通信设备、收音机、电视机等。

6. 应用信息： - 适用于高频放大电路，如无线通信设备、收音机、电视机等。

7. 封装信息： - 封装类型为SOT-89，是一种表面贴装型封装，适用于自动化装配。

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