TIP36C

厂商：
SPTECH(质超)
封装：
TO3PN
描述：
硅PNP功率晶体管

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TIP36C 数据手册

SPTECH Product Specification SPTECH Silicon PNP Power Transistor TIP36C DESCRIPTION ·DC Current Gain: hFE= 25(Min)@IC = -1.5A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS)= -100V(Min) ·Complement to Type TIP35C ·Current Gain-Bandwidth Product: fT= 3.0MHz(Min)@IC= -1.0A APPLICATIONS ·Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage -100 V VCEO Collector-Emitter Voltage -100 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current-Continuous -25 A ICM Collector Current-peak -40 A IB Base Current -5 A PC Collector Power Dissipation@TC=25℃ 125 W Tj Junction Temperature 150 ℃ -65~150 ℃ MAX UNIT 1.0 ℃/W Tstg Storage Temperature Range THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case SPTECH website：www.superic-tech.com 1 SPTECH Product Specification SPTECH Silicon PNP Power Transistor TIP36C ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= -30mA ;IB= 0 VCE(sat)-1 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -15A ;IB= -1.5A -1.8 V VCE(sat)-2 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -25A; IB= -5A -4.0 V VBE(on)-1 Base-Emitter On Voltage IC= -15A ; VCE= -4V -2.0 V VBE(on)-2 Base-Emitter On Voltage IC= -25A ; VCE= -4V -4.0 V ICEO Collector Cutoff Current VCE= -60V; IB= 0 -1.0 mA ICBO Collector Cutoff Current VCB= -100V; IE= 0 -0.7 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -5V; IC= 0 -1.0 mA hFE-1 DC Current Gain IC= -1.5A ; VCE= -4V 25 hFE-2 DC Current Gain IC= -15A ; VCE= -4V 15 Current-Gain—Bandwidth Product IC= -1A ; VCE= -10V;ftest= 1.0MHz 3 fT SPTECH website：www.superic-tech.com CONDITIONS MIN MAX -100 UNIT V 75 MHz 2

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TIP36C

物料型号：TIP36C

器件简介： - 直流电流增益：h_{FE}=25（最小值）@ I_{C}=-1.5 A - 集电极-发射极维持电压：VCEO(SUS)= -100V（最小值） - 与TIP35C型号互补 - 电流增益-带宽积：f_{T}=3.0 MHz（最小值）@ I_{C}=-1.0 A

引脚分配： - 1.Base（基极） - 2.Collector（集电极） - 3.Emitter（发射极） - 封装类型：TO-3PN

参数特性： - 集电极-基极电压：VCBO -100V - 集电极-发射极电压：VCEO -100V - 发射极-基极电压：VEBO -5V - 集电极电流-连续：Ic -25A - 集电极电流-峰值：IcM -40A - 基极电流：1s -5A - 集电极功耗：Pc 125W @ Tc=25°C - 结温：Tj 150°C - 存储温度范围：Tstg -65~150°C

功能详解： - 设计用于通用功率放大器和开关应用。

应用信息： - 适用于一般用途的功率放大和开关应用。

封装信息： - 封装类型：TO-3PN - 封装尺寸：A 19.60-20.30mm，B 15.50-15.70mm，C 4.70-4.90mm，D 0.90-1.10mm，E 1.90-2.10mm，F 3.40-3.60mm，G 2.90-3.20mm，H 3.20-3.40mm，J 0.595-0.605mm，K 19.80-20.70mm，N 10.89-10.91mm，Q 4.90-5.10mm，R 3.35-3.45mm，S 1.995-2.100mm，U 5.90-6.20mm，Y 9.90-10.10mm

热特性： - 结到外壳的热阻：Rth j-c 1.0°C/W

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