CKS32F030xx 数据手册
CKS32F030R8 CKS32F030C8
CKS32F030C6 CKS32F030K6 CKS32F030F4
基于 ARM 的 32 位 M C U ，16 到 64 K 字 节 Flash，多定时器，
包含 ADC 和多种通讯接口，2.4 到 3.6V 供电电压
功能
■
内核：ARM 32位的Cortex™-M0 CPU，频率最高
可达48MHz
■
储存器
−
−
从 16K 到 64K 字节的闪存储存器（FLASH）
4K 字节的 SRAM 带硬件校验
■ CRC计算单元
■ 复位和供电管理
−
−
−
−
2.4～3.6V数字VDD供电
模拟VDDA供电：VDD～3.6V
上电/掉电复位(POR/PDR)
低功耗休眠，停止，和待机模式
■ 时钟管理
−
−
−
−
4到32MHz晶体振荡器
32kHz RTC用可的校准振荡器
内部8MHz RC带6倍频锁相环
内部40kHz RC振荡器
■ 多达39个高速I/O口
−
−
■
■
全部可映射为外部中断输入
多达26个I/O口支持5V容忍
5通道DMA控制器
1×12 位 ,1.0微 秒 ADC(多至12采样通道)
−
−
转换范围: 0~3.6V
单独的2.4到3.6伏模拟供电
■
多达9个定时器
−
−
−
−
一 个 16位7通道高级控制定时器用于6通道PWM
输出, 带死区时间发生器和紧急刹车功能
一个32位和一个16位定时器, 每个多达4路输入捕
获或输出比较通道, 可用于红外控制和解码
两个16位 定 时 器 , 都带输入捕获/输出比较及反
极性输出通道，死区时间发生器，紧急刹车功能
和IR控制调制门
一个16位定时器带一路输入捕获/输出比较
独立和系统窗口看门狗定时器
SysTick定时器：24位向下计数
■
日历型RTC集成闹钟可周期性自动从Stop/
−
−
Standby状态唤醒
■
通讯接口
−
−
1个I2C接口：支持极速模式(1 Mbit/s), 20mA电流
槽，和支持SMBus/PMBus
1个USART接口(支持主同步SPI，modem控制功能，
和自动波特率检测功能)
1个SPI接口(18Mbit/s)外设支持4到16位可编程字长
■
串行两线调试 (SWD)
−
CKS32F030xx 数据手册
目录
功能 ..................................................................................................................................................................... 1
目录 ..................................................................................................................................................................... 1
1
介绍 ............................................................................................................................................................... 4
2
描述 ............................................................................................................................................................... 5
3
功能概述 ....................................................................................................................................................... 8
3.1
基于 ARM®的 Cortex™-M0 内核嵌入闪存 FLASH 和 SRAM.......................................................... 8
3.2
储存器 .................................................................................................................................................... 8
3.3
启动模式 ................................................................................................................................................ 9
3.4
循环冗余校验计算单元（CRC） ........................................................................................................ 9
3.5
电源管理 ................................................................................................................................................ 9
3.5.1 供电方式 ......................................................................................................................................... 9
3.5.2 电源监测 ......................................................................................................................................... 9
3.5.3 稳压器 ........................................................................................................................................... 10
3.5.4 低功耗模式 ..................................................................................................................................... 10
3.6
时钟和启动 .......................................................................................................................................... 11
3.7
通用输入/输出端口（GPIO） ........................................................................................................... 12
3.8
直接储存器访问控制器（DMA） ..................................................................................................... 12
3.9
中断和事件 .......................................................................................................................................... 12
3.9.1 向量嵌套中断控制器（NVIC） ................................................................................................... 12
3.9.2
3.10
扩展中断/事件控制器（EXTI） .................................................................................................. 13
模数转换器（ADC） ........................................................................................................................ 13
3.10.1 温度传感器 ................................................................................................................................... 13
3.10.2 内部参考电压(VREFINT) ............................................................................................................... 13
3.11
定时器和看门狗 ................................................................................................................................ 14
3.11.1 高级控制定时器（TIM1）......................................................................................................... 14
3.11.2 通用定时器（TIM3，14…17） .................................................................................................. 15
3.11.3 基本定时器 TIM6........................................................................................................................ 15
3.11.4 独立窗口看门狗(IWDG) ............................................................................................................. 16
1
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
3.11.5 系统窗口看门狗(WWDG)........................................................................................................... 16
3.11.6
SysTick 定时器 ............................................................................................................................ 16
3.12
实时时钟（RTC） ............................................................................................................................ 16
3.13
内部集成电路接口（I2C） ............................................................................................................... 17
3.14
通用同步/异步收发器（USART） ................................................................................................. 18
3.15
串行外设接口（SPI） ...................................................................................................................... 18
3.16
两线串行调试端口（SW-DP） ........................................................................................................ 19
4
引线和引脚说明 ......................................................................................................................................... 20
5
内存映射 ..................................................................................................................................................... 30
6
电气特性 ..................................................................................................................................................... 33
6.1
参数条件 .............................................................................................................................................. 33
6.1.1
最小和最大数值 ......................................................................................................................... 33
6.1.2
典型数值 ..................................................................................................................................... 33
6.1.3
典型曲线 ..................................................................................................................................... 33
6.1.4
负载电容 ..................................................................................................................................... 33
6.1.5
引脚输入电压 ............................................................................................................................. 33
6.1.6 供电方案 ....................................................................................................................................... 34
6.1.7
6.2
电流消耗测量 ............................................................................................................................. 35
绝对最大额定值 .................................................................................................................................. 35
6.3 工作条件 ................................................................................................................................................ 36
6.3.1 通用工作条件 ............................................................................................................................... 36
6.3.2 上电和掉电时的工作条件 ........................................................................................................... 37
6.3.3 内嵌复位和电源控制模块特性 ................................................................................................... 37
6.3.4 内置的参照电压 ........................................................................................................................... 38
6.3.5 供电电流特性 ............................................................................................................................... 38
6.3.6 低功耗唤醒时间 ........................................................................................................................... 42
6.3.7 外部时钟源特性 ........................................................................................................................... 42
6.3.8 内部时钟源特性 ........................................................................................................................... 46
6.3.9 PLL 特性......................................................................................................................................... 47
6.3.10 储存器特性 ................................................................................................................................. 47
6.3.11
EMC 特性 .................................................................................................................................... 48
6.3.12 电气敏感性 ................................................................................................................................. 49
2
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
6.3.13
I/O 电流注入特性 ....................................................................................................................... 50
6.3.14
I/O 端口特性 ............................................................................................................................... 51
6.3.15
NRST 引脚特性 ........................................................................................................................... 56
6.3.16 12 位 ADC 特性 ........................................................................................................................... 57
6.3.17 温度传感器特性 ......................................................................................................................... 60
6.3.18 Timer 定时器特性....................................................................................................................... 60
6.3.19 通信接口 ..................................................................................................................................... 61
7 封装特性 ....................................................................................................................................................... 65
7.1 封装机械数据 ........................................................................................................................................ 65
7.2
热特性 ................................................................................................................................................ 71
7.2.1 参考文档 .......................................................................................................................................... 71
8
CKS32 系列产品命名规则 ......................................................................................................................... 72
9
版本历史 ..................................................................................................................................................... 73
3
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
1
介绍
本文给出了中科芯 CKS32F030xx 微控制器产品的器件的特性。
CKS32F030xx 的数据手册，必须结合 CKS32F030xx 参考手册一起阅读。
有关 Cortex™-M0 核心的相关信息，请参考《Cortex-M0 技术参考手册》，可以在 ARM 公司的网站下载：
http://infocenter.arm.com/help/index.jsp?topic=/com.arm.doc.ddi0432c/index.html
4
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
2
描述
CKS32F030xx 系列采用高性能的 ARM Cortex ™ -M0 的 32 位 RISC 内核，工作于 48MHz 时钟频率，
高速的嵌入式闪存（FLASH 最高可达 32K 字节，SRAM 可达 4K 字节）
，并广泛集成增强型外设和 I/O 口。
所有器件提供标准的通信接口（一个 I2C，一个 SPI，一个 USART）
，一个 12 位 ADC，多达 4 个通用 16
位定时器，一个 32 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。
CKS32F030xx 系列微控制器工作在-40 至+85℃温度范围，2.4 至 3.6 V 电源电压。一套为低功耗应用
设计准备的全面的省电模式。
CKS32F030xx 系列包括三种不同的封装，从 20 脚到 64 引脚不等的。根据选择的器件，包含不同组合
的外设。下面的内容包含了这个产品系列所提供的全部外设的描述。
这些特点使得 CKS32F030xx 微控制器系列适用于广泛的应用，如应用控制和用户界面，手持设备，
A/V 接收机和数字电视，PC 外设，游戏和 GPS 平台，工业应用，可编程控制器，逆变器，打印机，扫描
仪，报警系统，视频对讲，HVACs。
5
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
表 1 CKS32F030xx 器件的功能和外设数量
外设
CKS32F030F4
CKS32F030K6
CKS32F030C6
CKS32F030C8
CKS32F030R8
Flash (Kbytes)
16
32
32
64
64
SRAM (Kbytes)
4
4
4
8
8
4 (16-bit) (1)
5 (16-bit)
5 (16-bit)
高级控制
定时
器
通讯
接口
通用
基本
SPI
2
IC
USART
1 (16-bit)
(1)
4 (16-bit)
4 (16-bit)
(1)
-
-
-
1 (16-bit)
1 (16-bit)
(2)
1
(2)
1
(2)
2
2
1
(3)
1
(3)
2
2
1
(4)
1
(4)
2
2
1
(3)
1
(4)
1
12 位同步 ADC
(通道数)
1
(11 通道)
1
(12 通道)
1
(12 通道)
(18 通道)
GPIO
15
26
39
55
最大 CPU 频率
48MHz
工作电压
2.4 ~ 3.6 V
工作温度
工作环境温度: -40 °C ~ 85 °C
结温：-40 °C ~ 105 °C
封装
TSSOP20
LQFP32
LQFP48
1
LQFP64
1. 没有 TIM15
2. 没有 SPI2
3. 没有 I2C2
4. 没有 USART2
6
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
VDD18
SWCLK
SWDIO
as AF
Serial
Wire
Debug
POWER
VOLT.REG
3.3V TO 1.8V
VDD=2.4 to 3.6V
Vss
@VDD
Obl
Flash
interface
CORTEX-M0 CPU
fHCLK = 48 MHz
Bus Matrix
POR
Reset
Int
SUPPLY
SUPERVISION
@VDDA
POR/PDR
RC HS 14 MHz
SRAM
controller
NVIC
Flash
up to
64KB,
32 bits
SRAM
4/8 KB
RC HS 8 MHz
@VDDA
@VDD
RC LS
GP DMA
5 channels
PLL
NRST
VDDA
VDD
XTAL OSC
4-32 MHz
OSC_IN(PF0)
OSC_OUT(PF1)
IWDG
PB[15:0]
GPIO port B
PC[15:0]
GPIO port C
PD2
GPIO port D
PF[1:0]
PF[7:4]
AHB decoder
PA[15:0]
GPIO port A
RESET &
CLOCK
CONTROL
CRC
GPIO port F
AHBPCLK
APBPCLK
ADCCLK
USARTCLK
HCLK
FCLK
Power
Controller
@VDD
XTAL 32 kHz
OSC32_IN(PC14)
OSC32_OUT(PC15)
RTC
TAMPER-RTC
(ALARM OUT)
RTC interface
TIMER 1
4 channels
3 compl. Channels
BRK, ETR input as AF
TIMER 3
4 ch., ETR as AF
TIMER 14
1 channel as AF
TIMER 16
1 channel
1 compl, BRK as AF
TIMER 17
1 channel
1 compl, BRK as AF
AHB
APB
55AF
EXT.IT
WKUP
WWDG
MOSI,
MISO,
SCK,
NSS as AF
SPI1
MOSI/MISO
SCK/NSS
as AF
SPI2
IR_OUT as AF
DBGMCU
USART1
RX, TX, CTS,
RTS, CK as AF
USART2
RX, TX, CTS,
RTS, CK as AF
SYSCFG IF
@VDDA
Temp.
sensor
10
AD inputs
12-bit
ADC1
I2C1
SCL, SDA, SMBA
(20 mA for FM+) as AF
I2C2
SCL, SDA
as AF
IF
TIMER 6
VDDA
VSSA
图 1 系统模块框图
1. 只有 CKS32F030x8 上存在 TIMER6，TIMER15，SPI2，USART2 和 I2C2。
7
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
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功能概述
3
基于 ARM®的 Cortex™-M0 内核嵌入闪存 FLASH 和 SRAM
3.1
ARM®的 Cortex ™ -M0 处理器是 ARM 处理器中针对嵌入式系统的最新一代产品。它提供了一种低成
本的平台旨在满足使用较少引脚数和低功耗单片机的应用需求，同时提供出色的计算性能和先进的系统响
应中断。
ARM 的 Cortex ™ -M0 的 32 位 RISC 处理器，以卓越的代码效率为特点，相比于同等的内存大小的 8
位和 16 位器件，预期 ARM 内核能提供更高性能的表现。
CKS32F030xx 家族采用嵌入式的 ARM 内核，因此与所有的 ARM 工具和软件兼容。图 1 显示了器件
的家族的框图。
储存器
3.2
该器件具有以下特点：
高达 8K 字节的嵌入式 SRAM，可使用 CPU 的时钟速度进行无等待的读写访问。并且针对需要
高可靠性的应用提供嵌入式校验检查功能。
非易失性内存被分为两个区域：
−
16 至 64K 字节的程序和数据嵌入式闪存。
−
选项字节。
选项字节用于对内存（4 KB 的粒度）
进行写保护设置和/或对整个内存进行读保护设置，以及下列
选项：
−
0 级：没有读出保护。
−
1 级：FLASH 读保护，不允许在调试功能连接的时候或从 RAM 启动的时候对 FLASH 的读
写操作。
−
2 级：芯片读保护，完全禁止调试功能（Cortex-M0 的串行线）和从 RAM 启动。
8
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
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启动模式
3.3
在启动时，引导引脚(boot pin)和引导选择选项位用于选择系统启动模式：
从用户闪存引导启动
从系统内存引导
从嵌入式 SRAM 启动
引导加载程序位于系统内存中。它是通过使用引脚 PA14/PA15 或 PA9/PA10 的 USART 来使 Flash 储存
器重新编程。
循环冗余校验计算单元（CRC）
3.4
CRC 计算单元用于从一个 32 位数据码和一个 CRC-32 多项式中获得一个 CRC 码。在很多其他应用中，
通常使用循环冗余校验的技术来检查数据传输或存储的完整性。在 EN/IEC 60335-1 功能安全标准范围内，
这提供了校验 Flash 存储可靠性的技术手段。CRC 计算单元可随时计算软件签名，使得可以在通讯和存储
的时候就地完成签名比较。
电源管理
3.5
3.5.1
供电方式
VDD = 2.4 至 3.6 V：为 I/O 和内部稳压器供电的外部电源。由外部通过 VDD 引脚提供。
VDDA = 从 2.4 至 3.6 V：外部模拟电源为 ADC，复位模块，RC 振荡器和 PLL 供电(当 ADC 使
用时，最小的模拟供电电压是 2.4V)。VDDA 电压必须总是大于或等于 VDD 电压，而且必须先上
电。
如何连接电源引脚的详细信息，请参阅图 10。
3.5.2
电源监测
该器件集成了上电复位（POR）和掉电复位（PDR）电路。它们总处于工作状态，确保器件在 2V 以
上时正常运作，在阀值 VPOR/PDR 以下器件会保持在复位状态，而不需要外部复位电路来监测电源电压是否
9
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
低于指定的阈值。
在 POR 只 监 视 VDD 供电电压。在启动阶段，它需要 VDDA 先上电，并高于或等于 VDD。
在 PDR 监视 VDD 和 VDDA 供电电压，但 VDDA 电源监测可以被禁用（通过编程专用选项位），
以降低功耗，前提是由应用设计来确保 VDDA 一定高于或等于 VDD。
3.5.3
稳压器
稳压器有两种工作模式并且在复位之后总是启动。
MR 是被使用在正常工作模式（运行）
。
LPR 可以被用来在停止模式下当有降低功耗的需求。
断电用于待机模式。在待机模式下：稳压器的输出是高阻状态：内核电路断电，使得电流消耗为零（同时寄
存器和 SRAM 的内容也将丢失）
。
3.5.4 低功耗模式
CKS32F030xx 支持三种低功耗模式以便在功耗低，启动时间短，可用的唤醒源之间实现最佳的折衷：
Sleep 模式
在 Sleep 模式下，只有 CPU 停止。所有外设继续工作，可以将 CPU 在中断/事件发生时唤醒。
Stop 模式
停止模式实现了非常低的功耗，同时保持 SRAM 和寄存器的内容。在内核电压区域所有的时钟都
停止，PLL，HSI 的 RC 和 HSE 晶体振荡器被禁用。稳压器也可以置于正常或低功率模式。器件
可以用任意的 EXTI 线从 Stop 模式唤醒。EXTI 线源可以是 16 个外部线之一或 RTC 报警。
Stadby 模式
在待机模式下可实现最低的功耗。内部稳压器被关闭，所以整个内核电压区域断电。PLL, HSI RC
和 HSE 晶体振荡器也被关闭。进入待机模式后，SRAM 和寄存器的内容都将丢失，但 RTC 部分
的寄存器和待机电路除外。当发生外部复位（NRST 引脚）
，IWDG 复位，WKUP 引脚上的上升
沿，或 RTC 报警时，器件退出待机模式。
注：
RTC，IWDG 和对应的时钟源在进入停机或待机模式时不会停止。
10
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CKS32F030xx 数据手册
3.6
时钟和启动
系统时钟的选择在启动时执行，然而在复位后，内部 8MHz RC 振荡器被选为默认的 CPU 时钟。可
以选择 4-32 MHz 的外部时钟，可以用来监测故障。如果检测到故障时，系统会自动切换回内部 RC 振荡
器。如果使能的话，就会产生一个软件中断。同样，必要时对 PLL 时钟的进入也有完整的中断管理（例如
一个间接使用外部晶振，谐振器或振荡器故障）。允许应用程序通过几个分频器来配置 AHB 和 APB 的频
率。AHB 和 APB 的最高频率为 48MHz。
FLITFLCLK
to Flash programming interface
HSI
to I2C1
SYSCLK
LSE
8 MHz
HSI RC
HSI
/244
/2
HCLK
to AHB bus, core, memory and DMA
to cortex system timer
FHCLK Cortex free running clock
/8
PLLSRC
SW
PLLMUL
PLL
×2,×3,...
x16
HSI
PLLCLK
HSE
/1,/2,
…/16
OSC_OUT
OSC_IN
OSC32_IN
OSC32_OUT
AHB
prescaler
/1,/2,…/512
SYSCLK
CSS
14MHz
HSI14 RC
4-32 MHz
HSE OSC
LSE OSC
32.768 KHz
/32
LSE
RTCCLK
HSI14
to RTC
AHB
prescaler
/1,2,4,8,16
PCLK
If(APB1 prescaler
=1)x1,else x2
ADC
prescaler /2,4
PCLK
SYSCLK
HSI
LSE
to APB peripherals
to TIM1,3,6,
14,15,16,17
to ADC
14MHz max
to USART1
RTCSEL[1:0]
LSI RC
40 kHz
LSI
Main clock
output
HSI
HSE
LSI(1)
MCO
to IWDG
/2
PLLCLK
HSI14
SYSCLK
LSE(1)
MCO
图 2 时钟树
1. CKS32F030x8 上 MCO 没有 LSI/LSE 输出。
11
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
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通用输入/输出端口（GPIO）
3.7
每个 GPIO 引脚都可以通过软件配置为输出（推挽或漏极开路），输入（带或不带上拉或下拉）或复用
的外设功能。多数 GPIO 引脚同时具有有数字或模拟的复用功能。
如有必要，I/O 的配置可以被锁住通过一个特定操作序列，以避免对 I/O 寄存器的意外的写入。
直接储存器访问控制器（DMA）
3.8
5 通道通用 DMA 可以管理储存器到储存器，外设到储存器和储存器到外设的传输。DMA 支持环形缓
冲区的管理，在控制器达到缓冲区的末尾时不再需要用户代码的干预。
每个通道连接到专用硬件 DMA 请求，支持软件对每个通道的触发。由软件完成 DMA 的配置，源和
目标之间传输的数据量都是独立的。DMA 可以用于主要的外设：SPI，I2C，USART，所有 TIMx 的定时
器（除了 TIM14）和 ADC。
中断和事件
3.9
3.9.1
向量嵌套中断控制器（NVIC）
CKS32F030xx 家族嵌入了向量嵌套的中断控制器，能处理多达 32 个可屏蔽中断通道(不包括 Cortex ™
-M0 的 16 线中断）和 4 个优先级。
紧密耦合的 NVIC 能够快速中断处理
中断向量入口地址直接传递到内核
紧密耦合的 NVIC 内核接口
允许中断的早期处理
优先处理晚到的更高优先级的中断
支持末尾连锁
自动保存处理器状态
异常返回机制不会产生指令开销
这个硬件模块以最小的中断延迟提供灵活的中断管理功能。
12
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
3.9.2
扩展中断/事件控制器（EXTI）
外部中断/事件控制器包含 24 条沿检测线，用于产生中断/事件请求和唤醒系统。每一路可以独立配置
选择触发事件（上升沿，下降沿，两者）
，也可独立屏蔽。挂起寄存器维持中断请求的状态。EXTI 可以在
外部线路上检测到比内部时钟周期短的窄脉冲。可以连接到 16 个外部中断线路多达 39 个 GPIO。
3.10
模数转换器（ADC）
12 位模拟数字转换器有多达 16 个外部和 2 个内部（温度传感器，参考电压测量）通道，可执行单次
或扫描模式的转换。 在扫描模式下，自动转换会按照选定的一组模拟输入来执行。ADC 接口可接受 DMA
控制器的服务。
模拟看门狗功能允许非常精确的监测一个、几个或全部的选择通道的转换电压。转换结果超出设定的
阈值电压时，会产生一个中断。
3.10.1 温度传感器
温度传感器(TS)产生一个随温度线性变化的电压 VSENSE。
温度传感器内部连接到 ADC_IN16 的输入通道，用于将传感器的输出电压转换成数字值。
该传感器具有良好的线性度，但必须进行校准才能获得良好的温度测量精度。由于工艺过程中温度传感
器的偏移量因芯片而异，因此未校准的内部温度传感器适用于仅检测温度变化的应用。
表 2 温度传感器校准值
3.10.2
校准值名称
描述
内存地址
TS_CAL1
TS ADC 原始数据在温度 30°C 得到，
VDDA=3.3V
0x1FFF F7B8 – 0x1FFF F7B9
TS_CAL2
TS ADC 原始数据在温度 110°C 得到，
VDDA=3.3V
0x1FFF F7C2 – 0x1FFF F7C3
内部参考电压(VREFINT)
内部参考电压(VREFINT)提供了一个稳定的（带隙）电压输出对于 ADC。VREFINT 是内部连接到 ADC_IN17
的输入通道。
13
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
表 3 内部参考电压校准值
校准值名称
描述
内存地址
VREFINT_CAL
原始数据在温度 30°C 得到,VDDA=3.3V
0x1FFF F7BA – 0x1FFF F7BB
3.11
定时器和看门狗
CKS32F030xx 系列器件包括多达 6 个通用定时器和一个高级控制定时器。表 4 比较了高级控制定时器
和通用定时器的特征。
表 4 定时器功能比较
定时
器类
型
高级控
制
预分频因子
DMA
请求产
生
捕获/比
较通道
互补
输出
上,下,上/下
1 和 65536 之间的
任何整数
是
4
是
16 位
上,下,上/
下
1 和 65536 之间的
任何整数
是
4
否
TIM14
16 位
上
1 和 65536 之间的
任何整数
否
1
否
TIM15(1)
16 位
上
1 和 65536 之间的
任何整数
是
2
是
16 位
上
1 和 65536 之间的
任何整数
是
1
是
16 位
上
1 和 65536 之间的
任何整数
是
0
否
定时器
计数器的
分辨率
计数器类
型
TIM1
16 位
TIM3
通用
TIM16
TIM17
基础
TIM6(1)
1. 仅在 CKS32F030x8 中使用。
3.11.1
高级控制定时器（TIM1）
高级控制定时器（TIM1）可以被看作是 6 通道三相 PWM 发生器。它具有互补的 PWM 输出，可编程
死区时间插入。它也可以被看作是一个完整的通用定时器。4 个独立的通道，可用于：
输入捕捉
输出比较
PWM 生成（边缘或中心对齐模式）
单脉冲模式输出
14
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
如果作为一个标准的 16 位定时器配置，和 TIMx 定时器具有相同的功能。如果配置为 16 位 PWM 发
生器，它具有全调制能力（0-100％）
。
在调试模式下，计数器可以被冻结。
很多功能与那些有相同的架构的标准计时器相同。高级的控制定时器还可以通过定时器链接功能和其
他定时器协同工作。
3.11.2 通用定时器（TIM3，14…17）
在 CKS32F030xx 设备中有五个同步的通用定时器（差异见表 4）。每个通用定时器可以用来产生 PWM
输出，或作为简单的时基。
TIM3
CKS32F030xx 器件具有一个同步的 4 通道通用定时器。TIM3 基于一个 16 位的自动加载的递加/递减计
数器和一个 16 位的预分频器。TIM3 设有 4 个独立的输入捕捉/输出比较，PWM 或单脉冲模式输出的通道。
可提供最多 12 个输入捕捉/输出比较/ PWM 通道上的最大化的组合。
TIM3 通用定时器可以与 TIM1 的高级控制定时器通过定时器链接功能，同步或事件链接在一起，协同
工作。TIM3 提供独立的 DMA 请求产生。这些定时器能够处理正交（增量）的编码器信号和数字输出从 1
到 3 个霍尔效应传感器。在调试模式下，计数器可以被冻结。
TIM14
基于一个 16 位的自动加载的递加计数器和一个 16 位的预分频器。TIM14 设有一个单一通道输入捕/
输出比较，PWM 或单脉冲模式输出。在调试模式下，计数器可以被冻结。
TIM15，TIM16 和 TIM17
这些定时器是基于一个 16 位的自动加载的递加计数器和一个 16 位的预分频器。TIM15 有两个独立的
通道而 TIM16 和 TIM17 只有单通道输入捕捉/输出比较，
PWM 和单脉冲模式输出。TIM15，
TIM16 和 TIM17
可以一起工作，其中 TIM15 还可以与 TIM1 的高级控制定时器通过定时器链接功能，同步或事件链接在一
起。TIM15 也可以与 TIM16 和 TIM17 同步。TIM15，TIM16，TIM17 有互补输出死区时间生成和独立的
DMA 请求产生。在调试模式下，计数器可以被冻结。
3.11.3
基本定时器 TIM6
此定时器主要用于产生 DAC 触发。 它也可以被用来作为一种通用的 16 位时基。
15
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
3.11.4
独立窗口看门狗(IWDG)
独立的窗口看门狗基于一个 8 位预分频器和 12 位的递减计数器和用户定义的刷新窗口。它由一个独立
的 40kHz 的内部 RC 时钟驱动，因为它独立于主时钟运作，所以它可以在停机和待机模式保持运行。它可
以用来作为一个看门狗在出现问题时重置设备，或作为自由运行定时器为应用程序提供超时管理。它可通
过选项字节由硬件配置或软件配置。在调试模式下，计数器可以被冻结。
3.11.5
系统窗口看门狗(WWDG)
系统窗口看门狗基于一个 7 位的递减计数器，可以设置成自由运行。它可以用来作为看门狗在出现问
题时重置设备。它的时钟取自 APB 时钟（PCLK）。它有一个预警中断功能，计数器在调试模式下可以被
冻结。
3.11.6
SysTick 定时器
这个定时器是实时操作系统专用的，但也可以作为一个标准的递减计数器使用。它的特点：
24 位递减计数器。
自装填能力。
计数器达到 0 时，有可屏蔽的系统中断的产生。
可编程时钟源（HCLK 或 HCLK/8）。
3.12
实时时钟（RTC）
RTC 是一个独立的 BCD 定时/计数器。其主要特点如下：
子秒，秒，分钟，小时（12 或 24 格式），星期，日，月，年，在 BCD（二进制编码的十进制）格
式的日历。
每个月自动校正为 28，29（闰年）
，30 日和 31 日。
可编程闹钟可以从停机和待机模式唤醒。
从 1 到 32767 RTC 时钟脉冲的动态校正。这可以用来与主时钟同步。
分辨率为 1 ppm 的数字校准电路，来补偿石英晶体误差。
16
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
2 个防篡改检测引脚带可编程滤波器。MCU 可以被篡改事件检测从停机和待机模式唤醒。
时间戳功能，可用于保存日历内容。此功能可以通过事件时间戳引脚，或通过篡改事件触发。MCU
可以被时间戳事件从停机和待机模式唤醒。
参考时钟检测：一个更精确的秒源时钟（50 或 60 赫兹）可以用来提高日历精度。
RTC 时钟源可以是：
一个 32.768 kHz 的外部晶振。
一个谐振器或振荡器。
内部低功耗 RC 振荡器（典型频率为 40 kHz）
。
高速的外部时钟除以 32。
3.13
内部集成电路接口（I2C）
多至两个 I2C 接口（I2C1 和 I2C2）可以在多主或从模式运作。既可以支持标准模式（高达 100 千比
特/秒）也可以支持快速模式（高达 400 千比特/秒），I2C1 更支持超快速模式 Plus（高达 1 兆位/秒），20 mA
输出驱动能力。
都支持 7 位和 10 位寻址模式，多个 7 位从地址（2 地址，其中一个功能可屏蔽）。它们还包括可编程
的模拟和数字噪声滤波器。
表5
I2C 模拟和数字滤波器的比较
模拟滤波器
抑制尖峰脉冲宽度
≥ 50 纳秒
好处
可在停止模式使用
缺点
受温度，电压和工艺的变化影响
数字滤波器
可编程长度从 1 到 15 个 I2C 外设时钟
1. 额外的过滤能力超过标准的要求。
2. 稳定长度
从停止模式唤醒时会自动禁用
此外，I2C1 的提供 SMBus 2.0 及 1.1 的 PMBus 硬件支持：ARP 功能，主机通知协议，硬件 CRC（PEC）
的生成/校验，超时核查和警报协议管理。I2C1 还拥有独立于 CPU 时钟的时钟域， 允许 I2C1 根据从地
址匹配事件将 MCU 从停止模式唤醒。I2C 接口可接受 DMA 控制器的服务。I2C1 和 I2C2 之间的差异请参
考表 6。
17
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
表 6 CKS32F030xx 的 I2C 具体功能(1)
I2C 的功能(1)
I2C1
I2C2
7 位寻址模式
X
X
10 位寻址模式
X
X
标准模式（高达 100 千比特/秒）
X
X
快速模式（高达 400 千比特/秒）
X
X
快速模式 Plus 20mA 输出驱动器的 I/O（高达 1 兆位/秒）
X
-
SMBus
X
-
1. X 代表支持的功能。
3.14
通用同步/异步收发器（USART）
器件内置多达两个通用同步/异步收发器(USART1 和 USART2)，通信速度可达 6Mbit/s。它们提供硬件管
理的 CTS 和 RTS 信号，多处理器通信模式，主同步通信和单线半双工通信模式。USART1 的还支持自动
波特率功能。USART 接口可接受 DMA 控制器的服务。下表给出了 USART1 和 USART2 之间的区别。
表 7 CKS32F030xx USART 设备(1)
USART 模式/特征
USART1
USART2
调制解调器硬件流控制
X
X
使用 DMA 持续通信
X
X
多处理器通信
X
X
同步模式
X
X
单线半双工通信
X
X
接收超时中断
X
-
自动波特率检测
X
-
1. X 代表支持的功能。
3.15
串行外设接口（SPI）
多达两个 SPI 能够实现高达 18Mbit/s 的通信，在主模式和从模式，在全双工和半双工通信模式中。3
位分频器提供 8 主模态频率和帧大小配置从 4 位至 16 位。SPI1 和 SPI2 的区别请参考表 8。
表8
CKS32F030xx SPI 设备
SPI 特征(1)
SPI1
SPI2
调制 CRC 计算
X
X
Rx/Tx FIFO
X
X
18
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
NSS 脉冲模式
X
X
TI 模式
X
X
1. X 代表支持的功能。
3.16
两线串行调试端口（SW-DP）
ARM 的 SW-DP 接口允许通过串行线调试工具连接到单片机。
19
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
PA15
PA14
PC11
PC10
PC12
PD2
PB4
PB3
PB6
PB5
PB7
BOOT0
PB9
PB8
VSS
引线和引脚说明
VDD
4
64 63 62 61 60 59 58 57 56 55 54 53 52 51 50 49
VDD
1
48
PF7
PC13
2
47
PF6
PC14/OSC32_IN
3
46
PA13
PC15/OSC32_OUT
4
45
PA12
PF0/OSC_IN
5
44
PA11
PF1/OSC_OUT
6
43
PA10
NRST
7
42
PA9
PC0
8
41
PA8
PC1
9
LQFP64
40
PC9
PC2
10
39
PC8
PC3
11
38
PC7
VSSA
12
37
PC6
VDDA
13
36
PB15
PA0
14
35
PB14
PA1
15
34
PB13
PA2
16
33
PB12
VSS
VDD
PB10
PB11
PB1
PB2
PC5
PB0
PC4
PA7
PA6
PA5
PF5
PA4
PF4
PA3
17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
图 3 LQFP64 脚封装脚位图
20
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
PA14
PA15
PB4
PB3
PB6
PB5
PB7
BOOT0
PB9
PB8
VSS
VDD
CKS32F030xx 数据手册
48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37
VDD
1
36
PF7
PC13
2
35
PF6
PC14/OSC32_IN
3
34
PA13
PC15/OSC32_OUT
4
33
PA12
PF0/OSC_IN
5
32
PA11
PF1/OSC_OUT
6
31
PA10
NRST
LQFP48
7
VSSA
8
VDDA
30
PA9
29
PA8
9
28
PB15
PA0
10
27
PB14
PA1
11
26
PB13
12
25
PB12
PA2
VSS
VDD
PB11
PB10
PB1
PB2
PB0
PA7
PA6
PA5
PA4
PA3
13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
32 31 30 29 28
PA15
PB3
PB4
PB5
PB6
PB7
BOOT0
VSS
图 4 LQFP48 脚封装脚位图
27 26 25
VDD
1
24
PA14
PF0/OSC_IN
2
23
PA13
PF1/OSC_OUT
3
22
PA12
NRST
4
21
PA11
VDDA
5
20
PA10
PA0
PA1
6
19
PA9
18
PA8
17
VDD
7
图5
VSS
PB1
PB0
PA7
PA6
PA5
PA4
8 9 10 11 12 13 14 15 16
PA3
PA2
LQFP 32
LQFP32 引脚封装脚位图
21
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
BOOT0
PF0/OSC_IN
1
20
PA14
2
19
PA13
PF1/OSC_OUT
3
18
PA10
NRST
4
17
PA9
VDDA
5
16
VDD
PA0
6
15
VSS
PA1
7
14
PB1
PA2
8
13
PA7
PA3
9
12
PA6
PA4
10
11
PA5
图 6 TSSOP20 引脚封装脚位图
表 9 引出线表中使用的缩写
名称
引脚名
引脚类型
I/O 结构
缩写
除非在指定的引脚名称下面有括号说明，在复位期间和之后，引脚作为实际使用的
功能与引脚名称相同。
S
电源引脚
I
仅作为输入
I/O
输入/输出引脚
FT
5 V 容忍的 I/O
FTf
5V 容忍 I/O，FM+能力
TTa
3.3V 容忍的 I/O 直接连接到 ADC
TC
标准的 3.3V I/O
B
RST
注
引脚功能
定义
专用的 BOOT0 脚
带弱上拉电阻的双向复位引脚
除非另有说明指定，所有的 I/O 在复位期间和复位之后，都会设置为浮空输入。
备用功能
通过 GPIOx_AFR 寄存器选择功能
附加功能
功能直接通过外设寄存器来选择/启用
22
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
1
1
-
-
2
2
-
-
3
3
-
-
引脚名称(复位后的
功能)
VDD
PC13
引脚功能
I/O 结构
TSSOP20
LQFP32
LQFP48
LQFP64
引脚号
引脚类型
表 10 引脚定义
注
备用功能
附加功能
备用电源
S
I/O
TC
(1)
-
RTC_TAMP1,
RTC_TS,
RTC_OUT,
WKUP2
I/O
TC
(1)
-
OSC32_IN
I/O
TC
(1)
-
OSC32_OUT
I/O
FT
-
OSC_IN
I/O
FT
-
OSC_OUT
PC14_OSC32_IN
(PC14)
PC15_OSC32_OUT
4
4
-
(PC15)
5
5
2
2
6
6
3
3
PF0_OSC_IN(PF0)
PF1_OSC_OUT
(PF1)
器件复位输入/内部复位输出(低电
平有效)
7
7
4
4
NRST
I/O
RST
8
-
-
-
PC0
I/O
TTa
EVENTOUT
ADC_IN10
9
-
-
-
PC1
I/O
TTa
EVENTOUT
ADC_IN11
10
-
-
-
PC2
I/O
TTa
EVENTOUT
ADC_IN12
11
-
-
-
PC3
I/O
TTa
EVENTOUT
ADC_IN13
12
8
-
-
VSSA
S
模拟地
13
9
5
5
VDDA
S
模拟电源
USART1_CTS(2)
14
10
6
6
PA0
I/O
TTa
USART2_CTS(3)
ADC_IN0,
RTC_TAMP2,
WKUP1
USART1_RTS(2),
15
11
7
7
PA1
I/O
TTa
USART2_RTS(3),
ADC_IN1
EVENTOUT
USART1_TX(2)
16
12
8
8
PA2
I/O
TTa
USART2_TX(3)
ADC_IN2
TIM15_CH1(3)
23
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
表 10 引脚定义（续 1）
I/O 结构
引脚名称(复位后
的功能)
引脚类型
引脚功能
TSSOP20
LQFP32
LQFP48
LQFP64
引脚号
注
备用功能
附加功能
USART1_RX(2)
17
13
9
9
PA3
I/O
USART2_RX(3)
TTa
ADC_IN3
TIM15_CH2(3)
18
-
-
-
PF4
I/O
FT
EVENTOUT
-
19
-
-
-
PF5
I/O
FT
EVENTOUT
-
ADC_IN4
20
14
10
10
PA4
I/O
TTa
SPI1_NSS,
USART1_CK(2),
USART1_CK(3)
TIM14_CH1
21
15
11
11
PA5
I/O
TTa
SPI1_SCK
ADC_IN5
TTa
SPI1_MISO,
TIM3_CH1,
TIM1_BKIN,
TIM16_CH1,
EVENTOUT
ADC_IN6
ADC_IN7
22
16
12
12
PA6
I/O
23
17
13
13
PA7
I/O
TTa
SPI1_MOSI,
TIM3_CH2,
TIM14_CH1,
TIM1_CH1N,
TIM17_CH1,
EVENTOUT
24
-
-
-
PC4
I/O
TTa
EVENTOUT
ADC_IN14
25
-
-
-
PC5
I/O
TTa
-
ADC_IN15
TTa
TIM3_CH3,
TIM1_CH2N,
EVENTOUT
ADC_IN8
TIM3_CH4,
TIM14_CH1,
TIM1_ CH3N
ADC_IN9
-
-
I2C1_SCL(2)
I2C2_SCL(3)
-
26
18
14
-
PB0
I/O
27
19
15
14
PB1
I/O
TTa
28
20
-
-
PB2
I/O
FT
29
21
-
-
PB10
I/O
FT
(4)
24
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
引脚名称(复位后
的功能)
引脚功能
I/O 结构
TSSOP20
LQFP32
LQFP48
LQFP64
引脚号
引脚类型
表 10 引脚定义（续 2）
备用功能
附加功能
I2C1_SDA(2),
I2C2_SDA(3)
EVENTOUT
30
22
-
-
PB11
I/O
31
23
16
-
VSS
S
数字地
32
24
17
16
VDD
S
数字电源
33
25
-
-
PB12
I/O
FT
注
-
FT
SPI1_NSS(2),
SPI2_NSS(3)
TIM1_BKIN
EVENTOUT
FT
SPI1_SCK
(3)
SPI2_SCK
TIM1_CH1N
-
(2)
34
26
-
-
PB13
I/O
-
(2)
35
27
-
-
PB14
I/O
FT
SPI1_MISO ,
(3)
SPI1_MISO
TIM1_CH2N,
TIM15_CH1
-
(3)
(2)
36
28
-
-
PB15
I/O
FT
SPI1_MOSI ,
(3)
SPI2_MOSI
TIM1_CH3N,
RTC_REFIN
(3)
TIM15_CH1N
(3)
TIM15_CH2
37
-
-
-
PC6
I/O
FT
TIM3_CH1
-
38
-
-
-
PC7
I/O
FT
TIM3_CH2
-
39
-
-
-
PC8
I/O
FT
TIM3_CH3
-
40
-
-
-
PC9
I/O
FT
TIM3_CH4
-
FT
USART1_CK,
TIM1_CH1,
EVENTOUT,
MCO
-
41
29
18
-
PA8
I/O
USART1_TX,
TIM1_CH2,
42
30
19
17
PA9
I/O
FT
(3)
TIM15_BKIN
(2)
I2C1_SCL
-
25
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
43
31
20
18
引脚名称(复位后
的功能)
PA10
I/O
引脚功能
I/O 结构
TSSOP20
LQFP32
LQFP48
LQFP64
引脚号
引脚类型
表 10 引脚定义（续 3）
注
复用功能
附加功能
USART1_RX,
TIM1_CH3,
TIM17_ BKIN,
FT
-
(2)
44
32
21
-
45
33
22
-
46
34
23
19
PA11
PA12
I/O
I2C1_SDA
USART1_CTS,
TIM1_CH4,
EVENTOUT
FT
I/O
FT
I/O
FT
PA13
(5)
(SWDIO)
-
USART1_RTS,
TIM1_ETR,
EVENTOUT
-
IR_OUT,
SWDIO
-
(2)
47
35
-
-
PF6
I/O
FT
I2C1_SCL ,
(3)
I2C2_SCL
FT
I2C1_SDA ,
(3)
I2C2_SDA
FT
USART1_TX ,
(3)
USART2_TX
SWCLK
-
(2)
48
36
-
-
PF7
I/O
-
(2)
49
37
24
20
PA14(SWCLK)
I/O
(5)
-
SPI1_NSS,
(2)
USART1_ RX ,
(3)
USART2_ RX
EVENTOUT
50
38
25
-
PA15
I/O
FT
51
-
-
-
PC10
I/O
FT
-
-
52
-
-
-
PC11
I/O
FT
-
-
53
-
-
-
PC12
I/O
FT
-
-
54
-
-
-
PD2
I/O
FT
-
-
55
39
26
-
PB3
I/O
FT
SPI1_SCK,
EVENTOUT
-
FT
SPI1_MISO,
TIM3_CH1,
EVENTOUT
-
FT
SPI1_MOSI,
I2C1_ SMBA,
TIM16_BKIN,
TIM3_CH2
-
56
57
40
41
27
28
-
-
PB4
PB5
I/O
I/O
-
26
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
58
42
29
-
PB6
I/O
FTf
I2C1_SCL,
USART1_TX,
TIM16_ CH1N
I2C1_SDA,
USART1_RX,
TIM17_ CH1N
59
43
30
-
PB7
I/O
FTf
60
44
31
1
BOOT0
I
B
61
45
-
-
PB8
I/O
FTf
62
46
-
63
47
32
64
48
1
1.
-
引导储存器选择
(5)
FTf
I2C1_SCL,
TIM16_ CH1
-
I2C1_SDA,
IR_OUT,
TIM17_CH1,
EVENTOUT
-
PB9
I/O
15
VSS
S
数字地
16
VDD
S
数字电源
PC13，PC14和PC15的供电要通过一个电源开关。由于开关只能够吸收有限大小的电流（3mA）
，PC15，
PC13的GPIO 输出模式是受限的：
−
速度不应超过2兆赫兹与30pF的最大负荷
−
这些个 GPIO 不能被用来作为电流源（例如：驱动 LED）
。
2.
该功能仅在 CKS32F030x6 和 CKS32F030x4 中可使用。
3.
该功能仅在 CKS32F030x8 中可使用。
4.
在 LQFP32 封装， PB2 和 PB8 视作不连接的引脚（即使它们在该封装不可用，不通过硬件强制规定）
。
5.
复位后，这些引脚被配置为SWDIO和SWCLK备用功能，对SWDIO引脚的内部上拉和对SWCLK脚的内
部下拉功能是打开的。
27
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
表 11 选择交替功能通过寄存器 GPIOA_AFR 对于接口 A
引脚
名称
AF0
AF1
USART1_CTS(1)
AF2
AF3
AF4
AF5
AF6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
TIM14_CH1
-
-
PA0
-
PA1
EVENTOUT
PA2
TIM15_CH1(2)
PA3
TIM15_CH2(2)
PA4
SPI1_NSS
PA5
SPI1_SCK
-
-
-
-
-
-
PA6
SPI1_MISO
TIM3_CH1
TIM1_BKIN
-
-
TIM16_CH1
EVENTOUT
PA7
SPI1_MOSI
TIM3_CH2
TIM1_CHIN
-
TIM14_CH1
TIM17_CH1
EVENTOUT
PA8
MCO
USART1_CK
TIM1_CH1
EVENTOUT
-
PA9
USART2_CTS(2)
USART1_RTS(1)
USART2_RTS(2)
USART1_TX(1)
USART2_TX(2)
USART1_RX(1)
USART2_RX(2)
USART1_CK(1)
USART2_CK(2)
(2)
TIM15_BKIN
USART1_TX
TIM1_CH2
-
-
-
(1)
-
-
(1)
-
-
I2C1_SCL
PA10
TIM17_BKIN
USART1_RX
TIM1_CH3
-
PA11
EVENTOUT
USART1_CTS
TIM1_CH4
-
-
-
-
PA12
EVENTOUT
USART1_RTS
TIM1_ETR
-
-
-
-
PA13
SWDIO
IR_OUT
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
EVENTOUT
-
-
-
USART1_TX
PA14
SWCLK
PA15
SPI1_NSS
I2C1_SDA
(1)
USART2_TX(2)
USART1_RX(1)
USART2_RX(2)
1.
该功能仅在 CKS32F030x6 和 CKS32F030x4 中可使用。
2.
该功能仅在 CKS32F030x8 中可使用。
28
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
表 12 选择交替功能通过寄存器 GPIOB_AFR 对于接口 B
引脚名称
AF0
AF1
AF2
AF3
PB0
EVENTOUT
TIM3_CH3
TIM1_CH2N
-
PB1
TIM14_CH1
TIM3_CH4
TIM1_CH3N
-
PB2
-
-
-
-
PB3
SPI1_SCK
EVENTOUT
-
-
PB4
SPI1_MISO
TIM3_CH1
EVENTOUT
-
PB5
SPI1_MOSI
TIM3_CH2
TIM16_BKIN
I2C1_SMBA
PB6
USART1_TX
I2C1_SCL
TIM16_CH1N
-
PB7
USART1_RX
I2C1_SDA
TIM17_CH1N
-
PB8
-
I2C1_SCL
TIM16_CH1
-
PB9
IR_OUT
I2C1_SDA
TIM17_CH1
EVENTOUT
-
-
-
-
EVENTOUT
TIM1_BKIN
-
-
TIM1_CH1N
-
TIM15_CH1(2)
TIM1_CH2N
-
TIM15_CH2(2)
TIM1_CH3N
TIM15_CH1N(2)
(1)
PB10
PB11
PB12
PB13
PB14
PB15
EVENTOUT
SPI1_NSS(1)
SPI2_NSS(2)
SPI1_SCK(1)
SPI2_SCK(2)
SPI1_MISO(1)
SPI2_MISO(2)
SPI1_MOSI(1)
SPI2_MOSI(2)
I2C1_SCL
I2C2_SCL(2)
I2C1_SDA(1)
I2C2_SDA(2)
1.
该功能仅在 CKS32F030x6 和 CKS32F030x4 中可使用。
2.
该功能仅在 CKS32F030x8 中可使用。
29
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
5
内存映射
0x4800 17FF
0xFFFF FFFF
0x4800 0000
AHB2
7
0xE010 0000
0xE000 0000
Cortex-M0 Internal
Peripherals
reserved
6
0x4002 43FF
0xC000 0000
AHB1
0x4002 0000
5
reserved
0xA000 0000
0x4001 8000
APB
4
0x1FFF FFFF
Option Bytes
0x1FFF F800
0x8000 0000
0x4001 0000
reserved
System memory
3
0x4000 8000
0x1FFF C800
0x6000 0000
APB
0x4000 0000
2
reserved
0x4000 0000
Peripherals
1
0x2000 0000
0x0804 0000
Flash memory
SRAM
0x0800 0000
0
reserved
CODE
0x0004 0000
Flash, system memory
or SRAM, depending on
BOOT configuration
0x0000 0000
0x0000 0000
Reserved
图 7 CKS32F030xx 内存映射
30
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
表 13 CKS32F030xx 外设寄存器起始地址
总线
AHB2
AHB1
APB
起始地址
尺寸
外设
0x4800 1800 – 0x5FFF FFFF
~384 MB
Reserved
0x4800 1400 – 0x4800 17FF
1KB
GPIOF
0x4800 1000 – 0x4800 13FF
1KB
Reserved
0x4800 0C00 – 0x4800 0FFF
1KB
GPIOD
0x4800 0800 – 0x4800 0BFF
1KB
GPIOC
0x4800 0400 – 0x4800 07FF
1KB
GPIOB
0x4800 0000 – 0x4800 03FF
1KB
GPIOA
0x4002 4400 – 0x47FF FFFF
~128 MB
Reserved
0x4002 3400 – 0x4002 43FF
4 KB
Reserved
0x4002 3000 – 0x4002 33FF
1 KB
CRC
0x4002 2400 – 0x4002 2FFF
3 KB
Reserved
0x4002 2000 – 0x4002 23FF
1 KB
FLASH Interface
0x4002 1400 – 0x4002 1FFF
3 KB
Reserved
0x4002 1000 – 0x4002 13FF
1 KB
RCC
0x4002 0400 – 0x4002 0FFF
3 KB
Reserved
0x4002 0000 – 0x4002 03FF
1 KB
DMA
0x4001 8000 – 0x4001 FFFF
32 KB
Reserved
0x4001 5C00 – 0x4001 7FFF
9 KB
Reserved
0x4001 5800 – 0x4001 5BFF
1 KB
DBGMCU
0x4001 4C00 – 0x4001 57FF
3 KB
Reserved
0x4001 4800 – 0x4001 4BFF
1 KB
TIM17
0x4001 4400 – 0x4001 47FF
1 KB
TIM16
0x4001 4000 – 0x4001 43FF
1 KB
TIM15(1)
0x4001 3C00 – 0x4001 3FFF
1 KB
Reserved
0x4001 3800 – 0x4001 3BFF
1 KB
USART1
0x4001 3400 – 0x4001 37FF
1 KB
Reserved
0x4001 3000 – 0x4001 33FF
1 KB
SPI1
0x4001 2C00 – 0x4001 2FFF
1 KB
TIM1
0x4001 2800 – 0x4001 2BFF
1 KB
Reserved
0x4001 2400 – 0x4001 27FF
1 KB
ADC
0x4001 0800 – 0x4001 23FF
7 KB
Reserved
31
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
表 13 CKS32F030x 外设寄存器起始地址(续)
总线
APB
APB
起始地址
尺寸
外设
0x4001 0400 – 0x4001 07FF
1 KB
EXTI
0x4001 0000 – 0x4001 03FF
1 KB
SYSCFG
0x4000 8000 – 0x4000 FFFF
32 KB
Reserved
0x4000 7400 – 0x4000 7FFF
3 KB
Reserved
0x4000 7000 – 0x4000 73FF
1 KB
PWR
0x4000 5C00 – 0x4000 6FFF
5 KB
Reserved
0x4000 5800 – 0x4000 5BFF
1 KB
I2C2(1)
0x4000 5400 – 0x4000 57FF
1 KB
I2C1
0x4000 4800 – 0x4000 53FF
3 KB
Reserved
0x4000 4400 –0x4000 47FF
1 KB
USART2(1)
0x4000 3C00 – 0x4000 43FF
2 KB
Reserved
0x4000 3800 – 0x4000 3BFF
1 KB
SPI2(1)
0x4000 3400 – 0x4000 37FF
1 KB
Reserved
0x4000 3000 – 0x4000 33FF
1 KB
IWDG
0x4000 2C00 – 0x4000 2FFF
1 KB
WWDG
0x4000 2800 – 0x4000 2BFF
1 KB
RTC
0x4000 2400 – 0x4000 27FF
1 KB
Reserved
0x4000 2000 – 0x4000 23FF
1 KB
TIM14
0x4000 1400 – 0x4000 1FFF
3 KB
Reserved
0x4000 1000 – 0x4000 13FF
1 KB
TIM6(1)
0x4000 0800 – 0x4000 0FFF
2 KB
Reserved
0x4000 0400 – 0x4000 07FF
1 KB
TIM3
0x4000 0000 – 0x4000 03FF
1 KB
Reserved
1. 该功能仅在 CKS32F030x8 中可使用，对于 CKS32F030x6 和 CKS32F030x4，该区域是保留位。
32
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
电气特性
6
参数条件
6.1
除非特别说明，所有电压的都以 VSS 为基准。
6.1.1
最小和最大数值
除非特别说明，
在生产线上通过对 100%的产品在环境温度 TA=25°C 和 TA =TAmax 下执行的测试(TAmax
与选定的温度范围匹配)，所有最小和最大值将在最坏的环境温度、供电电压和时钟频率条件下得到保证。
在每个表格下方的注解中说明为通过综合评估、设计模拟和/或工艺特性得到的数据，不会在生产线上
进行测试；在综合评估的基础上，最小和最大数值是通过样本测试后，取其平均值再加减三倍的标准分布(平
均±3σ)得到。
6.1.2
典型数值
除非特别说明，典型数据是基于 TA=25°C 和 VDD = VDDA =3.3V。这些数据仅用于设计指导而未经测试。
典型的 ADC 精度数值是通过对一个标准的批次采样，在所有温度范围下测试得到，95%产品的误差小
于等于给出的数值(平均±2σ )。
6.1.3
典型曲线
除非特别说明，典型曲线仅用于设计指导而未经测试。
6.1.4
负载电容
测量引脚参数时的负载条件示于图 8 中。
6.1.5
引脚输入电压
引脚上输入电压的测量方式示于图 8 中。
33
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
MCU pin
MCU pin
Vin
C=50pF
图 8 引脚的负载条件
6.1.6
图 9 引脚输入电压
供电方案
OUT
GP I/Os
IN
VDD
2 x VDD
2 x 100nF
+ 1 x 4.7uF 2 x Vss
VDDA
电平转换
LSE, RTC,
唤醒电路
IO
逻辑
电路
调压器
核心电路
(CPU,数
字电路
和存储
器)
VDDA
VREF+
VREF-
10nF
+ 1μF
ADC
模拟电路:RC振
荡器，PLL等
VSSA
图 10 供电方案
注： 每个供电对(VDD/VSS, VDDA/VSSA 等) 必须如上图所示，与滤波陶瓷电容器解耦。这些电容器必须尽可
能靠近或低于 PCB 底部的适当引脚，以确保器件的功能良好。
34
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
6.1.7
电流消耗测量
IDD
VDD
IDDA
VDDA
图 11 电流消耗测量方案
6.2
绝对最大额定值
加在器件上的载荷如果超过绝对最大额定值列表(表 14，表 15，表 16)中给出的值，可能会导致器件永
久性地损坏。这里只是给出能承受的最大载荷，并不意味在此条件下器件的功能性操作无误。器件长期工
作在最大值条件下会影响器件的可靠性。
表 14 电压特性(1)
符号
VDD – VSS
VDD – VDDA
VIN
(2)
描述
最小值
最大值
-0.3
4.0
-
0.4
在引脚 FT 和 FTf 上的输入电压
VSS -0.3
VDD +4.0(3)
在引脚 TTa 上的输入电压
VSS -0.3
4.0
0
VDD +4.0(3)
VSS -0.3
4.0
外部主供电电压(包含 VDDA 和 VDD)
允许电压不同对于 VDD > VDDA
BOOT0
在其它引脚上的输入电压
|ΔVDDx|
不同供电引脚之间的电压差
-
50
|VSSX – VSS|
不同接地引脚之间的电压差
-
50
VESD(HBM)
ESD 静电放电电压(人体模型)
单
位
V
mV
参见第 6.3.12 节
1． 所有的电源(VDD，VDDA )和地(VSS , VSSA )引脚必须始终连接到外部允许范围内的供电系统上。
2． VIN 绝对不可以超过它的极限。根据表 15 为最大允许注入电流值。
35
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
表 15 电流特性
符号
描述
最大值
(1)
ΣIVDD
经过所有 VDD 电源线的总电流(供应电流)
ΣIVSS
经过所有 VSS 地线的总电流(流出电流) (1)
IVDD(PIN)
IVSS(PIN)
IIO(PIN)
ΣIIO(PIN)
120
-120
(1)
经过每个 VDD 电源引脚的最大电流(供应电流)
100
(1)
经过每个 VSS 地线引脚的最大电流(流出电流)
-100
任意 I/O 和控制引脚上的输出灌电流
25
任意 I/O 和控制引脚上的输出电流
-25
所有 I/O 和控制引脚上的总输出灌电流(2)
80
所有 I/O 和控制引脚上的总输出电流(2)
-80
(3)
FT 和 FTf 引脚的注入电流
IINJ(PIN) (3)
∑IINJ(PIN)
mA
-5/+0
TC 和 RST 引脚的注入电流(4)
±5
(5)
±5
总注入电流(所有 I/O 和控制引脚上的和)(6)
±25
TTa 引脚的注入电流
单位
1.
所有的电源(VDD，VDDA)和地(VSS，VSSA)引脚必须始终连接到外部允许范围内的供电系统上。
2.
此电流消耗必须正确地分布在所有的 I/O 口和控制引脚上。总输出电流不能供应/流出在两个连续供电
引脚中间适用于高引脚数 QFP 封装。
3.
如果 VIN > VDDIOx 会引发正向注入，而 VIN VDDA 引起的。反向注入会干扰器件上模拟的性能。请参考表 49 下面
的注释 2。
6.
ΣIINJ(PIN)的最大值为正向注入电流与反向注入电流的即时绝对
当几个 I/O 口同时有注入电流时，
值之和(瞬时值)。
表 16 温度特性
符号
描述
数值
单位
TSTG
储存温度范围
-65~+150
°C
TJ
最大结温
150
°C
6.3 工作条件
6.3.1
通用工作条件
表 17 通用工作条件
符号
参数
条件
最小值
最大值
fHCLK
内部 AHB 时钟频率
-
0
48
fPCLK
内部 APB 时钟频率
-
0
48
单位
MHz
36
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
VDD
标准工作电压
-
2.4
3.6
VDDA
模拟工作电压
必须大于或等于 VDD
2.4
3.6
TC 和 RST 引脚
-0.3
VDDIOX+0.3
在 TTa 引脚
-0.3
VDDA+0.3(2)
在 FT 和 FTf 引脚
-0.3
5.5(2)
BOOT0
0
5.5
LQFP48
-
364
LQFP32
-
357
TSSOP20
-
263
最大功率耗散
-40
85
低功率耗散(2)
-40
105
温度标号 6
-40
105
VIN
PD
引脚输入电压
功率耗散在温度标号 6 TA =85°C(1)
TA
环境温度(温度标号 6)
TJ
结温范围
V
V
mW
°C
1.
如果 TA 降低，更高的 PD 值可以被允许只要 TJ 没有超过 TJmax。
2.
在低功耗散状态，TA 可以扩展到这个范围，只要 TJ 不超过 TJmax。（可以参见 7.2.1 热特性）
6.3.2
上电和掉电时的工作条件
下表 18 中给出的参数是在表 17 中总结的一般工作条件下测试得出。
表 18 上电和掉电时的工作条件
符号
tVDD
tVDDA
6.3.3
参数
条件
VDD 上升速率
VDD 下降速率
VDDA 上升速率
VDDA 下降速率
-
-
最小值
最大值
0
∞
20
∞
0
∞
20
∞
单位
μs/V
内嵌复位和电源控制模块特性
下表 19 中给出的参数是依据表 17 列出的环境温度下和 VDD 供电电压下测试得出。
表 19 内嵌复位和电源控制模块特性
符号
参数
VPOR/PDR(1)
上电/掉电复位阀值
VPDRhyst(1)
PDR 迟滞
复位持续时间
TRSTTEMPO
(3)
条件
最小值
典型值
最大值
单位
下降沿
1.80(2)
1.88
2.06
V
上升沿
(3)
1.90
2.10
V
-
40
-
mV
1.50
2.50
4.50
ms
1.84
1.
POR 检测器监督 VDD 和 VDDA(如果保持在选项字节中启用)。POR 检测器只监督 VDD。
2.
产品的特性由设计保证至最小的数值 VPOR/PDR。
3.
由设计保证，不在生产中测试。
37
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
内置的参照电压
6.3.4
下表 20 中给出的参数是依据表 17 列出的环境温度下和 VDD 供电电压下测试得出。
表 20 内置的参照电压
符号
VREFINT
参数
内置参照电压
条件
-40°C < TA < +85°C
最小值
典型值
ΔVREFINT
TCoeff
ADC 的采样时间
度范围内
温度系数
1.
数据基于表征结果，未在生产中测试。
2.
由设计保证，不在生产中测试。
单位
1.20
1.228
-
5.1
17.1(2)
μs
-
-
10(2)
mv
-
-
100(2)
ppm/°C
内部参考电压在所有温
VDDA = 3V±10mV
(1)
1.194
当读出内部参考电压时，
tS_vrefint
最大值
V
供电电流特性
6.3.5
电流消耗是多种参数和因素的综合指标，这些参数和因素包括工作电压、环境温度、I/O 引脚的负载、
产品的软件配置、工作频率、I/O 脚的翻转速率、程序在储存器中的位置以及执行的代码等。
电流消耗的测量方法说明，详见图 11。
本节中给出的所有运行模式下的电流消耗测量值，都是在执行一套精简的代码，能够得到 CoreMark 代
码等效的结果。
典型和最大电流消耗
微控制器处于下列条件：
所有的 I/O 引脚都处于模拟输入模式。
所有的外设都处于关闭状态，除非特别说明。
闪存储存器的访问时间调整到 fHCLK 的频率
−
0~24MHz 时为 0 个等待周期
−
超过 24MHz 时为 1 个等待周期
当开启外设时：fPCLK = fHCLK。
表 21 中给出的参数，是依据表 17 列出的环境温度下和 VDD 供电电压下测试得出。
38
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
表 21 VDD 提供的典型和最大电流消耗在 VDD=3.6V(1)
所有外设
符号
参数
条件
fHCLK
典型值
Max @ TA(1)
单
位
85°C
运行模式下的供应
电流，从 Flash 执行
代码
HSI 或 HSE 时钟，PLL 关
运行模式下的供应
IDD
HSI 或 HSE 时钟，PLL 开
电流，从 RAM 执行
代码
HSI 或 HSE 时钟，PLL 开
HSI 或 HSE 时钟，PLL 关
睡眠模式下的供应
电流，从 Flash 或
RAM 执行代码
HSI 或 HSE 时钟，PLL 开
HSI 或 HSE 时钟，PLL 关
48MHz
11.1
22.8
24MHz
12.2
13.2
8MHz
4.4
5.2
48MHz
11.4
23.2
24MHz
11.2
12.2
8MHz
4.0
4.5
48MHz
14
15.3
24MHz
7.3
7.8
8MHz
2.6
2.9
mA
1. 由综合评估得出，不在生产中测试。
表 22
VDDA 提供的典型和最大电流消耗
VDDA=3.6V
符号
条件(1)
参数
fHCLK
典型值
Max @ TA(2)
单位
85°C
运行模式下的
供应电流，从
Flash 或 RAM
执行代码
IDDA
睡眠模式下的
供应电流，从
Flash 或 RAM
执行代码
HSE 旁路, PLL 开
48MHz
175
215
8MHz
3.9
4.9
1MHz
2.8
4.1
HSI 时钟, PLL 开
48MHz
244
275
HSI 时钟, PLL 关
8MHz
85
105
HSE 旁路, PLL 开
48MHz
174
215
8MHz
3.9
4.9
1MHz
3.9
4.9
HSI 时钟, PLL 开
48MHz
244
299
HSI 时钟, PLL 关
8MHz
85
105
HSE 旁路, PLL 关
HSE 旁路, PLL 关
μA
1. 电流消耗从 VDDA 电源与电子外设的关闭与否，运行或睡眠模式，或者从 Flash 或者 RAM 执行程序都无
关。此外，当 PLL 关闭，IDDA 与频率无关。
2. 数据基于特征结果，而非生产中测试。
39
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
表 23 在停机和待机模式下典型和最大的 VDD 消耗
典型值@VDD
符号
参数
条件
最大值
(VDD=VDDA)
3.6V
TA = 85°C
19
48
4.7
32
2.6
-
单位
运行模式下稳压器，所有振荡
停止模式下的供电电流
IDD
器关
低功耗模式下稳压器，所有振
荡器关
待机模式下的供电电流
LSI 开并且 IWDG 开
μA
1. 除非特别提及，数据基于特征结果，而非生产中测试。
表 24 在停机和待机模式下典型和最大的 VDDA 消耗
典型值@VDD
参数
电电流
待机模式下的供
电电流
IDDA
停机模式下的供
电电流
待机模式下的供
电电流
最大值
(VDD=VDDA)
3.6V
TA = 85°C
2.86
3.5
LSI 开并且 IWDG 开
2.28
-
LSI 关并且 IWDG 关
2.8
3.5
1.7
-
LSI 开并且 IWDG 开
2.3
-
LSI 关并且 IWDG 关
1.4
-
VDDA 监控开
停机模式下的供
条件
稳压器处于运行或低功耗模
VDDA 监控关
符号
稳压器处于运行和低功耗模
式下，所有振荡器关
式下，所有振荡器关
单位
μA
1. 数据基于特征结果，而非生产中测试。
典型的电流消耗
MCU 处于下述条件下：
VDD=VDDA= 3.3V
所有的 I/O 引脚都处于输入模拟模式
闪存储存器的访问时间调整到 fHCLK 的频率
−
0~24MHz 时为 0 个等待周期
−
超过为 1 个等待周期
当开启外设时预取功能开启，否则关闭
当开启外设时，fPCLK=fHCLK
PLL 的频率大于 8MHz
2, 4, 8 和 16 的预定标器分别用于频率 4MHz, 2MHz, 1MHz, 500kHz
40
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
表 25 运行模式下的典型电流消耗，数据处理代码从内部 Flash 中运行
符号
IDD
IDDA
参数
条件
从 VDD 提供运行模
fHCLK
典型值
使能外设
关闭外设
48MHz
23.3
11.5
式下的供应电流
从 HSE 晶振 8MHz 运
8MHz
4.5
3.0
从 VDDA 提供运行模
行，代码从 Flash 执行
48MHz
158
158
8MHz
2.43
2.43
式下的供应电流
单位
mA
μA
I/O 系统的电流消耗
I/O 系统的电流消耗有两个部分：静态和动态。
I/O 静态电流消耗
当引脚外部保持低电平时，所有用作上拉输入的I/O都会产生电流消耗。该电流消耗值可以通过使用表43
中给出的上拉/下拉电阻值来简单计算。对于输出引脚，还必须考虑任何外部下拉或外部负载来估算电流消
耗。
如果从外部施加中间电压，则额外的I/O电流消耗是由于将I/O配置为输入引起的。此电流消耗是由于输
入施密特触发器电路用于区分输入值引起的。除非应用程序需要此特定配置，否则可通过在模拟模式下配置
这些I/O为模拟模式来避免此电源电流消耗。尤其是ADC输入引脚应配置为模拟输入的情况。
注意： 由于外部电磁噪声，任何浮动输入引脚也可能会陷入中等电压或无意中切换。为了避免与浮动引脚
相关的电流消耗，它们必须配置为模拟模式，或者内部强制为一个确定的数值。这可以通过使用上
拉/下拉电阻或通过配置引脚输出模式来完成。
I/O 动态电流消耗
除了之前测量的内部外设电流消耗之外，应用程序的 I/O 也会影响电流消耗。当 I/O 引脚切换时，它使
用从来自 I/O 供电电压的电流到电流为 I/O 引脚电路供电，并对连接到该引脚的电容性负载(内部或外部)进
行充电/放电：
ISW = VDDIOx fSW C
其中：
ISW 是开关 I/O 对电容负载充电/放电的电流，VDD 是 I/O 供电电压。
fSW 是 I/O 开关频率。
C 是 I/O 引脚的总电容：C = CINT + CEXT + CS, CS 是 PCB 板电容，包括引脚。
41
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
测试引脚配置为推挽输出模式，并通过软件以固定频率切换。
表 26 切换输出 I/O 电流消耗
符号
ISW
条件(1)
参数
I/O 切换频率(fSW)
典型值
4 MHz
0.18
VDD = 3.3V
8 MHz
0.37
CEXT = 0pF
16 MHz
0.76
C = CINT + CEXT + CS
24 MHz
1.39
48 MHz
2.188
4 MHz
0.49
8 MHz
0.94
16 MHz
2.38
24 MHz
3.99
VDD = 3.3V
4 MHz
0.81
CEXT = 47 pF
8 MHz
1.7
16 MHz
3.67
I/O 电流
VDD = 3.3V
消耗
CEXT = 22 pF
C = CINT + CEXT + CS
C = CINT + CEXT + CS
C = Cint
单位
mA
1. CS = 7pF(估值)
6.3.6
低功耗唤醒时间
表27给出的唤醒时间是事件与第一条用户指令执行之间的等待时间。器件在WFE(等待事件)指令后进入
低功耗模式，在WFI(等待中断)指令的情况下，由于Cortex M0架构中的中断延迟，必须将16个CPU周期添加
到以下时序中。
从休眠模式唤醒后，SYSCLK时钟源设置保持不变。在从停止或待机模式唤醒期间，SYSCLK采用默认
设置：HSI 8MHz。来自睡眠和停止模式的唤醒源是在配置的EXTI线路为事件模式下。从待机模式唤醒的来
源是WKUP1引脚(PA0)。所有的时序都来自在环境温度和VDD电源电压条件下进行的测试，总结在表17中。
表 27 低功耗模式唤醒时序
符号
参数
条件
典型值@VDD = VDDA
= 3.3V
最大值
tWUSTOP
从停机模式唤醒
运行模式下稳压器
2.8
5
tWUSTANDBY
从待机模式唤醒
-
51
-
tWUSLEEP
从睡眠模式唤醒
-
4 个系统时钟周期
-
6.3.7
单位
μs
外部时钟源特性
外部振荡源产生的高速外部用户时钟
42
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
在旁路模式下，HSE 振荡器关闭，输入引脚为标准 GPIO。
在 6.3.14 节中，外部信号时钟必须遵循 I/O 特性。而推荐的时钟输入波形见图 12。
表 28 高速外部用户时钟特性
符号
参数(1)
最小值
典型值
最大值
单位
fHSE_ext
用户外部时钟频率
1
8
32
MHz
VHSEH
OSC_IN 输入引脚高电平电压
0.7VDDIOx
-
VDDIOx
VHSEL
OSC_IN 输入引脚低电平电压
VSS
-
0.3VDDIOx
OSC_IN 高或低的时间
15
-
-
tw(HSEH)
tw(HSEL)
V
ns
tr(HSE)
(1)
OSC_IN 上升或下降的时间
tf(HSE)
-
-
20
1. 由设计保证，不在生产中测试。
tW(HSE)
VHSEH
90%
10%
VHSEL
tr(HSE)
tf(HSE)
图 12
t
tW(HSEL)
THSE
高速外部时钟源交流时序图
来自外部振荡源产生的低速外部用户时钟
在旁路模式下，LSE 振荡器关闭，输入引脚为标准 GPIO。在 6.3.14 节中，外部信号时钟必须遵循 I/O
特性。而推荐的时钟输入波形见图 13。
表 29 低速外部用户时钟特性
符号
参数(1)
最小值
典型值
最大值
单位
fLSE_ext
用户外部时钟频率
-
32.768
1000
kHz
VLSEH
OSC32_IN 输入引脚高电平电压
0.7VDDIOx
-
VDDIOx
VLSEL
OSC32_IN 输入引脚低电平电压
VSS
-
0.3VDDIOx
OSC32_IN 高或低的时间
450
-
-
tw(LSEH)
tw(LSEL)
tr(LSE)
tf(LSE)
V
ns
OSC32_IN 上升或下降的时间(1)
-
-
50
1. 由设计保证，不在生产中测试。
43
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
tW(LSEH)
VLSEH
90%
10%
VLSEL
tr(LSE)
tf(LSE)
TLSE
图 13
t
tW(LSEL)
低速外部时钟源交流时序图
使用一个晶体/陶瓷谐振器产生的高速外部时钟
高速外部时钟(HSE)可以由一个 4~32MHz 的晶体/陶瓷谐振器构成的振荡器产生。本节中所给出的信息
都是基于使用下表 30 中列出的典型外部元器件得到的仿真结果。在应用中，谐振器和负载电容必须尽可能
地靠近振荡器的引脚，以减小输出失真和启动时的稳定时间。关于谐振器特性(频率，封装，精度)的更多细
节请参考晶体谐振器手册。
表 30 HSE 振荡器特性
最小值(2)
典型值
最大值(2)
单位
振荡器频率
4
8
32
MHz
反馈电阻
-
200
-
kΩ
符号
参数
fOSC_IN
RF
条件(1)
在启动期间(3)
VDD=3.3V，Rm=45 kΩ
IDD
HSE 电流消耗
CL=20pF @8MHz
VDD=3.3V，Rm=30 kΩ
CL=20pF @32 MHz
-
8.5
-
0.5
-
-
1.5
-
mA
gm
振荡器的跨导
启动
10
-
-
mA/V
tSU(HSE)(4)
启动时间
VDD 稳定
-
2
-
ms
1. 谐振器的特性参数由晶体/陶瓷谐振器制造商给出。
2. 由设计保障，不在生产中测试。
3. 该消耗级别发生在启动时间 tSU(HSE)的前 2/3 期间。
4. tSU(HSE)是启动时间，测量从软件使能 HSE 开始直至得到稳定的 8MHz 振荡时钟。表格里的这个数值是在
一个标准的晶体谐振器上测量得到，它可能因晶体制造商的不同而变化较大。
对于 CL1 和 CL2，建议使用 5pF 至 20pF 范围(典型值)的高质量外部陶瓷电容，专为高频应用而设计，并
根据晶体或谐振器的要求进行选择(见图 14)。CL1 和 CL2 的尺寸通常相同。晶体制造商通常指定 CL1 和 CL2
的串联组合的负载电容。在确定 CL1 和 CL2 的大小时，必须包含 PCB 和 MCU 引脚电容(10pF 可用作引脚和
电路板组合的粗略估计值)。
44
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
CL1
集成了电容器
的谐振器
fHSE
OSC_IN
RF
8MHz
谐振器
REXT(1)
CL2
增益控制
OSC_OUT
图 14 使用 8MHz 晶体的典型应用
1.
REXT 数值由晶体的特性决定。
使用一个晶体/陶瓷谐振器产生的低速外部时钟
低速外部时钟(LSE)可以使用一个 32.768kHz 的晶体/陶瓷谐振器构成的振荡器产生。本节中所给出的信
息是基于使用表 31 中给出的典型外部元器件的参数通过综合特性评估得到的结果。在应用中，谐振器和负
载电容必须尽可能地靠近振荡器的引脚，以减小输出失真和启动时的稳定时间。关于谐振器特性(频率，封
装，精度)的更多细节请参考晶体谐振器手册。
表 31 LSE 振荡器特性(fLSE=32.768kHz)
符号
参数
条件
LSEDRV[1：0] = 00
较低驱动能力
LSEDRV[1：0] = 01
IDD
LSE 电流消耗
中低驱动能力
LSEDRV[1：0] = 10
中高驱动能力
LSEDRV[1：0] = 11
较高驱动能力
LSEDRV[1：0] = 00
较低驱动能力
LSEDRV[1：0] = 01
gm
中低驱动能力
振荡器的跨导
LSEDRV[1：0] = 10
中高驱动能力
LSEDRV[1：0] = 11
较高驱动能力
tSU(HSE)(2)
启动时间
VDD 稳定
最小值(1)
典型值
最大值(1)
-
0.5
0.9
-
-
1
单位
μA
-
-
1.3
-
-
1.6
5
-
-
8
-
μA /V
15
-
-
25
-
-
-
2
-
s
1. 由设计保障，不在生产中测试。
2. tSU(HSE)是启动时间，是从软件使能 HSE 开始测量，直至得到稳定的 32.768kHz 振荡这段时间。这个数值
是在一个标准的晶体谐振器上测量得到，它可能因晶体制造商的不同而变化较大。
45
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
CL1
集成了电容器
的谐振器
fLSE
OSC32_IN
32.768
kHz
谐振器
增益控制
OSC32_OUT
CL2
图 15 使用 32.768kHz 晶体的典型应用
注：OSC32_IN 和 OSC32_OUT 之间不需要添加外部电阻，并且禁止添加一个电阻。
6.3.8
内部时钟源特性
下表 32 中给出的特性参数是使用环境温度和供电电压符合表 17 的条件测量得到。提供的图像是表征
结果，未在生产中进行测试。
高速内部(HSI)RC 振荡器
表 32 HSI 振荡器特性(1)
符号
参数
条件
最小值
典型值
fHSI
频率
-
-
8
TRIM
HSI 用户修整步骤
-
-
-
占空比
DuCy(HSI)
-
HSI 振荡器的精度
ACCHSI
(3)
(工厂校准)
45
(2)
最大值
单位
MHz
1(2)
-
55
%
(2)
%
TA= -10~85°C
-
±5
-
%
TA= 25°C
-
±1
-
%
2
(2)
μs
-
μA
tSU(HSI)
HSI 振荡器启动时间
-
IDDA(HSI)
HSI 振荡器功耗
-
(2)
1
-
-
80
1. VDD = 3.3V，TA= -40~85°C，除非特别说明。
2. 由设计保证，不在生产中测试。
3. 与用户校准。
高速内部 14MHz (HSI14)RC 振荡器（ADC 专用）
表 33 HSI14 振荡器特性(1)
符号
参数
fHSI14
TRIM
最小值
典型值
频率
-
14
HSI14 用户修整步骤
-
-
DuCy(HSI14)
占空比
ACCHSI14
HSI14 振荡器的精度(工
条件
45
TA= -40~85°C
(2)
-
±5
最大值
单位
MHz
1(2)
55
(2)
-
%
%
%
46
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
厂校准)
tSU(HSI14)
HSI14 振荡器启动时间
1(2)
-
2(2)
μs
IDDA(HSI14)
HSI14 振荡器功耗
-
100
-
μA
1. VDD = 3.3V，TA= -40~85°C，除非特别说明。
2. 由设计保证，不在生产中测试。
低速内部(LSI)RC 振荡器
表 34 LSI 振荡器特性(1)
符号
参数
最小值
典型值
最大值
单位
fLSI
频率
40
42
44
kHz
LSI 振荡器启动时间
-
-
85
μs
LSI 振荡器功耗
-
0.75
-
μA
tSU(LSI)
(2)
IDDA(LSI)
(2)
1. VDDA = 3.3V，TA= -40~85°C，除非特别说明。
2. 由设计保证，不在生产中测试。
6.3.9
PLL 特性
表 35 列出的参数是使用环境温度和供电电压符合表 17 的条件测量得到。
表 35 PLL 特性
符号
fPLL_IN
fPLL_OUT
参数
PLL 输入时钟(1)
PLL 输入时钟占空比
PLL 倍频输出时钟
tLOCK
JitterPLL
PLL 锁相时间
周期间抖动
数值
最小值
典型值
最大值
1(2)
80
24(2)
(2)
-
16(2)
-
40
-
-
60
(2)
48
单位
MHz
%
MHz
200
(2)
μs
300
(2)
ps
1. 需要注意使用正确的倍频系数，从而根据 PLL 输入时钟频率使得 fPLL_OUT 处于允许范围内。
2. 由综合评估得出，不在生产中测试。
6.3.10
储存器特性
闪存储存器
除非特别说明，所有特性参数是在 TA= -40~85°C 得到。
47
中科芯 32 位 MCU 系列化产品- CKS32F030xx
CKS32F030xx 数据手册
表 36 闪存储存器特性
符号
参数
条件
最小值
最大值(1)
单位
tprog
16 位的编程时间
TA= -40 ~ +85°C
20
-
μs
tERASE
页(1K 字节)擦除时间
TA= -40 ~ +85°C
2
-
ms
tME
整片擦除时间
TA= -40 ~ +85°C
10
-
ms
IDD
供电电流
写模式
4
-
mA
擦除模式
4
-
mA
Vprog
编程电压
2.4
-
V
1. 由设计保证，不在生产中测试。
表 37 闪存储存器寿命和数据保存期限
符号
参数
条件
最小值
单位
NEND
寿命
TA= -40 ~ +85°C
100
千次
10
年
tRET
数据保存期限
(2)
1 千次 在 TA= 85°C 时
1. 由综合评估得出，不在生产中测试。
2. 在整个温度范围内循环。
EMC 特性
6.3.11
敏感性测试是在产品的综合评估时抽样进行测试的。
功能性 EMS(电磁敏感性)
当运行一个简单的应用程序时(通过 I/O 端口闪烁 2 个 LED)，测试样品被施加 2 种电磁干扰直到产生错
误，LED 闪烁指示了错误的产生。
静电放电(ESD)(正放电和负放电)施加到芯片所有的引脚直到产生功能性错误。这个测试遵从于
IEC 61000-4-2 标准。
FTB：一个瞬变电压的脉冲群(正向和反向)通过一个 100pF 的电容施加在 VDD 和 VSS 上，直到产生
功能性错误。这个测试符合 IEC 61000-4-4 标准。
芯片复位可以使系统恢复正常操作。测试结果列于下表 38 中。
表 38
符号
VFESD
VEFTB
EMS 特性
参数
条件
施加到任一 I/O 脚，从而导致功能错误的
VDD = 3.3V，LQFP48，TA= +25 °C，
电压极限。
fHCLK = 48MHz。符合 IEC 61000-4-2
在 VDD 和 VSS 上通过 100pF 的电容施加
VDD = 3.3V，LQFP48，TA= +25 °C，
的、导致功能错误的瞬变脉冲群电压极限
fHCLK = 48MHz。符合 IEC 61000-4-4
级别/类型
3B
4B
设计牢靠的软件以避免噪声的问题
在器件级进行 EMC 的评估和优化，是在典型的应用环境和优化的软件中进行的。应该注意的是，好的
48
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EMC 性能与用户应用和具体的软件密切相关。因此，建议用户对软件实行 EMC 优化和进行与对用户的应
用来说 EMC 相关的预测试。
软件建议
软件的流程中必须包含程序跑飞的控制，如：
被破坏的程序计数器
意外的复位
关键数据被破坏(控制寄存器等……)
认证前的试验
很多常见的失效(意外的复位和程序计数器被破坏)，可以通过人工地在 NRST 上引入一个低电平或在晶
振引脚上引入一个持续 1 秒的低电平而重现。
在进行 ESD 测试时，可以把超出应用要求的电压直接施加在芯片上，当检测到意外动作的地方，软件
部分需要加强以防止发生不可恢复的错误。
电磁干扰(EMI)
在运行一个简单的应用程序时(通过 I/O 端口闪烁 2 个 LED)，监测芯片发射的电磁场。这个发射测试符
合 IEC 61967-2 标准，这个标准规定了测试板和引脚的负载。
表 39 EMI 特性
符号
参数
条件
监测的频段
最大值(fHSE/fHCLK)
单位
8/48MHz
VDD= 3.3 V，TA=
SEMI
峰值
25°C，LQFP48 封装，
符合 IEC 61967-2
6.3.12
0.1~30MHz
-3
30~130MHz
23
130MHz~1GHz
17
SAM EMI 级别
4
dBμV
-
电气敏感性
基于三个不同的测试(ESD，LU)，使用特定的测量方法，对芯片进行强度测试以决定它的电气敏感性
方面的性能。
静电放电(ESD)
静电放电(一个正的脉冲然后间隔一秒钟后一个负的脉冲)施加到所有样品的所有引脚上，样品的大小与
芯片上供电引脚数目相关(3 片 x (n+1)供电引脚)。这个测试符合 JESD22-A114/C101 标准。
49
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表 40 ESD 绝对最大值
符号
参数
VESD(HBM)
静电放电电压(人体模型)
VESD(CDM)
条件
T=+25 °C，符合
封装
类型
最大值(1)
全部
2
2000
JESD22-A114
T=+25 °C，符合
静电放电电压(充电设备模型)
单位
V
全部
ANSI/ESD
II
500
1. 由综合评估得出，不在生产中测试。
静态栓锁
为了评估栓锁性能，需要在 6 个样品上进行 2 个互补的静态栓锁测试：
为每个电源引脚，提供超过极限的供电电压。
在每个输入、输出和可配置的 I/O 引脚上注入电流。
这个测试符合 EIA/JESD 78A 集成电路栓锁标准。
表 41 电气敏感性
6.3.13
符号
参数
条件
类型
LU
静态栓锁类
T = +105 °C，符合 JESD78A
II 类 A
I/O 电流注入特性
通常，在正常的产品操作期间，应避免由于外部电压低于VSS或高于VDDIOx(对于标准的3V I/O引脚)
而导致的I/O引脚电流注入。然而，为了在异常注入事件发生时给出微控制器的稳健性指示，在器件特
性分析期间以样品为基础进行敏感性测试。
I/O 电流注入的功能的敏感性
在器件上执行一个简单的应用程序时，在悬空输入模式下器件受到注入电流到编程的I/O引脚的压力。
当电流被注入I/O脚时，一次一个，检测器件是否发生功能故障。
超出范围参数指示故障：ADC误差超出待定限制(超过5LSB TUE)，超出传统相邻引脚上的电流注入限
制(超过–5 µA)或其他功能故障(例如，复位发生或振荡器偏差)。表42给出了表征结果。负引起的泄露电流是
由负向注入引起的，正向引起的泄露电流是由正向注入引起的。
50
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表 42 I/O 电流注入功能感性
符号
IINJ
6.3.14
功能易感性
描述
负注入
正注入
在 BOOT0 和 PF1 引脚上注入电流
-0
NA
在 PA9，PB3，PB13，PF1 引脚上注入电流, 相邻
引脚上的感应泄露电流小于 50 µA
-5
NA
在 PA11，PA12 引脚上注入电流, 相邻引脚上的感
应泄露电流小于-1mA
-5
NA
在所有 FT 和 FTf 引脚上注入电流
-5
NA
在 PB0 和 PB1 引脚上注入电流
-5
NA
在所有 TTa, TC 和 RST 引脚上注入电流
-5
+5
单位
mA
I/O 端口特性
通用输入/输出特性
除非特别说明，下表 43 列出的参数是按照表 17 的条件测量得到。所有的 I/O 端口都是兼容 CMOS-和
TTL-(除了 BOOT0)。
表 43
符号
参数
低电平输
VIL
入电压
条件
入电压
0.3VDDIOx + 0.07
FT 和 FTf 的 I/O 脚
-
-
0.475VDDIOx - 0.2(1)
BTOOT0
-
-
0.3VDDIOx - 0.3(1)
-
-
0.3VDDIOx
-
-
-
-
-
-
0.7VDDIOx
-
-
-
200(1)
-
-
100
(1)
-
-
300
(1)
-
-
-
±0.1
-
-
1
所有 I/O 口，除了
FT 和 FTf 的 I/O 脚
BTOOT0
BTOOT0
Vhys
发器电压
迟滞
位
(1)
-
所有 I/O 口，除了
施密特触
值
单
最大值
-
TC 和 TTa 的 I/O 脚
VIH
典型
最小值
TC 和 TTa 的 I/O 脚
BTOOT0
高电平输
I/O 静态特性
TC 和 TTa 的 I/O 脚
FT 和 FTf 的 I/O 脚
BTOOT0
0.445VDDIOx +
0.398
(1)
0.5VDDIOx + 0.2(1)
0.2VDDIOx + 0.95
(1)
V
mV
TC, FT 和 FTf I/O
Ilkg
输入漏电
TTa 在数字模式
流(2)
VSS≤ VIN≤ VDDIOX
TTa 在数字模式
μA
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VDDIOX≤ VIN≤
VDDA
TTa 在模拟模式
VSS ≤ VIN ≤ VDDA
FT 和 FTf I/O (3)
VDDIOX≤ VIN≤5V
-
-
±0.2
-
-
10
25
40
55
弱上拉等
RPU
VIN=VSS
效电阻(4)
kΩ
弱下拉等
RPD
CIO
效电阻(4)
VIN=VDDIOX
I/O 引 脚
的电容
25
40
55
-
5
-
pF
1. 数据仅基于设计仿真得出，不在生产中测试。
2. 如果在相邻引脚有反向电流倒灌，则漏电流可能高于最大值，详见表 42。
3. 为维持高于 VDDIOx + 0.3V 的电压，必须禁用内部上/下拉电阻。
4. 上拉和下拉电阻是设计为一个真正的电阻串联一个可开关的 PMOS/NMOS 实现。这个 PMOS/NMOS 开
关的电阻很小(约占 10%)。
所有 I/O 端口都是 CMOS 和 TTL 兼容(不需软件配置)，它们的特性考虑了多数严格的 CMOS 工艺或 TTL
参数。这些要求的覆盖范围对于标准 I/O 详见图 16，对于 5V 容忍的 I/O 见图 17。以下曲线是设计模拟结
果，未在生产中测试。
52
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3
VIN(V)
2.5
TESTED RANGE
V IHmin
2
S sta
CMO
1.5
V IHmin
1
V ILmax
0.5
=
TTL standard requirement
ents
uirem
q
e
r
ndard
8
+0.39
DD
V
5
4
= 0.4
V DD
= 0.7
UNDEFINED INPUT RANGE
+0.07
0.3V DD
S sta
CMO
V ILmax
V DD
= 0.3
TTL standard requirement
ents
uirem
q
e
r
ndard
TESTED RANGE
0
1.6
1.8
2
2.4
2.2
2.6
2.8
3
3.2
3.6
3.4
VDDIOx(V)
图 16
TC 和 TTa 的 I/O 口输入特性
3
VIN(V)
2.5
TESTED RANGE
V IHmin
V DD
= 0.7
TTL standard requirement
2
S sta
CMO
1.5
s
ment
quire
e
r
d
r
nda
UNDEFINED INPUT RANGE
+0.2
0.5V DD
=
V IHmin
0.2
V DD 5
7
4
.
0
x=
1
V ILmax
V ILma
0.5
d
S stan
CMO
V DD
= 0.3
TTL standard requirement
s
ment
quire
e
r
d
ar
TESTED RANGE
0
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
3.2
3.4
3.6
VDDIOx(V)
图 17
5V 容忍(FT 和 FTf)的 I/O 输入特性
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输出驱动电流
GPIO(通用输入/输出端口)可以吸收或输出多达+/-8mA 电流，并且吸收或输出+/-20mA 电流(不严格的
VOL/VOH )。
在用户应用中，I/O 脚的数目必须保证驱动电流不能超过 6.2 节给出的绝对最大额定值：
所有 I/O 端口从 VDDIOx 上获取的电流总和，加上 MCU 在 VDD 上获取的最大运行电流，不能超过绝
对最大额定值 ΣIVDD(参见表 15)。
所有 I/O 端口吸收并从 VSS 上流出的电流总和，加上 MCU 在 VSS 上流出的最大运行电流，不能超
过绝对最大额定值 ΣIVSS(参见表 15)。
输出电压水平
除非特别说明，表 44 列出的参数是使用环境温度和 VDD 供电电压符合表 17 的条件测量得到。所有的
I/O 端口都是兼容 CMOS-和 TTL-(FT, Tta 或 TC, 除非特别说明)的。
表 44 输出电压特性(1)
符号
参数
条件
最小值
最大值
VOL
1 个引脚输出低电平
|IIO| = 8mA
-
0.4
VOH
1 个引脚输出高电平
VDDIOx ≥2.7V
VDDIOx -0.4
-
VOL(2)
1 个引脚输出低电平
|IIO|= 20mA
-
1.3
VOH(2)
1 个引脚输出高电平
VDDIOx ≥2.7V
VDDIOx -1.3
-
VOL(2)
1 个引脚输出低电平
-
0.4
VOH(2)
1 个引脚输出高电平
VDDIOx -0.4
-
-
0.4
-
0.4
VOLFm+(2)
输出低电平，当 1 个 FTf 引脚在在 FM+
模式
|IIO|= 6mA
IIO = 20 mA
VDDIOx ≥2.7V
|IIO|=10mA
单位
V
1. 芯片吸收的电流 IIO 必须始终遵循表 15 中给出的绝对最大额定值。并且，所有的 I/O（I/O 端口和控制引
脚）源汇入的电流总和必须始终符合绝对最大额定值 ΣIIO。
2. 由综合评估得出，不在生产中测试。
输入输出交流特性
输入输出交流特性的定义和数值分别在图 18 和表 45 给出。
除非特别说明，列出的参数是使用环境温度和供电电压 VDD 符合表 17 的条件测量得到。
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表 45 输入输出交流特性(1)(2)
OSPEEDRy
[1:0]值(1)
x0
符号
参数
fmax(IO)out
最大频率(3)
tf(IO)out
输出的下降时间
CL= 50 pF,
输出低至高电平的上升
VDDIOx ≥ 2.4V
tr(IO)out
条件
时间
最大频率(3)
fmax(IO)out
最小值
最大值
单位
-
2
MHz
-
125
-
125
-
10
-
25
ns
MHz
输出高至低电平的下降
tf(IO)out
01
时间
输出低至高电平的上升
tr(IO)out
CL= 50 pF,
VDDIOx ≥ 2.4V
时间
CL=30 pF,
VDDIOx ≥ 2.7V
最大频率(3)
fmax(IO)out
CL=50 pF,
VDDIOx ≥ 2.7V
CL=50 pF,
2.4V≤VDDIOx
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