ULN2003AM/TR

ULN2003A ULN2003A 达林顿阵列功率驱动集成电路 产品说明书 ULN2003A 是高耐压、大电流达林顿陈列，由七个硅 NPN 达林顿管组 成。所有单元共用发射极，每个单元采用开集电极输出。为了提高输出效 率，减小漏电，单元内部设计了镇流二极管以及适当的基—射极电阻。 SC2003 的每一对达林顿都串联了一个 2.7K 的基极电阻，在 5V 的工作电 压下能与 TTL 和 CMOS 电路兼容，可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲 器来处理的数据。 工作电压高，工作电流大，灌电流可达 500mA，并且能够在 关态时承受 50V 的电压，输出还可以在高负载电流下并行运行，很好的提 供了需要多接口驱动电路的解决方案。应用领域包括电磁阀、继电器、直 流照明灯、小型电机以及 LED 的驱动。 一、特点： 1、七路高增益达林顿阵列； 2、输出电压高（可达 50V） ； 3、输出电流大（可达 350mA） ； 4、可与 TTL、CMOS、PMOS 直接连接； 5、为感性负载设置了续流二极管； 6、工作温度范围宽。 二、电路框图： http://www.hgsemi.com.cn 第 1 页 共 6 页 V1.0 2015 Sep ULN2003A ULN2003A 逻辑图 三、极限参数： 表 1.极限参数 存储温度： －65℃～150℃ 工作温度范围： －40℃～85℃ 结温度范围： －40℃～150℃ 输入电压： －0.3V～30V 输出电压： 55V 射极到基极的最高耐压： 6.0V 集电极持续工作电流： 500mA 基极持续工作电流： 25mA http://www.hgsemi.com.cn 第 2 页 共 6 页 V1.0 2015 Sep ULN2003A 四、电参数：表2. 电参数（除非特殊说明：V＋＝5V，Ta＝25℃） 符 号 ICEX VCE(Sat) 参数 测试条件 输出管漏电流 TA = 25°C, VCE = 50V (图 1) TA = 85°C, VCE = 50V (图 1) IC = 350mA, IB = 500μA (图 3) (Note 3) CE饱和压降 II(ON) 开态输入电流 II(OFF) 关态输入电流 (Note 4) VI(ON) 输入电压 (Note 5) 最小 值 典型 值 最大 值 20 100 IC = 200mA, IB = 350μA (图 3) IC = 100mA, IB = 250μA (图 3) VI = 3.85V (图 4) 1.30 1.6 1.1 1.3 0.9 1.1 0.93 1.35 IC = 500μA (图 5) 50 100 TA = +25°C 50 100 TA = +85°C 25 50 VCE = 2.0V, IC = 200mA (图 6 ) 2.4 VCE = 2.0V, IC = 250mA (图 6 ) 2.7 VCE = 2.0V, IC = 300mA (图 6 ) 3.0 输入电容 tPLH 导通延迟时间 0.5 VI to 0.5 VO 1.0 tPHL 关断延迟时间 0.5 VI to 0.5 VO 1.0 IR 嵌位二极管漏 电流 VR = 50V (图 7) 嵌位二极管正 向压降 15 μA V mA μA CI VF 单位 30 TA = 25°C 5 10 TA = 85°C IF = 350mA (图 8 ) 10 1.7 50 2.0 V pF μs μA V 注：1、极限值是指超出该范围，器件有可能被损坏，并非器件的正常工作条件范围。 电参数表提供了器件的工作条件范围； 2、除特别指明外，所有条件适用于达林顿阵列； 3、通常条件下，每路输出在 70°C、VCE (Sat) = 1.6V 下脉冲宽度为 20ms 的持续工作 http://www.hgsemi.com.cn 第 3 页 共 6 页 V1.0 2015 Sep ULN2003A 电流为 350mA。 五、典型性能曲线： 六、内部等效线路图（1/7路）： http://www.hgsemi.com.cn 第 4 页 共 6 页 V1.0 2015 Sep ULN2003A 七、测试线路图： http://www.hgsemi.com.cn 第 5 页 共 6 页 V1.0 2015 Sep ULN2003A 八、封装图： 产品采用DIP16或SOP16： http://www.hgsemi.com.cn 第 6 页 共 6 页 V1.0 2015 Sep