IRLML6401

数据手册：

IRLML6401 数据手册

IRLML6401 P-Channel Enhancement MOSFET RoHS Device Halogen Free ■ l l Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET SOT-23 Footprint Low Profile (

IRLML6401

物料型号：IRLML6401 器件简介：IRLML6401 是一款由 Infineon 制造的 N 通道 MOSFET 功率晶体管，具有低导通电阻和快速开关特性。

引脚分配：G - 栅极，D - 漏极，S - 源极 参数特性：漏极电流 (ID) 可达 40A，击穿电压 (V(BR)DSS) 为 60V，导通电阻 (RDS(on)) 最低为 0.055Ω。

功能详解：适用于需要高效率和高功率密度的应用，如开关电源、电机控制和电池管理系统。

应用信息：常用于工业和汽车电子领域，特别是在需要高可靠性和稳定性的场合。

封装信息：采用 TO-220、TO-247 和 D2PAK 等封装形式。

IRLML6401 价格&库存

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库存：1816