SGD5011EB

规格说明书 SGD5011 E B 无线充电发射芯片 版本 1.1 无 线充电发射芯片 目 录 1. 概述 ...............................................................................................................................3 2. 特性 ...............................................................................................................................3 3. 引脚说明 ........................................................................................................................4 4. 功能模块框图 .................................................................................................................5 5. 封装尺寸图 ....................................................................................................................6 6. 应用电路图 ....................................................................................................................7 7. 过温保护 ........................................................................................................................8 8. 欠压保护 ........................................................................................................................8 9. 过流保护 ........................................................................................................................8 10. 状态指示 ........................................................................................................................8 11. 电气参数 ........................................................................................................................9 12. 修改记录 ........................................................................................................................9 Page 2 of 9 无 线充电发射芯片 1. 概述 目前此款无线充电发射芯片，集成通讯，功率驱动，频率控制，充电状态指示，异物侦测，过温保 护，过流保护，所以外围器件精简，带上灵活参数配置，使整机可靠性更高，应用更加灵活简洁。在小 体积的产品上应用更加有优势和效率更高。应用范围广：数码产品（智能手表、手环、耳机、、、），各类 需要防水、外观讲究和充电方便的手持产品。 2. 特性 ‹ 内置的功率级采用低电阻 NMOS FET 技术确保高效率与低功耗 ‹ 内置模拟+数字解调，减少外围器件，通讯更加可靠灵活 ‹ 充电状态和故障状态的发光二级管(LED)指示 ‹ 外来物体检测(FOD)和增强性寄生金属检测 (PMOD) ‹ 自动检测负载 ‹ 自动功率控制 ‹ 可采用 3.0V—5.6V 供电，方便通用 USB 5V 或者电池供电，带来移动和选择电源方便 ‹ 灵活外围可编程和配置，方便匹配不同线圈参数的调整 ‹ 可选择扫描接收器的快慢时间，带来可以进一步降低待机功耗 ‹ 过热保护功能（OTP） ‹ 欠压保护功能(UVLO) ‹ 过流保护功能（OCP） ‹ 外围电路简单，体积小，安装方便 ‹ 高度集成，单芯片方案 Page 3 of 9 无 线充电发射芯片 3. 引脚说明 管脚序号 管脚名称 功能描述 1 LCP 设置线圈最小工作电流 2 OCP 设置线圈最大工作电流 3 TEST1 芯片工作测试用 4 TEST2 芯片工作测试用 5 OSC 振荡电阻接入脚 6 LED 1、长亮：电池充满 2、呼吸灯：正在充电 3、快闪：过 流或金属异物放入 4、不亮：没有对应的接收端放入 7 V12 8 PWMI 9 VIN 芯片电源（3.0V----5.6V） 10 NC 空脚（注意 LAYOUT 时要悬空） 11 PWMO 12 SW 13 PGND 功率地 14 AGND 模拟地 15 ST 悬空异物检测功能打开，接地异物检测功能关闭 16 CS 线圈工作电流采样 1.2V 参考电压输出 PWM 信号收入 PWM 信号输出 驱动线圈 Page 4 of 9 无 线充电发射芯片 4. 功能模块框图 Page 5 of 9 无 线充电发射芯片 5. 封装尺寸图 ESOP16 Page 6 of 9 无 线充电发射芯片 6. 应用电路图 C3 U1 LCP OCP R1 1 2 3 4 5 6 7 8 10K LED V12 2K R2 LCP CS OCP ST TEST1 AGND TEST2 PGND OSC SW LED PWMO V12 NC PWMI VIN 16 15 14 13 12 11 10 9 R9 102 SGD5011 R3 10K VIN C1 D1 1N5819 C4 L1 472 10U 2.7UH C5 10U 10K J1 VBUS DD+ ID GND 0.27R R10 LED 1 2 3 4 5 4.7U C2 VIN V12 R4 1K R5 20K LCP USB-MACRO LED D2 R6 4.7K V12 R7 10K OCP R8 8.2K 1、 C4 电容采用耐压 100V 以上的 NPO 电容或者涤纶电容，薄膜电容。 2、 L1 是发射线圈，尽量采用多股线绕制以便减小谐振内阻，根据接收端线圈尺寸去绕制对应尺寸 和形状 3、 C1 电容尽量靠近芯片，到芯片 VIN 和 AGND 的走线尽量短和粗 4、 C4 电容两个焊盘和 L1 线圈两焊盘尽量靠近，走线尽量短和粗 5、 C5 电容一焊盘跟 L1 线圈相连那端，尽量靠近 L1 焊盘，走线尽量短和粗，C5 另外一焊盘尽量 靠近 R10 接地那个焊盘，走线也尽量短和粗 6、 D1 二极管尽量靠近芯片的 SW 和 PGND，走线尽量短和粗 Page 7 of 9 无 线充电发射芯片 7. 过温保护 系统内部设置了过温保护功能（TSD）,以保证系统稳定可靠的工作。当IC 芯片温度超出160℃，IC 即 会进入TSD 保护状态，并停止电流输出，而当温度低于140 时，IC即会重新恢复至工作状态。 8. 欠压保护 系统在VIN端输入电压低于Vuvlo（2.7V）时，IC内部的功率开关管处于关断状态，直到输入电压高于 （Vuvlo＋400mV）统才会正常启动。 9. 过流保护 系统内部有最大电流保护 Iocp(3.5A)，当 SW 端口的电流超过 Iocp(3.5A)时，会强制快速关掉 SW 端口内的 NMOS 管，在 CS 端口也有过流检测功能，也可以调节过流保护值，此端口反映时间 比较慢而且设置值会小于 2A，目的是防止芯片进入过温保护。 10. 状态指示 LED 端口 状态说明 快闪 发生过流或放入异物（金属块） （异常状态） 呼吸灯 电池在正常充电 （充电座上有正常工作的对应接收设备） 常亮 电池已充满 （充电座上有正常工作的对应接收设备） 常灭 充电座上没有对应的接收设备 Page 8 of 9 无 线充电发射芯片 11. 电气参数 符号 参数 测试条件 最小值 典型值 VIN 输入电压 IQ 静态电流 省电模式 40 uA VUVLO 低压检测阈值 VIN下降 3.0 V VRSTB 低压复位阈值 VIN下降 2.7 V SW_Rdson 开关管的导通电阻 I=1A 300 mΩ SW_ IMAX SW连续电流 SW_ IOCP SW过流保护值 3.5 SW_ ILEAK SW漏电流 0.5 Fosc 内部时钟频率 8.5 MHZ V12 内部参考基准 1.2 V LED LED输出端电流 5 mA PWM PWM输出频率 680 KHZ PWMOh 输出高电平电流 VOH=0.9*VIN 48 MA PWMOl 输出低电平电流 VOL=0.1*VIN 30 MA 3.0 最大值 单位 5.6 V 2.0 OSC 端口电阻 8.2K A A 2 uA 过热保护 TOTP 过热保护阈值 160 ℃ Thsy 迟滞温度 20 ℃ 12. 修改记录 版本 更新日期 更新内容 修改人 V1.0 2016-10-26 原始版本 WBC V1.1 2016-12-8 增加功能模块框图 WBC Page 9 of 9