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LM7805S/TR

LM7805S/TR

  • 厂商:

    HGSEMI(华冠)

  • 封装:

    TO263-3

  • 描述:

    线性稳压器/LDO VO:4.8V~5.2V PD:15W VIN:35V 62dB

  • 数据手册
  • 价格&库存
LM7805S/TR 数据手册
LM78xx 三端固定正稳压电路 产品说明 LM78xx 系列是用于各种电视机、收录机、电子仪器、设备的稳 压电源电路。品种有 LM7805 /06 /08 /09 /10 /12 /15 /18 /24 。 采用三引线带散热片塑料 TO-220 和 TO-263 封装形式。 TO220-3 主要特点:  输出电流大,IOMAX=1.2A。  无需外接元件。  内设过热、短路保护电路。 TO263-3 TO263-2 产品订购信息 产品名称 打印名称 包装 包装数量 LM7805T LM7805 管装 1000 只/盒 LM7806T LM7806 管装 1000 只/盒 LM7808T LM7808 管装 1000 只/盒 LM7809T LM7809 管装 1000 只/盒 LM7810 管装 1000 只/盒 LM7812T LM7812 管装 1000 只/盒 LM7815T LM7815 管装 1000 只/盒 LM7818T LM7818 管装 1000 只/盒 LM7824T LM7824 管装 1000 只/盒 LM7805S/TR LM7805 编带 500 只/盘 LM7806S/TR LM7806 编带 500 只/盘 LM7808S/TR LM7808 编带 500 只/盘 LM7809S/TR LM7809 编带 500 只/盘 LM7810 编带 500 只/盘 LM7812S/TR LM7812 编带 500 只/盘 LM7815S/TR LM7815 编带 500 只/盘 LM7818S/TR LM7818 编带 500 只/盘 LM7824S/TR LM7824 编带 500 只/盘 LM7810T LM7810S/TR http://www.hgsemi.com.cn 封装 TO-220-3 TO-263-3 1 / 11 2018 JAN LM78xx LM7805S2/TR LM7805 编带 500 只/盘 LM7806S2/TR LM7806 编带 500 只/盘 LM7808S2/TR LM7808 编带 500 只/盘 LM7809S2/TR LM7809 编带 500 只/盘 LM7810 编带 500 只/盘 LM7812S2/TR LM7812 编带 500 只/盘 LM7815S2/TR LM7815 编带 500 只/盘 LM7818S2/TR LM7818 编带 500 只/盘 LM7824S2/TR LM7824 编带 500 只/盘 TO-263-2 LM7810S2/TR 功能框图 1 误差放大 路 基准电 启动电 路 保护电路 电源 2 地 R23 R24 输出 3 管脚描述 GND GND 3 2 1 GND OUT GND VCC TO-220-3 3 OUT 2 GND 2 1 VCC 1 OUT 3 TO-263-3 VCC TO-263-2 引出端功能符号 引出端序号 符 号 功 能 1 Vcc 电源 2 GND 地 3 OUT 输出 http://www.hgsemi.com.cn 2 / 11 2018 JAN LM78xx 极限值(绝对最大额定值,若无其它规定,Tamb=25℃) 参 数 名 称 符号 输入电压 VIN 功耗(*) PD 工作环境温度 Tamb 贮存温度 引脚温度(焊接 10s) 数值 单位 最小 最大 - 35 V 15 W 0 125 ℃ Tstg -55 150 ℃ TLEAD - 245 ℃ 注:1、极限参数是指无论在任何条件下都不能超过的极限值。万一超过此极限值,将有可能造成产品劣化等物理性损伤;同 时在接近极限参数下,不能保证芯片可以正常工作。 2、(*):温度超过 150℃时,输出自动保护。 电特性(无特殊说明:Ci=0.33µF,Co=0.1µF,Tj=25℃) 7805 参数名称 符号 测试条件 输出电压 Vo VI=10V,Io=0.5A,PD≤15W 电压调整率 REGv 负载调整率 REGL 输入电压 VI 纹波抑制比 Srip 最大输出电流 IOM 输出电压温度系数 ∆V/T 输出噪声电压 规 范 值 最 小 典 型 最 大 4.80 单位 5.0 5.20 V VI=7.5~25V 3 100 mV Io=5mA~1.2A 15 100 mV 35 V 7.5 VI=8~18V,Io=100mA,f=120Hz 62 dB 1.2 A Io=5mA,Tj=0~125℃ -0.3 mV/℃ VNO f=10Hz~100kHz 40 μV 参数名称 符号 测试条件 输出电压 Vo VI=12V,Io=0.5A,PD≤15W 电压调整率 REGv 负载调整率 REGL 输入电压 VI 纹波抑制比 Srip 最大输出电流 IOM 输出电压温度系数 ∆V/T 输出噪声电压 VNO 7806 http://www.hgsemi.com.cn 规 范 值 最 小 典 型 最 大 5.75 单位 6.0 6.25 V VI= 8.5~26V 5 120 mV Io=5mA~1.2A 9 130 mV 35 V 8.5 VI=12~22V,Io=100mA,f=120Hz 59 dB 1.2 A Io=5mA,Tj=0~125℃ -0.8 mV/℃ f=10Hz~100kHz 45 μV 3 / 11 2018 JAN LM78xx 7808 参数名称 符号 测试条件 输出电压 Vo VI=14V,Io=0.5A,PD≤15W 电压调整率 REGv 负载调整率 REGL 输入电压 VI 纹波抑制比 Srip 最大输出电流 IOM 输出电压温度系数 ∆V/T 输出噪声电压 规 范 值 最 小 典 型 最 大 7.7 单位 8.0 8.3 V VI=11~22V 5 160 mV Io=5mA~1.2A 10 160 mV 35 V 11 VI=12~25V,Io=100mA,f=120Hz 56 dB 1.2 A Io=5mA,Tj=0~125℃ 0.8 mV/℃ VNO f=10Hz~100kHz 52 μV 参数名称 符号 测试条件 规 范 值 最 小 典 型 最 大 单位 输出电压 Vo VI=15V,Io=0.5A ,PD≤15W 电压调整率 REGv 负载调整率 REGL 输入电压 VI 纹波抑制比 Srip 最大输出电流 IOM 输出电压温度系数 ∆V/T 输出噪声电压 7809 8.65 9.0 9.35 V VI=12~30V 6 180 mV Io=5mA~1.2A 12 180 mV 35 V 11.5 VI=12~25V,Io=100mA,f=120Hz 56 dB 1.2 A Io=5mA,Tj=0~125℃ -1 mV/℃ VNO f=10Hz~100kHz 58 μV 参数名称 符号 测试条件 输出电压 Vo VI=15V,Io=0.5A ,PD≤15W 电压调整率 REGv 负载调整率 REGL 输入电压 VI 纹波抑制比 Srip 最大输出电流 IOM 输出电压温度系数 ∆V/T 输出噪声电压 VNO 7810 http://www.hgsemi.com.cn 规 范 值 最 小 典 型 最 大 9.6 单位 10.0 10.4 V VI=13~30V 11 200 mV Io=5mA~1.2A 12 200 mV 35 V 12.5 VI=15~25V,Io=100mA,f=120Hz 56 dB 1.2 A Io=5mA,Tj=0~125℃ -1 mV/℃ f=10Hz~100kHz 64 µV 4 / 11 2018 JAN LM78xx 7812 参数名称 符号 测试条件 输出电压 Vo VI=19V,Io=0.5A,PD≤15W 电压调整率 REGv 负载调整率 REGL 输入电压 VI 纹波抑制比 Srip 最大输出电流 IOM 输出电压温度系数 ∆V/T 输出噪声电压 规 范 值 最 小 典 型 最 大 11.5 单位 12 12.5 V VI=16~22V 3 120 mV Io=5mA~1.2A 12 240 mV 35 V 14.5 VI=15~25V,Io=100mA,f=120Hz 55 dB 1.2 A Io=5mA,Tj=0~125℃ -0.8 mV/℃ VNO f=10Hz~100kHz 75 µV 参数名称 符号 测试条件 输出电压 Vo VI=23V,Io=0.5A ,PD≤15W 电压调整率 REGv 负载调整率 REGL 输入电压 VI 纹波抑制比 Srip 最大输出电流 IOM 输出电压温度系数 ∆V/T 输出噪声电压 7815 规 范 值 最 小 典 型 最 大 14.4 单位 15.0 15.6 V VI=18~30V 11 300 mV Io=5mA~1.2A 12 300 mV 35 V 17.7 VI=18~25V,Io=100mA,f=120Hz 54 dB 1.2 A Io=5mA,Tj=0~125℃ -1 mV/℃ VNO f=10Hz~100kHz 90 µV 参数名称 符号 测试条件 输出电压 Vo VI=23V,Io=0.5A ,PD≤15W 电压调整率 REGv 负载调整率 REGL 输入电压 VI 纹波抑制比 Srip 最大输出电流 IOM 输出电压温度系数 ∆V/T 输出噪声电压 VNO 7818 http://www.hgsemi.com.cn 规 范 值 最 小 典 型 最 大 17.3 单位 18.0 18.7 V VI=18~30V 15 360 mV Io=5mA~1.2A 15 360 mV 35 V 21 VI=21~25V,Io=100mA,f=120Hz 53 dB 1.2 A Io=5mA,Tj=0~125℃ -1 mV/℃ f=10Hz~100kHz 110 µV 5 / 11 2018 JAN LM78xx 7824 参数名称 符号 测试条件 输出电压 Vo VI=27V,Io=0.5A,PD≤15W 电压调整率 REGv 负载调整率 REGL 输入电压 VI 纹波抑制比 Srip 最大输出电流 IOM 输出电压温度系数 ∆V/T 输出噪声电压 VNO 规 范 值 最 小 典 型 最 大 23 单位 24 25 V VI=27~35V 3 120 mV Io=5mA~1.2A 12 240 mV 35 V 27 VI=27~35V,Io=100mA,f=120Hz 50 dB 1.2 A Io=5mA,Tj=0~125℃ -0.8 mV/℃ f=10Hz~100kHz 160 µV 测试原理图 应用图 标准应用电路 http://www.hgsemi.com.cn 6 / 11 2018 JAN LM78xx 电压扩展输出一般情况下,Iz≥5mA 电流扩展电路(有电流短路保护) http://www.hgsemi.com.cn 7 / 11 2018 JAN LM78xx 封装外型尺寸 TO-263-3 a Dimensions In Millimeters(TO-263-3) A A1 B C D D1 E F G a Min: 4.45 1.22 10 1.89 13.7 8.38 0 8.332 7.70 0.71 Max: 4.62 1.32 10.4 2.19 14.6 8.89 0.305 8.552 8.10 0.97 Symbol: b 2.54BSC TO-220-3 Dimensions In Millimeters(TO-220-3) A A1 B D D1 D2 F G a d b q Min: 4.45 1.22 10 28.2 22.22 8.50 8.30 12.55 0.71 0.33 2.54 3.80 Max: 4.62 1.32 10.4 28.9 22.62 9.10 8.55 12.75 0.97 0.42 BSC TYP Symbol: http://www.hgsemi.com.cn 8 / 11 2018 JAN LM78xx 封装外型尺寸 TO-263-2 a Dimensions In Millimeters(TO-263-2) A A1 B C D D1 E F G a e Min: 4.45 1.22 10 1.89 13.7 8.38 0 8.30 7.70 0.71 1.10 Max: 4.62 1.32 10.4 2.19 14.6 8.89 0.305 8.55 8.10 0.97 1.70 Symbol: http://www.hgsemi.com.cn 9 / 11 b 2.54BSC 2018 JAN LM78xx 修订历史 日期 修改内容 页码 2018-1-26 新修订 1-11 2023-9-13 修改参数表最大输出电流数值、修改管脚描述图、更新引脚焊接温度、增加极限参数注释 http://www.hgsemi.com.cn 10 / 11 3-6、2、3 2018 JAN LM78xx 重要声明: 华冠半导体保留未经通知更改所提供的产品和服务。客户在订货前应获取最新的相关信息,并核实这些信息是否最新且完整的。华冠半导体对 篡改过的文件不承担任何责任或义务。 客户在使用华冠半导体产品进行系统设计和整机制造时有责任遵守安全标准并采取安全措施。您将自行承担以下全部责任: 针对您的应用选择 合适的华冠半导体产品; 设计、验证并测试您的应用;确保您的应用满足相应标准以及任何其他安全、安保或其他要求。以避免潜在风险可能导致 人身伤害或财产损失情况的发生。 华冠半导体产品未获得生命支持、军事、航空航天等领域应用之许可,华冠半导体将不承担产品在这些领域应用造成的后果。因使用方超出该 产品适用领域使用所产生的一切问题和责任、损失由使用方自行承担,与华冠半导体无关,使用方不得以本协议条款向华冠半导体主张任何赔偿责 任。 华冠半导体所生产半导体产品的性能提供技术和可靠性数据(包括数据表)、设计资源(包括参考设计)、应用或其他设计建议、网络工具、 安全信息和其他资源,不保证没有瑕疵且不做出任何明示或暗示的担保,测试和其他质量控制技术的使用只限于华冠半导体的质量保证范围内。每 个器件并非所有参数均需要检测。 华冠半导体的文档资料,授权您仅可将这些资源用于研发本资料所述的产品的应用。您无权使用任何其他华冠半导体知识产权或任何第三方知 识产权。严禁对这些资源进行其他复制或展示,您应全额赔偿因在这些资源的使用中对华冠半导体及其代理造成的任何索赔、损害、成本、损失和 债务,华冠半导体对此概不负责。 http://www.hgsemi.com.cn 11 / 11 2018 JAN
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