RM9033GD

RM9033GD 单段高压恒功率 LED 线性驱动芯片 产品概述： 应用领域： RM9033GD是一款高精度单通道高压线 性LED恒流驱动控制芯片,ESOP8封装内置一 颗驱动MOS,电流范围（5mA-300mA） 。 RM9033GD可以通过外部电阻精确设定 LED电流，且输出电流恒定在设定值。芯片 具有线电压补偿功能,当输入电压过高时, 自动降低LED灯串电流,保证输入功率基本 不变。 RM9033GD芯片具有高精度的过温调节 功能，当输入电压过高，或者LED电流过大 时，通过减小输出电流可以保护芯片。    LED 日光灯管 T5,T8,T10… LED 球泡灯,筒灯… LED 吸顶灯,投光灯 典型特点：          芯片外围电路简单,无需磁性元件 多芯片并联应用 具有恒功率功能 LED 电流可外部设定 芯片应用线路无 EMI 问题 内置 650V 高压 MOS 芯片具有过温调节能力 （过温点 145 度） 采用 ESOP8 封装 管脚定义： 管脚说明： 管脚名称 管脚描述 DRAIN 高压恒流源引脚，外接 LED 灯串 GND 芯片地 CS 芯片电流采样端，外接采样电阻到地 VIN 芯片供电端 ICS 线电压补偿斜率调节端 NC 空脚 陕西亚成微电子股份有限公司 RM9033GD_Rev.2019.10 - 1- http://www.reactor-micro.com RM9033GD 单段高压恒功率 LED 线性驱动芯片 典型应用： 低 PF 典型应用示意图 R1 恒功率补偿电阻，R2 为电解放电电阻，C1 恒功率补偿电容。 高 PF 典型应用示意图 R1 恒功率补偿电阻， R2 为 RM9033GD 供电电阻，C1 恒功率补偿电容。 如果 PF 没有要求大于 0.9，Vin 可以和 Drain 连接。 陕西亚成微电子股份有限公司 RM9033GD_Rev.2019.10 - 2- http://www.reactor-micro.com RM9033GD 单段高压恒功率 LED 线性驱动芯片 极限参数： 符号 参数 参数范围 S1 电流采样输入电压 -0.3V to 7V TJ 工作结温范围 -40℃ to 150℃ Tc 工作温度 -40℃ to 100℃ TSTG 储存温度范围 -55℃ to 150℃ 注：极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内，器件功能正常， 但并不完全保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条 件下的直流和交流电参数规范。对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精度，但其典型值合理反 映了器件性能。 电气参数：(无特别说明情况下， TA =25 ℃) 符号 名称 条件 最小值 典型值 最大值 单位 VDRAIN 工作电压 S1=30mA 6 - - V VIN 输入电压 500 V VDRAIN VIN 端口耐压 环境温度 25℃ 650 - - V IDRAIN MOS 工作电流 环境温度 25℃ 5 150 300 mA Vref CS 基准电压 环境温度 25℃ - 0.3 - V VICS、VCS 工作电压 环境温度 25℃ -0.3 - 5 V PMAX 功率损耗（注 1） - - 1.5 W Rth 热阻 - 65 - ℃/W Idd 静态工作电流 - 150 - uA OTP 过温调节点 - 145 - ℃ -0.3 Vd=30V 备注： 1、最大限制是指在超出工作范围，芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在改范围内芯片 工作正常，并不完全保证满足个别性能指标。电气参数定义器件在工作范围内保证特 定的性能指标在测试条件下的直流电参数。 2、(注 1)功率损耗是指芯片上的平均工作电压和平均电流的乘积。超功率使用芯片有可 能损坏。 陕西亚成微电子股份有限公司 RM9033GD_Rev.2019.10 - 3- http://www.reactor-micro.com RM9033GD 单段高压恒功率 LED 线性驱动芯片 电流推荐工作范围： 符号 名称 输入电压 参数 单位 IDRAIN MOS 工作电流 @120V ≤200 mA IDRAIN MOS 工作电流 @230V ≤150 mA 订购信息： 订购型号 封装形式 RM9033GD ESOP-8 陕西亚成微电子股份有限公司 包装方式 编带 4000 只/盘 RM9033GD_Rev.2019.10 - 4- 卷盘尺寸 13 寸 http://www.reactor-micro.com