CBMuD1201LAS8

CBMuD1200 CBMuD1201 高共模瞬态干扰，高速，低功耗，2 通道数字隔离器 产品详参 产品应用 器件选型信息  工业控制信号传输 产品型号 功能定义 默认输出  电网继电保护装置 CBMuD1201L 双向 默认输出为低  隔离电源控制 CBMuD1201H 双向 默认输出为高  替代光耦 CBMuD1200L 单向 默认输出为低  工业马达控制 CBMuD1200H 单向 默认输出为高  太阳能逆变器 功能特点  2.5V-5.5V 供电  传输延迟低至 10nS  隔离电压为 3000V RMS  脉宽失真低至 5nS  共模瞬态抑制 CMIT 高至 150KV/uS  静态功耗低至 300uA  2.1V 欠压保护  动态功耗为 6mA/通道  最大信号传输为 50Mbps  工作温度支持-40°至+125° 产品描述  引脚简述 & 功能框图 CBMuD120X 系列为高速 2 通道数字隔离 器。集成高性能的电容隔离技术。  最大信号传输速率可达 50MHz, 脉宽失真 小。  该器件可以承受高的隔离电压，并且满足常 规的测试规范（UL 标准） 。  对外部电磁场环境无要求  管角兼容 ADUM120X 1 www.corebai.com CBMuD1200 CBMuD1201 高共模瞬态干扰，高速，低功耗，2 通道数字隔离器 产品详参 电气参数 绝对电气参数 Symbol Parameters Min Max Units VCC 供电电压 -0.3 6 V VIO I/O 供电电压 GND-0.3 VCC+0.5 IO I/O 端口最大输出电流 -50 +50 mA TJ 结温 150 ℃ TS 储存温度 -50 150 ℃ TJ Junction temperature - 150 ℃ 静电保护参数 Symbol Parameters Units VESD-HBM Human Body Model, per ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 ±3000 V VESD-CDM Charged Device Model, per JEDEC specification JESD22-C101 ±500 V 推荐工作参数及电气参数 At TA = -40℃ to 85℃, Vs = 2.5V to 5.5V (unless otherwise specified) Symbol Parameter VDD Supply Voltage VIH 逻辑输入高电平 VIL 逻辑低电平输入 Test Condition Operating Min Typ Max 2.5 - 5.5 Units 0.7xVDD V 0.3xVDD 额定电解质隔离电压 持续 1 分钟 最小外部爬电距离 PCB 板层最小间隙 V 3000 V RMS 测量输入端至输出端，沿壳体最短距离 3.9 毫米 PCB 各层电源域最短距离 3.9 毫米 2 www.corebai.com CBMuD1200 CBMuD1201 高共模瞬态干扰，高速，低功耗，2 通道数字隔离器 产品详参 2.5V 供电下性能参数（At TA = -40℃ to 85℃, VDD1=VDD2 = 2.5V） Symbol Parameter Test Condition Min Typ Max 50 Units DR 数据速率 MHz tPHL 高到低传播延迟 50%输入至 50%输出 10 13 ns tPLH 低到高传播延迟 50%输入至 50%输出 10 13 ns PW 最小脉冲宽度 10 ns tM 通道匹配 3 ns PWD 脉冲失真 6 ns tr 输出上升时间 输出端上升时间，10%~90% 10pF 负载 1.5 2 3 ns tf 输出下降时间 输出端下升时间，90%~10% 10pF 负载 1.5 2 3 ns IDDI(Q) 电源静态电流 输入悬空 IDDI(D) 动态电源电流 输入信号为 1MHz 50%占空比方波 4.5 5.4 6.4 mA/通道 IDDI(D) 动态电源电流 输入信号为 10MHz，50%占空比方波 6.6 8 9.2 mA/通道 IDDI(D) 动态电源电流 输入信号为 30MHz，50%占空比方波 10.3 12.7 15.2 mA/通道 Typ Max Units 280 uA/通道 3.3V 供电下性能参数（At TA = -40℃ to 85℃, VDD1=VDD2 = 3.3V） Symbol Parameter Test Condition Min DR 数据速率 50 MHz tPHL 高到低传播延迟 50%输入至 50%输出 7 12 ns tPLH 低到高传播延迟 50%输入至 50%输出 7 12 ns PW 最小脉冲宽度 10 ns tM 通道匹配 3 ns PWD 脉冲失真 6 ns tr 输出上升时间 输出端上升时间，10%~90% 10pF 负载 1.5 2 3 ns tf 输出下降时间 输出端下升时间，90%~10% 10pF 负载 1.5 2 3 ns IDDI(Q) 电源静态电流 输入悬空 IDDI(D) 动态电源电流 输入信号为 1MHz 50%占空比方波 4.9 5.9 7 mA/通道 IDDI(D) 动态电源电流 输入信号为 10MHz，50%占空比方波 7.5 9.3 11 mA/通道 IDDI(D) 动态电源电流 输入信号为 30MHz，50%占空比方波 13.5 16.2 19 mA/通道 290 uA/通道 3 www.corebai.com CBMuD1200 CBMuD1201 高共模瞬态干扰，高速，低功耗，2 通道数字隔离器 产品详参 5V 供电下性能参数（At TA = -40℃ to 85℃, VDD1=VDD2 = 5V） Symbol Parameter Test Condition Min Typ Max 50 Units DR 数据速率 MHz tPHL 高到低传播延迟 50%输入至 50%输出 5 8 ns tPLH 低到高传播延迟 50%输入至 50%输出 5 8 ns PW 最小脉冲宽度 10 ns tM 通道匹配 3 ns PWD 脉冲失真 6 ns tr 输出上升时间 输出端上升时间，10%~90% 10pF 负载 1.5 2 3 ns tf 输出下降时间 输出端下升时间，90%~10% 10pF 负载 1.5 2 3 ns IDDI(Q) 电源静态电流 输入悬空 IDDI(D) 动态电源电流 输入信号为 1MHz 50%占空比方波 5.6 6.8 8.1 mA/通道 IDDI(D) 动态电源电流 输入信号为 10MHz，50%占空比方波 10.1 12.1 14.5 mA/通道 IDDI(D) 动态电源电流 输入信号为 30MHz，50%占空比方波 18.1 22 26 mA/通道 300 uA/通道 芯片真值表 CBMuD1200H, CBMuD1201H 真值表 VIA 输入 VIB 输入 VDD1 状态 VDD2 状态 VOA 输出 VOB 输出 H H 上电 上电 H H L L 上电 上电 L L H L 上电 上电 H L L H 上电 上电 L H X X 未上电 上电 H H X X 上电 未上电 X X VIA 输入 VIB 输入 VDD1 状态 VDD2 状态 VOA 输出 VOB 输出 H H 上电 上电 H H L L 上电 上电 L L H L 上电 上电 H L L H 上电 上电 L H X X 未上电 上电 L L X X 上电 未上电 X X CBMUD1200L 真值表 4 www.corebai.com CBMuD1200 CBMuD1201 高共模瞬态干扰，高速，低功耗，2 通道数字隔离器 产品详参 产品封装 (SOP-8) Symbol Dimensions In Millimeters Dimensions Inches Min Max Min Max A 1.350 1.750 0.053 0.069 A1 0.100 0.250 0.004 0.010 A2 1.350 1.550 0.053 0.061 b 0.330 0.510 0.013 0.020 c 0.170 0.250 0.007 0.010 D 4.800 5.000 0.189 0.197 E 5.800 6.200 0.228 0.244 E1 3.800 4.000 0.150 0.157 e 1.270 BSC 0.050 BSC L 0.400 1.270 0.016 0.050 θ 0° 8° 0° 8° 5 www.corebai.com CBMuD1200 CBMuD1201 高共模瞬态干扰，高速，低功耗，2 通道数字隔离器 产品详参 订购指南 & 封装信息 PRODUCT CBMuD120x ORDERING PAKEAGE TRANSPOT MARKING MEDIA,QUANTILY SOIC-8(SOP8) 1200L Reel,4000 -40℃~125℃ SOIC-8(SOP8) 1200H Reel,4000 CBMuD1201LAS8 -40℃~125℃ SOIC-8(SOP8) 1201L Reel,4000 CBMuD1201HAS8 -40℃~125℃ SOIC-8(SOP8) 1201H Reel,4000 TEMPRANGE PACKAGE CBMuD1200LAS8 -40℃~125℃ CBMuD1200HAS8 NUMBER 6 www.corebai.com