CBM128S085/CBM108S085
产品详参
产品特性
产品应用
8 通道,TSSOP 封装,保证单调性
便携式电池供电仪器
低功耗工作: 540uA @ 3V, 600uA @ 5V
数字增益和偏移调整
轨到轨电压输出
可编程电压源和电流源
菊花链工作模式
可编程衰减器
多通道同时输出更新
模数转换器参考电压源
单通道选择性休眠
传感器参考电压源
2.7V ~ 5.5V 供电范围
范围检测器
两路 0.5V ~ VA 参考电压
-40℃ ~ +125℃ 工作温度范围
上电和断电两种复位方式,复位至 0V
产品描述
CBM128S085/CBM108S085为一款高精度高集成度的数模转换器芯片,单芯片集成了8通道12/10
位带输出缓冲驱动的电压输出数模转换器。芯片采用较小的16管脚TSSOP封装;正常工作电源电压范围为
2.7V~5.5V;输出缓冲驱动能够保证输出电压为轨到轨,进而确保最大的电压输出范围;功耗很低,在不
带负载的情况下,整体消耗的电流仅为540uA@3V,600uA@5V;采用三线串行接口,最大时钟可达
40MHz,允许很灵活的配置,兼容目前常见的SPI™, QSPI, MICROWIRE和 DSP等接口标准;支持菊花
链工作模式,采用单个接口可以同时控制多个芯片,保证多个芯片在同一时刻进行状态更新。
CBM128S085/CBM108S085有两个外部参考电压输入,其中一个提供给通道A至D使用,另外一个
提供给通道E至H使用。每个参考电压均可以进行单独配置,允许输入范围为0.5V~VA,进而确保芯片提
供尽可能宽的动态输出范围。串行接口控制的数字输入端16个移位寄存器能方便控制芯片的工作模式,包
括休眠输出状态和输出更新状态等;所有通道都可以单独进行状态更新或者统一进行状态更新。
CBM128S085/CBM108S085 的最大特点就是同时支持上电复位和断电复位两种复位方式;上电复
位电路保证在电源电压上升至有效电压时,数模转换器的输出为 0V,并一直保持该状态直到接收到新的
状态更新命令;当芯片电源电压下降至低于 2.7V 时,断电复位电路对芯片进行复位,使得数模转换器输
出为 0V,避免数模转换器非 0V 输出电压对系统电路造成影响。芯片多通道可以灵活配置,允许各通道单
独工作,并支持三种不同的输出阻抗休眠模式;当所有的数模转换器进入休眠模式,芯片处于 uW 级功耗。
芯片的低功耗特性使其非常适合应用于便携式设备中。
1
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CBM128S085/CBM108S085
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功能框图
图 1 功能结构框图
2
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绝对最大额定值
表 1
=25℃,特殊说明除外。
参数
符号
数值
电源电压相对地
VAabs
-0.3V to+7V
数字输入电压相对地
VDigabs
-0.3V to +0.3V
参考输入电压相对地
Vrefabs
-0.3V to +0.3V
A ~ H 相对地
Voutabs
-0.3V to +0.3V
存储温度范围
TS
-65℃ to +150℃
结温
TJmax
150℃
1
温度范围
ESD 特性
Human Body Model
5000V
Machine Model
300V
Charge Device Model
1000V
1. 超出最大绝对额定值的操作可对芯片造成不可恢复的损害,而长期暴露在最大绝对额定值下会影响芯
片的可靠性。
正常工作范围
表2
参数
符号
电源电压
范围
单位
最小值
最大值
VA
2.7
5.5
V
IA
300
700
uA
环境温度
Ta
-40
125
℃
参考电压
VREF1,2
0.5
VA
V
输出负载
CLoad
0
1500
pF
SCLK 时钟频率
FSCLK
\
40
MHz
工作电流
1
1. DAC 输出空载情况下
3
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静态特性
表 3
VA=2.7V to 5.5V; VREF1,2=VA; CL=200pF 到地; Ta=25℃ ; 特殊说明除外。
参数
静态特性
符号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
1,2
CBM128S085
分辨率
ResN
12
Bits
积分非线性
INL
±2
LSB
差分非线性
DNL
±0.2
LSB
保证单调性
CBM108S085
分辨率
ResN
10
Bits
积分非线性
INL
±0.5
LSB
差分非线性
DNL
保证单调性
±0.05
LSB
零码误差
ZE
IOUT = 0
+5
满幅误差
FSE
IOUT = 0
-0.1
% FSR(max)
增益误差
GE
-0.2
% FSR(max)
零码误差温漂
ZCED
-20
uV/℃
增益误差温漂
TC GE
-1.0
ppm/℃
+15
mv(max)
参考电压输入特性
F1,2 输入范围
0.5
F1,2 输入阻抗
VA
V
45
KΩ
最小输出电压
0
V
最大输出电压
VREF1,2
V
0.5
Ω
VA = 3V, IOUT = 200uA
10
mv
VA = 3V, IOUT = 1mA
45
mv
VA = 5V, IOUT = 200uA
8
mv
VA = 5V, IOUT = 1mA
34
mv
VA = 3V, IOUT = 200uA
2.984
V
VA = 3V, IOUT = 1mA
2.933
V
VA = 5V, IOUT = 200uA
4.987
V
输出特性
直流输出阻抗
零码输出
满幅输出
ZOUT
ZCO
FSO
4
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产品详参
VA = 5V, IOUT = 1mA
4.955
V
-20
mA
-20
mA
20
mA
20
mA
RL = ∞
1500
pF
RL = 2kΩ
1500
pF
VA = 3V, VOUT = 0V,
输出短路电流(Source)
IOS
Input Code = FFFh
VA = 5V, VOUT = 0V, Input
Code = FFFh
VA = 3V, VOUT = 3V, Input
输出短路电流(Sink)
IOS
Code = 000h
VA = 5V, VOUT = 5V, Input
Code = 000h
最大负载电容
CL
逻辑输入特性 3
输入低电平
输入高电平
VA=3V
0.6
V
VA=5V
0.8
V
VA=3V
2.1
V
VA=5V
2.4
V
输入电容
3
pF
功耗特性
电源电压
VA
2.7
5.5
V
FSCLK=0,输出空载
VA = 2.7V ~ 3.6V,输入码
uA
600
uA
73
uA
110
uA
10
uA
为 0x800
电源静态电流
FSCLK=0,输出空载
IST
VA =4.5V ~ 5.5V, 输入码
为 0x800
VA = 2.7V ~ 3.6V, 输入码
参考电压电流
540
为 0x800
VA =4.5V ~ 5.5V, 输入码
为 0x800
FSCLK=0,Sync=VA,
休眠电流 4
DIN=0V,DAC 处于休眠模
式
5
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CBM128S085/CBM108S085
产品详参
1.
静态特性测试时,DAC 输出无负载
2.
线性特性测试时,输入码范围:CBM128S085(Code 48 to Code 4047), CBM108S085(Code 12 to
Code 1011)
3.
设计值非实际测试值
4.
休眠模式下,芯片的断电复位电路仍然工作,消耗约 10uA 电流
动态特性
表 4
VA=2.7V to 5.5V; VREF1,2=VA; CL=200pF 到地; Ta=25℃ ; 特殊说明除外。
参数
符号
SCLK 频率
FSCLK
输出电压建立时间
1
tS
输出压摆率
SR
毛刺
GI
数字馈通 1
测试条件
RL=2KΩ , CL=200pF, 数
字码 0x400 到 0xC00
最小值
典型值
6
最大值
单位
40
MHz
8.5
uS
1
V/uS
40
nV-sec
DF
0.5
nV-sec
数字串扰 1
DC
0.5
nV-sec
多通道串扰 1
CROSS
1
nV-sec
输出带宽
MBW
350
KHz
总谐波失真与噪声 1
THD+N
-80
dB
输出噪声频谱密度 1
ONSD
数字码 0x800, 10kHz
80
nV/sqrt(Hz)
输出噪声 1
ON
BW = 30kHz
14
uV
唤醒时间
tWU
VA=3V
5
uS
VA=5V
3
uS
数字码 0x7FF 到 0x800
VREF1,2 = 2.5V ± 2Vpp
VREF1,2 = 2.5V ± 0.5Vpp
100Hz < fIN < 20kHz
SCLK 最小周期
1/fSCLK
25
33
nS
SCLK 最小高电平时间
tCH
7
10
nS
SCLK 最小低电平时间
tCL
7
10
nS
YNC 最小建立时间
tSS
3
10
nS
DATA 最小建立时间
tDS
1
2.5
nS
DATA 最小保持时间
tDH
1
2.5
nS
YNC 最小保持时间
tSH
0
3
nS
YNC 最小高电平时间
tSYNC
5
15
nS
1. 设计值非实际测试值
6
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CBM128S085/CBM108S085
产品详参
引脚配置图
图 2. TSSOP16 管脚配置
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CBM128S085/CBM108S085
产品详参
引脚简述
表5
管脚名
序号
类型
描述
DIN
1
数字输入
DOUT
2
数字输出
3
模拟输出
A 通道模拟输出电压.
4
模拟输出
B 通道模拟输出电压.
5
模拟输出
C 通道模拟输出电压.
6
模拟输出
D 通道模拟输出电压.
7
电源
8
模拟输入
A、B、C、D 通道共享参考电压. 电压范围为 0.5V~VA,工作时接去耦合电容到地.
9
模拟输入
E、F、G、H 通道共享参考电压. 电压范围为 0.5V~VA,工作时接去耦合电容到地.
10
地
11
模拟输出
H 通道模拟输出电压.
12
模拟输出
G 通道模拟输出电压.
13
模拟输出
F 通道模拟输出电压.
14
模拟输出
E 通道模拟输出电压.
串行数据输入. 在帧同步信号变高前,16 个时钟信号下降沿将数据输入至 16 位移
位寄存器.
串行数据输出. 该数字输出在菊花链模式时使用,用于连接另一块 CBM128S085 芯
片的输入. 出现 16 个时钟周期前,帧同步信号变高,该数字输出无效.
电源输入.电源输入范围为 2.7V~5.5V,工作时接去耦合电容到地.
整个芯片的地电位参考电压.
帧同步输入信号. 当该信号为低时,数字信号在时钟下降沿写入至输入移位寄存器.
15
数字输入
时钟信号出现 16 个下降沿后,该信号的上升沿使 DAC 输出更新。若该信号在 15
个上升沿前变高,该信号的上升沿视为中断信号,DAC 的输出将忽略输入序列.
16
数字输入
串行时钟输入.在该时钟的下降沿,数字信号被输入至移位寄存器.时钟最高工作频率
为 40MHz.
8
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CBM128S085/CBM108S085
产品详参
典型性能描述
VA=VREF=5V,Ta=25℃,特殊说明除外
图 3. CBM108S085 典型 INL
图 4. CBM128S085 典型 INL
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CBM128S085/CBM108S085
产品详参
图 5. CBM108S085 典型 DNL
图 6. CBM128S085 典型 DNL
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CBM128S085/CBM108S085
产品详参
图 7. DAC 唤醒(退出休眠状态)过程
图 8. 输出建立过程 (0.25 满幅至 0.75 满幅变化)
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CBM128S085/CBM108S085
产品详参
图 9. 上电复位
图 10 断电复位
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功能描述
DAC 结构
CBM128S085/CBM108S085中含有8通道DAC,每个通道都包含一DAC寄存器、一个电阻串结构
DAC和一输出驱动电路。电阻串结构DAC通过电阻串分压产生对应的电平,然后开关选择相应输出。为了
驱动外部负载,每通道输出端都增加了一缓冲驱动电路。
电阻串 DAC 结构示意图如图 11 所示,电阻串由 N 个等值电阻组成,参考电压直接加在电阻串上,
电阻分压产生 N 个输出电压,分别由 N 个开关控制,相邻电压均为 VLSB。每个电阻电压均可通过闭合对
应开关输出,数字输入信号控制开关的闭合与断开,每个输入码对应一个开关,因此对于 10bit 精度,
N=1024;对于 12bit 精度,N=4096。
图 11 电阻串 DAC 结构示意图
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CBM128S085/CBM108S085
产品详参
当输入数字信号为 D 时:
VOUT=VREF × (D/N)
CBM128S085 时 N=4096;CBM108S085 时 N=1024。CBM128S085/CBM108S085 中的 8 通
道 DAC,其中 ABCD 通道采用 VREF1 参考电压,EFGH 通道采用 VREF2 参考电压,参考电压直接从
外部输入因而可以灵活设置。数字信号 D 由串行接口写入内部 DAC 寄存器,进而控制 DAC 最终输出电
压。CBM128S085/ CBM108S085 的 8 通道 DAC 可以单独控制其使能或休眠,休眠状态下 DAC 的输
出有三种模式:高阻、2.5K 欧姆阻抗到地和 100K 欧姆阻抗到地,可以根据实际需要进行选择。
DAC 输出缓冲驱动电路采用轨到轨结构,输出电压范围为[0,VA](实际输出电压范围受限于参考电压
的大小)
,当输出电压接近 0 或 VA 时,缓冲驱动电路的线性度会快速恶化,因此线性度指标 INL 的定义
中去掉了部分最大码和最小码,在实际应用中应需注意。输出缓冲驱动电路可以驱动 2K 欧姆电阻负载以
及 1500pF 到地或电源的电容。负载电阻减小时,驱动电流相应增大,导致输出电压会有所变化,具体的
结果请参考前面的特性说明。缓冲驱动电路内置输出短路保护装置,保护电流典型值为 20mA。
串行接口
串行接口描述
输入端的三线串行接口与 SPITM, QSPI 和 MICROWIRE,以及大多数的 DSP 接口兼容,其时钟
工作频率最高能达到 40MHz。芯片的写操作在时钟下降沿进行,数据以 16 个周期为一帧,即在一帧数
据同步序列内有 16 个时钟下降沿,详细接口时序如图 12 所示,具体数值请参考表 4。
图 12 串行接口时序
以写一帧数据为例,当SYNC 信号拉低,芯片的写操作开始执行,在DIN 输入的数据通过SCLK 的下降沿同步至移位
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CBM128S085/CBM108S085
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寄存器。为了避免时钟错误,需要保证SYNC 下降沿与时钟下降沿之间的建立时间(SYNC 与SCLK 的时序关系)。当SCLK
的第16 个时钟下降沿到来,最后一位数据写入移位寄存器。此时,SYNC信号变高,芯片开始进行编程操作(通道选择,
模式选择与寄存器内容变更等)。SYNC信号变高之后的时钟下降沿不会对芯片产生影响。
若SYNC在第15个时钟下降沿前变高,移位寄存器中写序列操作数据将被视为无效。当时钟沿超过17个下降沿时,DIN
的数据将在DOUT端口上依次输出。这种操作模式的更多信息可参考菊花链工作模式。
当 DIN 为高时,输入端驱动器需要消耗更多的电流,在写序列有效时,DIN 应当处于闲置状态从而降低功耗。另一方面,
当处于菊花链模式 DOUT 有效输出时,同步帧信号应处于空闲状态。
菊花链工作模式
菊花链(Daisy chain)工作模式允许单个串行控制器同时对多个芯片进行操作,进而减少信号线数
目并且简化连接。菊花链工作模式下,所有芯片共享SYNC和SCLK信号,前一芯片的DOUT信号接后一芯片
的DIN。串行接口接收数据时仍然以帧为单位,当数据长度超过一帧时,芯片在接收当前帧的同时会把前
一帧的数据依次从DOUT端口输出给后续芯片,进而作为后续芯片的数据输入。当SYNC信号上升沿到来
时,所有芯片会把当前接收到的帧数据同时更新至串行输入寄存器。
以三颗芯片菊花链为例进行说明,此时连接如图 13 所示,DAC1 的 DOUT 输出给 DAC2 的 DIN,DAC2
的 DOUT 输出给 DAC3 的 DIN。串行控制器发送数据时的时序如图 14 所示,在 SYNC 信号为低时发送 3
帧数据,分别输出给 DAC3、DAC2 和 DAC1,注意数据发送顺序。需要特别注意的是 DOUT 是在 SCLK
信号下降沿更新的,将在 SCLK 信号的下一次下降沿被后续芯片采样,为了保证正确采样需要满足 DIN 信
号保持时间的要求,因此需要特别注意板上 SYNC、SCLK、DIN 和 DOUT 信号的延时,必要时需要在 DIN
和 DOUT 中间加入延时。
图 13 菊花链连接
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图 14 菊花链时序
串行输入寄存器
串行输入寄存器以 16 位为一帧,记为 DB[15:0],其中前 4 位 DB[15:12]为模式控制位,后 12 位
DB[11:0] 为数据位。串行输入寄存器的说明一览表如表 6 所示。CBM108S085 为 10bit DAC,因此当
D[15]=0 时,
数据位 D[11:0]中只有 D[11:2]有效,
剩余 D[1:0]无效。
D[11]为 MSB,
D[0]为 LSB。DB[15:12]
把串行输入数据分为 4 种类型,分别是:写数据/DAC 寄存器、模式控制、特殊命令和休眠模式,分别对
应不同的功能。
表 6 串行输入寄存器说明
类型
休眠模式
DB[15:12]
DB[11:0]
1111
xxxx_HGFEDCBA
1110
xxxx_HGFEDCBA
1101
xxxx_HGFEDCBA
1100
D11 D10 … D1 D0
说明
DB[7:0]相应位为’1’时,对应通道进入休眠状态,2.5K
欧姆阻抗输出
DB[7:0]相应位为’1’时,对应通道进入休眠状态,100K
欧姆阻抗输出
DB[7:0]相应位为’1’时,对应通道进入休眠状态,高阻
输出
广播模式:所有通道的数据寄存器和 DAC 寄存器同时更
新为 DB[11:0]的值。
A 通道更新:A 通道的数据寄存器和 DAC 寄存器同时
特殊命令
1011
D11 D10 … D1 D0
更新为 DB[11:0],其它 7 个通道的 DAC 寄存器也同时
更新为对应数据寄存器的值。
模式控制
写数据/DAC
更新选择:当 DB[7:0]某位为’1’时,对应通道 DAC 寄
1010
xxxx_HGFEDCBA
1001
xxxx_xxxx_xxxx
WTM 模式命令
1000
xxxx_xxxx_xxxx
WRM 模式命令
0111
D11 D10 … D1 D0
存器更新为数据寄存器的值,DAC 输出也随着更新。
WRM: D[11:0]仅写入 H 通道数据寄存器
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CBM128S085/CBM108S085
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寄存器
WTM: D[11:0] 直接更新 H 通道 DAC 寄存器
0110
D11 D10 … D1 D0
0101
D11 D10 … D1 D0
0100
D11 D10 … D1 D0
0011
D11 D10 … D1 D0
0010
D11 D10 … D1 D0
0001
D11 D10 … D1 D0
0000
D11 D10 … D1 D0
WRM: D[11:0] 仅写入 G 通道数据寄存器
WTM: D[11:0] 直接更新 G 通道 DAC 寄存器
WRM: D[11:0] 仅写入 F 通道数据寄存器
WTM: D[11:0] 直接更新 F 通道 DAC 寄存器
WRM: D[11:0] 仅写入 E 通道数据寄存器
WTM: D[11:0] 直接更新 E 通道 DAC 寄存器
WRM: D[11:0] 仅写入 D 通道数据寄存器
WTM: D[11:0] 直接更新 D 通道 DAC 寄存器
WRM: D[11:0] 仅写入 C 通道数据寄存器
WTM: D[11:0] 直接更新 C 通道 DAC 寄存器
WRM: D[11:0] 仅写入 B 通道数据寄存器
WTM: D[11:0] 直接更新 B 通道 DAC 寄存器
WRM: D[11:0] 仅写入 A 通道数据寄存器
WTM: D[11:0] 直接更新 A 通道 DAC 寄存器
所有DAC通道都包含两个寄存器:数据寄存器和DAC寄存器,更新DAC寄存器会直接更新DAC的输
出模拟信号;数据寄存器暂存串行接口输入的数据,用户可以发送命令把DAC寄存器更新为数据寄存器中
的值。当所有数据寄存器都写入后,用户可以发送命令控制所有DAC通道的输出同时更新。
串行接口控制寄存器的更新有两种方式:WRM(Write Register Mode)和 WTM(Write Through
Mode)。写数据/DAC寄存器时,WRM方式下只有数据寄存器被更新,WTM方式下数据寄存器和DAC寄
存器同时更新。芯片上电默认采用的是WRM方式。
串行输入特殊命令有三个:更新选择、A 通道更新和广播模式。更新选择命令可以选择性的对某一通
道进行 DAC 寄存器更新,进而更新 DAC 的输出;A 通道更新命令在写入 A 通道数据的同时更新所有通道
的 DAC 输出;广播命令可以把所有通道的数据寄存器和 DAC 寄存器同时更新为同一值。
休眠模式
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CBM128S085/CBM108S085
产品详参
CBM128S085/ CBM108S085 的 8 通道 DAC 均可以单独配置为休眠模式,休眠模式通过设置串行
输入寄存器来完成,设置 DB[15:12]为所需的休眠模式,并把需要休眠的通道的对应位设置为“1”。当 8
通道 DAC 全部休眠后,芯片内部的偏置电路也一并休眠,不过芯片内部断电复位电路此时仍然在正常工
作,消耗电流的典型值约为 10uA。
上电/断电复位
CBM128S085/ CBM108S085 内部同时含有上电复位和断电复位电路,该复位电路同时控制所有通
道的输出,复位后所有通道的数据/DAC 寄存器设置为全 0,DAC 的最终输出也为 0 电平。当电源电压升
高至芯片最低工作电压后产生复位操作,波形如图 9 所示。断电复位发生在芯片电源断电过程中,当电源
电压低于约 2.7V 时,产生复位操作,波形如图 10 所示。
封装尺寸(TSSOP-16)
SYBMOL
MILLIMETER
MIN
NOM
MAX
A
-
-
1.20
A1
0.05
-
0.15
A2
0.90
1.00
1.05
A3
0.39
0.44
0.49
b
0.20
-
0.30
b1
0.19
0.22
0.25
c
0.13
-
0.19
c1
0.12
0.13
0.14
D
4.86
4.96
5.06
E
6.20
6.40
6.60
E1
4.30
4.40
4.50
e
L
0.65 BSC
0.45
L1
θ
L/F 载体尺寸
(mil)
-
图 15 TSSOP16 封装尺寸,单位:mm
0.75
1.00 BSC
0
-
8°
91×118
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CBM128S085/CBM108S085
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QFN
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CBM128S085/CBM108S085
产品详参
PACKAGE/ORDERING INFORMATION
PRODUCT
CBM108S085
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MEDIA,QUANTILY
QFN16
108S085
Reel,2500
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TSSOP16
108S085
Reel,2500
CBM128S085QS
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QFN16
128S085
Reel,2500
CBM128S085TS
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128S085
Reel,2500
TEMPRANGE
PACKAGE
CBM108S085QS
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CBM108S085TS
NUMBER
CBM128S085
20
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