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创作活动
S9018

S9018

  • 厂商:

    CBI(创基)

  • 封装:

    SOT-23

  • 描述:

    晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):50mA 集射极击穿电压(Vceo):15V 功率(Pd):200mW 集电极截止电流(Icbo):50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,I...

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S9018 数据手册
TRANSISTOR (NPN) FEATURES AM/FM Amplifier, Local Oscillator of FM/VHF Tuner SOT-23 High Current Gain Bandwidth Product fT=1.1 GHz (Typ) 1.BASE 2.EMITTER 3.COLLECTOR MARKING:J8 MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage 15 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 50 mA PC Collector Power Dissipation 200 mW Tj Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55-150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC= 100µA, IE=0 30 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC= 1mA, IB=0 15 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=100µA, IC=0 5 V Collector cut-off current ICBO VCB=12V, IE=0 0.05 µA Collector cut-off current ICEO VCE=12V, IB=0 0.1 µA Emitter cut-off current IEBO VEB= 3V, IC=0 0.1 µA hFE(1) VCE=5V, IC= 1mA Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=10mA, IB= 1mA 0.5 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=10mA, IB= 1mA 1.4 V DC current gain 105 195 VCE=5V, IC= 5mA Transition frequency fT f=400MHz 600 1 of 3 Copyright © All right reserved: Heyuan China Base Electronics Technology Co., Ltd. MHz Typical Characteristics S9018 2 of 3 Copyright © All right reserved: Heyuan China Base Electronics Technology Co., Ltd. PACKAGE OUTLINE Plastic surface mounted package; 3 leads SOT-23 3 of 3 Copyright © All right reserved: Heyuan China Base Electronics Technology Co., Ltd.
S9018
物料型号:S9018

器件简介: - 该晶体管适用于AM/FM放大器、FM/VHF调谐器的本地振荡器。 - 具有高电流增益带宽积,典型值为1.1 GHz。

引脚分配: - 1. 基极(Base) - 2. 发射极(Emitter) - 3. 集电极(Collector)

参数特性: - 集电极-基极电压(VcBO):最大30V - 集电极-发射极电压(VCEO):最大15V - 发射极-基极电压(VEBO):最大5V - 集电极电流(Ic):连续最大50mA - 集电极功耗(Pc):最大200mW - 结温(T):最高150°C - 存储温度(Tstg):-55至150°C

功能详解: - 集电极-基极击穿电压(VBRCBO):最小30V - 集电极-发射极击穿电压(V(BRCEO)):最小15V - 发射极-基极击穿电压(V(BR)EBO):最小5V - 集电极截止电流(IcBO):最大0.05uA - 集电极截止电流(IcEO):最大0.1uA - 发射极截止电流(IEBO):最大0.1uA - 直流电流增益(hFE(1)):最小105,典型值未提供,最大195 - 集电极-发射极饱和电压(Vce(sat)):最大0.5V - 基极-发射极饱和电压(VBe(sat)):最大1.4V - 转换频率(fT):在Vce=5V,Ic=5mA时,典型值为400MHz,最大值600MHz

应用信息: - 该晶体管适用于高频应用,如调谐器和放大器。

封装信息: - 封装类型:SOT-23 - 引脚数:3
S9018 价格&库存

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