SL1613SL

SL1613 霍尔开关传感器 1 产品特点  4 概述 低功耗 SL1613是一款低功耗霍尔开关传感器，专为空间紧 - 5Hz版本：1.6uA@1.8V 凑系统和电池电量敏感系统而设计。该芯片可以提供 - 20Hz版本：3.3uA@1.8V 多种磁场阈值、开关工作频率和封装形式以适配各种  宽工作电压范围：1.6V~5.5V 应用。  磁场阈值可选（Bop） 当施加的S极磁感应强度超过工作点BOP时，芯片输出 - 33Gs 低阈值 - 46Gs 高阈值 低电平，且保持低电平。直到S极磁感应强度低于释 放点BRP时，芯片输出高电平。芯片内置温度补偿电  单S极磁场检测 路，时钟逻辑电路，保证芯片稳定的工作点和开关频  CMOS推挽输出 率。芯片可以以极低的电流消耗，提供单S极磁响应。  封装：SOT-23 并 SL1613 可以在1.6V至5.5V的供电电压范围内工作，  工作温度范围：-40℃~85℃ 采用标准的SOT-23 封装  卓越的ESD性能：HBM 8KV  符合RoHS标准 2 典型应用  笔记本电脑和平板电脑开关检测  TWS耳机、手机  电子锁、阀门位置检测  水表、气表、流量计  非接触式检测 3 应用电路原理图 SOT-23 注：为了滤除芯片电源端的噪声，电源和地之间需连接 一个100nF 电容，且电容尽量接近VDD引脚。 www.slkormicro.com 1 SL1613 5 引脚定义和标记信息 SOT-23 引脚结构 (俯视图) www.slkormicro.com 引脚名称 引脚序号 功能描述 VDD 1 供电输入端 OUTPUT 2 输出端 GND 3 接地端 2 SL1613 6 功能框图 7 开关输出特性 如下图，当磁铁南极靠近芯片顶部时，磁感线由芯片底部向顶部穿过，认为此时磁感应强度B为正；当磁铁北极 靠近芯片顶部时，磁感线由芯片顶部向底部穿过，认为此时磁感应强度B为负。 www.slkormicro.com 3 SL1613 输出特性 8 产品型号构成 SL 1613 - X X 磁场阈值：H: 高阈值 BOP=46 Gauss L：低阈值 BOP=33 Gauss 工作频率：T：典型版本 f = 20Hz S：低速版本 f = 5Hz www.slkormicro.com 4 SL1613 9 绝对最大额定值 (@TA=+25℃， 除特别说明外) 项目 VDD 参数说明 供电电压 数值 单位 6 V VDD_REV 反向电源电压 -0.3 V IOUTPUT 输出驱动电流 5 mA 无上限 Gauss 400 mW B 磁感应强度 PD 封装 TSTG TJ ESD HBM 工作温度范围 -50～+150 o 结点最高耐温 +150 o C 人体模型ESD能力 8000 C V 注： 超过绝对最大额定值可能造成永久性损坏。长时间工作于绝对最大额定条件下可能会影响芯片的可 靠性。 10 参考工作条件 (@TA=+25℃， 除特别说明外) 项目 参数说明 工作条件 数值 VDD 供电电压范围 芯片工作 1.6～5.5 芯片工作 -40～85 TA 工作温度范围 单位 V C o 11 电参数 (@TA=+25℃， VDD=1.8V 除特别说明外) SL 1613-TX系列 项目 参数说明 工作条件 最小值. 典型值 最大值 单位 VDD 供电电压 工作状态 1.6 — 5.5 V VOL 输出低电平 IOUT=1mA — 0.02 0.1 V VOH 输出高电平 IOUT=1mA VDD-0.1 VDD-0.02 — V IDD(AVG) 平均电流 TA=+25℃， VDD=1.8V — 3.30 — μA IDD(Awake) 唤醒状态电流 TA=+25℃， VDD=1.8V — 2.0 — mA IDD(Sleep) 休眠状态电流 TA=+25℃， VDD=1.8V — 1.00 TAWAKE 唤醒时间 工作状态 — 50 — μs TPERIOD 周期 工作状态 — 50 — ms www.slkormicro.com 5 μA SL1613 SL1613- SX系列 项目 参数说明 工作条件 最小值. 典型值 最大值 单位 VDD 供电电压 工作状态 1.6 — 5.5 V VOL 输出低电平 IOUT=1mA — 0.02 0.1 V VOH 输出高电平 IOUT=1mA VDD-0.1 VDD-0.02 — V IDD(AVG) 平均电流 TA=+25℃， VDD=1.8V — 1.6 — μA IDD(Awake) 唤醒状态电流 TA=+25℃， VDD=1.8V — 2.0 — mA IDD(Sleep) 休眠状态电流 TA=+25℃， VDD=1.8V — 1.0 TAWAKE 唤醒时间 工作状态 — 50 — μs TPERIOD 周期 工作状态 — 200 — ms μA 注：芯片上电后（VDD为1.6V~5.5V），输出开始采样，输出状态在第二个工作周期后有效。 12 磁参数 (@TA=+25℃， VDD=1.8V 除特别说明外) 项目 参数说明 工作条件 最小值. 典型值 最大值 单位 SL1613- XH 系列 BOPS 磁场工作点 TA=+25℃， VDD=1.8V 40 46 52 BRPS 磁场释放点 TA=+25℃， VDD=1.8V 26 34 38 BHY (|BOPS|-|BRPS|) 磁滞 - 12 - www.slkormicro.com 6 Gauss SL1613 项目 参数说明 工作条件 最小值. 典型值 最大值 单位 SL1613- XL系列 BOPS 磁场工作点 TA=+25℃， VDD=1.8V 26 33 38 BRPS 磁场释放点 TA=+25℃， VDD=1.8V 16 23 28 BHY (|BOPS|-|BRPS|) 磁滞 - 10 - 13 性能曲线图 SL1613- XH系列（高阈值版本） 磁场阈值 vs. 供电电压 @TA=25℃ 磁场阈值 vs 温度 @VDD=1.6 磁场阈值 vs 温度 @VDD=1.8V www.slkormicro.com 磁场阈值 vs 温度 @VDD=5.5 7 Gauss SL1613 SL1613 -XL系列（低阈值版本） 磁场阈值 vs. 供电电压 @TA=25℃ 磁场阈值 vs 温度 @VDD=1.6V 磁场阈值 vs 温度 @VDD=1.8V 磁场阈值 vs 温度 @VDD=5.5V SL1613- SX系列 （低速版本） SL1613- TX系列（典型版本） 平均工作电流 vs. 供电电压 @ TA=25℃ www.slkormicro.com 平均工作电流 vs. 供电电压 @ TA=25℃ 8 SL1613 14 订货信息 型号 封装形式 引脚数 磁场阈值（Bop） 开关频率 温度 SL1613 - TH SOT-23 3 46Gauss 20Hz -40℃~85℃ SL1613 -T L SOT-23 3 33Gauss 20Hz -40℃~85℃ SL1613 - SH SOT-23 3 46Gauss 5Hz -40℃~85℃ SL1613 - SL SOT-23 3 33Gauss 5Hz -40℃~85℃ www.slkormicro.com 9 SL1613 封装外形尺寸图 SOT-23 D E1 E L b θ e c e1 SIDE VIEW A A1 A2 TOP VIEW SIDE VIEW Symbol www.slkormicro.com Dimensions in Millimeters Min. Typ. Max. A - - 1.25 A1 0.00 - 0.1 A2 1.00 1.10 1.15 b 0.30 - 0.50 c 0.10 - 0.20 D 2.82 2.95 3.02 E 2.65 2.80 2.95 E1 1.50 1.65 1.70 e 0.85 0.95 1.05 e1 1.80 1.90 2.00 L 0.30 0.45 0.60 θ 0︒ - 8︒ 10