S9015

厂商：
SLKOR(萨科微)
封装：
SOT-23
描述：
NPN型 Vce饱和压降(Max)：-300mV 集电极电流Ic(Max)：-100mA 功率(Max)：200mW 跃迁频率：150MHz 封装：SOT-23

数据手册：

下载S9015.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

S9015 数据手册

S9015 TRANSISTOR PNP SOT-23 FEATURES Complementary to S9014 z 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -50 V VCEO Collector-Emitter Voltage -45 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -100 mA PC Collector Power Dissipation 200 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 625 ℃/W Tj Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55～+150 ℃ RΘJA ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC= -100μA, IE=0 -50 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC = -0.1mA, IB=0 -45 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=-100μA, IC=0 -5 V Collector cut-off current ICBO VCB=-50 V, IE=0 -0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB= -5V, IC=0 -0.1 μA DC current gain hFE VCE=-5V, IC= -1mA 200 1000 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=-100mA, IB= -10mA -0.3 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=-100mA, IB=-10mA -1 V Transition frequency www.slkormicro.com fT VCE=-5V, IC= -10mA f=30MHz 1 150 MHz S9015 hFE Static Characteristic -8 COMMON EMITTER Ta=25℃ Ta=100℃ -18uA -6 IC -16uA DC CURRENT GAIN -14uA -12uA -4 Ta=25℃ hFE (mA) -20uA COLLECTOR CURRENT —— IC 1000 -10uA -8uA -6uA -2 100 -4uA COMMON EMITTER VCE= -5V IB=-2uA -0 -0 -2 -4 -6 COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCEsat COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VCEsat (V) -1 —— VCE 10 -0.1 -8 -1 (V) -10 COLLECTOR CURRENT IC VBEsat —— IC -100 (mA) IC -2 -1 BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VBEsat (V) Ta=25℃ -0.1 Ta=100℃ Ta=25℃ Ta=100℃ β=10 β=10 -0.01 -0.1 -0.2 -1 -10 COLLECTOR CURRENT IC IC -100 -10 COLLECTOR CURRENT —— VBE fT Ta=100℃ (mA) IC —— TRANSITION FREQUENCY fT -10 -100 IC (MHz) 1000 (mA) IC COLLECTOR CURRENT -1 (mA) -100 Ta=25℃ -1 COMMON EMITTER VCE=-5V -0.1 -0.0 -0.2 -0.3 -0.6 -0.9 100 COMMON EMITTER VCE=-5V Ta=25℃ 10 -0.1 -1.2 -1 BASE-EMMITER VOLTAGE VBE (V) Cob/ Cib -10 COLLECTOR CURRENT —— VCB/ VEB PC 250 30 —— IC -100 (mA) Ta f=1MHz IE=0/IC=0 COLLECTOR POWER DISSIPATION PC (mW) 10 C (pF) Ta=25 ℃ Cib CAPACITANCE Cob 1 -0.1 -1 REVERSE VOLTAGE www.slkormicro.com -10 VR 200 150 100 50 0 -20 0 (V) 25 50 75 AMBIENT TEMPERATURE 2 100 Ta 125 150 (℃ ) A,Jun,2014 S9015 Symbol A A1 A2 b c D E E1 e e1 L L1 θ Dimensions In Millimeters Min Max 0.900 1.150 0.000 0.100 0.900 1.050 0.300 0.500 0.080 0.150 2.800 3.000 1.200 1.400 2.250 2.550 0.950 TYP 1.800 2.000 0.550 REF 0.300 0.500 0° 8° Dimensions In Inches Min Max 0.035 0.045 0.000 0.004 0.035 0.041 0.012 0.020 0.003 0.006 0.110 0.118 0.047 0.055 0.089 0.100 0.037 TYP 0.071 0.079 0.022 REF 0.012 0.020 0° 8° A,Jun,2014 www.slkormicro.com 3

下载 PDF

S9015

物料型号：S9015 器件简介：PNP型晶体管，与S9014互补 引脚分配：1.基极(B) 2.发射极(E) 3.集电极(C) 参数特性： - 集电极-基极电压(VcBO)：-50V - 集电极-发射极电压(VCEO)：-45V - 发射极-基极电压(VEBO)：-5V - 集电极电流(Ic)：-100mA - 集电极功耗(Pc)：200mW - 结到环境的热阻(ROJA)：625°C/W - 结温(T)：150°C - 存储温度(Tstg)：-55°C至+150°C

功能详解： - 直流电流增益(hFE)：在Vc=-5V, Ic=-1mA条件下，最小值为200，典型值为1000 - 集电极-发射极饱和电压(VcE(sat))：在Ic=-100mA, Ib=-10mA条件下，最大值为-0.3V - 基极-发射极饱和电压(VBE(sat))：在Ic=-100mA, Ib=-10mA条件下，最大值为-1V - 过渡频率(fr)：在VcE=-5V, Ic=-10mA, f=30MHz条件下，为150MHz

应用信息：文档中未明确提供应用信息，但根据其参数特性，S9015适用于一般用途的放大和开关应用。

封装信息：SOT-23，具体尺寸如下： - A (宽)：0.900mm至1.150mm - B (长)：0.300mm至0.500mm - C (高)：0.080mm至0.150mm - D (引脚间距)：2.800mm至3.000mm - E (封装长度)：1.200mm至1.400mm

S9015 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“S9015”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货