0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
SC8205A

SC8205A

  • 厂商:

    FM(富满)

  • 封装:

    TSSOP8_3X4.4MM

  • 描述:

    类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,5A

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
SC8205A 数据手册
此文档权利由FM富满享有,您也可访问FM富满官方网站获取;立创商城 WWW.SZLCSC.COM,中国领先的现货元器件交易平台。 深圳市富满电子集团股份有限公司 5 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 6 SC8205 (文件编号:S&CIC0706) 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A = 75mΩ RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.5A = 38mΩ RDS(ON), Vgs@4.0V, Ids@4.5A = 30mΩ RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.5A = 28mΩ RDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.0A = 25mΩ D 特点      4 5 专有的先进平面技术 高密度超低电阻设计 大功率、大电流应用 理想的锂电池应用 封装形式:TSSOP-8/SOT-23-6 8205A/TSSOP-8 8205S/SOT-23-6 D1/D2 1 8 D1/D2 S1 2 7 S2 S1 3 6 S2 G1 4 5 G2 1 G1 NC G2 6 5 4 C 1 2 3 S1 2 D 3 4 S2 Drain G at e1 Gate2 Source1 Source2 B N-Channel MOSFET www.superchip.cn 第 1 页 共 3 页 Version 1.1 此文档权利由FM富满享有,您也可访问FM富满官方网站获取;立创商城 WWW.SZLCSC.COM,中国领先的现货元器件交易平台。 深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. SC8205 (文件编号:S&CIC0706) 最大额定值和热特性 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 (Ta = 25℃,除非另有说明。) 参数 漏源电压 符号 值 VDS 20 单位 V 栅源电压 VGS ±12 漏极电流 ID 6 A IDM 漏极脉冲电流 20 TA = 25℃ 2 PD 最大功耗 W TA = 75℃ 1.3 工作结温和存储温度范围 结环热阻(PCB 安装) TJ, Tstg -55 to 150 ℃ RθJA 62.5 ℃/W 注:重复性极限值:脉冲宽度由最高结温限制。 电特性 参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 BVDSS VGS = 0V, ID = 250uA 20 -- -- V VGS = 1.8V,ID = 2.0A -- 53.0 75.0 VGS = 2.5V,ID = 3.5A -- 30.0 38.0 VGS = 4.0V,ID = 4.5A 23.0 30.0 VGS = 4.5V,ID = 4.5A 22.0 28.0 VGS = 10V,ID = 5.0A 20.0 25.0 静电 漏源击穿电压 漏源电阻 RDS(on) mΩ VGS(th) VDS = VGS, ID = 250uA 0.5 -- 1.5 V 栅源短路时漏极电流 IDSS VDS = 20V, VGS = 0V -- -- 1 uA 漏极短路时截止栅电流 IGSS VGS = ±12V, ID=0uA -- -- ±100 nA 跨导 gfs VDS = 15V, ID = 6.0A -- 29 -- S 栅极阈值电压 www.superchip.cn 第 2 页 共 3 页 Version 1.1 此文档权利由FM富满享有,您也可访问FM富满官方网站获取;立创商城 WWW.SZLCSC.COM,中国领先的现货元器件交易平台。 深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. SC8205 (文件编号:S&CIC0706) 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 动态 总栅极电荷 Qg 6.24 8.11 栅源电荷 Qgs 1.64 2.13 栅漏电荷 Qgd 1.34 1.74 延迟时间(On) td(on) 10.4 20.8 上升时间(On) tr 4.4 8.8 延迟时间(Off) td(off) 27.36 54.72 下降时间(Off) tf 4.16 8.32 -- 522.3 -- -- 98.48 -- -- 74.69 -- 输入电容 Ciss 输出电容 Coss 反向传输电容 Crss VDS = 10V,ID = 6A VGS = 4.5V VDD = 10V,ID = 6A ID = 1A,VGS = 4.5V VDS = 8V, VGS = 0V f=1.0MHz nC ns pF 漏源二极管 二极管最大正向电流 二极管正向电压 IS -- -- -- 1.7 A VSD IS = 1.7A, VGS = 0V -- -- 1.2 V 注:脉冲测试:脉冲宽度
SC8205A
物料型号:SC8205

器件简介:SC8205是一款20V N沟道增强型MOS场效应管,采用专有的先进平面技术,具有高密度超低电阻设计,适合大功率、大电流应用,特别适用于锂电池应用。

引脚分配: - G1:栅极1 - G2:栅极2 - D1/D2:漏极 - S1/S2:源极

参数特性: - 漏源电压(Vps):20V - 栅源电压(VGs):±12V - 漏极电流(lp):6A - 漏极脉冲电流(IoM):20A - 最大功耗(Po):2W(TA=25°C)、1.3W(TA=75°C) - 工作结温和存储温度范围(TJ,Tstg):-55°C至150°C

功能详解: - 该器件具有低导通电阻和多种工作条件下的导通电阻参数。 - 具有栅极阈值电压、栅源短路时漏极电流、漏极短路时截止栅电流等电特性。

应用信息:适用于大功率、大电流应用,特别推荐用于锂电池应用。

封装信息:提供TSSOP-8和SOT-23-6两种封装形式。
SC8205A 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“SC8205A”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货
SC8205A
  •  国内价格
  • 5+0.30600
  • 20+0.27900
  • 100+0.25200
  • 500+0.22500
  • 1000+0.21240
  • 2000+0.20340

库存:0