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深圳市富满电子集团股份有限公司
5
SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD.
6
SC8205 (文件编号:S&CIC0706)
20V N 沟道增强型 MOS 场效应管
20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A = 75mΩ
RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.5A = 38mΩ
RDS(ON), Vgs@4.0V, Ids@4.5A = 30mΩ
RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.5A = 28mΩ
RDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.0A = 25mΩ
D
特点
4
5
专有的先进平面技术
高密度超低电阻设计
大功率、大电流应用
理想的锂电池应用
封装形式:TSSOP-8/SOT-23-6
8205A/TSSOP-8
8205S/SOT-23-6
D1/D2
1
8
D1/D2
S1
2
7
S2
S1
3
6
S2
G1
4
5
G2
1
G1
NC
G2
6
5
4
C
1
2
3
S1
2
D
3
4
S2
Drain
G at e1
Gate2
Source1
Source2
B
N-Channel MOSFET
www.superchip.cn
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Version 1.1
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SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD.
SC8205 (文件编号:S&CIC0706)
最大额定值和热特性
20V N 沟道增强型 MOS 场效应管
(Ta = 25℃,除非另有说明。)
参数
漏源电压
符号
值
VDS
20
单位
V
栅源电压
VGS
±12
漏极电流
ID
6
A
IDM
漏极脉冲电流
20
TA = 25℃
2
PD
最大功耗
W
TA = 75℃
1.3
工作结温和存储温度范围
结环热阻(PCB 安装)
TJ, Tstg
-55 to 150
℃
RθJA
62.5
℃/W
注:重复性极限值:脉冲宽度由最高结温限制。
电特性
参数
符号
测试条件
最小
典型
最大
单位
BVDSS
VGS = 0V, ID = 250uA
20
--
--
V
VGS = 1.8V,ID = 2.0A
--
53.0
75.0
VGS = 2.5V,ID = 3.5A
--
30.0
38.0
VGS = 4.0V,ID = 4.5A
23.0
30.0
VGS = 4.5V,ID = 4.5A
22.0
28.0
VGS = 10V,ID = 5.0A
20.0
25.0
静电
漏源击穿电压
漏源电阻
RDS(on)
mΩ
VGS(th)
VDS = VGS, ID = 250uA
0.5
--
1.5
V
栅源短路时漏极电流
IDSS
VDS = 20V, VGS = 0V
--
--
1
uA
漏极短路时截止栅电流
IGSS
VGS = ±12V, ID=0uA
--
--
±100
nA
跨导
gfs
VDS = 15V, ID = 6.0A
--
29
--
S
栅极阈值电压
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SC8205 (文件编号:S&CIC0706)
20V N 沟道增强型 MOS 场效应管
动态
总栅极电荷
Qg
6.24
8.11
栅源电荷
Qgs
1.64
2.13
栅漏电荷
Qgd
1.34
1.74
延迟时间(On)
td(on)
10.4
20.8
上升时间(On)
tr
4.4
8.8
延迟时间(Off)
td(off)
27.36
54.72
下降时间(Off)
tf
4.16
8.32
--
522.3
--
--
98.48
--
--
74.69
--
输入电容
Ciss
输出电容
Coss
反向传输电容
Crss
VDS = 10V,ID = 6A
VGS = 4.5V
VDD = 10V,ID = 6A
ID = 1A,VGS = 4.5V
VDS = 8V, VGS = 0V
f=1.0MHz
nC
ns
pF
漏源二极管
二极管最大正向电流
二极管正向电压
IS
--
--
--
1.7
A
VSD
IS = 1.7A, VGS = 0V
--
--
1.2
V
注:脉冲测试:脉冲宽度
很抱歉,暂时无法提供与“SC8205A”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货
免费人工找货- 国内价格
- 5+0.30600
- 20+0.27900
- 100+0.25200
- 500+0.22500
- 1000+0.21240
- 2000+0.20340