BFR520

BFR520 MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 1. 简述： Collector 3 本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏 1 Base 电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性； Emitter 2 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中，如 3 卫星电视调谐器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、雷达感应开关、射频模块和光 纤传输中的中继放大器等产品； 2 集电极-发射极击穿电压：BVCEO=12V，最大集电极电流：IC=70mA,集电极 1 耗散功率：PC=300mW，特征频率：fT=9GHz； SOT-23 2. 极限参数（Tamb=25℃）： 参数名称 符号 额定值 集电极-基极电压 集电极-发射极电压 发射极-基极电压 集电极电流 耗散功率 最高结温 储存温度 VCBO VCEO VEBO IC PT TJ Tstg 20 12 2.5 70 300 150 -65～+150 单位 V V V mA mW ℃ ℃ 3. 电参数及规格（Tamb=25℃）： 参数名称 符号 集电极-基极击穿电压 集电极-发射极击穿电压 发射极-基极击穿电压 集电极截止电流 直流电流放大系数 特征频率 反馈电容 集电极电容 发射极电容 2 插入功率增益 ∣S21∣ 噪声系数 NF 最大单边功率增益 GUM 输出电压 输出功率在 1dB 的增益压 缩 ITO 第三阶截点 其中： GUM 测试条件 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO hFE fT Cre CC Ce  10 log www.slkormicro.com 最小值 S 21 最大值 单位 VCB=6V,IE=0 VCE=6V,IC=20mA VCE=6V,IC=20mA IC=iC=0,VCB=6V,f=1MHz IE=ie=0,VCB=6V,f=1MHz IC=iC=0,VEB=0.5V,f=1MHz 120 9 0.4 0.5 1.0 0.05 250 - GHz pF pF pF IC=20mA,VCE=6V,f=900MHz 14 15 - dB VCE=6V,IC=5mA,f=900MHz VCE=6V,IC=20mA,f=900MHz VCE=8V,IC=5mA,f=2GHz IC=20mA,VCE=6V,f=900MHz IC=20mA,VCE=6V,f=2GHz 15 - 1.1 1.6 1.9 16 9 270 1.6 2.1 - dB dB dB dB dB mV - 17 - dB - 26 - dBm VO PL1 典型值 20 12 2.5 60 - IC=20mA,VCE=6V,RL=50;,f=900 MHz 2 1  S11 2 1  S 22 2 dB 1 V V V μA BFR520 4. 典型特征曲线： TYPICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃,unless otherwise specified) TOTAL POWER DISSIPATION AMBIENT TEMPERATTURE VS . REVERSE TRANSFER VS. COLLECTOR CAPACITANCE TO BASE VOLTAGE Cre(pF) Ptot(mW) 400 0. 5 300 Free air 0.4 200 I C= 0； f =1MHz 0.3 100 0 0 50 100 150 0 FREQUENCYVS. COLLECTOR CURRENT fT ( GHz) 4 8 12 16 VCB(V) DC CURRENTVS. COLLECTOR CURRENT hFE 250 10 VCE = 6 V f=1 GHz 8 200 VCE = 3 V f=1 GHz 6 150 4 100 2 50 0 0 200 TS ( ℃) 1 www.slkormicro.com 10 0 100 IC (mA) 2 VCE= 6 V 10-2 10-1 1 10 102 IC (mA) BFR520 GAINVS. FUNCTION of COLLECTOR CURRENT gain (GHz) GAINVS. FUNCTION of COLLECTOR CURRENT gain( GHz) 25 20 20 MSG GMAX 15 GUM 10 VCE= 6 V f=2 GHz 15 VCE= 6 V f=900MHz 10 GMAX GUM 5 5 0 0 30 IC ( mA) 20 10 VS. FUNCTION of COLLECTOR CURRENT 0 20 10 30 IC ( mA) DISTORTION VS. FUNCTION of COLLECTOR CURRENT d 2( dB ) dim（dB） -30 -20 -30 -40 -40 -50 -50 -60 -70 0 - 60 -70 10 40 20 30 VCE=6V,VO=75mV,IC=20mA,f(pq)=810MHz gain( GHz) 40 0 10 30 20 VCE=6V,VO=75mV,IC=20mA,f(pq)=810MHz 60 50 IC(mA) GAIN VS. FUNCTION of FREQUENCY gain(GHz) G UM 40 50 60 IC (mA) GAIN VSFUNCTION . of FREQUENCY G UM 40 MSG 30 30 MSG 20 10 0 GMAX 20 GMAX IC = 5 mA VCE= 6 V 10 www.slkormicro.com 10 102 103 0 104 f( MHz) 3 IC=20 mA VCE= 6 V 10 10 2 3 10 4 10 f(MHz) BFR520 5.封装尺寸示意图： SOT-23 PACKAGE DIMENSIONS (Units:mm) 0.4±0.05 1.300±0.03 2.40±0.05 3 Marking 1 1.90±0.03 2.90±0.05 0.100±0.01 0.970±0.03 0.4 ±0.03 2 R0.08 0.1±0.03 0.20(MIN) PIN CONNECTIONS 1.Base 2. Emitter 3.Collector www.slkormicro.com 4